JPS63220249A - 曲率面における回路パタ−ンの形成方法 - Google Patents

曲率面における回路パタ−ンの形成方法

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JPS63220249A
JPS63220249A JP62054336A JP5433687A JPS63220249A JP S63220249 A JPS63220249 A JP S63220249A JP 62054336 A JP62054336 A JP 62054336A JP 5433687 A JP5433687 A JP 5433687A JP S63220249 A JPS63220249 A JP S63220249A
Authority
JP
Japan
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photomask
pattern
curvature
base
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP62054336A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Kinoshita
昌己 木下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
Japan Radio Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Japan Radio Co Ltd filed Critical Japan Radio Co Ltd
Priority to JP62054336A priority Critical patent/JPS63220249A/ja
Publication of JPS63220249A publication Critical patent/JPS63220249A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/24—Curved surfaces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は曲率面をａする基台に混成集積回路の回路パタ
ーンを形成するための回路パターン形成方法に関する。
（従来の技術とその問題点） 製品の曲率のある基台面へ回路パターンを設はトランジ
スタ、■Ｃ等の機能部品を搭載した混成集積回路がある
。
これらの回路パターンを形成する場合の写真感光法では
、ホトマスク面と曲率を有する面の距離の相違に伴う収
差で回路設計思想を反映したパターン幅の加工を行う事
は難しく、一般にはポリマー系厚膜材料を予じめ柔らか
いゴム面へ回路パターンを印刷し、該当曲率面へ転写す
る方法がとられていた。従来のこの種の方法では、一般
の平面へ設けた回路パターンの０．２ｓ／ｍ程度の微細
加工は難しく、また複雑な回路パターンを加工する事が
出来ない欠点を有していた。
（問題点を解決するための手段） 本発明はこれらの欠点を解決するため、曲率を有する面
とホトマスク間の距離の相違に伴う収差を補正したホト
マスクを使用した写真感光法により回路パターンを形成
したことを特徴とし、その目的は、複雑な形状を有する
面へ微細回路パターンを形成した混成集積回路を提供す
ることにある。
（実施例） 第１図は本発明の実施例の曲率を有する面と写真感光法
によりパターンを形成する際のホトマスクの関係を示す
説明図で、ホトマスクｌを通じて投光された紫外光２に
より曲率を有する基台３へ回路パターンを感光させるよ
うにしたものである。
第２図は第１図の斜視図を示すもので、ホトマスクｌ上
のパターンと曲率面の形成されるパターンの関係を示し
たものである。図において、ホトマスク１のパターン４
部分に対応する基台３の部分１°゛は比較的平面である
ため、ホトマスク１のパターンの幅ｔは一定幅で形成さ
れ、基台３の曲率面を有する部分３゛に対応するホトマ
スクＩのパターン４部分は曲率面の距離の相違に伴う収
差を補正した形状とすることによりホトマスク１のパタ
ーン部を介して透光された曲率面のパターンは基台３の
平面部”分ビと設計思想を忠実に反映した、はぼ同形状
の線幅を有する回路パターンを形成する事が出来る。
更に付は加えれば、該ホトマスク１のパターン設計にあ
っては曲率面の幾何学的数値を基にコンピュータ図形処
理を施す事により複雑な起伏のある而の細部にまで回路
設計思想を実現する事が出来る。
（発明の効果） 以上説明したようにパターンを形成する際、ホトマスク
に基台面との間の距離に伴う収差を補正したマスクパタ
ーンを形成する事により複雑な曲率面に正確な回路パタ
ーンを形成することが出来る利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は曲率面とホトマスクの関係を示す説明図、第２
図はホトマスクと曲率面に形成されたパターン形状の斜
視図である。 １・・・ホトマスク、２・・・紫外光、３・・・基台、
３°　・・・基台の曲率面を有する部分、４・・・ホト
マスクの曲率面を有する部分の回路図。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　ホトマスクと曲率面を有する基台に混成集積回路の回
    路パターンを写真感光法により形成する回路パターンの
    形成方法において、前記ホトマスクと前記基台との間の
    距離の相違に伴う収差を補正した回路パターンを有する
    ホトマスクにより、前記基台に混成集積回路の回路パタ
    ーンを形成するようにしたことを特徴とする曲率面にお
    ける回路パターンの形成方法。
JP62054336A 1987-03-10 1987-03-10 曲率面における回路パタ−ンの形成方法 Pending JPS63220249A (ja)

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