JPH04289864A - レチクルステージ - Google Patents

レチクルステージ

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Publication number
JPH04289864A
JPH04289864A JP3052935A JP5293591A JPH04289864A JP H04289864 A JPH04289864 A JP H04289864A JP 3052935 A JP3052935 A JP 3052935A JP 5293591 A JP5293591 A JP 5293591A JP H04289864 A JPH04289864 A JP H04289864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
reticule
stage
protrusions
same plane
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3052935A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Kawahara
正明 川原
Eiji Suzuki
英二 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3052935A priority Critical patent/JPH04289864A/ja
Publication of JPH04289864A publication Critical patent/JPH04289864A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造等に
係わる露光装置に、所定のマスクパターンが形成された
レチクルを装着するステージの構成に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は従来のレチクルステージを示す斜
視図である。ガラス基板の表面にマスクパターンを形成
したレチクルは、該表面の平面性が3μm 程度以下の
高精度であり、かかるガラス基板の表面を真空吸着する
レチクルステージのレチクル吸着面の平面性も、5〜1
0μm の高精度に加工されている。
【0003】図4(イ) において、レチクルを搭載し
その位置合わせ(アライメント)をしたのち、レチクル
 (ガラス基板) の表面を真空吸着によって固定する
レチクルステージ1は、上面の対向2辺の中央部にアラ
イメントマーク2を設け、アライメントマーク2を形成
した石英板3を挟むように、真空吸着溝4を形成する。
【0004】図4(ロ) において、マスクパターン保
護用のペリクルが形成されたレチクルを真空吸着するレ
チクルステージ5は、レチクル表面の左右方向端部が接
触する構成である。ペリクル付きのレチクルを真空吸着
する上面には、レチクルステージ1と同様にアライメン
トマーク2が形成された石英板3を固着し、真空吸着溝
4が形成される。
【0005】内法寸法AおよびBが 100mm程度で
あり、レチクル表面の左右方向端部および前後方向端部
が接触するステージ1および5において、一般に真空吸
着溝4を形成した上面の幅aは8mm程度,真空吸着溝
4の幅bは2〜3mm程度である。従って、真空吸着溝
4の幅方向にステージ1の上面の幅cは2〜3mm程度
になる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来のレチクルステー
ジ1および5において、レチクルの表面およびレチクル
ステージ1,5の上面の平面性は、前述したように3μ
m 程度以下,5〜10μmの高精度である。そのため
、ステージ1,5に搭載したレチクルのアライメントを
しようとする、レチクル表面がステージ1,5の上面に
密着し、レチクルのアライメント特にレチクルの微細調
整が困難であるという問題点があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記問題点の除去を目的
とした本発明のレチクルステージは、図1によれば、レ
チクル11の表面12の四隅が接触する4個所に突部1
6を設け、同一平面内に形成された突部16の各上面1
7に、レチクル吸着用吸気孔18が開口することを特徴
とする。また、図2の実施例によれば、レチクル表面1
2の一方の対向端部がそれぞれ全長に渡って接触する一
対の突部22を設け、同一平面内に形成された突部22
の各上面23に複数のレチクル吸着用吸気孔25が開口
し、該複数の開口が方形であることを特徴とする。さら
に、図3の実施例によれば、レチクル表面12の一方の
対向端部がそれぞれ全長に渡って接触する一対の突部2
7を設け、同一平面内に形成された突部27の各上面2
8に、上面28の外縁部を残すレチクル吸着用吸気孔2
9が開口することを特徴とする。
【0008】
【作用】上記手段によれば、レチクルステージとレチク
ルとの接触面積が、従来のレチクルステージを使用する
より狭くなる。従って、本発明によるレチクルステージ
に搭載したレチクルは、そのアライメントに際して微調
整が容易であり、アライメント作業の効率が向上する。
【0009】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例によるレチクル
ステージとそのステージにレチクルを搭載した斜視図、
図2は本発明の第2の実施例によるレチクルステージと
そのステージにレチクルを搭載した斜視図、図3は本発
明の第3の実施例によるレチクルステージとそのステー
ジにレチクルを搭載した斜視図である。
【0010】図1において、レチクル11の表面 (図
の下面) 12の四隅を真空吸着するレチクルステージ
15は、該四隅が接触する突部16を設け、各突部16
には1〜2mm程度の幅dで上面17が残るように吸気
孔18を設け、各吸気孔18には吸気管19を接続する
。各突部16の突出量hは1mm以下であり、アライメ
ントマーク2が形成された一対の石英板3は左右方向の
対向部に植設する。かかるステージ15に搭載したレチ
クル11の表面12は、4ヶ所の上面17と接触する。 従って、表面12と上面17との接触面積は、従来のレ
チクルステージ1または5を使用したときに比べ著しく
小さくなる。
【0011】図2において、レチクル11の表面 (図
の下面) 12の左端部および右端部を真空吸着するレ
チクルステージ21は、該左端部, 右端部が対向する
突部22を設け、各突部22には1〜2mm程度の幅d
で格子形状の上面23が残るように、アライメントマー
ク2が形成された石英板3を固着する凹所24と、複数
の吸気孔25を設ける。 凹所24の深さは、植設した石英板3の上面が上面23
より1mm以下の深さとなるように設定する。ステージ
21より導出する吸気管19は、各吸気孔25または各
吸気孔25と凹所24とに接続する。かかるステージ2
1に搭載したレチクル11の表面12は、一対の格子状
上面23と接触する。従って、表面12と上面23との
接触面積は、従来のレチクルステージ1または5を使用
したときに比べ著しく小さくなる。
【0012】図3において、レチクル11の表面 (図
の下面) 12の左端部および右端部を真空吸着するレ
チクルステージ26は、該左端部, 右端部が対向する
突部27を設け、各突部27には1〜2mm程度の幅d
で角形の外縁部上面28が残るように、例えば深さ1m
m以下の吸気孔29を形成する。吸気孔29の中央部に
は、アライメントマーク2が形成された石英板3を植設
し、ステージ26より導出する吸気管19は吸気孔29
に接続する。かかるステージ26に搭載したレチクル1
1の表面12は、一対の上面28と接触する。従って、
表面12と上面28との接触面積は、従来のレチクルス
テージ1または5を使用したときに比べ著しく小さくな
る。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
チクルアライメントに際して微調整が容易であり、アラ
イメント作業の効率が向上するのみならず、該効率向上
に付随して、レチクルの傷付けたり汚染することが約8
0%減少し、不良率を大きく低減した効果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】  本発明の第1の実施例によるレチクルステ
ージの説明図である。
【図2】  本発明の第2の実施例によるレチクルステ
ージの説明図である。
【図3】  本発明の第3の実施例によるレチクルステ
ージの説明図である。
【図4】  従来のレチクルステージの説明図である。
【符号の説明】
11はレチクル 12はレチクル表面 15,21,26はレチクルステージ 16,22,27は突部 17,23,28は突部上面

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  マスクパターンが形成されたレチクル
    表面(12)の四隅が接触する4個所に突部(16)を
    設け、同一平面内に形成された該突部(16)の各上面
    (17)に、レチクル吸着用吸気孔(18)が開口する
    ことを特徴とするレチクルステージ。
  2. 【請求項2】  マスクパターンが形成されたレチクル
    表面(12)の一方の対向端部がそれぞれ全長に渡って
    接触する一対の突部(22)を設け、同一平面内に形成
    された該突部(22)の各上面(23)に複数のレチク
    ル吸着用吸気孔(25)が開口し、該複数の開口が方形
    であることを特徴とするレチクルステージ。
  3. 【請求項3】  マスクパターンが形成されたレチクル
    表面(12)の一方の対向端部がそれぞれ全長に渡って
    接触する一対の突部(27)を設け、同一平面内に形成
    された該突部(27)の各上面(28)に、該上面(2
    8)の外縁部を残すレチクル吸着用吸気孔(29)が開
    口することを特徴とするレチクルステージ。
JP3052935A 1991-03-19 1991-03-19 レチクルステージ Withdrawn JPH04289864A (ja)

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JP3052935A JPH04289864A (ja) 1991-03-19 1991-03-19 レチクルステージ

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0714649U (ja) * 1993-08-12 1995-03-10 東洋電機製造株式会社 真空吸着チャック
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