JPS6074527A - マスク装着方法及び装置 - Google Patents

マスク装着方法及び装置

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JPS6074527A
JPS6074527A JP58180686A JP18068683A JPS6074527A JP S6074527 A JPS6074527 A JP S6074527A JP 58180686 A JP58180686 A JP 58180686A JP 18068683 A JP18068683 A JP 18068683A JP S6074527 A JPS6074527 A JP S6074527A
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JP
Japan
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mask
chuck
wafer
alignment
mounting device
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JP58180686A
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Motoya Taniguchi
素也 谷口
Mitsuyoshi Koizumi
小泉 光義
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハ、バブルウェハ等にマスクのパ
ターンを転写する装置において、上記のマスクをマスク
保持用のチャックに正しく位置合わせして取υ付ける方
法、及び同取付装置に関するものである。
〔発明の背景〕
現在、半導体製造用の露光装置は、紫外111i!を用
いるフォトリソグラフィが主流であるが、パターンの微
細化が進み、1μm以下(サブミクロン)パターンの形
成を目的として、X線リソグラフィが注目きれている。
第1図は、X線リソグラフィを用いて、マスクのパター
ンをウェハ上に転写するためのX線露光装置の基本的構
成を示している。本装置はウェハ1を露光位置に移動さ
せるためのウェハステージ2、ウェハ1に微小ギャップ
gだけ隔ててマスク3を保持するマスクチャック4、マ
スク3に対してウェハ1を精密にアライメントするため
のアライメント検出光学系5、X線の減衰しにくいHe
(ヘリウム)等の不活性ガスを封入したチェンバ6、及
びX線発生装置7により構成されている。
X線8は真空室9内で、電子ビーム10ヲターゲツト1
1に加速して照射することによ多発生する特性X1fs
を、X線取出窓12から取シ出す構造である。
X線リソグラフィに用いるX線マスク5は、従来のフォ
トリングラフィ用のフォトマスクとけ異5 了1 なり、通常、シリコンウェハ(厚さ400ミクロン位)
の表面に、Sis N4 * BNrあるいはポリイミ
ドなどの薄膜と金パターンとを形成した後、裏面からシ
リコンをエツチングによシ除去して製作したものである
。このマスク3は、アライメント検出光学系50光軸に
、あらかじめ精密に位置合わせして、マスクチャック4
に固定する必要がある。
X線露光装置においては、露光パターンが変わるたびに
、マスク3を交換する必要があシ、そのため着脱容易な
マスク装着機構が不可欠である。
そこで、従来は、ウェハステージ2が、露光領域から移
動し去った後、マスクチャック4の下方からマスクの装
着機構(マスクローダ)でマスク3をセットし、かつ、
装着後、マスクチャツク4全体をx、y、θ1 zl 
及びチルト機構によシ、アライメント検出光学系50光
軸に、マスク3のアライメントマークを位置合わせして
いた。この方式では、まず、マスク3の位置調整のため
に、超精密なx、y、θ、2及びチルト機構をマスクチ
ャック4に付設する必要があシ、機構的に複雑6 −自 となり、かつ、多軸の動作制御が複雑となる欠点がある
。また、このように、マスク3の変位に自由度を多くも
たせると、マスク5の支持剛性が低くなシ、X線露光中
に、マスク5の静止安定性が悪くなル、サブミクロンパ
ターン転写精度の劣化につながるという問題もかかえて
いる。
さらに、マスク5を交換するためのマスク装着機構(マ
スクローダ)を、新たに露光装置に付加することになる
ため、装置全体が複雑となシかっ制御対象も増加するた
め、装置コストが増加するという欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明は上に述べた従来技術の欠点を解消すべく為され
、霧光装置にマスクローダを付設する必要なく、シかも
、露光装置のマスクチャックにX。
Y、θ2機構を付設する必要なしに、該マスクチャック
に対して正しい位置、姿勢でマスクを装着し得る方法、
及び上記の方法を実施するに好適なマスク装着装置を提
供することを目的とする。
〔発明の概要〕
71r 上記の目的を達成するための本発明の方法及び装置の基
本的原理は、当該露光装置に本来的に設けられているウ
ェハ搬送手段、及びウェハ位置合わせ手段を有効に利用
してマスクの搬送、及びマスクの精密位置合わせを行な
うものである。
上記の原理に基づいて前記の目的を達成する為、本発明
のマスク装着方法はマスク保持用のチャックに吸着保持
されたマスクに設けられているパターンをウェハ上に転
写するため、前記のマスクをチャックに装着する方法に
おいて、ウェハ搬送用の平面走行ステージ上に前記のマ
スクを保持具と共に吸着固定した後、平面走行ステージ
を走行させて該マスクを前記のチャックの下方へ移送し
、該マスクを走行ステージからチャックに受け渡すこと
を特徴とする。
また、上記の方法を容易に実施するため、本発明のマス
ク装着装置は、マスク保持用のチャックを備え、上記チ
ャックの下面にマスクを吸着保持して該マスクに設けら
れたパターンをウニノ・上に転写する露光装置において
、ウェハ搬送用の平面走行ステージ上に前記のマスクを
保持具と共に吸着する手段を設けるとともに、上記の吸
着位置をプリアライメントする手段を設け、かつ、前記
の平面走行ステージを走行せしめて上記の吸着したマス
クを前記チャックの真下部に搬送して、該マスクを平面
走行ステージからチャックに受け渡し得べく為したるこ
とを特徴とする。
〔発明の実施例〕
次に、本発明方法及び本発明装置の実施例を第2図乃至
第8図について説明する。
第2図は本発明方法を実施するため、本発明装置を適用
して構成したマスク装着装置の1実施例の説明図である
。この実施例は、ウニノ・ステージ2によって支持され
ているウェハ(図示せず)の表面にマスクのパターンを
ステップ&リピート方式で転写する露光装置に好適なよ
うに構成したものである。
第2図の0位置は、ウニノSl’tウエノ1チャック1
5にセットし、プリアライメントする位置である。
本発明方法は、上記の位置を、マスク3のセット9頁 位置として兼用することからはじまる。
ウェハステージ2は、XYステージ14.θステージ1
5.ウェハチャック(真空チャック)15.及び、チル
ト機′#416から構成されており、0位置、すなわち
プリアライメント位置には、プリアライメントに用いる
光学顕微鏡17が設置されている。
07位置は、第1図におけると同様にして露光操作を行
う位置を示してお夛、ここKは、マスク6をセットする
ためのマスクチャック4、これを上下、及びチルトする
ためのマスクチルト機構18゜マスク3とウニノ・1の
相対位置の検出用の対物レンズ19.及び2重焦点アラ
イメント光学系20を設けである。
2重焦点アライメント光学系20は、マスク6とウェハ
1とを微小ギャップgだけ離した状態で、単焦点対物レ
ンズ19で両者のアライメントマークに焦点を合わせて
、相互の位置ずれを検出できるように、ギャップgに対
応する光路差をプリズム21によシ設け、光路Aでは、
ウニノ11を、光路Bではマスク3のアライメントマー
クを、それぞれ10頁 アライメント検出器22に結像するように構成しである
次に、マスク装着方法を第2図〜第8図について説明す
る。
まず、第2図に示すプリアライメント位置(0位置)に
おいて、マスク!1をマスクホルダ50ととモニ、ウェ
ハチャック15上にセットし、真空吸着固定する。マス
クホルダ50及びウニノ1チャック15の構成を第3図
および第4図に示す。
マスクホルダ′50は、円形凹部51をもつホルダペー
ス52ニ、マスク5をのせるパッド35をマスク3の外
周に合わせて円周状に複数個配列したもので、本実施例
では、両部材とも合成樹脂材質の薄板で構成し、互いに
接着しておる。また、パッド55の中央部には、真空穴
54があり、これは、ホルダペース52ニ設ケたスルー
ホール55ヲ介して、ウニノ飄チャック13の真空チャ
ック穴36とつながるようになっている。すなわち、マ
スク3をマスクホルダ30にセットした状態で、マスク
ホルダ50ごとウェハチャック15で真空チャックする
ことによシ、両者とも、真空吸着されることになる。
本例の如くマスクホルダ50がマスク3と共にウェハチ
ャック13に吸着されるとき、吸着用の連通孔54がマ
スク5の周辺部に対向する構造にすると、マスク6に設
けられたパターン支持膜(図示せず)を歪ませる虞れが
無い。更に、本実施例のようにパッド53を円周状に列
設すると、その真空孔34からもれる真空圧によシ、マ
スク3のパターン形成部(薄膜部、厚さ5μm程度)が
、下方にたわまないという効果が有る。
第4図に示すように、ウェハチャック15の上面からパ
ッド聞の上面までの高さ寸法Cは、第1図に示したウェ
ハ1の厚さ寸法Cと同一になるように構成する。また、
パッド外の上にマスク6(仮想線で示す)を載置したと
き、ウニノ・チャック13の上面からマスク3の上面ま
での高さ寸法h′は、ホルダペース62の厚さ寸法りよ
りも大きく設定する。
(第2図参照)前述のようにマスク3をマスクホルダろ
0と共にウニノーチャック13に真空吸着固定した後、
プリアライメント用の顕微鏡によりマスク3のアライメ
ントマーク(図示せず)と顕微鏡17の基準マーク(図
示せず)とが一致するように、ウェハステージ2のx、
y、θステージ14,15、及びチルト機′JRI11
6によシ、マスク3を移動し、プリアライメントする。
次に、XYステージ14を、露光中心位置(0′位置)
へ移動する。
第5図〜第8図は、主に、マスク3の装着方法を動作の
順に示したものである。
第5図は、上述の如くXYステージ14を露光中心位置
に移動させ、これに搭載したウニノ・チャック1!1を
対物レンズ19に対向せしめた状態を示す。
ウェハアライメントマーク検出用の光路Aでマスク5の
アライメントマークを検出し、ウニノーチャック1!1
をx、y、θ方向に微動させてマスク3の精アライメン
トを行なう。
第6図は、マスク3をマスクチャック4に移し変える動
作を示している。まず、マスクチャック4に真空ポンプ
41よシ真空引きを行ない、次にマスクチルト機$18
によシマスフチャック4を一様3 に下降させる。マスクチャック4がマスク6に近づくと
、真空管路42の途中に設けた差動式圧力−電圧変換器
43の出力が変化し、マスクチャック4とマスク3との
ギャップCが約50μmになった時の電圧値をもって、
マスクチャック4の下降を停止する。(なお、ギャップ
Cと発生電圧値は、あらかじめ実験によシ測定しておく
)。次いで、ウェハチャック13の真空’t OFFす
ると、マスク3は、ギャップCを隔てたマスクチャック
4に吸着される。上記のように約50μmのギャップを
介してマスク5の移し変えを行なうと、はとんど位置ず
れを起こさずに移し変えできる。
上記のギャップcftOにして、即ち、マスクチャック
4をマスク5に押し当てて該マスク5の移し変えをする
と、マスクチャック4がマスク3に当接する際に位置ず
れを発生する虞れが有るが、この位置ずれを許容できる
場合はギャップcf:0にしてマスク3の移し変えを行
っても良い。
本発明者らの実験によれば、前記のギャップCを0にし
てマスク3の移し変えを行った場合、マスク3とアライ
メント元軸との位置ずれ量は1μm以下であることが確
認された。
第7図は、マスク3をマスクチャック4へ移し変えた後
、マスクチルト機構18によシマスフチャック4を上方
へ移動し、ウェハステージ2を、第2図に示す0位置(
プリアライメント位置)へ移動する動作を示している。
なお、マスクホルダ50゛は、マスク3がマスクチャッ
ク4に移し変えられた後、再度、ウェハチャック15に
よシ真空チャックし、次に0位置に戻ってから、真空チ
ャックをOFF して回収する。
第8図は、第7図の状態でマスク装着の終ったマスク5
を、マスク側光路(B光路)の焦点にくるようにモニタ
40(第2図参照)で観測しつつ、マスクチルト機構1
8で高さ調整をする動作を示している。この調整をもっ
て、マスク5は、アライメント検出光学系200光軸上
の、マスク側光路(B光路)の焦点合わせが完了する。
なお、マスク3の排出(アンローディング)は、装着手
順のほぼ逆の動作を行なうことになるが、15 バ アライメント光軸とマスク3の位置合わせ、及びプリア
ライメントの動作は不要である。
以上に述べたマスク装着方法のうち、第5図に示したマ
スク6の精アライメントを行なわずに、第2図の位置で
、プリアライメント用顕微鏡170代シに、対物レンズ
19と絶対寸法の定まった位置に、高精度のオフアクシ
スアライメント検出器を設け、これによシマスフ5の位
置合わせをした後、第6図以後の動作を行なうマスク装
着方法も可能である。ただし、この際、ウェハステージ
2の位置決め精度が、マスク5のアライメントマークと
アライメント光軸中心との位置ずれにきいてくるので、
この誤差を考慮して、マスク装着方法を選択する必要が
ある。上述の実施例はX線を用いた露光装置に本発明の
方法、装置を適用した場合を示したが、本発明の方法及
び同装置はX線以外の光線を用いた露光装置にも適用で
きる。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、本発明のマスク装着方法は、露光
装置にマスクローダを付設する必要が無く、マスクチャ
ックにx、y、θ機構を付設する必要無しに、マスクチ
ャックに対して正しい位置。
姿勢でマスクを装着することができる。また、本発明の
マスク装着装置によれば、上記の本発明方法を容易に実
施してその効果を発揮せしめることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はX線露光装置の基本的構成を説明するための垂
直断面部、第2図は本発明方法を実施するために構成し
た本発明装置の1実施例の説明図、第3図は上記実施例
におけるマスクホルダ付近の平面図、第4図は同垂直断
面図である。第5図乃至第8図は本発明方法の1実施例
における本発明装置の1実施例の作動を順次に描いた説
明図である。 1・・・ウェハ、2・・・ウェハステージ、6・・・マ
スク、4・・・マスクチャック、8・・・XNj、 1
3・・・ウェハチャック、17・・・プリアライメント
用顕微鐘、20・・・アライメント検出光学系、50・
・・マスクホルダ。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第3図 6b

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 マスク保持用のチャックに吸着保持されたマスク
    に設けられているパターンをウェハ上に転写するため、
    前記のマスクをチャックに装着する方法において、ウェ
    ハ搬送用の平面走行ステージ上に前記のマスクを保持具
    と共に吸着固定した後、平面走行ステージを走行させて
    該マスクを前記のチャックの下方へ移送し、該マスクを
    走行ステージからチャックに受け渡すことを特徴とする
    マスク装着方法。 2、前記の転写はX線によって行う本のであることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載のマスク装着方法
    。 五 マスク保持用のチャックを備え、上記チャックの下
    面にマスクを吸着保持して該マスクに設けられたパター
    ンをウェハ上に転写する露光装置において、ウェハ搬送
    用の平面走行ステージ上に前記のマスクを保持具と共に
    吸着する手段を設け2(す るとともに、上記の吸着位置をプリアライメントする手
    段を設け、かつ、前記の平面走行ステージを走行せしめ
    て上記の吸着したマスクを前記チャックの真下部に搬送
    して、該マスクを平面走行ステージからチャックに受け
    渡し得べく為したることt−特徴とするマスク装着装置
    。 4、前記の露光装置はX線露光装置であることを特徴と
    する特許請求の範囲第3項に記載のマスク装着装置。 5、 前記のマスクを保持具と共に吸着する手段は、マ
    スクを保持具と共に吸着した状態で、これを水平面内の
    直交2軸X、Y方向に平行駆動すること、垂直軸の回シ
    に回転駆動すること、垂直方向に平行駆動すること、及
    び、水平面に対する傾角を変化せしめる方向に回転駆動
    することのできる構造とし、吸着保持したマスクを、ウ
    ニノ・用アライメント検出光学系によって位置合わせで
    きるように構成したことを特徴とする特許請求の範囲第
    3項に記載のマスク装着装置。 & 前記のマスク保持具は、マスクと共に平面3 了、 走行ステージ上に吸着されたとき、吸着用の真を連通孔
    の開口部をパッドを介してマスクの周辺部に対向密着せ
    しめる構造として、該マスクに設けたパターン支持膜の
    歪みを防止できるように構成したことを特徴とする特許
    請求の範囲第6項に記載のマスク装着装置。 l 前記露光装置に設けられているウェハ位置合せ用の
    アライメント元学系と別個に、該アライメント元学系か
    ら一定の絶対距離の位置にオフアクシスアライメント光
    学系を設けてマスクの位置合せができるように構成した
    ことを特徴とする特許請求の範囲第6項に記載のマスク
    装着装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62237727A (ja) * 1986-04-09 1987-10-17 Hitachi Ltd X線露光装置およびその方法
JPH02100311A (ja) * 1988-10-06 1990-04-12 Canon Inc Sor−x線露光装置
JP2007316561A (ja) * 2006-04-24 2007-12-06 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2008304835A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Nsk Ltd 露光装置

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