JPS59143156A - ガラス・マスク - Google Patents
ガラス・マスクInfo
- Publication number
- JPS59143156A JPS59143156A JP58018447A JP1844783A JPS59143156A JP S59143156 A JPS59143156 A JP S59143156A JP 58018447 A JP58018447 A JP 58018447A JP 1844783 A JP1844783 A JP 1844783A JP S59143156 A JPS59143156 A JP S59143156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- film
- mask
- substrate
- patternwise
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 11
- 239000006121 base glass Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラス・マスクの構造に関丁ゐ。
従来、ガラス・マスクは、代表的な例として、石英基板
に、Ｊ：ゐマスクを示すと、第１図の如き構造の石英マ
スクを用いていた。すなわち、石英基板１の一王向には
クロム膜２が図形状に形成されていた。該例はクロム膜
２を通常のホト・リゾグラフィー技術により図形状にレ
ジストヲ残し、該レジストにマスクとして下地クロム膜
に酸浴液でウェット・エツチング後、クロム膜７図形状
に形成しｆｃものである。
に、Ｊ：ゐマスクを示すと、第１図の如き構造の石英マ
スクを用いていた。すなわち、石英基板１の一王向には
クロム膜２が図形状に形成されていた。該例はクロム膜
２を通常のホト・リゾグラフィー技術により図形状にレ
ジストヲ残し、該レジストにマスクとして下地クロム膜
に酸浴液でウェット・エツチング後、クロム膜７図形状
に形成しｆｃものである。
し刀為シ、上記第１図の例の場合には、ウェット・エツ
チング時のエツチングのバラツキが大きくクロム膜のエ
ツチング後の巾寸法がバラツクという欠点があり、最近
は、第２図に示す叩く活性塩素イオン等ｒクロ゛ム膜に
当てて、エツチングするいわゆ々ドライ・エツチングに
よりマスク製造を行なう方法により、石英基板１１の一
主面に図形状にクロム膜１２を形成する方法が用いられ
ているが、該方法によればクロム膜１２のエツチングに
よる巾寸法のバラツキは小さくなるが、塩素イオン等の
衝突により、基板１１がエツチングされ、基板１１のサ
イド・エッチ部１３が形成され、該サイド・エッチ’ｔ
ａ １３に於て、露光時に光の散乱が起り、図形の梢度
艮い転与が行なえないといつ欠点がめった。
チング時のエツチングのバラツキが大きくクロム膜のエ
ツチング後の巾寸法がバラツクという欠点があり、最近
は、第２図に示す叩く活性塩素イオン等ｒクロ゛ム膜に
当てて、エツチングするいわゆ々ドライ・エツチングに
よりマスク製造を行なう方法により、石英基板１１の一
主面に図形状にクロム膜１２を形成する方法が用いられ
ているが、該方法によればクロム膜１２のエツチングに
よる巾寸法のバラツキは小さくなるが、塩素イオン等の
衝突により、基板１１がエツチングされ、基板１１のサ
イド・エッチ部１３が形成され、該サイド・エッチ’ｔ
ａ １３に於て、露光時に光の散乱が起り、図形の梢度
艮い転与が行なえないといつ欠点がめった。
本発明は、〃）刀ユゐ従来技術の欠点をなりシ、図形状
膜の巾寸法のバラツキの少ない、かつ、露光時の光散乱
による転写図形の梢度劣化のないガラス・マスクを提供
ｊ７）こと７目的とすめ。
膜の巾寸法のバラツキの少ない、かつ、露光時の光散乱
による転写図形の梢度劣化のないガラス・マスクを提供
ｊ７）こと７目的とすめ。
上記門口を達成丁ゐための、不発明の基本的な構５′ｉ
、は、ガラス・マスクに於て、カラス平板基体上の一生
面に図形状膜上形成した、いわゆるガラス・マスクの図
形状膜が形成これた表面上には、基体ガラスと同一の光
屈折率のガラス膜が形成されて放ゐことを％致とすゐ。
、は、ガラス・マスクに於て、カラス平板基体上の一生
面に図形状膜上形成した、いわゆるガラス・マスクの図
形状膜が形成これた表面上には、基体ガラスと同一の光
屈折率のガラス膜が形成されて放ゐことを％致とすゐ。
以下、実施例により本発明ｒ詳述ｔ／）。
第６図は、不発明の一実施例ケ示−１−１石英マスクの
断面図であめ。
断面図であめ。
石英平板裁板２１の一生面上には、通常のホト・リゾグ
ラフィー技術と、ドライ・エツチング処理に、ｒ、９図
形状に形成されたクロム膜２２が形成され、該クロム膜
２２が形成さ扛た石英マスクの一生向上には、化学蒸庸
法あゐいは液状ガラス（圀 ５ｉ（ＯＨ）＋ ）の塗布
法等に、ｌ：す、Ｓ１０．膜２６が形成されてｂｙ、ゐ
。
ラフィー技術と、ドライ・エツチング処理に、ｒ、９図
形状に形成されたクロム膜２２が形成され、該クロム膜
２２が形成さ扛た石英マスクの一生向上には、化学蒸庸
法あゐいは液状ガラス（圀 ５ｉ（ＯＨ）＋ ）の塗布
法等に、ｌ：す、Ｓ１０．膜２６が形成されてｂｙ、ゐ
。
上記の如く、図形状膜が形成された、石英マスクの一生
向上に、石英基板と同一の光屈折重音もつ５１０２膜２
３全形成丁ゐことにより、クロム膜２２の形成時にドラ
イ・エツチングにより形成される基板石英のサイド・エ
ッチ部が実質的に無くな９、露光時の光の散乱もサイド
・エッチ部で発生セス、刀Ｘつ、図形状膜がドライ・エ
ツチングで形成されるため、極めてバラツキが少なく、
棺変の高い転写図形が得られるマスクが得られるという
効果がある。
向上に、石英基板と同一の光屈折重音もつ５１０２膜２
３全形成丁ゐことにより、クロム膜２２の形成時にドラ
イ・エツチングにより形成される基板石英のサイド・エ
ッチ部が実質的に無くな９、露光時の光の散乱もサイド
・エッチ部で発生セス、刀Ｘつ、図形状膜がドライ・エ
ツチングで形成されるため、極めてバラツキが少なく、
棺変の高い転写図形が得られるマスクが得られるという
効果がある。
不発明は石英マスクのみならず、他のガラス・マスクに
適用されることは、いつなでもない。
適用されることは、いつなでもない。
第１図及び第２図は従来のガラス・マスクの実施例を示
すマスクのＫｒ面図、第６図は不発明によるガラス・マ
スクの一実施例勿示すマスクの断面図であゐ。 １．１１．２１・・・平板カラス基体 ２．１２．２２・・・図形状膜 １６・・基本サイド・エッチ部 ２６・・・ガラス膜 以 上 出願人 株式会社諏訪梢工舎 代理人 弁理士最上 務 ［“；！ １踊、［１ 第２７−、−：。 ンう 第３１
すマスクのＫｒ面図、第６図は不発明によるガラス・マ
スクの一実施例勿示すマスクの断面図であゐ。 １．１１．２１・・・平板カラス基体 ２．１２．２２・・・図形状膜 １６・・基本サイド・エッチ部 ２６・・・ガラス膜 以 上 出願人 株式会社諏訪梢工舎 代理人 弁理士最上 務 ［“；！ １踊、［１ 第２７−、−：。 ンう 第３１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１ガラス平板基体上の一主面に図形状膜を形成した
、いわゆるガラス・マスクの図形状膜が形成された表（
２）上には、基体ガラスと同一光屈折率のガラス膜が形
成されて成ることを特徴とするガラス・マスク。 （２） ガラス平板基体全石英となし、ガラス膜を酸
化硅素膜となすことを特徴とする特許請求範囲第１項記
載のガラス・マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018447A JPS59143156A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | ガラス・マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018447A JPS59143156A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | ガラス・マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143156A true JPS59143156A (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=11971872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58018447A Pending JPS59143156A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | ガラス・マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143156A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0293537A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Toshiba Corp | フォトマスク |
| JPH043412A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Sharp Corp | 光露光用マスク及びその製造方法 |
| FR2839560A1 (fr) * | 2002-05-07 | 2003-11-14 | Commissariat Energie Atomique | Masque pour photolithographie a elements absorbeurs/dephaseurs inclus |
| CN114114824A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-03-01 | 上海传芯半导体有限公司 | 一种光掩模保护罩、具有保护结构的光掩模及其制备方法 |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP58018447A patent/JPS59143156A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0293537A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Toshiba Corp | フォトマスク |
| JPH043412A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Sharp Corp | 光露光用マスク及びその製造方法 |
| FR2839560A1 (fr) * | 2002-05-07 | 2003-11-14 | Commissariat Energie Atomique | Masque pour photolithographie a elements absorbeurs/dephaseurs inclus |
| CN114114824A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-03-01 | 上海传芯半导体有限公司 | 一种光掩模保护罩、具有保护结构的光掩模及其制备方法 |
| WO2023142858A1 (zh) * | 2022-01-26 | 2023-08-03 | 上海传芯半导体有限公司 | 一种光掩模保护罩、具有保护结构的光掩模及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08292549A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| TW201735161A (zh) | 相位偏移光罩基底、相位偏移光罩及顯示裝置之製造方法 | |
| JPS59143156A (ja) | ガラス・マスク | |
| JPS63216052A (ja) | 露光方法 | |
| JP2006251611A (ja) | 自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JP2022191475A (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 | |
| JP5644290B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JP3161474B2 (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| Tsang et al. | Grating masks suitable for ion‐beam machining and chemical etching | |
| JP2017181544A (ja) | 表示装置製造用位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH0378747A (ja) | マスク及びマスク製造方法 | |
| JP2002287330A (ja) | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク | |
| JP3301557B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| JPS63165851A (ja) | フオトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH063803A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPS59143155A (ja) | ガラス・マスク | |
| KR0163528B1 (ko) | 마킹용 마스크의 제조방법 | |
| JP3322837B2 (ja) | マスク及びその製造方法並びにマスクを用いたパターン形成方法 | |
| KR0151228B1 (ko) | 고립된 다수의 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 | |
| JPS6050535A (ja) | フォトマスクのパタ−ン幅修正方法 | |
| JPS5655950A (en) | Photographic etching method | |
| JPS5752056A (en) | Photomask | |
| KR940000918B1 (ko) | 위상반전 포토마스크 형성방법 | |
| KR960011460B1 (ko) | 반위상반전 마스크를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| JP3837846B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |