JPS6290660A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS6290660A JPS6290660A JP60231589A JP23158985A JPS6290660A JP S6290660 A JPS6290660 A JP S6290660A JP 60231589 A JP60231589 A JP 60231589A JP 23158985 A JP23158985 A JP 23158985A JP S6290660 A JPS6290660 A JP S6290660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- holder
- pattern
- uniformly
- patterns
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は大面積デバイスの製造におけるフォトリン技術
に関するものであり、大型基板上へのフォトマスクを用
いたパターン形成における露光装置に関するものである
。
に関するものであり、大型基板上へのフォトマスクを用
いたパターン形成における露光装置に関するものである
。
従来の技術
従来より半導体デバイス等の製造に一般的に用いられて
いる露光装置は等倍の一括露光方式であり、フォトマス
ク保持具の断面構造は第４図に示す如く、円形あるいは
角形にくり抜かれたフレーム１の上面に真空吸着溝２が
形成されており、フォトマスク３はパターン面４を下方
に向けて上記フレーム１上にセットされ、上記真空吸着
溝２で吸着固定される構造となっている。
いる露光装置は等倍の一括露光方式であり、フォトマス
ク保持具の断面構造は第４図に示す如く、円形あるいは
角形にくり抜かれたフレーム１の上面に真空吸着溝２が
形成されており、フォトマスク３はパターン面４を下方
に向けて上記フレーム１上にセットされ、上記真空吸着
溝２で吸着固定される構造となっている。
一般的に集積回路（ＩＣ）あるいは小型表示デバイス等
の製造に用いられている上記フォトマスク３の大きさは
６インチ角、厚さ０．０９インチ程度であることから、
上記真空吸着溝２で上記フォトマスク３が吸着固定され
ることにより、上記フォトマスク３のパターン面４はほ
ぼ平担にたわみのない状態に保持される。この状態でフ
ォトレジスト５の塗布されたデバイス基板６にフォトマ
スク３のパターンを焼付ける。
の製造に用いられている上記フォトマスク３の大きさは
６インチ角、厚さ０．０９インチ程度であることから、
上記真空吸着溝２で上記フォトマスク３が吸着固定され
ることにより、上記フォトマスク３のパターン面４はほ
ぼ平担にたわみのない状態に保持される。この状態でフ
ォトレジスト５の塗布されたデバイス基板６にフォトマ
スク３のパターンを焼付ける。
一般的な方式として、上記デバイス基板６、フォトマス
ク３のパターン面４を、例えば１０〜２０ミクロン程度
趨した状態で露光するプロキシミティ一方式が多く用い
られている。この方式は非接触方式であるため、パター
ン欠陥が少なく製造歩留シの向上が望めるものである。
ク３のパターン面４を、例えば１０〜２０ミクロン程度
趨した状態で露光するプロキシミティ一方式が多く用い
られている。この方式は非接触方式であるため、パター
ン欠陥が少なく製造歩留シの向上が望めるものである。
従来多く用いられている６インチ角程度のフォトマスク
であれば、前述のようにほとんど上記フォトマスク３の
パターン面４にたわみが生じないため、グロキシミティ
ーの露光状態ではそれぞれの表面が平行に保たれること
からそれぞれの表面が接触することはない。つまり、そ
れぞれの表面が接触しないことから上記デバイス基板θ
上に塗布された上記フォトレジスト５にダメージを与え
ることなく、結果としてパターン欠陥が発生することは
ほとんど皆無であり、上記デバイス基板６上に焼付けら
れた上記７オトレジスト５のパターン巾も、上記デバイ
ス基板ｅ内で非常に均一に得られる。
であれば、前述のようにほとんど上記フォトマスク３の
パターン面４にたわみが生じないため、グロキシミティ
ーの露光状態ではそれぞれの表面が平行に保たれること
からそれぞれの表面が接触することはない。つまり、そ
れぞれの表面が接触しないことから上記デバイス基板θ
上に塗布された上記フォトレジスト５にダメージを与え
ることなく、結果としてパターン欠陥が発生することは
ほとんど皆無であり、上記デバイス基板６上に焼付けら
れた上記７オトレジスト５のパターン巾も、上記デバイ
ス基板ｅ内で非常に均一に得られる。
発明が解決しようとする問題へ
ところが、近年多く開発研究されるようになってきたア
クティブマトリックス方式の液晶パネルは、デバイス基
板のサイズが、例えば縦２５センチメートル、槓３５セ
ンチメートルと大きく、フォトマスクはそれよシひとま
わり大きいサイズとなり、縦３０センチメートル、横４
０センチメートル、厚さ３ミリメートル程変となるため
、フォトマスク自体にソリが生じる。このような大型フ
ォトマスクを第６図に示す如〈従来の方式であるフレー
ム１にセットしたならば、フォトマスク３の中央部に上
記フォトマスク３の自重によるたわみが数十ミクロン生
じたシ、上記フォトマスク３自体でもっていたソリによ
りパターン面４は平坦に保持されない。このような状態
でデバイス基板６を上記フォトマスク３の下にプロキシ
ミティーギャップ量を、例えば、２０ミクロンでセット
したならば上記フォトマスク３の中央部のパターン面４
は数十ミクロン下方に下がっているため、中央部におい
て上記フォトマスク３のパターン面４と上記デバイス基
板ｅ上に塗布されたフォトレジスト６は完全に接触状態
となる。つまシ接触部分の上記フォトレジスト６にダメ
ージが入り、パターン欠陥となる。この問題をさけるた
めにプロキシミティーギャップ量をたわみ量よシ多くと
ると、上記フォトマスク３のパターンエツジで光の回折
現象が顕著に発生し、解像度が低下して所望のパターン
巾を得ることができない。ちなみにパターン巾１０ミク
ロンを解像するためには２ｏミクロン程度のギャップ量
しかとることができない。
クティブマトリックス方式の液晶パネルは、デバイス基
板のサイズが、例えば縦２５センチメートル、槓３５セ
ンチメートルと大きく、フォトマスクはそれよシひとま
わり大きいサイズとなり、縦３０センチメートル、横４
０センチメートル、厚さ３ミリメートル程変となるため
、フォトマスク自体にソリが生じる。このような大型フ
ォトマスクを第６図に示す如〈従来の方式であるフレー
ム１にセットしたならば、フォトマスク３の中央部に上
記フォトマスク３の自重によるたわみが数十ミクロン生
じたシ、上記フォトマスク３自体でもっていたソリによ
りパターン面４は平坦に保持されない。このような状態
でデバイス基板６を上記フォトマスク３の下にプロキシ
ミティーギャップ量を、例えば、２０ミクロンでセット
したならば上記フォトマスク３の中央部のパターン面４
は数十ミクロン下方に下がっているため、中央部におい
て上記フォトマスク３のパターン面４と上記デバイス基
板ｅ上に塗布されたフォトレジスト６は完全に接触状態
となる。つまシ接触部分の上記フォトレジスト６にダメ
ージが入り、パターン欠陥となる。この問題をさけるた
めにプロキシミティーギャップ量をたわみ量よシ多くと
ると、上記フォトマスク３のパターンエツジで光の回折
現象が顕著に発生し、解像度が低下して所望のパターン
巾を得ることができない。ちなみにパターン巾１０ミク
ロンを解像するためには２ｏミクロン程度のギャップ量
しかとることができない。
また前述のようにフォトマスク３のパターン面４とデバ
イス基板θ上のフォトレジスト６が接触しない場合であ
っても、上記７オトマスク３のたわみによシギャップ量
は上記デバイス基板ｅ内の場所により変化する。つまり
外周部ではほぼ設定値が得られても、中央部では設定値
からたわみ量を差し引いた量しかギャップがない。この
ことは露光しパターン形成した場合、上記デバイス基板
６内でパターン巾のムラが生じることになり、パターン
巾の不均一性が表示画質に影響を与える表示デバイスに
は致命傷となる。
イス基板θ上のフォトレジスト６が接触しない場合であ
っても、上記７オトマスク３のたわみによシギャップ量
は上記デバイス基板ｅ内の場所により変化する。つまり
外周部ではほぼ設定値が得られても、中央部では設定値
からたわみ量を差し引いた量しかギャップがない。この
ことは露光しパターン形成した場合、上記デバイス基板
６内でパターン巾のムラが生じることになり、パターン
巾の不均一性が表示画質に影響を与える表示デバイスに
は致命傷となる。
本発明は従来の問題点を解決すべく、大型デバイス基板
におけるパターンの不均一性をなくし、パターン欠陥を
防止することにより、デバイス性能及び製造歩留りを向
上させることを目的としている。
におけるパターンの不均一性をなくし、パターン欠陥を
防止することにより、デバイス性能及び製造歩留りを向
上させることを目的としている。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、フォトマスクを
吸着保持する透明なフォトマスク保持具を設けたもので
ある。
吸着保持する透明なフォトマスク保持具を設けたもので
ある。
作用
この構成により、フォトマスクがフォトマスク保持具に
より全面的に支持されることとなり、フォトマスクが大
きくても、また７オトマスクにソリがあっても、フォト
マスクがたわむことなく、保持または矯正保持されるこ
ととなる。
より全面的に支持されることとなり、フォトマスクが大
きくても、また７オトマスクにソリがあっても、フォト
マスクがたわむことなく、保持または矯正保持されるこ
ととなる。
実施例
本発明である大型基板用露光装置の基本構成は、第１図
に示す如く、露光光源７、平行光線用レンズ８、フォト
マスクを吸着保持するフォトマスク保持具９、Ｘ−Ｙ−
Ｚの可動のステージ１０とより構成されており、本発明
の特徴は上記フォトマスク保持具９の構造にある。上記
フォトマスク保持具９の断面構造を第２図に示す。上記
フォトマスク保持具９の本体は紫外光線を透過させる゛
材料で、例えば石英ガラスのような透明体でできており
、フォトマスク３のパターン面４とは反対側の面１１と
接触する保持面１２には矯正吸着溝１３が形成されてい
る。また上記矯正吸着溝１３は真空による共通吸引口１
４に接続されている。
に示す如く、露光光源７、平行光線用レンズ８、フォト
マスクを吸着保持するフォトマスク保持具９、Ｘ−Ｙ−
Ｚの可動のステージ１０とより構成されており、本発明
の特徴は上記フォトマスク保持具９の構造にある。上記
フォトマスク保持具９の断面構造を第２図に示す。上記
フォトマスク保持具９の本体は紫外光線を透過させる゛
材料で、例えば石英ガラスのような透明体でできており
、フォトマスク３のパターン面４とは反対側の面１１と
接触する保持面１２には矯正吸着溝１３が形成されてい
る。また上記矯正吸着溝１３は真空による共通吸引口１
４に接続されている。
上記フォトマスク保持具９の本体である石英ガラスの上
記保持面１２は高い平坦度が要求される。゛また厚さも
自重でたわみが発生しないだけの厚さが必要となる。
記保持面１２は高い平坦度が要求される。゛また厚さも
自重でたわみが発生しないだけの厚さが必要となる。
ちなみにセットするフォトマスク３のサイズが、例えば
縦３０センチメートル、横４０センチメートル、厚さ３
ミリメートルであれば、上記フォトマスク３のパターン
面４の平坦度は５ミクロン程度となり、上記石英ガラス
の厚さは３０ミリメートル程度が必要となる。更に上記
矯正吸着溝１３の配列は上記フォトマスク３の反対面１
１が均一に吸着されるものであればどのような配列でも
可能である。例えば、第３図に示すようなフォトマスク
３を相似形に溝１３＆、１３ｂ・・・・・・が数段形成
され、それぞれの上記溝１３＆ 、１３ｂ・・・・・・
を共通溝１３ムで連結するような形とし、吸引する圧力
を均一にする構造としている。
縦３０センチメートル、横４０センチメートル、厚さ３
ミリメートルであれば、上記フォトマスク３のパターン
面４の平坦度は５ミクロン程度となり、上記石英ガラス
の厚さは３０ミリメートル程度が必要となる。更に上記
矯正吸着溝１３の配列は上記フォトマスク３の反対面１
１が均一に吸着されるものであればどのような配列でも
可能である。例えば、第３図に示すようなフォトマスク
３を相似形に溝１３＆、１３ｂ・・・・・・が数段形成
され、それぞれの上記溝１３＆ 、１３ｂ・・・・・・
を共通溝１３ムで連結するような形とし、吸引する圧力
を均一にする構造としている。
以上のフォトマスク保持具９にフォトマスク３をセット
する場合、仮に上記フォトマスク３がそっていても上記
フォトマスク３の反対面１１が上記フォトマスク保持具
９の保持面１２に均一に真空吸着されるため、そりが矯
正され上記フォトマスク３は上記保持面１２に密着し、
パターン面４は平坦度良く保持される。
する場合、仮に上記フォトマスク３がそっていても上記
フォトマスク３の反対面１１が上記フォトマスク保持具
９の保持面１２に均一に真空吸着されるため、そりが矯
正され上記フォトマスク３は上記保持面１２に密着し、
パターン面４は平坦度良く保持される。
発明の効果
以上述べてきたように本発明は、大型基板に一括露光に
よりパターン形成するような装置において、従来問題と
なっていたフォトマスクのソリ。
よりパターン形成するような装置において、従来問題と
なっていたフォトマスクのソリ。
たわみを矯正することによりパターンの解像度。
均一性、欠陥を大巾に改善するものであり、結果として
デバイス性能及び製造歩留りの向上に大きく貢献するも
のである。
デバイス性能及び製造歩留りの向上に大きく貢献するも
のである。
第１図は本発明の一実施例による露光装置の基本構成図
、第２図は同露光装置のフォトマスク保持具の断面図、
第３図は同フォトマスク保持具の平面図、第４図は従来
のフォトマスク保持具の断面図、第６図は従来のフォト
マスク保持具を用いたマスク合わせ状態を示す断面図で
ある。 ３・・・・・・フォトマスク、９・・・・・・フォトマ
スク保持具、１３・・・・・・矯正吸着溝、１４・・・
・・・吸引口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ／３ ／３Ａ ／、３６／ ／、３ｂ第４図
、第２図は同露光装置のフォトマスク保持具の断面図、
第３図は同フォトマスク保持具の平面図、第４図は従来
のフォトマスク保持具の断面図、第６図は従来のフォト
マスク保持具を用いたマスク合わせ状態を示す断面図で
ある。 ３・・・・・・フォトマスク、９・・・・・・フォトマ
スク保持具、１３・・・・・・矯正吸着溝、１４・・・
・・・吸引口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ／３ ／３Ａ ／、３６／ ／、３ｂ第４図
Claims (2)
- （１）フォトマスクを吸着保持する透明なフォトマスク
保持具を設けたことを特徴とする露光装置。 - （２）フォトマスク保持具はフォトマスクの一主面の全
面を吸着保持する構造であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231589A JPS6290660A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231589A JPS6290660A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290660A true JPS6290660A (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=16925882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60231589A Pending JPS6290660A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6290660A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1630613A2 (en) * | 2004-08-23 | 2006-03-01 | ASML Holding N.V. | Patterned mask holding device and method using two holding systems |
| JP2009173542A (ja) * | 2002-01-31 | 2009-08-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英ガラス基板の加工方法 |
| JP2009237442A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Ushio Inc | 光照射装置及び光照射装置におけるマスクの取り外し方法 |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP60231589A patent/JPS6290660A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009173542A (ja) * | 2002-01-31 | 2009-08-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英ガラス基板の加工方法 |
| EP1630613A2 (en) * | 2004-08-23 | 2006-03-01 | ASML Holding N.V. | Patterned mask holding device and method using two holding systems |
| EP1630613A3 (en) * | 2004-08-23 | 2009-04-29 | ASML Holding N.V. | Patterned mask holding device and method using two holding systems |
| JP2009237442A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Ushio Inc | 光照射装置及び光照射装置におけるマスクの取り外し方法 |
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