JP2001291648A - 誘電体分離ウェハの位置合わせ構造およびそれを用いた検査方法 - Google Patents

誘電体分離ウェハの位置合わせ構造およびそれを用いた検査方法

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JP2001291648A
JP2001291648A JP2000106583A JP2000106583A JP2001291648A JP 2001291648 A JP2001291648 A JP 2001291648A JP 2000106583 A JP2000106583 A JP 2000106583A JP 2000106583 A JP2000106583 A JP 2000106583A JP 2001291648 A JP2001291648 A JP 2001291648A
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Shuzo Ishii
周三 石井
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 誘電体分離ウェハの生産バラツキがあっても
常に高精度のマスク合わせを容易に行うことができ、高
い作業効率を維持することができる誘電体分離ウェハの
位置合わせ構造およびそれを用いた検査方法を提供す
る。 【解決手段】 誘電体分離ウェハ１００上に四角形状の
表面露出パターン９を形成すると共に、この表面露出パ
ターン９の位置に対応するマスク２００上の位置に十字
形状のマスク側位置合わせマーク１４を形成する。マス
ク側位置合わせマーク１４は、表面露出パターン９の最
小時の辺の長さＳ３よりもわずかに長く設定された幅Ｗ
の突出部１５Ａ,１５Ｂ,…を有する。マスク側位置合わ
せマーク１４の全長Ｌを、表面露出パターン９の最大時
の辺の長さＳ１よりもわずかに長く設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体分離ウェハの
位置合わせ構造およびそれを用いた検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は誘電体分離ウェハの製造工程を示
す図である。具体的には、上記誘電体分離ウェハは次の
ようにして製造される。
【０００３】まず、図６(ａ)に示すように、単結晶シリ
コンウェハ１の表面に、リソグラフィで所望のパターン
の酸化膜２を形成する。
【０００４】次に、図６(ｂ)に示すように、上記酸化膜
２をマスクとして用いた異方性エッチングにより、Ｖ字
型断面の分離溝７を形成した後、単結晶シリコンウェハ
１の表面を酸化して分離用酸化膜３を形成し、その分離
用酸化膜３上に多結晶シリコン膜４を堆積させる。
【０００５】そして、図６(ｃ)に示すように、上記多結
晶シリコン膜４を研磨し、その研磨された多結晶シリコ
ン膜４の表面に支持ウェハ５を貼り付ける。
【０００６】最後に、図６(ｄ)に示すように、上記単結
晶シリコンウェハ１において分離溝７と反対側の表面を
研磨することにより、複数の単結晶シリコン島６を形成
して、誘電体分離ウェハ１００を完成させる。なお、こ
の単結晶シリコン島６は素子が形成されて半導体装置に
なる。
【０００７】従来、誘電体分離ウェハの位置あわせ構造
としては、誘電体分離ウェハ１００とマスクとの位置合
わせを行う場合、分離用酸化膜３の正方形の表面露出パ
ターンをウェハ側位置合わせマークとして用い、その正
方形の表面露出パターンが、マスク側位置合わせマーク
である正方形パターンの中に入るように位置合わせを行
うものがある。
【０００８】ところで、上記誘電体分離ウェハ１００を
複数個製造した場合、各誘電体分離ウェハ１００毎に単
結晶シリコンウェハ１の研磨量が異なり、その結果、誘
電体分離ウェハ１００の表面に露出する分離用酸化膜３
のパターン、つまり表面露出パターンの大きさにばらつ
きが生じる。この表面露出パターンのばらつきを、図７
を用いて以下に説明する。
【０００９】図７(ａ)は上記分離用酸化膜３の表面露出
パターンを示す図であり、図７(ｂ)は上記分離用酸化膜
３の要部の断面形状を示す図である。なお、Ｐ１,Ｐ２,
Ｐ３は、研磨後の単結晶シリコンウェハ１の表面の位置
を示している。
【００１０】図７(ａ),(ｂ)に示すように、例えば研磨
表面位置Ｐ２であれば、分離用酸化膜３の表面露出パタ
ーンは狙い通りの大きさとなり、一辺の長さがＳ２の正
方形になる。また、上記生産許容範囲内の過剰な研磨が
単結晶シリコンウェハ１に施され、生産許容範囲内で研
磨厚が最大になると、研磨表面位置がＰ１となる。その
結果、上記表面露出パターンの大きさは最大となり、一
辺の長さがＳ１の正方形になる。逆に、上記生産許容範
囲内であるが、単結晶シリコンウェハ１に対する研磨が
過少であると、生産許容範囲内で研磨厚が最小になり、
研磨表面位置がＰ３となる。その結果、上記表面露出パ
ターンの大きさは最小となり、一辺の長さがＳ３の正方
形になる。
【００１１】したがって、上記マスク側位置合わせマー
クの大きさは表面露出パターンの最大時の大きさＳ１に
対応させている。この場合、上記表面露出パターンが大
きければ誘電分離ウェハ１００とマスクを高精度に位置
合わせできる。しかし、上記表面露出パターンが小さい
と、表面露出パターンとマスク側位置合わせマークとの
間の間隔が広くなり、マスク合わせ精度は著しく低下す
る。そこで、上記表面露出パターンの大きさがどのよう
にばらついても対応できる方法が必要となる。このよう
な方法の一つが、特開平６−１７６９９６号公報に開示
されている。
【００１２】特開平６−１７６９９６号公報の誘電体分
離ウェハの位置合わせ構造によれば、図８(ａ)に示すウ
ェハ側位置合わせマークとしての正方形の表面露出パタ
ーン８９と、図８(ｂ)に示す二重構造のマスク側位置合
わせマーク９２とを有している。このマスク側位置合わ
せマーク９２は、外枠パターン９０と内部パターン９１
とからなる。上記外枠パターン９０の大きさは表面露出
パターン８９の最大の大きさに対応する一方、内部パタ
ーン９１の大きさは表面露出パターン８９の最小の大き
さに対応している。
【００１３】上記構成の誘電体分離ウェハの位置合わせ
構造によれば、マスク合わせを行なう場合、図８(ｃ)に
示すように、表面露出パターン８９を外枠パターン９０
と内部パターン９１との間に納まるようにして、表面露
出パターン８９とマスク側位置合わせマーク９２との相
対的な位置合わせを行う。このとき、上記表面露出パタ
ーン８９が目標パターンＳより大きい場合は、図９(ａ)
に示すように、外枠パターン９０と表面露出パターン８
９Ａとの四方位置間隔Ｄ１,Ｄ２,…を比較し、その四方
位置間隔Ｄ１,Ｄ２…,が互いに等しくなるように作業者
が目分量にて調整する。逆に、上記表面露出パターン８
９が目標パターンＳより小さい場合は、図９(ｂ)に示す
ように、内部パターン９１と表面露出パターン８９Ｂと
四方位置間隔Ｄ５,Ｄ６,…を比較し、その四方位置間隔
Ｄ５,Ｄ６,…が互いに等しくなるように作業者が目分量
にて調整する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図９(ａ),
(ｂ)に示す誘電体分離ウェハの位置合わせ構造におい
て、例えば表面露出パターン８９が目標パターンＳより
大きい場合、四方位置間隔Ｄ１と四方位置間隔Ｄ２とを
等しくし、かつ、四方位置間隔Ｄ３と四方位置間隔Ｄ４
とを等しくする必要がある。しかしながら、上記四方位
置間隔Ｄ１と四方位置間隔Ｄ２、および、四方位置間隔
Ｄ３と四方位置間隔Ｄ４は互いに離れた位置にあるため
比較しにくく、目分量の調整では高精度の位置合わせが
難しくなるという問題がある。
【００１５】また、上記誘電体分離ウェハ１００の生産
ばらつきにより、単結晶シリコンウェハ１の研磨量が大
きくばらつく場合、表面露出パターン８９の最大時の大
きさと、表面露出パターン８９の最小時の大きさとの差
が大きくなる。したがって、上記外枠パターン９０をさ
らに大きく、かつ、内部パターン９１をさらに小さくす
る必要が生じる。そして、図５(ａ)に示すように、上記
外枠パターン９０をさらに大きく、かつ、内部パターン
９１をさらに小さくすると、外枠パターン１５０と内部
パターン１５１との間の間隙が大きくなり、その大きな
間隙内で表面露出パターン８９を適切に位置合わせする
のが難しくなる。その結果、上記マスク合わせの精度が
著しく低下するという問題がある。
【００１６】また、上記表面露出パターン８９が一つの
四角形からなるため、あまり視覚的に特徴がない。した
がって、上記マスク合わせの際に、作業者が他のパター
ンの中から表面露出パターン８９を見つけ出すことは非
常に困難であり、作業効率の低下を招くことがあるとい
う問題がある。
【００１７】そこで、本発明は、誘電体分離ウェハの生
産バラツキがあっても常に高精度のマスク合わせを容易
に行うことができ、高い作業効率を維持することができ
る誘電体分離ウェハの位置合わせ構造およびそれを用い
た検査方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の誘電体分離ウェハの位置合わせ構造は、誘
電体分離ウェハ上に形成された四角形状のウェハ側位置
合わせマークと、上記ウェハ側位置合わせマークの位置
に対応するマスク上の位置に形成された十字形状のマス
ク側位置合わせマークとを備え、上記マスク側位置合わ
せマークは、上記ウェハ側位置合わせマークの最小時の
辺の長さに対応する幅の突出部を有し、上記マスク側位
置合わせマークの全長が、上記ウェハ側位置合わせマー
クの最大時の辺の長さに対応するように設定されている
ことを特徴としている。
【００１９】本発明の誘電体分離ウェハの位置合わせ構
造によれば、マスク合わせを行う場合、四角形状のウェ
ハ側位置合わせマークと十字形状のマスク側位置合わせ
マークとを重ね、ウェハ側位置合わせマーク内の同一方
向の各辺を全て等しくすると、ウェハ側位置合わせマー
クとマスク側位置合わせマークの相対的な位置が調節さ
れる。このとき、上記ウェハ側位置合わせマーク内の同
一方向の各辺は互いに近い位置にあるので、その各辺同
士を比較しやすく、ウェハ側位置合わせマーク内の同一
方向の各辺を目分量の調整でも容易に等しくすることが
できる。したがって、目分量の調整でも高精度の位置合
わせを容易に達成することができる。
【００２０】また、上記ウェハ側位置合わせマークの形
状が正方形の場合、ウェハ側位置合わせマーク内におけ
る矩形のパターンの隣合った２辺を等しくし、ウェハ側
位置合わせマーク内の同一直線上の２辺を等しくする
と、ウェハ側位置合わせマークとマスク側位置合わせマ
ークの相対的な位置が調節される。または、上記ウェハ
側位置合わせマーク内にできる矩形パターンを全て正方
形になるようにマスク合わせを行うことによっても、ウ
ェハ側位置合わせマークとマスク側位置合わせマークの
相対的な位置が調節される。
【００２１】また、上記ウェハ側位置合わせマークの大
きさのばらつきに対応するために、マスク側位置合わせ
マークの突出部の幅をより狭く、マスク側位置合わせマ
ークの全長をより長くしても、ウェハ側位置合わせマー
ク内の同一方向の各辺は互いに近接した状態であるの
で、目分量の調整でも高精度の位置合わせを容易に達成
することができる。
【００２２】また、一実施形態の発明の誘電体分離ウェ
ハの位置合わせ構造は、上記突出部の幅が上記ウェハ側
位置合わせマークの最小時の辺の長さ以下に設定され、
上記マスク側位置合わせマークの全長が上記ウェハ側位
置合わせマークの最大時の辺の長さ以上に設定されてい
ることを特徴としている。
【００２３】上記一実施形態の誘電体分離ウェハの位置
合わせ構造によれば、上記ウェハ側位置合わせマークと
マスク側位置合わせマークとを重ねた場合、突出部の幅
がウェハ側位置合わせマークの最小時の辺の長さ以下に
設定され、マスク側位置合わせマークの全長が上記ウェ
ハ側位置合わせマークの最大時の辺の長さ以上に設定さ
れていることによって、ウェハ側位置合わせマークの内
側に確実に矩形のパターンが形成される。したがって、
上記マスク側位置合わせマークにおいて比較対象となる
辺を明確にすることができる。
【００２４】また、一実施形態の発明の誘電体分離ウェ
ハの位置合わせ構造は、上記突出部の幅が上記ウェハ側
位置合わせマークの最小時の辺の長さに実質的に等し
く、上記マスク側位置合わせマークの全長が上記ウェハ
側位置合わせマークの最大時の辺の長さに実質的に等し
いことを特徴としている。
【００２５】上記一実施形態の発明の誘電体分離ウェハ
の位置合わせ構造によれば、上記誘電体分離ウェハに対
する研磨が過少である場合、ウェハ側位置合わせマーク
の辺が、マスク側位置合わせマークの突出部の幅よりも
短くなる。逆に、上記誘電体分離ウェハに対する研磨が
過剰である場合、ウェハ側位置合わせマークの辺が、マ
スク側位置合わせマークの全長よりも長くなる。
【００２６】このように、上記突出部の幅をウェハ側位
置合わせマークの最小時の辺の長さに実質的に等しくす
ると共に、マスク側位置合わせマークの全長をウェハ側
位置合わせマークの最大時の辺の長さに実質的に等しく
していることによって、ウェハ側位置合わせマークの辺
が突出部の幅よりも短いか、または、ウェハ側位置合わ
せマークの辺がマスク側位置合わせマークの全長よりも
長いかを調べることにより、誘電体分離ウェハに対する
研磨が生産許容範囲を逸脱しているか否かを容易に判別
することができる。
【００２７】また、一実施形態の発明の誘電体分離ウェ
ハの位置合わせ構造は、上記ウェハ側位置合わせマーク
および上記マスク側位置合わせマークが近接した状態で
複数個形成されていることを特徴としている。
【００２８】上記一実施形態の発明の誘電体分離ウェハ
の位置合わせ構造によれば、上記ウェハ側位置合わせマ
ークおよびマスク側位置合わせマークが近接した状態で
複数個形成されていることによって、ウェハ側位置合わ
せパターンがより目立つので、位置合わせの作業者がウ
ェハ側位置合わせマークを他のパターンの中から容易に
見つけられる。その結果、作業効率が低下することがな
くなり、高い作業効率を確実に維持することができる。
【００２９】また、一実施形態の発明の誘電体分離ウェ
ハの位置合わせ構造は、上記複数のウェハ側位置合わせ
マークおよび上記複数のマスク側位置合わせマークの配
置形状が上下左右非対称であることを特徴としている。
【００３０】上記一実施形態の発明の誘電体分離ウェハ
の位置合わせ構造によれば、例えば、万一、上記マスク
をフォトリソ装置に裏返しや上下逆や左右逆に装着して
しまった場合、複数のウェハ側位置合わせマークおよび
複数のマスク側位置合わせマークの配置形状が上下左右
非対称であるため、ウェハ側位置合わせマークの配置形
状とマスク側位置合わせマークの配置形状とが対応しな
くなる。このように、上記複数のウェハ側位置合わせマ
ークおよび上記複数のマスク側位置合わせマークの配置
形状を上下左右非対称にしていることによって、マスク
の装着ミスを早期に発見することができる。
【００３１】また、一実施形態の発明の誘電体分離ウェ
ハの位置合わせ構造は、上記マスク側位置合わせマーク
の近傍に開口が形成されていることを特徴としている。
【００３２】上記一実施形態の発明の誘電体分離ウェハ
の位置合わせ構造によれば、上記マスク側位置合わせマ
ークの近傍に開口が形成されていることによって、マス
ク越しでも開口を通してウェハ側位置合わせマークをよ
り容易に見つけ出せる。したがって、作業効率が低下す
ることがなくなり、高い作業効率を確実に維持すること
ができる。
【００３３】また、本発明の検査方法は、上記ウェハ側
位置合わせマークの大きさと上記マスク側位置合わせマ
ークの大きさとの対応関係により上記誘電体分離ウェハ
の研磨厚の合否を判定することを特徴としている。
【００３４】上記構成の検査方法によれば、上記ウェハ
側位置合わせマークの大きさとマスク側位置合わせマー
クの大きさとの対応関係により誘電体分離ウェハの研磨
厚の合否を判定することによって、マスク合わせの時点
で、誘電体分離ウェハに対する研磨が生産許容範囲を逸
脱しているか否かを容易に判別することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の誘電体分離ウェハ
の位置合わせ構造およびそれを用いた検査方法を図示の
実施の形態により詳細に説明する。
【００３６】図１(ａ)〜(ｅ)は本発明の実施の一形態の
誘電体分離ウェハの位置合わせ構造を説明するための図
である。なお、上記誘電体分離ウェハの位置合わせ構造
で用いる誘電体分離ウェハは、図６に示す従来の工程で
製造される。また、図１(ａ)〜(ｅ)と図６とにおいて、
同一部また同一部材には同一番号を付して説明を省略す
る。
【００３７】上記誘電体分離ウェハの位置合わせ構造
は、図１(ａ),(ｂ)に示すように、誘電体分離ウェハ１
００上に形成されたウェハ側位置合わせマークとしての
正方形の表面露出パターン９と、この表面露出パターン
９の位置に対応するマスク２００上の位置に形成された
十字形状のマスク側位置合わせマーク１４とを備えてい
る。上記表面露出パターン９は、単結晶シリコンウェハ
１の研磨により表出した分離用酸化膜３のパターンであ
る。また、上記マスク側位置合わせマーク１４は、上下
左右方向に夫々延びる同形状の突出部１５Ａ,１５Ｂ,…
を有している。
【００３８】ところで、上記表面露出パターン９は、既
に図７で説明したように、誘電体分離ウェハ１００の生
産ばらつきにより、表面露出パターン９の大きさにばら
つきが生じている。このとき、上記表面露出パターン９
の辺の長さは、Ｓ１〜Ｓ３の範囲内で変化する。この変
化に対応するために、上記マスク側位置合わせマーク１
４の突出部１５Ａ,１５Ｂ,…の幅Ｗを、図１(ｄ)に示す
ように、最小時の表面露出パターン９Ａの大きさに対応
させている。具体的には、上記マスク側位置合わせマー
ク１４の突出部１５Ａ,１５Ｂ,…の幅Ｗは、表面露出パ
ターン９Ａの辺の長さＳ３よりもわずかに長く設定され
ている。また、上記マスク側位置合わせマーク１４の全
長Ｌは、図１(ｅ)に示すように、最大時の表面露出パタ
ーン９Ｂの大きさに対応させている。具体的には、上記
マスク側位置合わせマーク１４の全長Ｌは、表面露出パ
ターン９Ｂの最大時の辺の長さＳ１よりもわずかに長く
設定されている。
【００３９】上記構成の誘電体分離ウェハの位置合わせ
構造によれば、マスク合わせを行う場合、図１(ｃ)に示
すように、四角形状の表面露出パターン９と十字形状の
マスク側位置合わせマーク１４とを重ね、表面露出パタ
ーン９の内側にあるマスク側位置合わせマーク１４の各
辺１６,１７,…の長さを比較し、その各辺１６,１７,…
を互いに等しくして、表面露出パターン９とマスク側位
置合わせマーク１４の相対的な位置を調節する。つま
り、上記表面露出パターン９内にできる全ての四角形が
正方形になるようにして、表面露出パターン９とマスク
側位置合わせマーク１４の相対的な位置を調節する。こ
のとき、上記表面露出パターン９内の同一方向の各辺１
６,１７,…は互いに近い位置にあるので、その各辺１
６,１７,…同士を比較しやすく、その各辺１６,１７,…
を目分量の調整でも容易に等しくすることができる。し
たがって、目分量の調整でも高精度の位置合わせを容易
に達成することができる。
【００４０】また、上記表面露出パターン９の大きさが
最小の場合、図１(ｄ)に示すように、表面露出パターン
９Ａの４つの角部と、マスク側位置合わせマーク１４の
内側の角部２４,２５,…とを近接させ、表面露出パター
ン９Ａとマスク側位置合わせマーク１４の相対的な位置
合わせを行なう。このように、上記表面露出パターン９
の大きさが最小の場合には、表面露出パターン９Ａの４
つの角部とマスク側位置合わせマーク１４の内側の角部
２４,２５,…とを近接させるだけなので、目分量の調整
でも高精度の位置合わせを容易に達成することができ
る。
【００４１】このとき、上記表面露出パターン９Ａの辺
がマスク側位置合わせマーク１４の突出部１５Ａ,１５
Ｂ,…の幅より短く、かつ、表面露出パターン９Ａの４
つの角部とマスク側位置合わせマーク１４の内側の角部
２４,２５,…との距離が大きく離れている場合、単結晶
シリコンウェハ１の研磨厚が生産許容範囲を研磨不足の
方向に逸脱していると判定できる。したがって、上記マ
スク合わせの時点で、誘電体分離ウェハ１００に対する
研磨が不足しているか否かを容易に判別することができ
る。
【００４２】また、上記表面露出パターン９の大きさが
最大の場合、図１(ｅ)に示すように、表面露出パターン
９Ｂの各辺と、マスク側位置合わせマーク１４の突出部
１５Ａ,１５Ｂ,…の先端とを近接させ、表面露出パター
ン９Ｂとマスク側位置合わせマーク１４の相対的な位置
合わせを行なう。このように、上記表面露出パターン９
の大きさが最大の場合には、表面露出パターン９Ｂの各
辺と、マスク側位置合わせマーク１４の突出部１５Ａ,
１５Ｂ,…の先端とを近接させるだけなので、目分量の
調整でも高精度の位置合わせを容易に達成することがで
きる。
【００４３】このとき、上記マスク側位置合わせマーク
１４の全長Ｌより表面露出パターン９Ｂの辺が長く、か
つ、表面露出パターン９Ｂの各辺と突出部１５Ａ,１５
Ｂ,…の先端との距離が大きく離れている場合、単結晶
シリコンウェハ１の研磨厚が生産許容範囲を研磨過剰の
方向に逸脱していると判定できる。したがって、上記マ
スク合わせの時点で、誘電体分離ウェハ１００に対する
研磨が過剰であるか否かを容易に判別することができ
る。
【００４４】また、上記表面露出パターン９の大きさの
ばらつきが大きい場合、表面露出パターン９において、
最大時の大きさと最小時の大きさとの差が大きくなる。
この大きな差に対応するために、図５(ｂ)に示すよう
に、マスク側位置合わせマーク１４の突出部１５Ａ,１
５Ｂ,…の幅Ｗをさらに狭く、マスク側位置合わせマー
ク１４の全長Ｌをさらに長くする。この場合、上記表面
露出パターン９の内側にあるマスク側位置合わせマーク
５４の各辺５６,５７,…の長さが互いに等しくなるよう
に合わせて位置合わせを行なう。
【００４５】このように、上記表面露出パターン９の大
きさのばらつきに対応するために、マスク側位置合わせ
マーク５４の突出部５５Ａ,５５Ｂ,…の幅Ｗがさらに狭
く、マスク側位置合わせマーク５４の全長Ｌがさらに長
くても、表面露出パターン９内の同一方向の各辺５６,
５７,…は互いに近い位置にあるので、その各辺５６,５
７,…を目分量の調整でも容易に等しくすることがで
き、目分量の調整でも高精度の位置合わせを容易に達成
することができる。
【００４６】上記実施の形態では、表面露出パターン９
は正方形であったが、表面露出パターンは長方形でもよ
い。つまり、ウェハ側位置合わせマークの形状は、正方
形や長方形でもよい。
【００４７】また、上記実施の形態では、上記マスク側
位置合わせマーク１４の突出部１５Ａ,１５Ｂ,…の幅Ｗ
を、表面露出パターン９の最小時の辺の長さＳ３よりも
わずかに長く設定すると共に、マスク側位置合わせマー
ク１４の全長Ｌを、表面露出パターン９の最大時の辺の
長さＳ１よりもわずかに長く設定したが、突出部の幅を
表面露出パターンの最小時の辺の長さ以下に設定すると
共に、マスク側位置合わせマークの全長を表面露出パタ
ーンの最大時の辺の長さ以上に設定してもよい。この場
合、上記表面露出パターンとマスク側位置合わせマーク
とを重ねた場合、表面露出パターンの内側に確実に矩形
のパターンが形成される。したがって、上記マスク側位
置合わせマークにおける比較対象となる辺を明確にする
ことができる。
【００４８】また、上記実施の形態では、上記マスク側
位置合わせマーク１４の突出部１５Ａ,１５Ｂ,…の幅Ｗ
を、表面露出パターン９の最小時の辺の長さＳ３よりも
わずかに長く設定すると共に、マスク側位置合わせマー
ク１４の全長Ｌを、表面露出パターン９の最大時の辺の
長さＳ１よりもわずかに長く設定したが、マスク側位置
合わせマークの突出部の幅を、表面露出パターンの最小
時の辺の長さに実質的に等しくすると共に、マスク側位
置合わせマークの全長を、表面露出パターンの最大時の
辺の長さに実質的に等しくしてもよい。この場合、上記
表面露出パターンの辺が突出部の幅よりも短いか、また
は、表面露出パターンの辺がマスク側位置合わせマーク
の全長よりも長いかを調べることにより、誘電体分離ウ
ェハに対する研磨が生産許容範囲を逸脱しているか否か
を容易に判別することができる。
【００４９】また、上記実施の形態では、１つの表面露
出パターン９と１つのマスク側位置合わせマーク１４と
を用いてマスク合わせを行ったが、複数の表面露出パタ
ーンと複数のマスク側位置合わせマークとを用いてマス
ク合わせを行ってもよい。この場合、例えば、図２(ａ)
(ｂ)に示すように、誘電体分離ウェハ１００上に配置形
状が正方形になるように４つの表面露出パターン２９を
近接した状態で形成すると共に、マスク２００上に配置
形状が正方形になるように４つのマスク側位置合わせマ
ーク３４を近接した状態で形成する。そして、図２(ｃ)
に示すように、上記表面露出パターン２９とマスク側位
置合わせマーク３４とを夫々重ね合わせ、マスク合わせ
を行う。このとき、上記４つの表面露出パターン２９の
配置形状が正方形であることによって、表面露出パター
ン２９は、視覚的に特徴的になり、他の素子パターンと
の区別がし易くなる。つまり、上記表面露出パターン２
９の配置形状で表面露出パターン２９が目立つので、作
業者が他のパターンの中から表面露出パターン２９を容
易に見つけ出すことができる。その結果、位置合わせの
作業者の作業効率が低下することなく、高い作業効率を
維持することができる。なお、上記表面露出パターン２
９およびマスク側位置合わせマーク３４の配置形状は四
角形、表面露出パターン２９およびマスク側位置合わせ
マーク３４の個数は４つであったが、配置形状や個数は
特に限定されない。例えば、６個の表面露出パターンを
長方形状に配置してもよい。
【００５０】また、上記表面露出パターンの配置形状が
上下左右非対称になるように、表面露出パターンを形成
してもよい。例えば、図３(ａ),(ｂ)に示すように、誘
電体分離ウェハ１００上に、配置形状がＬ字型になるよ
うに３つの表面露出パターン３９を形成すると共に、マ
スク２００上に、配置形状がＬ字型になるように３つの
マスク側位置合わせマーク４４を形成する。この場合、
上記表面露出パターン３９の配置形状がＬ字型であるこ
とによって、３つの表面露出パターン３９が視覚的に特
徴的になる。また、上記マスク２００を万一フォトリソ
装置に裏返しや上下逆や左右逆に装着してしまった場
合、マスク側位置合わせマーク４４の配置形状が反転す
るので、マスク２００の装着ミスを早期に発見すること
ができる。
【００５１】また、例えば図２(ｂ)に示すマスク側位置
合わせマーク３４が形成されたマスク２００に対して、
図４(ａ)または図４(ｂ)に示すように、そのマスク側位
置合わせマーク３４の近傍に開口１８,２８を形成して
もよい。このように、上記マスク側位置合わせマーク３
４の近傍に開口１８,２８を形成することによって、マ
スク２００越しでも開口１８,２８を通して表面露出パ
ターン２９を容易に見つけ出すことができる。したがっ
て、作業効率が低下することがなくなり、高い作業効率
を維持することができる。
【００５２】
【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の誘電
体分離ウェハの位置合わせ構造によれば、マスク合わせ
を行うために四角形状のウェハ側位置合わせマークと十
字形状のマスク側位置合わせマークとを重ねた場合、ウ
ェハ側位置合わせマーク内の同一方向の各辺は互いに近
い位置にあるので、その各辺同士を比較しやすく、ウェ
ハ側位置合わせマーク内の同一方向の各辺を目分量の調
整でも容易に等しくすることができる。したがって、目
分量の調整でも高精度の位置合わせを容易に達成するこ
とができる。
【００５３】また、上記ウェハ側位置合わせマークの大
きさのばらつきに対応するために、マスク側位置合わせ
マークの突出部の幅をより狭く、マスク側位置合わせマ
ークの全長をより長くしても、ウェハ側位置合わせマー
ク内の同一方向の各辺は互いに近接した状態であるの
で、目分量の調整でも高精度の位置合わせを容易に達成
することができる。
【００５４】一実施形態の発明の誘電体分離ウェハの位
置合わせ構造によれば、上記ウェハ側位置合わせマーク
とマスク側位置合わせマークとを重ねた場合、突出部の
幅がウェハ側位置合わせマークの最小時の辺の長さ以下
に設定され、マスク側位置合わせマークの全長が上記ウ
ェハ側位置合わせマークの最大時の辺の長さ以上に設定
されているので、ウェハ側位置合わせマークの内側に確
実に矩形のパターンが形成され、マスク側位置合わせマ
ークにおいて比較対象となる辺を明確にすることができ
る。
【００５５】一実施形態の発明の誘電体分離ウェハの位
置合わせ構造は、上記マスク側位置合わせマークの突出
部の幅をウェハ側位置合わせマークの最小時の辺の長さ
に実質的に等しくすると共に、マスク側位置合わせマー
クの全長をウェハ側位置合わせマークの最大時の辺の長
さに実質的に等しくしているので、ウェハ側位置合わせ
マークの辺が突出部の幅よりも短いか、または、ウェハ
側位置合わせマークの辺がマスク側位置合わせマークの
全長よりも長いかを調べることにより、誘電体分離ウェ
ハに対する研磨が生産許容範囲を逸脱しているか否かを
容易に判別することができる。
【００５６】一実施形態の発明の誘電体分離ウェハの位
置合わせ構造は、上記ウェハ側位置合わせマークおよび
マスク側位置合わせマークを近接した状態で複数個形成
しているので、ウェハ側位置合わせパターンが目立ち、
位置合わせの作業者がウェハ側位置合わせマークを他の
パターンの中から容易に見つけられる。その結果、作業
効率が低下することがなくなり、高い作業効率を維持す
ることができる。
【００５７】一実施形態の発明の誘電体分離ウェハの位
置合わせ構造は、複数のウェハ側位置合わせマークおよ
び複数のマスク側位置合わせマークの配置形状が上下左
右非対称であるので、マスクの装着ミスを早期に発見す
ることができる。
【００５８】一実施形態の発明の誘電体分離ウェハの位
置合わせ構造は、上記マスク側位置合わせマークの近傍
に開口が形成されているので、マスク越しでも開口を通
してウェハ側位置合わせマークを見つけ出しやすく、作
業効率が低下することがなくなり、高い作業効率を維持
することができる。
【００５９】本発明の検査方法によれば、上記ウェハ側
位置合わせマークとマスク側位置合わせマークとの対応
関係により誘電体分離ウェハの研磨厚の合否を判定する
ので、マスク合わせの時点で、誘電体分離ウェハに対す
る研磨が生産許容範囲を逸脱しているか否かを容易に判
別することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１(ａ)〜(ｅ)は本発明の実施の一形態の誘
電体分離ウェハの位置合わせ構造を説明するための図で
ある。
【図２】 図２(ａ)〜(ｃ)は他の実施の形態の誘電体分
離ウェハの位置合わせ構造を説明するための図である。
【図３】 図３(ａ),(ｂ)はさらに他の実施の形態の誘
電体分離ウェハの位置合わせ構造を説明するための図で
ある。
【図４】 図４(ａ)は図２の誘電体分離ウェハの位置合
わせ構造のマスク側位置合わせマークの変形例の一つで
あり、図４(ｂ)は図２の誘電体分離ウェハの位置合わせ
構造のマスク側位置合わせマークの他の変形例の一つで
ある。
【図５】 図５(ａ)は誘電体分離ウェハの大きな生産ば
らつきに対応する従来のマスク側位置合わせマークの構
成図であり、図５(ｂ)は誘電体分離ウェハの大きな生産
ばらつきに対応する本発明の実施の一形態のマスク側位
置合わせマークの構成図である。
【図６】 図６(ａ)〜(ｄ)は誘電体分離ウェハの製造工
程の概略を示す図である。
【図７】 図７(ａ)は分離用酸化膜の表面露出パターン
の形状を上方から見た図であり、図７(ｂ)は上記分離用
酸化膜の要部の断面の形状を示す図である。
【図８】 図８(ａ)〜(ｃ)は従来の誘電体分離ウェハの
位置合わせ構造を説明するための図である。
【図９】 図９(ａ)は上記従来の誘電体分離ウェハの位
置合わせ構造のウェハ側位置合わせマークが最大である
場合のマスク合わせを説明するための図であり、図９
(ｂ)は上記従来の誘電体分離ウェハの位置合わせ構造の
ウェハ側位置合わせマークが最小である場合のマスク合
わせを説明するための図である。
【符号の説明】
９,２９,３９ 表面露出パターン １４,３４,４４,５４ マスク側位置合わせマーク １５Ａ,１５Ｂ,１５Ｃ,１５Ｄ,５５Ａ,５５Ｂ,５５Ｃ,
５５Ｄ 突出部 １８,２８ 開口 １００ 誘電体分離ウェハ Ｗ 突出部の幅 Ｌ マスク側位置合わせマークの全長 Ｓ１ 最大の表面露出パターンの一辺の長さ Ｓ２ 目標とする大きさの表面露出パターンの一辺の長
さ Ｓ３ 最小の表面露出パターンの一辺の長さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/12 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｍ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電体分離ウェハ上に形成された四角形
    状のウェハ側位置合わせマークと、上記ウェハ側位置合
    わせマークの位置に対応するマスク上の位置に形成され
    た十字形状のマスク側位置合わせマークとを備え、 上記マスク側位置合わせマークは、上記ウェハ側位置合
    わせマークの最小時の辺の長さに対応する幅の突出部を
    有し、 上記マスク側位置合わせマークの全長が、上記ウェハ側
    位置合わせマークの最大時の辺の長さに対応するように
    設定されていることを特徴とする誘電体分離ウェハの位
    置合わせ構造。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の誘電体分離ウェハの位
    置合わせ構造において、 上記突出部の幅が上記ウェハ側位置合わせマークの最小
    時の辺の長さ以下に設定され、上記マスク側位置合わせ
    マークの全長が上記ウェハ側位置合わせマークの最大時
    の辺の長さ以上に設定されていることを特徴とする誘電
    体分離ウェハの位置合わせ構造。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の誘電体分離ウェハの位
    置合わせ構造において、 上記突出部の幅が上記ウェハ側位置合わせマークの最小
    時の辺の長さに実質的に等しく、上記マスク側位置合わ
    せマークの全長が上記ウェハ側位置合わせマークの最大
    時の辺の長さに実質的に等しいことを特徴とする誘電体
    分離ウェハの位置合わせ構造。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
    誘電体分離ウェハの位置合わせ構造において、 上記ウェハ側位置合わせマークおよび上記マスク側位置
    合わせマークが近接した状態で複数個形成されているこ
    とを特徴とする誘電体分離ウェハの位置合わせ構造。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の誘電体分離ウェハの位
    置合わせ構造において、 上記複数のウェハ側位置合わせマークおよび上記複数の
    マスク側位置合わせマークの配置形状が上下左右非対称
    であること特徴とする誘電体分離ウェハの位置合わせ構
    造。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１つに記載の
    誘電体分離ウェハの位置合わせ構造において、 上記マスク側位置合わせマークの近傍に開口が形成され
    ていることを特徴とする誘電体分離ウェハの位置合わせ
    構造。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
    誘電体分離ウェハの位置合わせ構造を用いた検査方法で
    あって、 上記ウェハ側位置合わせマークの大きさと上記マスク側
    位置合わせマークの大きさとの対応関係により上記誘電
    体分離ウェハの研磨厚の合否を判定することを特徴とす
    る検査方法。
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