JPH039327Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

この考案は、半導体ウエハの露光処理の際にフ
オトマスクの所定部位をマスクして半導体ウエハ
上の一定領域にフアセツトカツト部を形成するた
めのフアセツトカツト治具に関し、詳しくは、フ
オトマスク自体に外的処理を処することなく、半
導体ウエハに形成すべきフアセツトカツト部の範
囲を常に一定させうるように構成されたものに関
する。

【従来の技術】

ICの製造工程におけるいわゆるマスク・ワー
クでは、たとえば次のような処理工程が踏まれて
いる。すなわち、酸化膜が形成された半導体ウエ
ハの表面上に、フオトレジストを均一に塗布し、
これに、フオトエツジング処理を行つて酸化膜に
エツジングを施す。その後フオトレジストを洗浄
除去する。これにより、酸化膜上にマスク・パタ
ーンが転写されることになる。 ところで、フオトエツチング処理は、ICの集
積度および能力を決定する重要な工程であり、
ICの製造工程中複数回繰り返して行われる。こ
れは、デバイスパターンが焼き付けられたフオト
マスクを、半導体ウエハの表面に密着させるか、
あるいは少し離れて位置合わせをして、露光処理
を行い、さらに現像・エツチング等を一連に行
う。 上記露光処理は、通常、マスクアライナを用い
て行われ、オペレータが、半導体ウエハを微動台
の上に載せ、次に、フオトマスクを半導体ウエハ
の上方に位置させて、顕微鏡により、前工程で焼
き付けられたパターンとフオトマスクのパターン
とのアライメントを行つた後、紫外線を照射して
露光させる。そして、露光処理が完了すれば、半
導体ウエハを取り出して次の現像工程へ送る。 ところで、半導体ウエハをウエハ・プロセスの
各工程間を移動させる際、あるいはウエハ・プロ
セス終了後の半導体ウエハをハンドリングする
際、ピンセツトで半導体ウエハをつかむことがあ
ることから、半導体ウエハには、ピンセツトでつ
かむ部分（ここでは、これをフアセツトカツト部
と称する）を形成してピンセツトを介しての外的
障害がフアセツトカツト部から半導体ウエハ全体
に及ばないようにしている。このようなフアセツ
トカツト部の形成は、マスク・ワークにおいて、
従来次のようにして行われていた。 すなわち、ウエハ・プロセスにおける複数回の
マスクワークのうちの或る一工程（通常、アルミ
ニウム配線工程で行われる場合が多い）におい
て、フオトマスクの所定部位に紙テープ等を直接
貼着してマスキングを行い、露光処理を行うよう
にしている。こうすれば、マスキングされた部分
のパターンが半導体ウエハに形成されないので、
パターンが形成されなかつた部分と他の部分との
電気的連絡が遮断され、これにより、半導体ウエ
ハにおけるパターンが形成されなかつた上記部
分、すなわちフアセツトカツト部をピンセツトで
つかんでも、これによる障害が半導体ウエハ全域
へ拡がることがない。なお、上記マスキングテー
プは、通常、半導体ウエハのオリエンテーシヨン
フラツトから数mm幅マスキングされるように、フ
オトマスクに貼り付けられる。

【考案が解決しようとする問題点】

しかしながら、上記のようなマスキング手段に
おいては、次のような問題点があつた。 上記マスキングテープは、フオトマスク自体に
貼着されるので、半導体ウエハとの位置関係をつ
かみ難いとともに、その貼着も目測によつて大体
の位置合わせをして行われるだけであることか
ら、マスキング位置にバラツキがあつた。したが
つて、本来はパターンが形成されるべき部位にま
でフアセツトカツト部が形成されてしまつて、歩
留りが非常に悪くなつたり、フアセツトカツト部
が小さすぎて不用意にパターン形成部をピンセツ
トでつかんでしまつたりするという問題があつ
た。 また、マスキングテープを貼着する際に、フオ
トマスクが損傷させられたり、ICにとつて致命
的な塵がフオトマスク表面上に付着したりする可
能性が高いので、フオトマスクの短命化を招くと
ともに露光処理に支障を来たして、結果的に歩留
りが悪化することがあつた。 この考案は、上述のような事情に基づいて考え
出されたもので、上記従来の問題を解決し、露光
処理でのフアセツトカツト部形成のためのマスキ
ングを誤差を伴うことなく行い、半導体ウエハに
形成すべきフアセツトカツト部を常時一定範囲に
形成しうるとともにフオトマスクの寿命をも延長
しうるように構成された新規なフアセツトカツト
治具を提供することをその課題とする。

【問題を解決するための手段】

上記の問題を解決するため、本考案では、次の
技術的手段を講じている。 すなわち、半導体ウエハの露光処理において、
フオトマスクの上方に位置してフオトマスクの所
定部位をマスクし、半導体ウエハの一定領域にフ
アセツトカツト部を形成するためのフアセツトカ
ツト治具であつて、 マスクアライナの上記フオトマスクを保持する
マスク保持枠にフオトマスクの下方に配置される
半導体ウエハの上下方向にスライド可能に支持さ
れる枠部材を備え、 上記枠部材は、半導体ウエハの上下方向直径軸
上の一端縁と上下方向位置を一致することができ
る指標部と、上記指標部が上記一端縁と上下方向
位置を一致させた場合に半導体ウエハの他端縁か
ら所定幅をもつて半導体ウエハにオーバラツプす
るマスク部とを備えている。

【作用】

上記枠部材をマスク保持枠上において半導体ウ
エハの上下方向にスライド移動させれば、上記指
標部および上記マスク部も同様にスライド移動を
行うことになる。そして、指標部の上下方向位置
が半導体ウエハの上記一端縁と一致した時点で、
枠部材のスライド移動を停止すると、マスク部は
半導体ウエハに対して上記他端縁から所定幅オー
バラツプするように位置するとともに、枠部材は
上記フオトマスクの上方に位置しているので、マ
スク部は、フオトマスクに対して上記所定幅と同
等の上下方向範囲をマスクする。 換言すると、上記指標部の上下方向位置を半導
体ウエハの上記一端縁に一致させたときには、上
記マスク部と半導体ウエハの位置関係は常に一定
させられる。よつて、マスク部によつてフオトマ
スクをマスクする際に、指標部を基準にしてマス
ク部の上下方向位置を規定すれば、フオトマスク
と半導体ウエハとは厳密にアライメントされてそ
の位置関係は一定に保たれているので、フオトマ
スクがマスク部によつてマスクされる部位と半導
体ウエハとの位置関係も常に一定させられる。 したがつて、本考案に係るフアセツトカツト治
具によつてフオトマスクの所定部位をマスクしな
がら露光処理を行えば、その結果半導体ウエハに
形成されるフアセツトカツト部は、常に半導体ウ
エハの一定範囲に形成される。

【効果】

以上のように、本案においては、上記マスク部
の位置を半導体ウエハを基準にして決定し、フオ
トマスクのマスク部によつてマスクされる部位と
半導体ウエハとの位置関係を一定させることによ
り、半導体ウエハのフアセツトカツト部の位置お
よび大きさを一定させることができるので、歩留
りが低化させられることなく、従来例に比して生
産率を向上させうる。また、上述から明らかなよ
うに、本案では、フオトマスク自体への細工が不
要であるので、フオトマスクに傷が付けられる等
の弊害を回避し、フオトマスクの寿命を延長しう
る。 さらに、異なつたタイプのICを作製するには、
パターンの異なるフオトマスクが使用されるが、
その際に、従来例ではそのフオトマスクに新たに
テープによるマスクキングを講じる必要がある
が、本案では、そのような手間は不要であること
から、生産性の面でも有利である。

【実施例の説明】

以下、本考案の実施例を第１図ないし第４図を
参照して具体的に説明する。 本例におけるフアセツトカツト治具は、半導体
ウエハＳの露光処理に利用されるマスクアライナ
（図示略）のフオトマスク７を保持するためのマ
スク保持枠６にスライド可能に支持される枠部材
１を備え、さらに上記枠部材１が、半導体ウエハ
Ｓとの位置合わせを行う指標部２およびフオトマ
スク７の所定領域をマスクするマスク部３を備え
る。 上記枠部材１は、第１図に示すように、マスク
保持枠６に固設され、平面視において略正方形状
の台座枠４と、この台座枠４にスライド支持され
る略長四角形状のスライド枠５とから成り、これ
ら枠部材４，５は、露光処理に全く差し支えが無
いように中央部相当範囲において貫通開口させら
れた形状を呈している。 上記台座枠４には、マスクアライナの微動台８
上に配置される半導体ウエハＳの上下方向（オリ
エンテーシヨンフラツトＦに対して垂直方向）に
延び、かつ断面凸形状のレール部４ａが、半導体
ウエハＳの左右方向において一対に形成されてい
る。そして、上記スライド枠５の左右方向におい
て対向する各短辺部の下部には、断面凹形状のレ
ール溝５ａがそれぞれ設けられており、この各レ
ール溝５ａ，５ａを上記各レール部４ａ，４ａに
スライド嵌合させることにより、スライド枠５が
台座枠４すなわちマスク保持枠６に半導体ウエハ
Ｓの上下方向にスライド可能に支持されるように
なつている。 第１図および第２図に良く表れているように、
上記スライド枠５は、一方（第２図において下
側）の長辺部中央において鋭角状に内方に突き出
た指標部２が一体的に設けられいて、スライド枠
５をスライド移動させると、指標部２は半導体ウ
エハＳの上下方向直径軸（オリエンテーシヨンフ
ラツトＦの垂直二等分線）上をスライド移動する
ように構成されている。しかも、この指標部２の
周辺部位を段落ち状に形成することにより、指標
部２の視認性を向上させるようにしている。 また、上記マスク部３は、この指標部２が形成
された長辺部に対向する長辺部としてスライド枠
５に設けられている。マスク部３は、少なくとも
半導体ウエハＳにオリエンテーシヨンフラツトＦ
から所定幅をもつて形成されるフアセツトカツト
部と同等以上の幅を有するとともに、上記指標部
２の突先と半導体ウエハＳの上下方向直径軸上の
（オリエンテーシヨンフラツトＦと反対方の）外
端縁との上下方向位置を一致させたときに、マス
ク部３と半導体ウエハＳにおけるフアセツトカツ
ト部形成部位との上下方向位置範囲が一致するよ
うにされている。そして第３図および第４図に良
く表れているように、マスク部３は、台座枠２の
開口部の領域においてその下端面とフオトマスク
７の上面との間隔が極僅かな程度になるようにま
で下方に延出している。 なお、上記マスク部３の幅およびマスク部３と
指標部２との位置関係は、社内規格等によつて規
定される半導体ウエハＳの大きさ、フアセツトカ
ツト部の形成範囲等に依存して決定すれば良い。 さて、上記構成のフアセツトカツト治具を用い
た露光処理は、次のように行われる。 半導体ウエハＳをマスクアラナイナの微動台８
上に配し、顕微鏡（図示略）で半導体ウエハＳと
フオトマスク７とのアライメントを行う。そし
て、双方のパターンが合致すれば、続いて上記ス
ライド枠５をスライド移動させて、上記指標部２
の突先と半導体ウエハＳの上下方向直径軸上の
（オリエンテーシヨンフラツトＦと反対方の）外
端縁との上下方向位置を一致させ（第２図におい
て仮想線で示した状態）、上方から紫外線を照射
して露光を行う。 このとき、フオトマスク７のマスク部３によつ
てマスクされた領域と、半導体ウエハＳのフアセ
ツトカツト部が形成されるべき部位との上下方向
位置は一致しているので、露光処理の結果形成さ
れるフアセツトカツト部は、半導体ウエハＳの所
定部位に正確に形成される。 言い換えれば、フオトマスク７のマスク部３に
よつてマスクされる部位と半導体ウエハＳの位置
関係を上記指標部２によつて確実に一定させうる
ので、フアセツトカツト部の形成範囲も常時一定
させうる。 以上のように、本例では、半導体ウエハＳに形
成するフアセツトカツト部の位置および大きさを
一定させることができ、従来例における問題を解
決することができる。 なお、本考案の範囲は、上述した実施例に限定
されるものではなく、たとえば、枠部材を単一の
部材で構成することも可能であり、また、指標部
も上記実施例以外にも種々設計変更可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例に係るフアセツトカツ
ト治具の分解斜視図、第２図は第１図に示したフ
アセツトカツト治具をマスクアライナに取り付け
た状態での第１図の−線拡大矢視図、第３図
は第２図の−線断面図、第４図は第２図の
−線断面図である。 １……枠部材、２……指標部、３……マスク
部、６……マスク保持枠、７……フオトマスク、
Ｓ……半導体ウエハ。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体ウエハの露光処理において、フオトマス
   クの上方に位置してフオトマスクの所定部位をマ
   スクし、半導体ウエハの一定領域にフアセツトカ
   ツト部を形成するためのフアセツトカツト治具で
   あつて、 マスクアライナの上記フオトマスクを保持する
   マスク保持枠にフオトマスクの下方に配置される
   半導体ウエハの上下方向にスライド可能に支持さ
   れる枠部材を備え、 上記枠部材は、半導体ウエハの上下方向直径軸
   上の一端縁と上下方向位置を一致することができ
   る指標部と、上記指標部が上記一端縁と上下方向
   位置を一致させた場合に半導体ウエハの他端縁か
   ら所定幅をもつて半導体ウエハにオーバラツプす
   るマスク部とを備えたことを特徴とする、フアセ
   ツトカツト治具。