TWI424465B - A substrate holding device, an exposure device, and a device manufacturing method - Google Patents

A substrate holding device, an exposure device, and a device manufacturing method Download PDF

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Description

基板保持裝置、曝光裝置、以及元件製造方法
本發明係關於一種將處理基板加以保持之基板保持裝置、將處理基板曝光之曝光裝置、以及元件製造方法。
本案係依據2004年12月15日所提出申請之日本特願2004－363478號而主張其優先權，在此援用其內容。
作為半導體元件、液晶表示元件等微元件之製程之一的光微影製程，係使用曝光裝置以將光罩上所形成之圖案像投影於感光性基板上。此曝光裝置，具有支持光罩之光罩載台與支持基板之基板載台，一邊將光罩載台與基板載台依序移動一邊將光罩之圖案像經由投影光學系統來投影於基板。於微元件之製造中，為了達成元件之高密度化，乃要求在基板上形成之圖案的微細化。為了因應此要求，乃期望曝光裝置之進一步高解析度化，作為實現此高解析度化之作法之一，已有人提出如下述專利文獻1所揭示般，在投影光學系統與基板之間填滿折射率較氣體為高之液體的狀態下進行曝光處理之液浸曝光裝置。
[專利文獻1]國際公開第99/49504號之小冊子[專利文獻2]日本特開2004－289127號公報
若液體經由基板與基板載台間之間隙滲入基板背面側，可能發生各種不良情況。例如若基板背面因為滲入基板背面側之液體而潤濕，會有無法以基板保持具(基板保持裝置)來將基板良好地保持之虞。或者，使用既定之搬送系統自基板保持具將基板搬出(卸載)時，於保持著潤濕之基板背面之搬送系統會附著液體、或是液體飛濺到搬送路徑，受害有擴大之虞。
本發明係鑑於上述狀況所得者，其目的在於提供一種基板保持裝置，即使液體滲入基板背面側，也能將該滲入之液體迅速地回收；又本發明之目的在於提供一種曝光裝置、使用該曝光裝置之元件製造方法。
為了解決上述課題，本發明係採用與實施形態中所示各圖對應之以下構成。但是，對各要件所賦予之附括弧之符號僅為例示該要件，並不用來限定各要件。
依本發明之第1形態，係提供一種基板保持裝置，用以將表面上形成有液體液浸區域之處理基板加以保持者；其特徵在於具備：基材；第1支持部，於基材上形成，用以支持處理基板之背面；第1周壁部，於基材上形成，與處理基板之背面相對向，以圍繞第1支持部的方式設置；以及第1回收口，設置於第1周壁部之外側；藉由沿著第1周壁部之氣體的流動，以將第1周壁部外側之液體移動至第1回收口並加以回收。
依本發明之第1形態，藉由沿著第1周壁部之氣體的流動，以將第1周壁部外側之液體移動至第1回收口，藉此，即使液體滲入基板背面側，仍可將該液體以第1回收口來迅速地回收。
依本發明之第2形態，係提供一種曝光裝置，其具備上述形態之基板保持裝置，對該基板保持裝置所保持之處理基板透過液體來進行曝光。
依本發明之第2形態，由於可將滲入之液體迅速回收，故可將處理基板良好地曝光。
依本發明之第3形態，係提供一種元件製造方法，使用上述形態之曝光裝置來製造元件。
依本發明之第3形態，可使用將處理基板良好地曝光之曝光裝置來製造元件。
依本發明，即使液體滲入處理基板之背面側，仍可將該滲入液體迅速地回收。又，可將處理基板良好地曝光。
以下，針對本發明之實施形態參照圖式作說明，惟本發明並不限定於此。
<第1實施形態>
針對本發明之第1實施形態參照圖式作說明。圖1所示係第1實施形態之曝光裝置EX的概略構成圖。於圖1中，曝光裝置EX具有：光罩載台MST(可保持著光罩M作移動)、用以保持基板P之基板保持具PH、基板載台PST(可將保持著基板P之基板保持具PH加以移動)、照明光學系統IL(將光罩載台MST所保持之光罩M以曝光用光EL來照明者)、投影光學系統PL(將以曝光用光EL所照明之光罩M的圖案像投影於基板P)、以及控制裝置CONT(綜合控制曝光裝置EX整體之動作)。
本實施形態之曝光裝置EX為採用液浸法(以使曝光波長實質變短來提高解析度，並實質增大焦點深度)之液浸曝光裝置，具備液浸機構100，以將投影光學系統PL像面側的曝光用光EL之光路空間K1以液體LQ來填滿。液浸機構100係設置於投影光學系統PL之像面附近，具備：噴嘴構件70(具有供應液體LQ之供應口12以及回收液體LQ之回收口22)、液體供應機構10(經由在噴嘴構件70所設之供應口12來對投影光學系統PL之像面側的光路空間K1供應液體LQ)、以及液體回收機構20(經由在噴嘴構件70所設之回收口22以將投影光學系統PL之像面側的液體LQ加以回收)。噴嘴構件70係於基板P(基板保持具PH)之上方，以將構成投影光學系統PL之複數光學元件當中最接近投影光學系統PL像面的第1光學元件LS1加以圍繞的方式形成為環狀。
曝光裝置EX係採用局部液浸方式，亦即，至少在將光罩M之圖案像投影至基板P上之期間，藉由自液體供應機構10所供應之液體LQ在基板P上之一部分(包含投影光學系統PL之投影區域AR)局部形成較投影區域AR大且較基板P小之液體LQ的液浸區域LR。具體而言，曝光裝置EX係使用液浸機構100，將在最接近投影光學系統PL像面之第1光學元件LS1之下面LSA與保持於基板保持具PH而配置在投影光學系統PL像面側之基板P的表面Pa之間的曝光用光EL之光路空間K1，以液體LQ填滿，將經由在投影光學系統PL與基板P之間的液體LQ以及投影光學系統PL而通過光罩M之曝光用光EL照射於基板P，藉此以光罩M之圖案像將基板P曝光。控制裝置CONT係使用液體供應機構10對基板P上以既定量供應液體LQ，並使用液體回收機構20將基板P上之液體LQ作既定量回收，藉此，將位於投影光學系統PL與基板P之間的曝光用光EL之光路空間K1以液體LQ填滿，於基板P上局部形成液體LQ之液浸區域LR。
在本實施形態中，在曝光裝置EX方面所舉例說明者係使用掃描型曝光裝置(掃描步進機)，一邊使光罩M與基板P分別朝掃描方向同步移動一邊將於光罩M所形成之圖案像投影於基板P上。於以下之說明中，將水平面內光罩M與基板P同步移動方向(掃描方向)定為X軸方向，將水平面內與X軸方向呈正交之方向定為Y軸方向(非掃描方向)，將與X軸方向及Y軸方向呈垂直且和投影光學系統PL之光軸AX為一致之方向定為Z軸方向。又，繞X軸、Y軸、Z軸之旋轉(傾斜)方向分別定為θX、θY、θZ方向。又，此處所說之「基板」係包含在半導體晶圓等之基材上塗布有感光材(光阻)者，「光罩」係包含形成有在基板上縮小投影之元件圖案的標線片。
照明光學系統IL具有：曝光用光源、將曝光用光源所射出之光束照度予以均勻化之光學積分器、將來自光學積分器之曝光用光EL加以聚光之聚光透鏡、中繼透鏡系統、以及對曝光用光EL在光罩M上之照明區域進行設定之視野光圈等。光罩M上之既定照明區域係藉由照明光學系統IL以均勻之照度分布的曝光用光EL來照明。自照明光學系統IL所射出之曝光用光EL，可使用例如自水銀燈所射出之光線(g線、h線、i線)以及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)以及F2 雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。於本實施形態中係使用ArF準分子雷射光。
於本實施形態中，液體LQ係使用純水。純水不僅可讓ArF準分子雷射光透射過，且可讓例如水銀燈所射出之光線(g線、h線、i線)以及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)透射過。
光罩載台MST可保持光罩M進行移動。光罩載台MST係將光罩M以真空吸附(或是靜電吸附)來加以保持。光罩載台MST可藉由光罩載台驅動裝置MSTD(包含由控制裝置CONT所控制之線性馬達等)之驅動，在保持光罩M之狀態下，而於與投影光學系統PL之光軸AX垂直之平面內(亦即XY平面內)作2維空間移動以及θZ方向之微旋轉。於光罩載台MST上設置有移動鏡91。又，於移動鏡91之對向位置設有雷射干涉計92。光罩載台MST上之光罩M的2維空間方向之位置、以及θZ方向之旋轉角(有時也包含θX、θY方向之旋轉角)係由雷射干涉計92作即時測量。雷射干涉計92之測量結果係輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT係依據雷射干涉計92之測量結果來驅動光罩載台驅動裝置MSTD，對於在光罩載台MST所保持之光罩M進行位置控制。
投影光學系統PL係將光罩M之圖案以既定之投影倍率β投影曝光於基板P者，以複數光學元件所構成，該等光學元件係由鏡筒PK所保持著。於本實施形態中，投影光學系統PL之投影倍率β為例如1/4、1/5、或是1/8之縮小系統。又，投影光學系統PL亦可為等倍系統以及放大系統之任一者。又，投影光學系統PL亦可為不含反射光學元件之折射系統、不含折射光學元件之反射系統、包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系統中任一者。又，於本實施形態中，構成投影光學系統PL之複數光學元件當中最接近投影光學系統PL像面之第1光學元件LS1係自鏡筒PK露出。
基板載台PST可使保持基板P之基板保持具PH在投影光學系統PL之像面側移動。基板載台PST具備：用以支持基板保持具PH之Z傾斜載台95、用以支持Z傾斜載台95之XY載台90。XY載台90係於基座BP上移動自如地受到支持。
基板保持具PH係支持於Z傾斜載台95上，以例如真空吸附等來保持基板P。於基板保持具PH上設有凹部96。於凹部96係配置後面會詳述之用以保持基板P之第1保持部PH1。此外，基板保持具PH當中之凹部96周圍的上面97係成為與於第1保持部PH1所保持著之基板P的表面Pa為大致相同高度(相同面)的平坦面(平坦部)。又，只要能持續將投影光學系統PL像面側之光路空間K1以液體LQ填滿，則於第1保持部PH1所保持著之基板P的表面Pa與基板保持具PH之上面97之間有段差亦無妨。
基板載台PST係由基板載台驅動裝置PSTD所驅動。基板載台驅動裝置PSTD係具備：將XY載台90在基座BP上朝X軸方向、Y軸方向以及θZ方向移動之XY驅動機構(例如包含線性馬達等)；以及將Z傾斜載台95朝Z軸方向、θX方向以及θY方向驅動之Z驅動機構(例如包含音圈馬達等)。藉由Z傾斜載台95以及XY載台90之驅動，於基板保持具PH所保持之基板P的表面Pa可朝X軸、Y軸、Z軸、θX、θY以及θZ方向之6自由度方向移動。於基板保持具PH之側面設置有移動鏡93。又，於與移動鏡93對向位置設置有雷射干涉計94。基板保持具PH上之基板P的2維空間方向位置以及旋轉角係由雷射干涉計94作即時測量。又，曝光裝置EX係具備例如日本特開平8－37149號公報所揭示般對在基板保持具PH所支持之基板P的表面Pa之面位置資訊進行檢測之斜入射方式之聚焦調平(focus leveling)檢測系統(未圖示)。聚焦調平檢測系統係對基板P的表面Pa之面位置資訊(Z軸方向之位置資訊、以及θX與θY方向之傾斜資訊)在曝光前及/或曝光中檢測出。又，聚焦調平檢測系統亦可採用使用靜電電容型感測器之方式者。雷射干涉計94之測量結果係輸出至控制裝置CONT。聚焦調平檢測系統之測量結果亦輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT係依據聚焦調平檢測系統之檢測結果來驅動基板載台驅動裝置PSTD，對基板P之聚焦位置(Z位置)以及傾斜角(θX、θY)進行控制使基板P之表面Pa能與投影光學系統PL之像面匹配，且依據雷射干涉計94之測量結果，進行基板P在X軸方向、Y軸方向以及θZ方向上之位置控制。
其次，針對液浸機構100之液體供應機構10以及液體回收機構20作說明。液體供應機構10係將液體LQ供應於投影光學系統PL之像面側者，具備可送出液體LQ之液體供應部11、以及一端與液體供應部11連接之供應管13。供應管13之另一端係與噴嘴構件70連接。於噴嘴構件70之內部係形成有用以將供應管13之另一端與供應口12作連接之內部流路(供應流路)。液體供應部11具備：收容液體LQ之儲存槽、加壓泵、將供應之液體LQ的溫度加以調整之溫度調整機構、以及將液體LQ中之異物移除之過濾器單元等。液體供應部11之液體供應動作係由控制裝置CONT所控制。又，無需將液體供應機構10之儲存槽、加壓泵、溫度調整機構、過濾器單元等全部設置於曝光裝置本體EX，而可取代使用設置曝光裝置本體EX之工廠等之設備。
液體回收機構20係回收投影光學系統PL像面側之液體LQ者，具備可回收液體LQ之液體回收部21、一端與液體回收部21連接之回收管23。回收管23之另一端係與噴嘴構件70連接。於噴嘴構件70之內部係形成有將回收管23之另一端與回收口22作連接之內部流路(回收流路)。液體回收部21係具備例如真空泵等之真空系統(吸引裝置)、將回收之液體LQ與氣體加以分離之氣液分離器、以及將回收之液體LQ加以收容的儲存槽等。又，無需將液體回收機構20之真空系統、氣液分離器、以及儲存槽全部設置於曝光裝置本體EX，而可取代使用設置曝光裝置本體EX之工廠等之設備。
供應液體LQ之供應口12以及回收液體LQ之回收口22係於噴嘴構件70之下面70A處形成。噴嘴構件70之下面70A係設置於與基板P之表面Pa、以及基板保持具PH之上面97對向之位置。噴嘴構件70係以圍繞第1光學元件LS1側面的方式設置之環狀構件，供應口12係於噴嘴構件70之下面70A以圍繞投影光學系統PL之第1光學元件LS1(投影光學系統PL之光軸AX)的方式設置複數個。又，回收口22係於噴嘴構件70之下面70A以第1光學元件LS1為基準較供應口12更位於外側設置，以圍繞第1光學元件LS1與供應口12的方式設置。
於形成液體LQ之液浸區域LR時，控制裝置CONT係分別驅動液體供應部11以及液體回收部21。若於控制裝置CONT之控制下自液體供應部11送出液體LQ，該自液體供應部11所送出之液體LQ於流經供應管13之後，經由噴嘴構件70之供應流路，從供應口12供應至投影光學系統PL之像面側。又，若於控制裝置CONT之控制下驅動液體回收部21，投影光學系統PL之像面側的液體LQ會經由回收口22流入噴嘴構件70之回收流路，於流經回收管23之後，回收至液體回收部21。
將基板P液浸曝光之時，控制裝置CONT係使用液浸機構100將在投影光學系統PL與基板保持具PH所保持之基板P之間的曝光用光EL之光路空間K1，以液體LQ填滿，經由投影光學系統PL與液體LQ對基板P上照射曝光用光EL以將基板P曝光。
其次，參見圖2~圖5來說明基板保持具PH。圖2係保持著基板P之狀態的基板保持具PH之側截面圖，圖3係自上方來觀看基板保持具PH之俯視圖，圖4係自上方來觀看保持著基板P之狀態的基板保持具PH之俯視圖，圖5係圖2之要部放大圖。
基板保持具PH具備：基材PHB、於基材PHB所形成之將基板P加以吸附保持之第1保持部PH1。基板保持具PH之第1保持部PH1具備：第1支持部46(於基材PHB上所形成，用以支持將基板P之背面Pb)、第1周壁部42(於基材PHB上所形成，與基板P背面Pb相對向，以圍繞第1支持部46的方式設置)。第1保持部PH1係於基板保持具PH所形成之凹部96內側配置。
第1支持部46係形成為凸狀，以其上面46A來支持基板P之背面Pb。於本實施形態中，第1支持部46包含在第1周壁部42之內側複數同樣形成之支持銷。第1周壁部42係對應於基板P之形狀形成為大致圓環狀，第1周壁部42之上面42A係與基板P之背面Pb的周圍區域(邊緣區域)相對向。第1周壁部42之上面42A係成為平坦面。於本實施形態中，第1支持部46之上面46A係與第1周壁部42之上面42A相同高度，或是略高於上面42A形成。此外，於第1保持部PH1所保持之基板P的背面Pb側，係形成有由基板P、第1周壁部42以及基材PHB所圍成之第1空間31。
於第1周壁部42之內側基材PHB上形成有第1吸引口41。第1吸引口41係用以將基板P吸附保持之物，於第1周壁部42之內側，在基材PHB上面當中第1支持部46以外之複數既定位置分別設置。於本實施形態中，第1吸引口41係於第1周壁部42之內側複數同樣配置。各第1吸引口41經由流路45與第1真空系統40連接。第1真空系統40係將由基板P、第1周壁部42以及基材PHB所圍繞之第1空間31調整為負壓者，包含真空泵。如上述般，第1支持部46包含支持銷，本實施形態中第1保持部PH1係構成銷夾頭機構的一部分。控制裝置CONT係驅動第1真空系統40，將由基板P、第1周壁部42以及基材PHB所圍繞之第1空間31內部的氣體(空氣)抽出以將第1空間31保持在負壓，藉此，將基板P之背面Pb以第1支持部46來吸附保持。
如圖5所示般，基板保持具PH之凹部96的內側係與上面97連接，形成有與於第1保持部PH1所吸附保持之基板P的側面Pc對向之內側面98。此外，於第1保持部PH1所保持之基板P的邊緣部與該基板P周圍所設置之內側面98(上面97)之間係形成有既定之空隙A。於本實施形態中，空隙A係0.1~1.0mm左右。
又，如圖5所示般，於基板保持具PH之凹部96內側，沿著第1周壁部42之外側面形成有段部99。段部99具有：與內側面98大致垂直且和內側面98連續形成之上面99A、與上面99A大致垂直且和上面99A連續形成之內側面99S。於段部99之內側面99S與第1周壁部42之外側面42S之間係沿著該外側面42S形成有空隙B。於本實施形態中，空隙B係設定為約1.0mm。如此般，於第1保持部PH1所保持之基板P之背面側的第1周壁部42外側係形成有空隙B之第2空間33。
又，於第1保持部PH1當中，環狀之第1周壁部42的外徑係形成為較基板P之外徑為小。換言之，第1周壁部42係設置於較基板P之邊緣部為內側(基板P之中央部側)。此外，基板P之邊緣區域係較第1周壁部42之外側外伸既定量(參見圖5)。於以下之說明中，將基板P當中自第1周壁部42朝外側外伸之區域權宜地稱為「外伸部H1」。於本實施形態中，外伸部H1為約1.5mm。
又段部99係自凹部96之內側面98朝第1周壁部42側突設，段部99之內側面99S之內徑較基板P之外徑為小。再者段部99之上面99A較第1周壁部42之上面42A略低。因此，於第1保持部PH1所保持之基板P的外伸部H1之一部分(基板P之背面Pb之外圍邊緣)與段部99之上面99A的內側邊緣乃隔著既定空隙G而相對向。於本實施形態中，空隙G係設定為1~10 μ m。空隙G係形成在第1周壁部42與段部99之間的第2空間33流通以及在第1保持部PH1所保持之基板P側面與內側面98之間的空間流通之流路。
又，如圖4所示般，於本實施形態之基板P，形成有對位用之作為缺口部之切口部NT。切口部NT在基板P之側面Pc與基板保持具PH之內側面98(上面97)之間的空隙亦以設定成與上述空隙A大致相同大小的方式對應於基板P之外形(切口部NT之形狀)來設定內側面98(上面97之內側邊緣)之形狀。具體而言，於內側面98(上面97之內側邊緣)，係以與基板P之切口部NT形狀對應的方式設置朝第1周壁部42突出之凸部98N。又，於第1周壁部42(上面42A)設置有與於基板P所形成之切口部NT的形狀對應之凹部42N。又，於段部99(上面99A)設置有與於基板P所形成之切口部NT的形狀對應之凸部99N。第1周壁部42之凹部42N設置於與段部99之凸部99N對向之位置，於凹部42N與凸部99N之間係形成有與上述空隙B大致相同大小之空隙。藉此，於包含切口部NT之基板P的邊緣整個區域與內側面98(上面97)之間可確保0.1~1.0mm之空隙A，並於第1周壁部42之外側面42S與段部99之內側面99S之間確保約1.0mm之空隙B。
又此處在基板P之缺口部方面係以切口部NT為例來說明，惟當不具缺口部的情況下，或是缺口部係於基板P形成定向平面部之情況下，只要將第1周壁部42、段部99以及內側面98分別設定成與基板P外形對應之形狀，於基板P與其周圍之內側面98(上面97)之間確保既定之空隙A，且於第1周壁部42之外側面42S與其周圍之段部99的內側面99S之間確保既定之空隙B即可。又，當切口部NT等基板P之缺口部非常小的情況下，即使第1周壁部42、段部99以及內側面98未對應於缺口部設置凹部及/或凸部亦無妨。
基板保持具PH具備於第1周壁部42之外側面42S與段部99之內側面99S之間所設置之第1回收口51。第1回收口51可回收液體LQ，設置於段部99之內側面99S與第1周壁部42之外側面42S之間的基材PHB之上面54。
如圖5等所示般，第1回收口51係設置於與第1保持部PH1所保持之基板P的背面Pb的外伸部H1對向之位置。亦即，第1回收口51於基材PHB中，設置於較第1保持部PH1所保持之基板P的邊緣部位於更內側(基板P之中央部側)。
又，如圖3所示般，第1回收口51係於第1周壁部42之外側，沿著第1周壁部42在複數既定位置分別設置。於本實施形態中，各第1回收口51俯視呈大致圓形狀，於基材PHB之上面54，沿著第1周壁部42之圓周方向隔著既定間隔設置於7處。又，第1回收口51在與基板P之切口部NT對應形成之第1周壁部42的凹部42N內側亦設有一個。
如圖2與圖5所示般，包含真空系統之吸引裝置50係經由流路52來與第1回收口51連接。與第1回收口51連接之吸引裝置50、以及將第1空間31調整為負壓之第1真空系統40係相互獨立。控制裝置CONT可分別對吸引裝置50以及第1真空系統40個別動作進行控制，以使吸引裝置50所進行之吸引動作與第1真空系統40所進行之吸引動作分別獨立進行。
基板P曝光面之表面Pa係被覆著光阻(感光材)。於本實施形態中，感光材係ArF準分子雷射用之感光材，對液體LQ具有撥液性。又，有時於基板P曝光面之表面Pa所塗布之感光材之上層會塗布被稱為覆塗層之保護層(將感光材自液體隔絕之膜)，而用以形成此覆塗層之材料亦可使用例如氟系樹脂材料等撥液性材料。
又，於基板保持具PH之至少一部分施以撥液化處理，基板保持具PH對於液體LQ具有撥液性。於本實施形態中，基板保持具PH之基材PHB當中，第1保持部PH1之第1周壁部42的上面42A以及外側面42S、第1支持部46之上面46A具有撥液性。又，上面97以及內側面98亦具備撥液性。又，段部99之上面99A以及內側面99S亦具有撥液性。在基板保持具PH之撥液化處理方面可舉出被覆氟系樹脂材料、丙烯酸系樹脂材料等之撥液性材料之處理。
其次，針對曝光裝置EX動作之一例參照圖6之流程圖以及圖7之示意圖來作說明。
首先，於圖7所示之基板更換位置J2，待曝光處理之基板P藉由搬送系統300朝基板保持具PH搬入(裝載)(步驟SA1)。此處，所說之基板更換位置J2，包含搬送系統300之附近位置，包含搬送系統300可對基板保持具PH進行基板P搬入(裝載)與搬出(卸載)之位置。將基板P裝載於基板保持具PH之時，控制裝置CONT會使用基板載台驅動裝置PSTD，將支持著基板保持具PH之基板載台PST移動至基板更換位置J2，利用搬送系統300使基板P成為可裝載之狀態。
對基板保持具PH裝載基板P之後，控制裝置CONT將第1空間31調整為負壓空間，以將由基板保持具PH之第1保持部PH1所裝載之基板P加以保持。此時，以第1支持部46所支持著之基板P的背面Pb與第1周壁部42之上面42A係接觸著(密合)。控制裝置CONT使用基板載台驅動裝置PSTD將支持著基板保持具PH之基板載台PST移動至進行曝光之曝光處理位置J1(步驟SA2)。此處，曝光處理位置J1，係包含投影光學系統PL正下方之位置。控制裝置CONT在使投影光學系統PL與基板P(基板保持具PH)對向之狀態下，使用液浸機構100來開始液體LQ之供應與回收動作，於投影光學系統PL之像面側形成液體LQ之液浸區域LR(步驟SA3)。控制裝置CONT藉由形成液浸區域LR，將投影光學系統PL與基板P之間的光路空間K1以液體LQ填滿之後，藉由照明光學系統IL來射出曝光用光EL，經由投影光學系統PL與液體LQ，對在基板保持具PH所保持之基板P照射曝光用光EL，藉此將該基板P液浸曝光(步驟SA4)。
本實施形態中之曝光裝置EX係使用掃描型曝光裝置(掃描步進機)，一邊使光罩M與基板P在X軸方向(掃描方向)移動一邊將光罩M之圖案像投影於基板P上。於掃描曝光時，光罩M之一部分圖案像會經由液浸區域LR之液體LQ以及投影光學系統PL而投影於投影區域AR，在光罩M朝－X方向(或是＋X方向)以速度V來移動之同時，基板P相對於投影區域AR朝＋X方向(或是－X方向)以速度β．V(β為投影倍率)移動。於基板P上設定有複數之曝光照射區域，對一曝光照射區域完成曝光之後，下一曝光照射區域會藉由基板P之步進移動而移動至掃描開始位置，之後，以步進掃描方式一邊移動基板P一邊對各曝光照射區域依序進行掃描曝光處理。
於基板P之液浸曝光處理結束後，控制裝置CONT乃停止液體供應機構10所進行之液體供應動作。之後，控制裝置CONT於基板P保持在基板保持具PH之狀態下，使用液體回收機構20將殘留於基板P表面以及基板保持具PH之上面97的液體LQ加以回收(步驟SA5)。將殘留於基板P表面以及基板保持具PH之上面97的液體LQ加以回收之後，控制裝置CONT乃使用基板載台驅動裝置PSTD，將支持著基板保持具PH之基板載台PST移動至基板更換位置J2(步驟SA6)。然後，於基板更換位置J2，經過曝光處理之基板P由搬送系統300自基板保持具PH搬出(卸載)(步驟SA7)。
如上述般，基板載台驅動裝置PSTD可於進行基板P之曝光的曝光處理位置J1與曝光處理位置J1以外之另一基板更換位置J2之間移動基板保持具PH(基板載台PST)。
其次，針對基板保持具PH之液體回收作用作說明。
於上述步驟SA4中，對基板P之表面Pa的邊緣區域Eg進行液浸曝光時，如圖5所示般，於投影光學系統PL之像面側所形成之液浸區域LR的一部分係形成於基板P之外側。亦即，液浸區域LR係於基板P以及上面97形成。於此狀態中，在空隙A上形成液體LQ之液浸區域LR。此時，於第1保持部PH1所保持之基板P與上面97(內側面98)之間的空隙A係設定為0.1~1.0mm，故可藉由液體LQ之表面張力來防止液體LQ滲入空隙A。
又，由於基板保持具PH之上面97以及內側面98具備撥液性，故可防止液體LQ經由空隙A滲入第2空間33。因此，即使將基板P之邊緣區域Eg曝光的情況下，也可藉由上面97將液體LQ保持於投影光學系統PL之下。
如前述般，藉由縮小空隙A、或是對基板保持具PH之上面97以及內側面98賦予撥液性等來防止液體LQ自空隙A滲入，惟有可能因為基板保持具PH之移動及/或形成液浸區域LR之液體LQ的壓力變化等造成液體LQ經由在基板P周圍所形成之空隙A而滲入基板保持具PH之凹部96內。當液體LQ經由空隙A而滲入第2空間33的情況，由於基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A大致密合，而可防止液體LQ滲入第1周壁部42之內側，惟如圖5所示般，滲入第2空間33之液體LQ很可能附著於基板P之背面Pb當中之第1周壁部42外側之區域(亦即基板P之背面Pb之外伸部H1)。或者，自空隙A滲入之液體LQ很可能附著於第1周壁部42之外側面42S、內側面98、段部99之上面99A、內側面99S、基材PHB之上面54等。
於本實施形態中，經由空隙A滲入第2空間33之液體LQ，可藉由驅動吸引裝置50來回收。當驅動吸引裝置50，如圖8之示意圖般，第1回收口51之周圍氣體(亦即第2空間33之氣體)被第1回收口51所吸引。亦即，吸引裝置50經由第1回收口51來吸引第2空間33之氣體，藉此，於基板P之背面Pb的外伸部H1與段部99之間的微小空隙G會發生朝向基板P內側之氣流，且於段部99之內側面99S與第1周壁部42之外側面42S之間的微小空隙會產生朝向第1回收口51之氣流(參見圖8中箭頭y1)。亦即，於第2空間33會產生被導向第1周壁部42之氣流。換言之，形成空隙B之槽狀的第2空間33會以沿著第1周壁部42的方式產生朝向第1回收口51之氣流。
藉由該吸引裝置50所產生之沿著第1周壁部42之氣流，經由空隙A滲入第2空間33之液體LQ會移動至第1回收口51。具體而言，經由空隙A滲入第2空間33而附著於例如基板P之背面Pb的外伸部H1處之液體LQ、附著於第1周壁部42之外側面42S等之液體LQ等，係藉由沿著第1周壁部42之氣流而移動至第1回收口51。然後，移動至第1回收口51之液體LQ，經由第1回收口51被回收。如此般，藉由於第1周壁部42之周圍形成具有約1mm空隙B之第2空間33，且於第1周壁部42之周圍以既定間隔設置複數之第1回收口51，則可藉由驅動吸引裝置50沿著第1周壁部42產生流速大之氣體，將自空隙A所滲入而附著於第1周壁部42之外側面42S、段部99之內側面99S等之液體LQ移動至第1回收口51並加以回收。由於在凹部96內設置段部99，於基板P之背面Pb的外伸部H1與段部99之上面99A之間設置微小空隙G，故可藉由驅動吸引裝置50在空隙G產生朝向第2空間33之流速大之氣流，將在基板P與內側面98之間、基板P與段部99之間等所附著之液體LQ迅速地移動至第2空間33，自第1回收口51加以回收。
又，由於第2空間33經由空隙A而開放於大氣中，故即使經由第1回收口51來吸引第2空間33之氣體，氣體會經由空隙A自第2空間33的外部流入內部，故可順利地產生所期望之氣流。
又，如圖9之放大圖所示般，由於在第1周壁部42之外側面42S的一部分所形成之凹部42N的內側亦設置有第1回收口51N，故經由空隙A滲入凹部42N附近之液體LQ亦藉由朝向第1周壁部42之凹部42N的氣流而移動至第1回收口51N，經由該第1回收口51N被回收。
又，雖未圖示，於第1回收口51與包含真空系統之吸引裝置50之間的流路52中途係設有將由第1回收口51所回收之液體LQ與氣體作分離之氣液分離器，防止液體LQ流入吸引裝置50。
又，於本實施形態中，使用第1回收口51之液體LQ的回收動作，係於透過液體LQ對基板P曝光結束後、亦即上述步驟SA4之處理結束後進行。亦即，於本實施形態中，透過液體LQ對基板P之曝光中，吸引裝置50係處於停止狀態，而停止使用第1回收口51來回收液體LQ之動作。藉由停止於曝光中使用第1回收口51之回收動作，可抑制由於使用第1回收口51之液體LQ的回收動作所引起之振動、基板P表面之平坦度惡化等。此外，透過液體LQ之曝光結束後(步驟SA4之後)，在基板P保持於基板保持具PH之狀態下，使用第1回收口51來進行回收動作，則可使用第1回收口51來順利地回收液體LQ。
又，使用第1回收口51之液體LQ的回收動作，只要於基板P之曝光結束後(步驟SA4之後)、基板P自基板保持具PH卸載之前皆可。例如，亦可於基板P之曝光結束後，俾使用液體回收機構20所進行之基板P上與基板保持具PH上之液體LQ的回收動作(亦即步驟SA5之動作)與使用第1回收口51所進行之液體LQ的回收動作並行。此時，使用第1回收口51所進行之液體LQ的回收動作係於曝光處理位置J1處進行。
或者，亦可於基板P之曝光結束後，在將基板保持具PH(基板載台PST)自曝光處理位置J1移動至基板更換位置J2之過程中，使用第1回收口51來進行液體LQ之回收動作。亦即，可於基板P之曝光結束後，使基板保持具PH之移動動作與使用第1回收口51之液體LQ的回收動作並行。藉由在自曝光處理位置J1移動至基板更換位置J2之過程中，使用第1回收口51來進行液體LQ之回收動作，則可在基板保持具PH移動至基板更換位置J2後立即將完成曝光處理之基板P加以搬出(卸載)。
或者，亦可於基板P之曝光結束後，基板保持具PH(基板載台PST)移動至基板更換位置J2之後、基板P自基板保持具PH卸載之前，於基板更換位置J2使用第1回收口51來進行液體LQ之回收動作。
如以上所說明般，由於經由第1回收口51將第1周壁部42之外側的第2空間33之液體LQ加以回收，故即使液體LQ經由空隙A滲入第2空間33，仍可防止液體LQ經由基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A之間而滲入第1空間31，或是擱置在液體LQ附著於基板P之背面Pb(外伸部H1)之狀態等不良情況。因此，可防止滲入第1空間31之液體LQ經由第1吸引口41流入第1真空系統40造成第1真空系統40故障等不良情況的發生。又，藉由使用第1回收口51來回收液體LQ，可防止液體LQ滲入第1支持部46之上面41A與基板P之背面Pb之間使基板P之平面度惡化、或是無法良好地保持基板P、或是基板保持具PH被擱置於潤濕之狀態下造成基板保持具PH生鏽或是因液體LQ氣化時之氣化熱造成基板保持具PH發生熱變形等不佳的情況。又，藉由使用第1回收口51來回收液體LQ，不會有液體LQ附著在基板P之背面Pb的狀態下被搬送系統300所搬送之情況，可防止液體LQ附著於搬送系統300、液體LQ飛濺到搬送路徑等受害擴大之情況。
特別是，若使用第1回收口51將於第1保持部PH1所保持之基板P之背面Pb當中第1周壁部42外側之外伸部H1所附著之液體LQ加以回收，則可防止當搬出基板P時搬送系統300被潤濕、或是受到滲入基板P之背面Pb的液體LQ之表面張力的影響造成基板P之背面Pb與基板保持具PH之第1周壁部42的上面42A吸附從而無法順利地進行基板P之更換作業等不良情況的發生。
又，藉由於基板P之背面側形成微小的空隙B與空隙G，且吸引裝置50經由第1回收口51進行吸引，由於產生朝向第1回收口51之流速大的氣流，故能以簡易的構成自空隙A來回收滲入之液體LQ。
又，外伸部H1之大小以可產生所需氣流且可將基板P之邊緣部的撓曲量抑制在容許值以下的方式，考慮基板P之尺寸公差、搬送系統300所致基板P對基板保持具PH之載置精度等來適宜設定。又，第2空間33之空隙B由於形成流速大之氣流，故以設定在0.5~1.5mm為佳。
又，利用沿著第1周壁部42之氣流，將第1周壁部42外側之空隙B的液體LQ移動至第1回收口51，則即使例如由基材PHB之上面54、第1周壁部42之外側面42S、段部99之內側面99S所形成之第2空間33之邊隅、角落部分等(圖5中，參見符號K)處附著有液體LQ，仍可將該角落部分K之液體LQ藉由氣流平順地移動到第1回收口51並加以回收。特別是在本實施形態中，由於第1回收口51係於基材PHB之上面54的第1周壁部42附近以既定間隔設置於複數個位置，故可良好地產生沿著角落部分K之氣流，可將滯留於角落部分K之液體LQ順利地回收。
又，由於在凹部42N之內側亦設置第1回收口51N，故可防止液體LQ滯留於凹部42N之內側。又，如圖10所示般，當於凹部42N之外側設有第1回收口51N之情況，即使吸引裝置50經由第1回收口51N吸引氣體，由於在凹部42N內側可能會形成無氣流產生之區域(停滯區域)Y，故要將凹部42N內側所滯留之液體LQ移動至第1回收口51N會變得困難。於本實施形態中，由於在凹部42N內側設置第1回收口51N，故對於滯留在凹部42N之液體LQ亦能順利地回收。
又，例如由於設計上之困難而無法於凹部42N內側設置第1回收口51N的情況，亦可如圖11所示般，在自凹部42N之中心位置e1朝第1周壁部42之圓周方向偏移既定距離α之位置設置第1回收口51N。藉此，即使第1回收口51N係設置於凹部42N之外側，由於可在凹部42N之內側產生氣流，故可將滯留於凹部42N內側之液體LQ移動至第1回收口51N並加以回收。又，當凹部42N之寬度定為β之情況，距離α以滿足α≦β/2之條件為佳。藉此，可於凹部42N之內側產生氣流。
<第2實施形態>
其次，針對第2實施形態作說明。本實施形態之特徵部分在於，第1周壁部42之外側設有將朝向第1回收口51之氣流加以引導之第2周壁部44。於以下之說明中，針對與上述實施形態為相同或同等之構成部分係賦予相同符號而簡略其說明或省略其說明。
圖12係自上方觀看第2實施形態之基板保持具PH之俯視圖，圖13係第2實施形態之基板保持具PH之要部放大截面圖。於圖12與圖13中，基板保持具PH在第1周壁部42之外側具備將朝向第1回收口51之氣流加以引導之第2周壁部44。第2周壁部44俯視呈大致環狀，以圍繞第1周壁部42的方式設置。
如圖13所示般，第2周壁部44之上面44A與於第1保持部PH1所保持之基板P的背面Pb係相對向。又第2周壁部44之上面44A略低於第1周壁部42之上面42A。此外，當藉由將第1空間31設定成負壓空間使基板P的背面Pb與第1周壁部42之上面42A接觸時，於基板P的背面Pb與第2周壁部44之上面44A之間設置些微的空隙(間隙)C。由於第1周壁部42之上面42A與基板P的背面Pb接觸可維持第1空間31之氣密性，故可良好地進行第1保持部PH1對於基板P之吸附保持，並可防止液體LQ滲入第1空間31。
又，即使於本實施形態中，於第1保持部PH1所保持之基板P的邊緣部與內側面98(上面97)之間亦形成0.1~1.0mm之空隙A。
空隙C係形成可於第1周壁部42與第2周壁部44之間的第2空間33A、以及該第2空間33A之外側空間作流通之流路。此處所說之第2空間33A外側之空間，係包含大氣空間(包括內側面98與第2周壁部44之外側面44S之間的第3空間3B)。第2空間33A係由第1周壁部42、第2周壁部44、基材PHB之上面54、以及於第1保持部PH1所保持之基板P所圍繞之空間，經由空隙C與空隙A開放於大氣。
狹縫部53係於第2周壁部44之圓周方向的複數既定位置分別設置。於本實施形態中，狹縫部53分別於第2周壁部44之圓周方向以既定間隔設於7處。如圖15所示般，本實施形態中之狹縫部53係朝上下方向(Z軸方向)延伸形成，狹縫部53之下端部及於基板保持具PH之基材PHB。另一方面，狹縫部53之上端部係及於第2周壁部44之上面44A。因此，本實施形態之第2周壁部44係俯視圓弧狀之圓弧構件複數組合而形成者，藉由將該等圓弧構件沿著第1周壁部42設置複數個，整體上呈現大致環狀。
第1回收口51在第1周壁部42與第2周壁部44之間的基材PHB之上面54沿著第1周壁部42設置複數個。第1回收口51係分別於相互鄰接之狹縫部53彼此之間設置。換言之，狹縫部53分別於相互鄰接之第1回收口51彼此間設置。
其次，針對第2實施形態之基板保持具PH的液體回收作用作說明。
如圖13所示般，經由空隙A滲入第3空間33B之液體LQ很有可能於基板P之背面Pb當中之第2周壁部44外側的區域、亦即於基板P之背面Pb的外伸部H1附著。再者，自空隙A滲入之液體LQ很有可能經由空隙C滲入第2空間33A，而於形成第2空間33A之基板P之背面Pb、第1周壁部42之外側面42S、或是第1周壁部42與第2周壁部44之間的基材PHB之上面54等處附著。
經由空隙A滲入第2空間33A之液體LQ可藉由驅動吸引裝置50來加以回收。當驅動吸引裝置50，則如圖14之示意圖般，第1回收口51之周圍的氣體(第2空間33A之氣體)會被第1回收口51所吸引。亦即，吸引裝置50經由第1回收口51將第2空間33A之氣體加以吸引，藉此，於第1回收口51之附近(第2空間33A)會產生朝向第1回收口51之氣流(圖13中，參見箭頭y2)。
此處，第2周壁部44具有將第1周壁部42外側朝向第1回收口51之氣流加以引導之功能。因此，吸引裝置50經由第1回收口51進行吸引，可良好地產生朝向第1回收口51之氣流。又，藉由於第1周壁部42之外側隔著約1mm之空隙E設置第2周壁部44，則於第2空間33A可產生流速大之氣流。因此，第1周壁部42外側(第2空間33A)之液體LQ可藉由該氣流而平順地移動至第1回收口51。此時，於第2空間33A內側之例如角落部分K所滯留之液體LQ也可更確實地回收。又，於第1周壁部42與第2周壁部44之間的空隙E，為了產生流速大之氣流，以設定為0.5~1.5mm為佳。
又，第2空間33A由於經由空隙C與狹縫部53以及空隙A而開放於大氣，故即使經由第1回收口51將第2空間33A之氣體加以吸引，氣體會經由空隙C以及狹縫部53自第2空間33A之外部流入內部，故可平順地產生所期望之氣流。
又，由於在空隙C產生自第2空間33A外側朝向內側之氣流，故於基板P之背面Pb當中，第2周壁部44外側之外伸部H1所附著之液體LQ會藉由於該空隙C所產生之氣流而引入第2空間33A，移動至第1回收口51並被回收。亦即，藉由設置與基板P之背面Pb之間形成空隙C之第2周壁部44，則於基板P之背面Pb的外伸部H1所附著之液體LQ亦能更確實地由第1回收口51所回收。
於本實施形態中，空隙C係設定為1~10 μ m，惟該大小以依據經由第1回收口51之吸引力、液體LQ黏度等來最適化為佳。藉由將空隙C依據經由第1回收口51之吸引力、液體LQ黏度等來最適化，可充分地提高空隙C中氣流的流速，將附著於外伸部H1之液體LQ引入第2空間33A，使用第1回收口51來良好地回收。
於本實施形態中使用第1回收口51之液體LQ的回收動作，係與上述地1實施形態同樣，於基板P之曝光中停止、於未進行基板P之曝光的時候來實行。
如以上所說明般，由於在第1周壁部42之外側設置第2周壁部44，故可將朝向第1回收口51之氣流加以引導，產生所需之氣流，藉由該產生之氣流將液體LQ良好地移動至第1回收口51並加以回收。
圖16係第2周壁部44之狹縫部53附近沿著XY平面之截面圖。如圖16所示般，狹縫部53之邊緣形成為大致直角，惟亦可如圖17所示般為自第2空間33A朝向第3空間33B逐漸縮窄之錐狀。或者，如圖18所示般，狹縫部53之邊緣亦可為圓弧狀。
又，於上述實施形態中，第2周壁部44係具備狹縫部53作為於第2空間33A及其外側空間流通之流路，惟如圖19所示般，亦可於第2周壁部44之一部分設置孔(貫通孔)55。又，於圖19所示之例子中，孔55為大致圓形狀，惟亦可為矩形狀、或者另一形狀。亦即，只要能以產生沿著第1周壁部42之氣流的方式自第2空間33A之外側空間流入氣體(可將第2空間33A開放於大氣)，則流路的形狀及/或流路的位置可任意設定。
又，雖為了沿著第1周壁部42產生平順的氣流而以形成狹縫部53及/或孔55為佳，惟亦可不設置狹縫部53、孔55而是藉由流入來自空隙C之氣流，來產生沿著第1周壁部42之氣流。
又，於第2實施形態中，亦可如圖20所示般，於第2周壁部44之更外側設置與第1回收口51具有同等功能之第2回收口57。例如，可在第1周壁部42與第2周壁部44之間的基材PHB之上面56設置第2回收口57。於第2回收口57係經由流路52’而與吸引裝置50’連接。藉此，於第3空間33B之上面56所滯留之液體LQ可經由第2回收口57而被回收。又，使用第2回收口57之液體LQ的回收動作，係與使用第1回收口51之液體LQ的回收動作同樣，於基板P之曝光中停止，於未進行基板P之曝光時實行。
又，使吸引裝置50與吸引裝置50’同時動作之情況下，為了避免於空隙C所產生之氣體的流速降低，吸引裝置50’以較吸引裝置50為弱之吸引力來動作為佳。或者，亦可先使吸引裝置50動作，將在基板P之背面Pb的外伸部H1所附著之液體LQ及/或滲入第2空間33A而附著之液體LQ加以回收之後，再使吸引裝置50’動作，將滲入第3空間33B而附著之液體LQ加以回收。
<第3實施形態>
其次，參照圖21~圖24來說明第3實施形態。圖21係保持著基板P之基板保持具PH之側截面圖，圖22係自上方觀看基板保持具PH之一部分的俯視圖，圖23係自上方觀看保持著基板P之狀態下的基板保持具PH之俯視圖，圖24係圖22之要部放大圖。
本實施形態之基板保持具PH具備：基材PHB、第1保持部PH1(於基材PHB所形成，用以吸附保持基板P)、第2保持部PH2(於基材PHB所形成，將由第1保持部PH1所吸附保持之基板P的周圍加以圍繞的方式吸附保持著板構件T)。板構件T乃有別於基材PHB之另一構件，以對第2保持部PH2裝卸(更換)自如的方式設置。又，如圖23所示般，板構件T為大致環狀構件，其中央部係形成可配置基板P之大致圓形狀之開口TH。此外，於第2保持部PH2所保持之板構件T，係以將第1保持部PH1所保持之基板P的周圍加以圍繞的方式來配置。又，板構件T之外形係沿著基材PHB之形狀形成為俯視呈矩形狀。
於圖21中，板構件T之表面Ta以及背面Tb分別成為平坦面(平坦部)。又，板構件T係與基板P大致相同厚度。此外，於第2保持部PH2所保持之板構件T之表面(平坦面)Ta與於第1保持部PH1所保持之基板P之表面Pa為大致相同面。亦即，於第2保持部PH2所保持之板構件T係於第1保持部PH1所保持之基板P的周圍，形成與該基板P之表面Pa呈大致相同面之平坦面Ta。
又，只要投影光學系統PL之像面側的光路空間K1能持續由液體LQ所填滿，則於第1保持部PH1所保持之基板P的表面與於第2保持部PH2所保持之板構件T的表面有段差亦無妨。
與上述第2實施形態同樣，基板保持具PH之第1保持部PH1具備：於基材PHB上所形成之第1支持部46、以圍繞第1支持部46周圍的方式形成於基材PHB上之環狀的第1周壁部42、以及於第1周壁部42內側之基材PHB上所設置之第1吸引口41。又，於第1周壁部42之外側設置有第2周壁部44。本實施形態中第2周壁部44之上面44A的寬度相較於上述第2實施形態來得寬。
與上述第2實施形態同樣，第2周壁部44之圓周方向的複數既定位置分別設有狹縫部53。又，與上述實施形態同樣，第1回收口51係沿著第1周壁部42於複數既定位置分別設置。再者，各狹縫部53係於相互相鄰之第1回收口51彼此間設置。
基板保持具PH之第2保持部PH2具備：大致圓環狀之第3周壁部62(以圍繞第2周壁部44的方式形成於基材PHB上)、環狀之第4周壁部63(設於第3周壁部62之外側，以圍繞第3周壁部62的方式於基材PHB上形成)、凸狀之第2支持部66(於第3周壁部62與第4周壁部63之間的基材PHB上形成)。第2支持部66係用以支持板構件T之背面Tb者，於第3周壁部62與第4周壁部63之間以複數同樣形成。於本實施形態中，第2支持部66亦與第1支持部46同樣包含複數之支持銷。第3周壁部62相對於第1空間31設置於第2周壁部44之外側，第4周壁部63係設置於第3周壁部62之更外側。又，第3周壁部62係對應於板狀構件T之開口TH的形狀形成為大致圓環狀。第3周壁部62之上面62A係與板狀構件T之背面Tb當中，開口TH附近之內緣區域(內側之邊緣區域)對向形成。第4周壁部63之上面63A係與板狀構件T之背面Tb當中，外緣區域(外側之邊緣區域)對向形成。於第2保持部PH2所保持之板狀構件T之背面Tb側，形成有由基材PHB、第3、第4周壁部62、63以及板狀構件T之背面Tb所圍繞之第4空間32。
於第3周壁部62與第4周壁部63之間的基材PHB上形成有第2吸引口61。第2吸引口61係用以將板狀構件T吸附保持之物，於第3周壁部62與第4周壁部63之間，在基材PHB之上面當中第2支持部66以外之複數既定位置分別設置。於本實施形態中，第2吸引口61係於第3周壁部62與第4周壁部63之間複數同樣配置。
第2吸引口61分別經由流路65與第2真空系統60連接。第2真空系統60係用以將由基材PHB、第3、第4周壁部62、63、以及板狀構件T之背面Tb所圍繞之第4空間32調整為負壓者，包含真空泵。如上述般，第2支持部66包含支持銷，於本實施形態之第2保持部PH2亦與第1保持部PH1同樣係構成銷夾頭機構的一部分。第3、第4周壁部62、63具有將包含第2支持部66之第4空間32外側加以包圍之外壁部的功能，控制裝置CONT藉由驅動第2真空系統60，對由基材PHB、第3、第4周壁部62、63以及板狀構件T所圍繞之第4空間32內部之氣體(空氣)進行吸引以將第4空間32調整為負壓，則可將板狀構件T以第2支持部66吸附保持。
用以將第1空間31調整為負壓之第1真空系統40、用以將第4空間32調整為負壓之第2真空系統60係相互獨立。控制裝置CONT可個別控制第1真空系統40與第2真空系統60之動作，使第1真空系統40對於第1空間31之吸引動作與第2真空系統60對於第4空間32之吸引動作分別獨立進行。又，控制裝置CONT可分別控制第1真空系統40與第2真空系統60，使第1空間31之壓力與第4空間32之壓力互異。
如圖24所示般，於第1保持部PH1所保持之基板P之外側的邊緣部(側面Pc)與於該基板P周圍所設之板狀構件T之內側(開口TH側)之邊緣(側面Tc)之間形成有0.1~1.0mm之空隙(間隙)A。
又，如圖23所示般，在切口部NT之基板P與板狀構件T之間亦以形成與空隙A同等程度之空隙的方式來對應於基板P之外形(切口部NT之形狀)設定板狀構件T之形狀。具體而言，於板狀構件T，係以與基板P之切口部NT形狀對應的方式設置朝開口TH內側突出之突起部150。藉此，於包含切口部NT之基板P的邊緣部全區與板狀構件T之間確保0.1~1.0mm之空隙A。又，當切口部NT非常小的情況下，於板狀構件T亦可不設置突起部150。
如圖24所示般，基板P之背面Pb與第2周壁部44之上面44A的部分區域對向，且基板P之背面Pb與第2周壁部44之上面44A之另一區域相對向。亦即，於基板P與板狀構件T之間所形成之空隙A之正下方配置第2周壁部44之上面44A。又，於基板P之背面Pb與第2周壁部44之上面44A之間形成既定之空隙C，且於板狀構件T之背面Tb與第2周壁部44之上面44A之間形成既定之空隙(間隙)F。
又，於第2周壁部44之更外側設有與第1回收口51具有同等功能之第2回收口57。於第2回收口57經由流路52’與吸引裝置50’連接，吸引裝置50’經由第2回收口57進行吸引，藉此，產生朝向第2回收口57之氣流。朝向第2回收口57之氣體係沿著第2周壁部44之外側面44S流動，將第2周壁部44外側之液體LQ移動至第2回收口57加以回收。
第2回收口57係在由第2保持部PH2所保持之板狀構件T之背面Tb的第5空間34處設置。第2保持部PH2係以於板狀構件T之背面Tb側形成第5空間34的方式保持著板狀構件T，第2回收口57係於由第2保持部PH2所保持之板狀構件T之背面Tb側設置。於本實施形態中，第2回收口57係於第2周壁部44之外側面44S與第3周壁部62之內側面62T之間的基材PHB之上面58設置。
第2保持部PH2之環狀第3周壁部62之內徑係較板狀構件T之開口TH來得大，板狀構件T之開口TH附近之內緣區域係較第3周壁部62朝內側(基板P側)外伸既定量形成外伸部H2。第2回收口57係於與第2保持部PH2所保持之板狀構件T之背面Tb的外伸部H2對向設置。第2回收口57係於第2周壁部44與第3周壁部62之間之基材PHB的上面58，設置於第2周壁部44之外側面44S附近的既定位置。又，第2回收口57係沿著第2周壁部44在複數之既定位置分別設置。各第2回收口57係於相鄰之狹縫部53彼此之間設置。
第5空間34係經由空隙A與空隙F而開放於大氣中，可於空隙F與第5空間34平順地產生氣流。
於本實施形態中，係以液體LQ朝空隙F之吸引力較液體LQ朝空隙C之吸引力來得大之方式設置經由空隙C、空隙F、第1回收口51之吸引力以及經由第2回收口57之吸引力。此處，於第1回收口51所連接之吸引裝置50與於第2回收口57所連接之吸引裝置50’相互獨立。控制裝置CONT可對吸引裝置50、吸引裝置50’之動作個別控制，可使吸引裝置50經由第1回收口51之吸引動作與吸引裝置50’經由第2回收口57之吸引動作分別獨立進行。又，控制裝置CONT亦可分別控制吸引裝置50與吸引裝置50’，使經由第1回收口51之吸引力與經由第2回收口57之吸引力互異。
回到圖21，第4周壁部63之上面63A為平坦面，第4周壁部63較第2支持部66略低。再者，於第4周壁部63之上面63A與板狀構件T之背面Tb之間形成有既定空隙。又，板狀構件T係形成為較第4周壁部63之外形來得大，板狀構件T之外緣區域係朝第4周壁部63之外側外伸既定量。當板狀構件T上之液體LQ朝板狀構件T外側流出之情況，有可能附著在基板保持具PH之側面所設置之移動鏡93處，惟由於板狀構件T係朝第4周壁部63之外側外伸、乃至於朝移動鏡93之外側外伸，故可防止朝板狀構件T外側流出之液體LQ附著於移動鏡93。又，由於在板狀構件T與第4周壁部63之上面63A之間形成空隙，藉由利用第2真空系統60將第4空間32設定成負壓，可產生自第4空間32外側經由空隙朝向內側之氣流。因此，朝板狀構件T外側流出之液體LQ在流至包含移動鏡93之基板保持具PH側面之前(附著之前)便經由空隙引入第4空間32。因此，可更確實地防止液體LQ附著於移動鏡93之不良情況。
於板狀構件T之表面Ta、背面Tb、以及側面Tc分別被覆著對液體LQ具有撥液性之撥液性材料。在撥液性材料方面，可舉出聚四氟化乙烯等之氟系樹脂材料、丙烯酸系樹脂材料等。或者，利用石英形成板狀構件T之情況，可於該板狀構件T被覆旭玻璃公司製造「賽脫普(註冊商標)」。又，為了使板狀構件T具有撥液性，亦能以撥液性材料(氟系材料等)形成板狀構件T本身。
又，第2保持部PH2之第3周壁部62之上面62A以及內側面62T、第2支持部66之上面66A亦具有撥液性。在基板保持具PH之撥液化處理方面，可舉出被覆上述般之氟系樹脂材料、丙烯酸系樹脂材料、覆塗層形成用材料等之處理。
又，第3周壁部62係與第2支持部66大致相同高度或者略低，在第2支持部66保持著板狀構件T之狀態下，使板狀構件T之背面Tb與第3周壁部62之上面62A大致密合。
其次，針對第3實施形態之基板保持具PH之液體回收作用作說明。
當液體LQ經由基板P與板狀構件T之間的空隙A滲入之情況，該滲入之液體LQ可能如圖24所示般經由空隙C流入第2空間33，且經由空隙F滲入第5空間34。
經由空隙A滲入第2空間33與第5空間34中至少一者之液體LQ，可藉由將吸引裝置50與吸引裝置50’之至少一者驅動來回收。
例如，藉由驅動吸引裝置50，於第1回收口51之附近(第2空間33)會沿著第1周壁部42產生朝向第1回收口51之氣流，藉由此氣流，可經由第1回收口51來回收液體LQ。此處，第2周壁部44係與第2實施形態同樣，具有將第1周壁部42外側朝向第1回收口51之氣流加以引導之功能。因此，吸引裝置50經由第1回收口51進行吸引，可良好地產生朝向第1回收口51之氣流。
又，於空隙C與第2周壁部44所形成之狹縫部53，係將第2空間33與其外側空間(大氣空間)作流通。亦即，由於第2空間33經由空隙C與狹縫部53以及空隙A而開放於大氣中，是以即使經由第1回收口51來吸引第2空間33之氣體的情況，由於氣體自第2空間33外部經由空隙C、狹縫部53以及空隙A流入內部，故可平順地產生所需之氣流。
又，與第2實施形態同樣，由於空隙C產生有自第2空間33外側朝向內側之氣流，故滯留於空隙C之液體LQ可藉由該氣流而被引入第2空間33，可平順地移動至第1回收口51並加以回收。
另一方面，藉由驅動吸引裝置50’，於第2回收口57之附近(第5空間34)會產生朝向第2回收口57之氣流，藉由此氣流，可經由第2回收口57來回收液體LQ。此時，第2周壁部44係具有將第2周壁部44外側朝向第2回收口57之氣流加以引導之功能。因此，吸引裝置50’經由第2回收口57進行吸引，可良好地產生朝向第2回收口57之氣流。
亦即，於第2周壁部44與第3周壁部62之間形成設定為約1mm之空隙J的第5空間34，吸引裝置50’經由第2回收口57進行吸引，藉此，可於槽狀之第5空間34產生朝向第2回收口57之流速大之氣流。又，與空隙B同樣，空隙J為了產生流速大之氣流以設定為0.5~1.5mm程度為佳。
又，第5空間34由於經由空隙F、狹縫部53以及空隙A開放於大氣，故即使經由第2回收口57來吸引第5空間34之氣體的情況，由於氣體經由空隙F、狹縫部53及/或空隙A自第5空間34外部流入內部，故可順利地產生所需之氣流。
又，空隙F係與空隙C同樣設定為1~10mm，於空隙F產生自第5空間34外側朝向內側之氣流，故滯留於空隙F之液體LQ可藉由該氣流被引入第5空間34，順利地移動至第2回收口57並被回收。
如前述般，第1回收口51以及第2回收口57可將自基板P與板狀構件T之間的空隙A所滲入之液體LQ加以回收。此外，由於第2周壁部44具有將朝向第1回收口51之氣流加以引導之功能、以及將朝向第2回收口57之氣流加以引導之功能，故可產生所需之氣流。
使用第1回收口51與第2回收口57之液體LQ的回收動作，係與上述實施形態同樣，於基板P之曝光中停止，於未進行基板P之曝光時實行。
控制裝置CONT於基板P之曝光結束後，將自空隙A所滲入之液體LQ加以回收時，分別驅動吸引裝置50與吸引裝置50’，俾使用第1回收口51之液體LQ的回收動作與使用第2回收口57之液體LQ的回收動作並行。
或者，控制裝置CONT亦可於基板P之曝光結束後、將自空隙A滲入之液體LQ加以回收時，首先，驅動吸引裝置50’，進行使用第1回收口51之液體LQ之回收動作。或者，控制裝置CONT亦可於進行使用第1回收口51之液體LQ的回收動作之後，進行使用第2回收口57之液體LQ的回收動作。
於本實施形態中，係以液體LQ朝空隙F之吸引力較液體LQ朝空隙C之吸引力來得大之方式來設定經由空隙C、空隙F、第1回收口51之吸引力、以及經由第2回收口57之吸引力。因此，由於可將自空隙A滲入之液體LQ平順地引入板狀構件T之背面Tb側，乃可防止自空隙A滲入之液體LQ回繞至基板P之背面Pb側之不良情況。又如上述般，由於基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A係接觸(密合)著，故可防止自空隙A滲入之液體LQ經由基板P之背面Pb與第1周壁部42之上面42A之間而滲入第1空間31。
又，於第3實施形態中，亦可省略第2周壁部44之狹縫部53，藉由自空隙C與空隙F流入之氣體來產生沿著第2周壁部44以及第3周壁部62之氣流。
<其他實施形態>
又，於上述第1~第3各實施形態中，吸引裝置50經由第1回收口51吸引氣體，藉此產生朝向第1回收口51之氣流，惟亦可例如設置具有氣體吹出口(可產生沿著第1周壁部42之外側面42S之氣流)之氣體供應裝置，藉由自氣體吹出口所吹出之氣體，來產生朝向第1回收口51之氣流。同樣地，朝第2回收口之氣流亦可藉由氣體吹出口所吹出之氣體來產生。
又，第1回收口51之位置及/或數量並不限定於上述之例子。例如，於上述第1~第3實施形態中，第1回收口51係於第1周壁部42外側之基材PHB的上面54設置，惟亦可於第1周壁部42之外側面42S的一部分設置。
又，於上述第1~第3實施形態中，第1回收口51係沿著第1周壁部42於複數既定位置分別設置，惟第1回收口51亦可為唯一個。
又，於上述第1~第3實施形態中，例如圖9所示般，配合於基板P所形成之切口部NT於第1周壁部42形成凹部42N，於該凹部42N之內側形成第1回收口51N，惟亦可於第1周壁部42之複數部位以既定間隔設置凹部42N，將所有第1回收口51或者一部分配置於凹部42N之內側。此時，當第1回收口51僅於一處設置之情況，只需配合於基板P所形成之切口部NT而僅保留於第1周壁部42所形成之凹部42N內側之第1回收口51N即可。
又，於上述第1~第3實施形態中，基板P之吸附保持係採用銷夾頭機構，惟亦可採用另一之夾頭機構。同樣地，於第3實施形態中，在板狀構件T之吸附保持上係採用銷夾頭機構，惟亦可採用另一之夾頭機構。又，可於基板P與板狀構件T雙方之吸附保持上採用真空吸附機構，亦可將至少一者以靜電吸附機構等另一機構來保持。
又，於上述各實施形態中，第1周壁部42之上面42A之高度係較第1支持部46之上面46A為低，惟亦可使第1周壁部42之上面42A之高度與第1支持部46之上面46A相同。此時，第1支持部46之上面46A與基板P之背面Pb可更為密合而更確實地防止液體LQ滲入第1空間31。
又，於上述第3實施形態中，第3周壁部62之上面62A之高度較第2支持部66之上面66A之高度為低，惟亦可使第3周壁部62之上面62A之高度與第2支持部66之上面66A之高度相同。此時，第3周壁部62之上面62A與基板P之背面Pb更為密合，可防止液體LQ滲入第4空間32。
如上述般，本實施形態中液體LQ為純水。純水能輕易自半導體製造工廠等大量取得，且對於基板P上之光阻、光學元件(透鏡)等亦無不良影響，為其優點所在。又，純水對環境無不良影響，且雜質含量極低，故可期待對基板P表面以及在投影光學系統PL之前端面所設置之光學元件表面進行洗淨之作用。又當由工廠等所供應之純水的純度低之情況，可使曝光裝置具備超純水製造器。
再者，一般而言純水(水)對於波長193nm左右之曝光用光EL的折射率n為約1.44，當曝光用光EL之光源使用ArF準分子雷射光(波長193nm)之情況，於基板P上可得到1/n、亦即被短波長化至約134nm之高解析度。再者，焦點深度相較於空氣中被擴大至約n倍(亦即約1.44倍)，故於只需確保焦點深度與在空氣中使用之情況相同程度的狀況，可進一步增加投影光學系統PL之數值孔徑，此亦有助於解析度之提升。又，液體LQ並不完全受限，可使用例如折射率1.6~2.0之高折射率液體。
於本實施形態中，在投影光學系統PL之前端安裝有光學元件LS1，可藉由此透鏡來進行投影光學系統PL之光學特性、例如像差(球面像差、彗形像差)之調整。又，於投影光學系統PL之前端所安裝之光學元件，亦可為在投影光學系統PL之光學特性調整上所使用之光學板。或者亦可為可使曝光用光EL透射過之平行平面板。
又，因液體LQ之流動所產生之在投影光學系統PL前端之光學元件與基板P間的壓力大的情況，該光學元件亦可非可更換者而是以不因壓力而移動的方式堅固地固定著。
又，於本實施形態中，雖採用於投影光學系統PL與基板P表面之間填滿液體LQ之構成，惟亦可例如於基板P之表面安裝著由平行平面板所構成之蓋玻璃的狀態下填滿液體LQ。
又，於上述實施形態之投影光學系統，係將前端之光學元件像面側的光路空間以液體填滿，惟亦可採用國際公開第2004/019128號小冊子所揭示般之於前端光學元件之光罩側的光路空間亦以液體填滿之投影光學系統。
又，於本實施形態之液體LQ為水，惟亦可為水以外之液體，例如，當曝光用光EL之光源為F2 雷射之情況，由於該F2 雷射光無法透射過水，故在液體LQ方面亦可為可使F2 雷射透射過之例如全氟聚醚(PFPE)或氟系油等氟系流體。此時，與液體LQ接觸之部分，係藉由例如含氟之極性低分子結構之物質形成薄膜以進行親液化處理。又，在液體LQ方面尚可使用對曝光用光EL具透射性且折射率儘可能高、對於在投影光學系統PL及/或基板P表面所塗布之光阻呈穩定者(例如洋杉油)。此時表面處理亦對應於所使用之液體LQ的極性來進行。
又，上述各實施形態之基板P不僅可使用半導體元件製造用之半導體晶圓，亦可使用顯示器元件用玻璃基板、薄膜磁頭用陶瓷晶圓、或是在曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。
在曝光裝置EX方面，除了使光罩M與基板P同步移動而對光罩M之圖案作掃描曝光之步進掃描方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)以外，尚可使用光罩M與基板P在靜止狀態下對光罩M之圖案作全面曝光，讓基板P依序步進移動之步進重複方式之投影曝光裝置(步進機)。
於上述實施形態中，雖使用了於透光性基板上形成既定遮光圖案(或是相位圖案、減光圖案)之透光型光罩(標線片)，惟亦可取代此標線片，改用如美國專利第6,778,257號公報所揭示般，依據待曝光之圖案的電子資料，來形成透射圖案或反射圖案或是發光圖案之電子光罩。又，亦可使用如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示般，於晶圓W上形成干涉條紋，藉此於晶圓W上形成線與間隙圖案之曝光裝置(光微影系統)。
曝光裝置EX之種類並不侷限於對基板P進行半導體元件圖案曝光之半導體元件製造用曝光裝置，亦可廣泛地使用液晶表示元件製造用或是顯示器製造用之曝光裝置，以及用以製造薄膜磁頭、攝像元件(CCD)或是標線片、光罩等之曝光裝置等。
當基板載台PST及/或光罩載台MST使用線性馬達(參見USP5,623,853以及USP5,528,118)時，可使用採氣體軸承之氣浮型以及利用洛倫茲力或是磁阻力之磁浮型任一者。又，各載台PST、MST可為沿著導件移動之類型、亦可為不設置導件之無導件類型。
各載台PST、MST之驅動機構亦可使用平面馬達，使於二維空間配置磁鐵之磁鐵單元與於二維空間配置線圈之電樞單元對向而利用電磁力將各載台PST、MST加以驅動。此時，只需將磁鐵單元與電樞單元之任一者來和載台PST、MST連接，而將磁鐵單元與電樞單元之另一者設置於載台PST、MST之移動面側即可。
為了避免因基板載台PST之移動所發生之反作用力傳遞至投影光學系統PL，亦可如特開平8－166475號公報(USP5,528,118)所記載般使用框構件以機械方式釋放到地上(大地)。
為了避免因光罩載台MST之移動所發生之反作用力傳遞至投影光學系統PL，亦可如特開平8－330224號公報(USP5,874,820)所記載般使用框構件以機械方式釋放到地上(大地)。
本實施形態之曝光裝置EX係使包含於本案申請專利範圍所舉例之各種構成要素的各種子系統以維持既定之機械精度、電氣精度、光學精度的方式組裝而製造者。為了確保各種精度，於組裝之前後，針對各種光學系統係進行用以達成光學精度之調整，針對各種機械系統係進行用以達成機械精度之調整，針對各種電氣系統係進行用以達成電氣精度之調整。
從各種子系統對曝光裝置之組裝步驟，包含各種子系統相互之機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。從各種子系統對曝光裝置之組裝步驟前，當然有各子系統個別之組裝步驟。當從各種子系統對曝光裝置之組裝步驟結束後，進行綜合調整，確保曝光裝置全體之各種精度。又，曝光裝置之製造以於溫度與潔淨度等受到管理之潔淨室進行為佳。
半導體元件等微元件，如圖25所示般，係經由下述步驟所製造者：進行微元件之功能、性能設計之步驟201；依據此設計步驟來製作光罩(標線片)之步驟202；製造元件基材(基板)的步驟203；包含以前述實施形態之曝光裝置EX將光罩之圖案於基板上曝光之處理的步驟204；元件組裝步驟(含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)205；檢查步驟206等。
10．．．液體供應機構
11．．．液體供應部
12．．．供應口
13．．．供應管
20．．．液體回收機構
21．．．液體回收部
22．．．回收口
23．．．回收管
31．．．第1空間
32．．．第4空間
33、33A．．．第2空間
33B．．．第3空間
34．．．第5空間
40．．．第1真空系統
41．．．第1吸引口
42．．．第1周壁部
42A．．．上面
42N．．．凹部
42S．．．外側面
44．．．第2周壁部
44A．．．上面
44S．．．外側面
45．．．流路
46．．．第1支持部
46A．．．上面
50、50’．．．吸引裝置
51(51N)．．．第1回收口
52(52’)．．．流路
53．．．狹縫部
54．．．上面
55．．．孔
56．．．上面
57．．．第2回收口
58．．．上面
60．．．第2真空系統
61．．．第2吸引口
62．．．第3周壁部(外壁部)
62A．．．上面
62T．．．內側面
63．．．第4周壁部(外壁部)
63A．．．上面
65．．．流路
66．．．第2支持部
66A．．．上面
70．．．噴嘴構件
70A．．．下面
90．．．XY載台
91．．．移動鏡
92．．．雷射干涉計
93．．．移動鏡
94．．．雷射干涉計
95．．．Z傾斜載台
96．．．凹部
97．．．上面
98．．．內側面
98N．．．凸部
99．．．段部
99A．．．上面
99N．．．凸部
99S．．．內側面
100．．．液浸機構
150．．．突起部
300．．．搬送系統
A、B、C、D、E、F、G、J．．．空隙(間隙)
AR．．．投影區域
AX．．．光軸
BP．．．基座
CONT．．．控制裝置
e1．．．中心位置
Eg．．．邊緣區域
EL．．．曝光用光
EX．．．曝光裝置
H1、H2．．．外伸部
IL．．．照明光學系統
J1．．．曝光處理位置
J2．．．基板更換位置
K．．．角落部分
K1．．．光路空間
LSA．．．下面
LS1．．．第1光學元件
LR．．．液浸區域
LQ．．．液體
M．．．光罩
MST．．．光罩載台
MSTD．．．光罩載台驅動裝置
NT．．．切口部
P．．．基板
Pa．．．表面
Pb．．．背面
Pc．．．側面
PH．．．基板保持具
PH1．．．第1保持部
PH2．．．第2保持部
PHB．．．基材
PK．．．鏡筒
PL．．．投影光學系統
PST．．．基板載台
PSTD．．．基板載台驅動裝置
T．．．板狀構件
Ta．．．表面
Tb．．．背面
Tc．．．側面
TH．．．開口
Y．．．停滯區域
圖1所示係第1實施形態之曝光裝置之概略構成圖。
圖2所示係第1實施形態之基板保持具之側截面圖。
圖3係自上方觀看第1實施形態之基板保持具之俯視圖。
圖4所示係第1實施形態之基板保持具保持著基板之狀態的俯視圖。
圖5係圖2之要部放大圖。
圖6係表示曝光動作之一例之流程圖。
圖7係用以說明在曝光處理位置與基板更換位置之間移動之基板保持具之圖。
圖8係用以說明氣體流動之圖。
圖9係用以說明氣體流動之圖。
圖10係用以說明氣體流動之圖。
圖11係用以說明氣體流動之圖。
圖12係自上方觀看第2實施形態之基板保持具之俯視圖。
圖13係將第2實施形態之基板保持具之要部放大之側截面圖。
圖14係用以說明氣體流動之圖。
圖15所示係狹縫部之一例之立體圖。
圖16所示係狹縫部之一例之俯視圖。
圖17所示係狹縫部之另一例之俯視圖。
圖18所示係狹縫部之另一例之俯視圖。
圖19所示係孔之一例之立體圖。
圖20係表示圖13之變形例。
圖21係第3實施形態之基板保持具之側截面圖。
圖22所示係自第3實施形態之基板保持具移除板狀構件後之狀態之俯視圖。
圖23所示係第3實施形態之基板保持具保持著基板之狀態的俯視圖。
圖24係圖21之要部放大圖。
圖25係表示微元件之製程之一例之流程圖。
10．．．液體供應機構
11．．．液體供應部
12．．．供應口
13．．．供應管
20．．．液體回收機構
21．．．液體回收部
22．．．回收口
23．．．回收管
70．．．噴嘴構件
70A．．．下面
90．．．XY載台
91．．．移動鏡
92．．．雷射干涉計
93．．．移動鏡
94．．．雷射干涉計
95．．．Z傾斜載台
96．．．凹部
97．．．上面
100．．．液浸機構
AR．．．投影區域
AX．．．光軸
BP．．．基座
CONT．．．控制裝置
EL．．．曝光用光
EX．．．曝光裝置
IL．．．照明光學系統
K1．．．光路空間
LSA．．．下面
LS1．．．第1光學元件
LR．．．液浸區域
LQ．．．液體
M．．．光罩
MST．．．光罩載台
MSTD．．．光罩載台驅動裝置
P．．．基板
Pa．．．表面
PH．．．基板保持具
PH1．．．第1保持部
PK．．．鏡筒
PL．．．投影光學系統
PST．．．基板載台
PSTD．．．基板載台驅動裝置

Claims (28)

  1. 一種基板保持裝置，係將於上面被供應液體之處理基板加以保持，且相對於透過該液體照射該處理基板之曝光光進行移動者；其特徵在於具備：基材；第1支持部，於該基材上形成，用以支持該處理基板之背面；第1周壁部，於該基材上形成，具有與被支持於該第1支持部之該處理基板之背面相對向之上面及以圍繞該第1支持部的方式設置之內側面；吸引口，用以對由該基材、該第1周壁部之該內側面及被支持於該第1支持部之該處理基板所圍繞之第1空間設成負壓，而以可吸引該第1空間內之氣體之方式設成面向該第1空間；以及回收部，包含沿該第1周壁部設置於該第1周壁部之周圍之複數之第1回收口，將流入面向該第1周壁部之外側面之第2空間之該液體透過該複數之第1回收口回收；該複數之第1回收口，用以將沿該第1周壁部之周方向之氣體的流動產生於該第2空間而沿著該周方向配置；該回收部係使流入該第2空間之該液體藉由沿該周方向之氣體的流動，移動至該複數之第1回收口。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板保持裝置，其中，該回收部係連接於吸引裝置； 經由該複數之第1回收口從該第2空間吸引氣體，以產生朝向該複數之第1回收口之該周方向之氣體之流動。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板保持裝置，其中，該第1周壁部係設置於較被支持於該第1支持部之該處理基板之邊緣部為內側；經由該複數之第1回收口所回收之該液體，係包含在被支持於該第1支持部之該處理基板背面上較該第1周壁部為外側的區域所附著之液體。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板保持裝置，其中，該複數之第1回收口係設置於該基材上之該第1周壁部附近之既定位置。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板保持裝置，其中，該複數之第1回收口係設置於該基材上較被支持於該第1支持部之該處理基板的邊緣部為內側。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板保持裝置，其中，該複數之第1回收口係於沿著該第1周壁部之該周方向以既定間隔配置之複數之既定位置分別設置。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板保持裝置，其中，該處理基板在將該第1空間設成負壓之狀態下吸附保持於該第1支持部。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板保持裝置，其中，該第1周壁部係具有與於該處理基板所形成之缺口部對應之形狀之凹部；於該凹部之內側設有該複數之第1回收口之至少1個。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板保持裝置，其中，設於該凹部之內側之至少1個之該第1回收口係設置於，自該凹部之中心位置起沿該第1周壁部偏移既定距離之位置。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板保持裝置，其具備有配置於該第1周壁部之外側，且具有隔著該第2空間與該第1周壁部之該外側面相對向之側面部，且將沿該第2空間內之該周方向之氣體之流動加以引導之第2周壁部。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板保持裝置，其中，該第2周壁部之上面與支持於該第1支持部之該處理基板之背面係互相對向。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板保持裝置，其中，該第2周壁部之上面係較該第1周壁部之上面為低。
  13. 如申請專利範圍第10項之基板保持裝置，其具有使該第1周壁部與該第2周壁部之間的該第2空間和該第2周壁部外側之第3空間連接之流路。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板保持裝置，其中，該流路係包含在該第2周壁部之一部分所設置之孔。
  15. 如申請專利範圍第13項之基板保持裝置，其中，該流路係包含在該第2周壁部之一部分所設置之狹縫部。
  16. 如申請專利範圍第13項之基板保持裝置，其中，該流路係包含在該第2周壁部與支持於該第1支持部之該處理基板之間所設置之間隙。
  17. 如申請專利範圍第10項之基板保持裝置，其於較該第2周壁部更外側具有用以將流入該第2周壁部外側之第3 空間之該液體回收之第2回收口。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板保持裝置，其具備用來保持板構件之板保持部，該板保持部係於該基材上形成，並設置成圍繞支持於該第1支持部之該處理基板之周圍；該板保持部係以於該板構件背面側形成空間的方式保持該板構件；該第2回收口係設置於該板保持部所保持之該板構件之背面側。
  19. 如申請專利範圍第18項之基板保持裝置，其中，支持於該第1支持部之該處理基板之背面與該第2周壁部上面之部分區域相對向，該板構件之背面與該第2周壁部上面之另一區域相對向。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板保持裝置，其係於該板構件之背面與該第2周壁部上面之間形成間隙。
  21. 如申請專利範圍第18項之基板保持裝置，其中，該板保持部具備：支持該板構件背面之第2支持部、以及圍繞該第2支持部之外壁部，將由該板構件、該外壁部、以及該基材所圍繞之第4空間設定成負壓，藉此，將該板構件背面以該第2支持部吸附保持；該第2回收口係設置於該第4空間外側。
  22. 如申請專利範圍第18項之基板保持裝置，其中，該板構件對液體具有撥液性。
  23. 如申請專利範圍第18項之基板保持裝置，其中，該 複樹之第1回收口係將自支持於該第1支持部之該處理基板與該板構件之間所滲入之液體加以回收。
  24. 一種曝光裝置，係藉由透過投影光學系統與供給於該投影光學系統下側之液體之曝光光而對處理基板進行曝光，其特徵在於：具備保持該處理基板且相對於該投影光學系統進行移動之申請專利範圍第1至23項中任一項之基板保持裝置。
  25. 如申請專利範圍第24項之曝光裝置，其係在透過該液體之曝光中，停止該第1回收口所進行之回收動作。
  26. 如申請專利範圍第24項之曝光裝置，其係於透過該液體之曝光結束後，在該處理基板被保持於該基板保持裝置之狀態下，進行使用該第1回收口之回收動作。
  27. 如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其具備驅動裝置，用以將該基板保持裝置，在將該基板曝光之第1位置與有別於該第1位置之第2位置之間移動；於該基板保持裝置移動中，進行使用第1回收口之回收動作。
  28. 一種元件製造方法，其特徵在於：包含使用申請專利範圍第24至27項中任一項之曝光裝置，透過液體將被保持於該基板保持裝置之處理基板曝光。
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