JPS6049338A - 半導体装置用マスク - Google Patents
半導体装置用マスクInfo
- Publication number
- JPS6049338A JPS6049338A JP58158283A JP15828383A JPS6049338A JP S6049338 A JPS6049338 A JP S6049338A JP 58158283 A JP58158283 A JP 58158283A JP 15828383 A JP15828383 A JP 15828383A JP S6049338 A JPS6049338 A JP S6049338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- patterns
- mum
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
仔）産業上の利用分野
本発明は半導体装置を製造する際に用いられるマスクに
関する。
関する。
ｂ）従来技術
半導体装置の製造に際しては多数種のマスクが用いられ
ているが、そのマスクパターン精度カ直接半導体装置の
性能並びに集積度に影響を与える。
ているが、そのマスクパターン精度カ直接半導体装置の
性能並びに集積度に影響を与える。
現在のところ再現性の点で問題がなく、実用化されてい
るのは２μ前後とされている。勿論実験室段階では１μ
以下の超高精度が実現されたとの報告もあるが、実用化
には程遠いものである。
るのは２μ前後とされている。勿論実験室段階では１μ
以下の超高精度が実現されたとの報告もあるが、実用化
には程遠いものである。
θ９発明の目的
本発明は現在フッ相比されている精り隻の技術を用いて
、それ以上の高才青度のパターンを実３見する事を目的
としている。
、それ以上の高才青度のパターンを実３見する事を目的
としている。
■発明の構成
本発明は透明マスク基板の表色両面に、合成する事に依
って最終的なマスクパターンとなる分割パターンを夫々
描画するものである。
って最終的なマスクパターンとなる分割パターンを夫々
描画するものである。
咋）実 施 例
第１０図は本発明に係るマスクの断面斜視図であって、
（１）は透明フｊラス基板、（２１は該基板（１）表面
ニ描カれた第１の分割ノ＼ターシ、（３１は基板（１）
裏面に描かれた第２の分割パターンで、これ等の両パ５
４− 、ｙｉ２１（３１ハ２０００ Ａ程度の膜Ｊ％を
有するり〇三つム暎から成っている。また表裏両面の第
１、第２のパターンは合成する事に依って所望形状のマ
スク２へターンを構成する。第１図には最も単純なパタ
ーンとしての直線の例が示されており、７１＋；板（１
）表裏面の第１、第２のパターン＋２１＋３１は夫々現
在の技術Ｃ二て再現性に問題のない２μのｆｔ度で描か
れており、ただ夫々の直線パター、＋２１ｆ３１はＰ少
側周１トΔｌだけづれている。
（１）は透明フｊラス基板、（２１は該基板（１）表面
ニ描カれた第１の分割ノ＼ターシ、（３１は基板（１）
裏面に描かれた第２の分割パターンで、これ等の両パ５
４− 、ｙｉ２１（３１ハ２０００ Ａ程度の膜Ｊ％を
有するり〇三つム暎から成っている。また表裏両面の第
１、第２のパターンは合成する事に依って所望形状のマ
スク２へターンを構成する。第１図には最も単純なパタ
ーンとしての直線の例が示されており、７１＋；板（１
）表裏面の第１、第２のパターン＋２１＋３１は夫々現
在の技術Ｃ二て再現性に問題のない２μのｆｔ度で描か
れており、ただ夫々の直線パター、＋２１ｆ３１はＰ少
側周１トΔｌだけづれている。
具体的には第２図（Ａ）に示す如く、２１間に’％のラ
インアンドスペースで描かれた裁板（１）表面の第１の
パターン（２）に対して第２図（Ｂ）に示すように１戸
だけづれて同様に２ｐ間隔のライシアントスペースの第
２のパター：、Ｉ ｔ３１を描くと、最終的なマスクパ
ターンとしては第２図（Ｃ）に示すような１／ｌの線幅
のパターン（４）が得られる。
インアンドスペースで描かれた裁板（１）表面の第１の
パターン（２）に対して第２図（Ｂ）に示すように１戸
だけづれて同様に２ｐ間隔のライシアントスペースの第
２のパター：、Ｉ ｔ３１を描くと、最終的なマスクパ
ターンとしては第２図（Ｃ）に示すような１／ｌの線幅
のパターン（４）が得られる。
斯様にして所望のマスクパターン（４）を有するマスク
を利用してマスクアナライザーで光Ｈ光を施し、光をク
ロムパターン抜きの箇所を透過させる事に依り、ガラス
基板（１１の表裏各面に描いたパターン＋２１ｔ３＋の
精度よりも高精度のパターンを半導体ウェファ−に転写
可能となる。
を利用してマスクアナライザーで光Ｈ光を施し、光をク
ロムパターン抜きの箇所を透過させる事に依り、ガラス
基板（１１の表裏各面に描いたパターン＋２１ｔ３＋の
精度よりも高精度のパターンを半導体ウェファ−に転写
可能となる。
（へ発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、カラス基板の表
裏両面に合成する事に依って最終パターンを構成する分
割パターンを描いているので、基板の両面に描くパター
ン精度よりも高精度のパターンが得られ、半導体装置の
高精度化に寄与するところは多大である。
裏両面に合成する事に依って最終パターンを構成する分
割パターンを描いているので、基板の両面に描くパター
ン精度よりも高精度のパターンが得られ、半導体装置の
高精度化に寄与するところは多大である。
第１図は本発明マスクの断面斜視図、第２図はそのバタ
ー９図であって、（１）はカラス基板、＋２１＋３１は
分割パターυ、（４）は最終パターン、を夫々示してい
る。
ー９図であって、（１）はカラス基板、＋２１＋３１は
分割パターυ、（４）は最終パターン、を夫々示してい
る。
Claims (1)
- １、） 透明マスク基板の表裏両面に合成する事Ｃ二依
って最終マスクパターンとなる分割パターンを夫々描画
してなる半導体装置用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158283A JPS6049338A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158283A JPS6049338A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049338A true JPS6049338A (ja) | 1985-03-18 |
Family
ID=15668209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158283A Pending JPS6049338A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 半導体装置用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049338A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7473523B2 (en) | 2005-08-10 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for modifying features in a semi-conductor device |
| WO2017063951A1 (de) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Universität Kassel | Mikrostruktur und verfahren zur herstellung einer mikrostruktur in einer fotolithographietechnik |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP58158283A patent/JPS6049338A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7473523B2 (en) | 2005-08-10 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for modifying features in a semi-conductor device |
| WO2017063951A1 (de) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Universität Kassel | Mikrostruktur und verfahren zur herstellung einer mikrostruktur in einer fotolithographietechnik |
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