JP6189303B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置又は点検装置のような基板処理装置に関する。

半導体産業において、高精度かつ信頼性のあるより小さな構造を製造するためのますます増加する要望が存在する。リソグラフィシステムでは、この要望は、位置決め及び向きに関して非常に高い要求をもつ。工場の環境の他のマシンや電気回路によって引き起こされる外部振動は、リソグラフィ装置内の位置決め精度に負の影響を与えうる。同様に、例えばステージ移動によって引き起こされるリソグラフィ装置内の振動は、このような精度に負の影響を与えうる。

振動の低減は、源と、放射線を操作するために使用される構成要素、即ち放射線投影システム又は「カラム」を環境から切り離すことによって実現されることができる。同様に、その上に基板が置かれる支持構造と組み合わせて処理される基板が、ステージから振動分断されることができる。振動の分断は、ベアリング、ばね部材や他の構成要素を使用して達成されることができる。このような構成要素の正確な選択及び配置は、手近な設計に依存する。

半導体処理中の今日のスループットを維持する要望と組み合わせたフィーチャサイズの減少は、しばしば、半導体処理装置の放射線投影システム内の基板支持構造と構成要素との両方に熱負荷の増大をもたらす。いくつかの場合には、十分な冷却を得るために、１以上の導管を通る冷却流体による能動冷却が望ましい。残念ながら、冷却導管の使用は、冷却される構成要素の振動の分断の大部分を台無しにしてしまう。

外部振動からの振動の分断に関して、装置の設計を危険に晒すことなく、リソグラフィ装置又は点検装置のような基板処理装置内の放射線投影システムに能動冷却を提供することが望ましい。この目的のために、本発明の一実施の形態は、リソグラフィ装置又は点検装置のような基板処理装置を提供し、この基板処理装置は、支持フレームと、処理される基板の上に放射線を投影するための放射線投影システムとを具備し、前記放射線投影システムは、冷却構成体を有し、前記支持フレームによって支持され、前記支持フレームから振動分断され、所定の最大の振動数より上の前記支持フレームの振動が、前記放射線投影システムから実質的に分断され、処理される前記基板を支持するための表面が設けられた基板支持構造を具備し、基板処理装置は、さらに、前記放射線投影システムの前記冷却構成体に流体を供給し、前記冷却構成体から流体を除去するための流体移送システムをさらに具備し、前記流体移送システムは、装置内の少なくとも２点で固定された少なくとも１つの管を有し、前記流体移送システムは、前記２つの固定点間に延び、前記少なくとも１つの管を含む可撓性部分を有し、前記２つの固定点のうち第１の固定点は、前記放射線投影システムに対して固定され、前記２つの固定点のうち第２の固定点は、前記放射線投影システムに対して移動可能であり、前記可撓性部分の少なくとも実体部分は、処理される基板を支持するための前記基板支持構造の表面にほぼ平行な平面上で２次元に延び、前記２点の間の前記可撓性部分の硬さは、前記第２の固定点で、前記第１の固定点から前記所定の最大振動数の上の振動を実質的に分断するように構成されている。処理される基板の放射線受け面にほぼ平行な平面に延びている実体部分の可撓性部分を備え、かつ、所定の最大振動数より上の振動の十分な減衰をもたらす硬さを備えた流体移送システムの使用は、支持フレームからの放射線投影システムの振動の効果的な分断の維持を可能にし、また、例えば冷却目的のための放射線投影システムへの流体の供給を可能にする。移動可能な基板支持構造が使用される実施の形態では、所定の最大の振動数は、制御システムに従うことができる最大振動数に依存することができる。いくつかの実施の形態では、前記固定点のうち前記第２の固定点は、前記支持フレームに対して固定されている。

流体移送システムの可撓性部分は、所定の最大の硬さを有することができ、例えば、前記所定の最大の硬さは、５００Ｎ／ｍ未満、好ましくは４００Ｎ／ｍ未満である。最大の硬さは、システムの設計の必要性によって手近で決定されることができる。

流体移送システムの可撓性部分に所定の硬さを与えることは、適切なパラメータ及び条件のさまざまな選択を含むことができる。例えば、少なくとも１つの管の長さ、直径及び壁の厚さが、適切に選択されることができる。代わって、又はさらに、少なくとも１つの管の湾曲が適切に選択されることができる。さらに、使用中、可撓性部分の硬さが流体移送システムを通って移送される流体に依存することができるので、流体移送システムは、流体移送システム中の流体流れのパラメータを調整するための流体供給システムを有することができる。例示的なパラメータは、流体タイプに限定されないが、流体の体積及び流体の圧力を含む。

前記少なくとも１つの管に適した材料は、パーフルオロアルコキシエチレン（ＰＦＡ）及びポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であり、後者は、商標名テフロン（登録商標）の下で知られている。いくつかの実施の形態では、ＰＦＡは、これらに限定されないが射出成形及び軸押出加工を含む通常の処理技術を使用した溶解処理であることが好ましい。

いくつかの実施の形態では、前記支持フレーム、前記放射線投影システム、前記基板支持構造及び前記流体移送システムは、真空チャンバに配置されている。このような実施の形態では、放射線投影システムからの熱除去の程度は、能動的な熱除去が、ほぼ、利用可能な有効熱移送メカニズムのみであるので、流体移送システムの能力及び性能にほぼ完全に依存しうる。

前記少なくとも１つの管は、基板支持構造の表面にほぼ平行な平面で湾曲するようにして向けられることができる。いくつかの実施の形態では、前記少なくとも１つの管は、ループを形成することができる。好ましくは、前記少なくとも１つの管の湾曲は、その製造中に得られる前記少なくとも１つの管の自然な湾曲にほぼ一致する。管の自然な湾曲を使用することによって、振動が最も有効に減じられることができる。さらに、その自然なやり方で管を再形成することによる弾性力はない。

いくつかの実施の形態では、装置は、その長さに沿った位置で前記少なくとも１つの管を保持するための支持構造を有する少なくとも１つのサスペンションホルダをさらに具備し、前記支持構造は、処理される基板を支持するための前記基板支持フレームの表面にほぼ平行な平面内の方向で、及び前記平面にほぼ垂直な軸のまわりの方向で振動に対して前記支持フレームから振動分断されている。このようなサスペンションホルダは、重力の影響下で管の湾曲を制限する。

いくつかの実施の形態では、前記流体移送システムには、複数の管が設けられている。これら管は、さまざまな直径を有することができる。サスペンションホルダが使用されると、より大きな直径の管が、これら管がそれほど中央でない位置で支持されている装置と比較して、流体移送システムの可撓性部分の安定性を増加させるためにより中心に支持されることができる。

前記少なくとも１つの管の端部分は、処理される基板を支持するための前記基板支持構造の表面の平面にほぼ垂直な方向に向けられていることができる。このような向きは、流体移送システムの設置面積を減少させることができる。

本発明のいくつかの実施の形態では、前記少なくとも１つの管は、少なくとも２つの直線部分と、前記２点間の少なくとも１つの角部分とを有し、前記少なくとも２つの直線部分は、前記少なくとも１つの角部分と比較して可撓性を有し、前記直線部分の長さは、前記少なくとも１つの管の長さの大部分を構成している。比較的可撓性の直線部分は、振動の分断を可能にし、一方、比較的堅い角部分は、信頼できて制御可能なようにして流体移送システムを通る流体を搬送するのに十分な構造の完全性を提供する。１よりも多い管の使用は、放射線投影システム全体にわたる流体の均質な拡がりを改良することができる。

好ましくは、直線部分の長さは、管の長さの大部分を構成する。好ましくは、硬さの制限された流体移送システムを得るために、直線部分の長さは、管の長さの大部分、例えば少なくとも７０％を構成している。各管の直線部分は、好ましくは、管−管相互作用を最小にするために他の管の直線部分と接触しない。

いくつかの実施の形態では、前記少なくとも１つの角部分は、角の近くに流体を搬送するための開口が設けられた補剛部材を有する。補剛部材は、流体が１以上の管を通るとき、角部分が圧力上昇を保持することができるように、角部分を強くするのを助ける。いくつかの状況では、補剛部材は、このような圧力上昇の結果として管が真っすぐになるのを防ぐために必要とされることができる。補剛部材は、支持フレームからの補剛部材の振動の分断と組み合わせて十分な構造の完全を得るために、ばね部材によって支持フレームに接続されることができる。補剛部材は、アルミニウムを含むことができる。

いくつかの実施の形態では、前記支持フレーム、前記放射線投影システム、前記基板支持構造及び前記流体移送システムは、真空チャンバに配置される。電子ビームリソグラフィなどの多くの基板処理装置は、真空条件の下での基板処理を必要とする。そして、流体移送システムは、管から真空に向かって放出された粒子からの流れを制限するために、ハウジングに囲まれていることができる。ハウジングは、流体移送システムを収容するのに適した管状ハウジングであることができる。

前記１以上の管が前記冷却構成体に取り付けられた端部で、前記ハウジングには、外部影響から前記ハウジング内の空間を分けるためのメンブレンが設けられ、前記メンブレンには、前記１以上の管が突出する１以上の開口が設けられている。メンブレンは、真空の中に流体移送システムから生じる粒子が拡がるのをさらに回避する。前記メンブレンには、前記開口内の領域に可撓性部分が設けられることができ、前記可撓性部分は、前記メンブレンから前記チューブに延びている。可撓性部分は、メンブレンと管との間の振動の分断を確実にし、真空環境に向かってハウジング内の空間からの汚染物質の流れをさらに低減する。代わって、又はさらに、粒子の汚染は、ポンプ、好ましくは真空ポンプに接続可能な出口をハウジングに設けることによって低減されることができる。

いくつかの実施の形態では、装置は、さらに、前記放射線投影システムを収容するための支持本体と、少なくとも１つのばね部材によって前記支持フレームに接続された中間本体とをさらに具備し、前記支持本体は、少なくとも１つの振り子ロッドによって前記中間本体に接続されている。前記少なくとも１つのばね部材は、板ばねであることができる。板ばねは、明確な振動特性を有する。板ばねは、少なくとも２つのほぼ平行な細長いプレートを有する。これらのプレートの厚さ及び長さは、板ばねの固有振動数の大部分を決定する。いくつかの実施の形態では、前記支持本体には、前記放射線投影システムを囲んでいる側壁が設けられ、前記側壁は、外部電磁場から前記放射線投影システムを保護するための遮蔽物質を含む。

放射線投影システムは、マルチ小ビーム荷電粒子リソグラフィ装置であることができる。前記マルチ小ビーム荷電粒子リソグラフィ装置は、複数の荷電粒子小ビームを発生させるためのビーム発生器と、パターンに従って複数の小ビームをパターニングするための小ビームブランカアレイと、前記ターゲット支持構造に設けられた基板のターゲット面上にパターニングされた小ビームを投影するための投影システムとを有する。

いくつかの実施の形態では、前記基板支持構造は、移動可能な基板支持構造である。また、装置は、さらに、放射線投影システムに対して基板支持構造を移動させるための制御システムを有する。

本発明のいくつかの実施の形態は、リソグラフィ装置又は点検装置のような基板処理装置に関し、前記基板処理装置は、支持フレームと、処理される基板の上に放射線を投影するための放射線投影システムとを具備し、前記放射線投影システムは、前記支持フレームによって支持され、前記支持フレームから振動分断され、所定の最大の振動数より上の前記支持フレームの振動が、前記放射線投影システムから実質的に分断され、基板処理装置は、また、前記放射線投影システムに流体を移送し、前記放射線投影システムから流体を除去するための流体移送システムと、処理される前記基板を支持するための表面が設けられた基板支持構造とを具備し、前記流体移送システムは、流体を移送するための１以上の管を有し、前記可撓性部分の少なくとも実体部分は、処理される基板を支持するための前記基板支持構造の表面にほぼ平行な平面上で２次元に延びている。前記１以上の管の一部分は、ループの形態で平面に延びていることができる。

いくつかの実施の形態では、装置は、前記２次元に延びている前記１以上の管の一部を保持するための少なくとも１つのサスペンションホルダを具備する。さらに、前記支持フレームに接続されたさらなる支持フレームは、前記少なくとも１つのサスペンションホルダを支持するために設けられることができる。

いくつかの実施の形態では、前記放射線投影システムは、冷却構成体を有し、前記流体移送システムは、前記冷却構成体に流体を移送し、前記冷却構成体から流体を除去するように構成されている。冷却構成体の使用は、複数の荷電粒子小ビームを使用したリソグラフィアプリケーションなどの次世代リソグラフィアプリケーションで特に有用である。

本発明の実施の形態は、概略的な添付図面を参照して単なる例として説明される。

図１は、基板処理装置を概略的に示す簡略化された図である。 図２は、本発明の実施の形態で使用されることができる基板処理装置を概略的に示す図である。 図３は、図２の基板処理装置の一部をより詳細に示す図である。 図４は、支持本体を示す側面図である。 図５は、本発明の一実施の形態による流体移送システムを概略的に示す図である。 図６は、支持フレームに接続された図５の流体移送システムを概略的に示す図である。 図７は、図５の流体移送システムで使用されることができるサスペンションホルダを概略的に示す図である。 図８は、本発明の他の実施の形態による流体移送システムを概略的に示す図である。 図９は、図８の流体移送システムで使用される角部分の一実施の形態を概略的に示す断面図である。 図１０は、図８の流体移送システムで使用されることができる補剛部材の一実施の形態を概略的に示す断面図である。 図１１は、本発明の他の実施の形態による流体移送システムを概略的に示す側面図である。 図１２は、冷却構成体を備えた図１１の流体移送システム間の接続の一実施の形態を概略的に示す断面図である。

以下は、単なる例として図を参照して与えられる本発明のさまざまな実施の形態の説明である。図は、スケールに合わせて描かれておらず、単に説明目的を意図している。

図１は、本発明の実施の形態で使用されることができる基板処理装置１０を概略的に示す簡略化された図である。基板処理装置１０は、処理されるウェーハのような基板上に放射線を投影するための放射線投影システム２０を有する。放射線投影システム２０は、複数の小ビームを発生させるための小ビーム発生器と、変調された小ビームを形成するために小ビームをパターニングするための小ビーム変調器と、ターゲットの表面上に変調された小ビームを投影するための小ビーム投影器とを有することができる。放射線投影システム２０内の構成要素は、代表的にはカラムで配置され、通常、電子光学カラム又は光学カラムと称されるが、ここでは単に「カラム」と称される。放射線投影システム２０は、適切な種類の放射線を投影するように配置されることができ、例えば、システム２０は、荷電粒子ビーム、光学ビーム又は他のタイプのビームを投影することができる。

基板処理装置１０は、さらに、処理される基板を支持するための基板支持構造３０を有する。基板支持構造３０は、移動可能な基板支持構造であることができる。装置１０は、さらに、放射線投影システム２０に対して基板支持構造３０を移動させるための制御システム４０を有する。制御システム４０は、例えば干渉計法の使用によって、放射線投影システム２０内で測定によって得られた位置情報データに基づくことができる。

以後、本発明の実施の形態は、リソグラフィ装置に関して説明されるが、点検装置などに適用されてもよい。特に、マルチビーム荷電粒子リソグラフィ装置が参照される。図１に概略的に示されるように、このような装置は、複数の荷電粒子小ビームを発生させるためのビーム発生器２１と、パターンに従って複数の小ビームをパターニングするための小ビームブランカアレイ２２と、ターゲット支持構造上に設けられた基板のターゲット面上にパターニングされた小ビームを投影するための投影システム２３とを有する。このような装置の一例は、国際公開第２００９／１２７６５８号に見られることができ、その写しが参照としてここに組み込まれる。

図２は、本発明の実施の形態で使用されることができる基板処理装置１を概略的に示す図である。図２の垂直方向は、ｚ方向として規定され、一方、図２に示される水平方向は、ｙ方向として規定される。さらに、ｙ方向及びｚ方向の両方に垂直で、紙面を貫いて延びる方向がｘ方向として規定される。さらに、ｘ方向、即ちｘ軸に向けられた軸のまわりの回転に対応する回転方向がＲｘとして規定され、ｙ方向、即ちｙ軸に向けられた軸のまわりの回転に対応する回転方向がＲｙ方向として規定され、最後に、ｚ方向、即ちｚ軸に向けられた軸のまわりの回転に対応する回転方向がＲｚ方向として規定される。

この実施の形態では、装置１は、ベースプレート５２の上部に配置された真空チャンバ５０を有する。装置１は、さらに、真空チャンバ５０内に置かれた支持フレーム６０を有する。支持フレーム６０は、好ましくは、変形しない支持体を与えるのに十分な硬さの材料で、例えばアルミニウムのような適切な金属でできている。さらに、特に、荷電粒子小ビームを使用したアプリケーションでは、材料は非磁性である。

図２に部分的にのみ示される放射線投影システム２０は、カラムの形態を取り、カラムを収容するための本体６２に置かれている。本体６２は、以後、支持本体６２と称される。放射線投影システム２０は、さらに、支持フレーム６０によって支持され、支持フレーム６０から振動分断されている。この実施の形態では、支持本体６２は、中間本体６４によって支持フレーム６０に接続されている。中間本体６４は、１つのプレート又は互いに接続された複数のプレートの形態を取ることができる。中間本体６４は、重さを減少させるために、１以上の切欠きを有するか、より薄い厚さの部分を含むかの少なくとも一方であることができる。中間本体の材料は、好ましくは、非磁性材料、好ましくは、非磁性金属である。中間本体６４は、ｚ方向の振動、及びｘ、ｙ及びＲｚ方向の振動の分断を可能にする。

支持フレーム６０は、板ばねのような１以上のばね部材６６によって中間本体６４に接続されている。板ばねは、明確な振動特性を有し、少なくとも２つのほぼ平行な細長いプレートを有する。これらのプレートの厚さ及び長さは、板ばねの固有振動数の大部分を決定する。ばね部材６６には、好ましくはｚ方向の振動を制動することを可能にするために、制動部材が設けられることができる。ばね部材６６は、支持本体６２の位置に対する外部振動の影響を減少させるように配置されている。ばね部材６６の形状、サイズ及び材料のようなパラメータの適切な選択によって、外部振動の特定の振動数の構成要素の内結合（incoupling）が最小にされることができる。特に、ばね部材６６は、ｚ方向の振動の分断、及びｘ方向軸及びｙ方向軸、即ちＲｘ及びＲｙのそれぞれのまわりの回転方向の振動の分断を可能にする。

支持本体６２もまた、中間本体６４に接続されている。本体６２と本体６４との間の接続は、さらに振り子ロッド６８と称される少なくとも１つのロッド状構造による。少なくとも１つの振り子ロッド６８は、数百キログラムの重さを有することができる支持本体６２を運ぶために十分に丈夫であるべきであり、本体６２が揺動することを可能にすることができるべきである。中間本体６４と支持本体６２との少なくとも一方には、水平面での振動を弱めるために、好ましくは、ｚ方向軸、即ちＲｚのまわりの回転方向で振動を弱めるために、制振部材が設けられることができる。

中間本体６４は、ｚ方向の振動、及びｘ、ｙ及びＲｚ方向の振動の分断を可能にする。ばね部材６６に対する中間本体６４の接続位置の適切な位置決めによって、支持本体６２に結合することができるｚ方向の固有振動数が設定されることができる。同様に、１以上の振り子ロッド６８を備えた中間本体６４の１以上の接続位置の適切な位置決めによって、支持本体６２に結合されることができるＲｚ方向の固有振動数が設定されることができる。ｘ及びｙ方向の固有振動数は、１以上の振り子ロッド６８の長さを選択することによって設定されることができる。従って、中間本体６４の使用は、システムの固有振動数のセッティングに関する設計自由を設ける。

リソグラフィ用途では、特に、荷電粒子小ビームがターゲットの露光のために使用される場合には、除振の必要性は、一般的に、ｚ、Ｒｚ及びＲｙ方向に対してよりもｘ、ｙ及びＲｚ方向に対してより厳密である。ｘ、ｙ及びＲｚ方向の振動は、小ビームの位置決めに重要な影響を及ぼしえ、露光の誤差をもたらしうる。他方、ｚ、Ｒｘ及びＲｙ方向の振動は、ターゲット上の小ビームスポットサイズに影響を与える。しかしながら、多くのリソグラフィシステムでの荷電粒子小ビームは、比較的大きな焦点深度を有する。従って、焦点面から離れる方向への小さな逸れは、露光されたパターンの質及び信頼性に対してあまり重要でない。

リソグラフィ用途では、好ましくは、ｚ方向の固有振動数は、１５Ｈｚ未満に、好ましくは５Ｈｚ未満に選択され、一方、ｘ、ｙ及びＲｚ方向の固有振動数は、３Ｈｚ未満に、好ましくは１Ｈｚ未満に選択される。固有振動数の特定の選択は、例えば、制御システム４０を使用した図１の制御ユニット２０の振動を補償する責任のあるシステムの帯域幅に依存しうる。

処理される基板７０を運ぶ基板支持構造３０は、チャック８０の上部に置かれる。チャック８０は、チャック８０をｙ方向に移動させるためのＹステージ９０及びｘ方向の移動のための配置されたＸステージ９２の上部に設けられている。

図示される実施の形態では、Ｙステージ９０は、部材９６をＹ方向に移動させるためのポジショナ９４を有する。ポジショナ９４は、代表的には、電気モータ、好ましくはリニアモータの形態を取り、好ましくはローレンツ型アクチュエータを有する。ローレンツ型アクチュエータでは、加えられる力は、電流及び磁場に正比例する。さらに、Ｙステージ９０には、基板支持構造３０及びその上に設けられた基板７０からの支持フレーム６０の振動の分断のための重力補償ばね９８が設けられている。

図３は、図２の基板処理装置１の一部をより詳細に示す図である。上に説明されたように、基板処理装置のカラムは、好ましくは、非常に低い振動数のみが外部の世界からカラムに結合することができるように、振動分断される。特に、リソグラフィ用途では、放射線ソースによって発生された放射線は、所定のパターンに従って投影される前に変調される。パターンを与えるために、１以上のマスクが使用されることができる。代わって、パターンは、それらが受信する制御信号値に依存して、放射線の所定の部分を遮断するか処理される基板に投影される放射線部分を与えるかを偏向器に制御データを送信することによって生成されてもよい。このような制御データは、電気信号によって送信されることができるが、例えば、光ファイバによって光学的に送信されてもよい。さらに、電子ビームのような荷電粒子ビームを投影することは、カラム内の構成要素への適切な電圧の印加を必要とする。

さらに、マスクや偏向器の使用は、カラム内で遮断される放射線によって引き起こされる熱の発生を招く。より小さい構造の常に増加する要望、及び半導体生産設備内の空間の占有に関する非常に高いコストの観点から、しばしば、十分な受動冷却のための空間が不十分である。それ故、多くの場合、リソグラフィ装置内の構成要素は、例えば、冷却流体の適切な供給によって、能動的に冷却される。

図３では、破線内の領域は、上で述べられた目的のための１以上の電線、光ファイバ及び冷却導管のために取っておかれた空間１００を表している。供給ラインが振動の制動に関して有益な設計を危険に晒さないことは明らかである。言い換えれば、供給ラインは、システムへの振動の結合もまた所望の最大の振動数の下にとどまるようにして配置されるべきである。

図４は、電気配線１１０と、光ファイバ１２０と、１以上の流体導管を有する冷却構成体１３０を収容する構成体が設けられた支持本体６２を示す側面図である。放射線投影システムは、明りょうさを高めるために図示されない。配線１１０、ファイバ１２０及び冷却構成体１３０は、図３の領域１００によって示された空間内に全て設けられている。

図４の実施の形態では、冷却構成体１３０は、複数の管１３１を有する。管１３１は、好ましくは硬質であり、それらを通る流体の量を変えることにより支持本体６２に対する管１３１の移動を回避するために支持本体６２に取り付けられている。図４は、管１３１の構成の一例を示す図である。図４に示されるように、管１３１は、ひとまとめにされることができる。

支持本体６２には、さらに、側壁１３５が設けられ、２つの壁１４０のみが明りょうさのために示される。壁１３５は、外部電磁場から放射線投影システム２０を保護するための、ミューメタルなどの遮蔽物質を含むことができる。

側壁１３５の１以上は、電気配線１１０及び光ファイバ１２０がそれぞれの突出部１１２、１２２の下の高いレベルでＵ形状のバンドを形成するようにして、電線１１０及びファイバ１２０をそれぞれ覆うことを可能にするように配置された１以上の突出部１１２、１２２が設けられることができる。このようにして配線１１０とファイバ１２０との少なくとも一方をぶら下げることによって、振動が支持本体６２に達しない。Ｕ形状のバンドは、効果的には、振動が進行するのを禁じる。残念ながら、通常の冷却管によって支持本体６２への振動の結合を禁じるために同様の構成体を使用することができない。

図５は、本発明の一実施の形態による流体移送システム１５０を概略的に示す図である。流体移送システム１５０は、放射線投影システム２０の冷却構成体に流体を供給し、冷却構成体から流体を除去するように配置されている。流体移送システム１５０は、基板処理装置１０内の２点１５１、１５２に固定された少なくとも１つの管１４０を有する。点１５１、１５２は、アンカー点、即ち固定点１５１、１５２と称されることができる。固定点１５１、１５２の間で流体を移送するように配置された流体移送システム１５０の一部は、流体移送システム１５０の可撓性部分と称されることができる。

図５に描かれた流体移送システム１５０では、システムは、冷却構成体に流体を供給するための複数のチューブ１４０と、冷却構成体から流体を除去するための他の複数の管１４０とを有する。図６を参照して説明されるように、流体を供給するための管１４０及び流体を除去するための管１４０は、特に、管１４０の間の熱伝導を回避するように配置さえることができる。代わって、流体移送システム１５０は、ただ１つの管１４０、又は冷却構成体に流体を供給するためのただ１つの管１４０及び冷却構成体から流体を除去するためのただ１つの管１４０を有する。実際には、いかなる数の管１４０も可能であることができる。

第１のアンカー点１５１は、好ましくは、支持フレーム６０に接続されている。しかし、第２のアンカー点１５２は、好ましくは、冷却構成体を有する放射線投影システム２０に接続されている。管１４０の主要部分は、平面、好ましくはｘｙ平面で湾曲するようにして配置されている。曲率半径は、好ましくは、これらが製造されている間に得る自然な湾曲の管と一致する。管１４０の端部は、平面にほぼ垂直な向きを有する。図５並びに図６では、上方に面している管の端部部分は、支持フレーム６０との接続のために配置され、一方、下方に面している管の端部部分は、放射線投影システム２０の冷却構成体との接続のために配置されている。

管１４０がアンカー点１５１、１５２の間の直線の接続を形成しないが、代わって、湾曲した接続を形成するので、ループの形態である図５では、振動は、長い距離にわたって減じられ、より効率的な振動の分断を可能にする。単一平面で湾曲している管１４０の向きは、その平面で振動の分断を可能にする。例えば、基板処理装置が図２に描かれた装置に対応する場合のような、平面がｘｙ平面に対応する場合には、湾曲した管材料の装置は、ｘ方向、ｙ方向、及びｘｙ平面にほぼ垂直な回転方向、即ちＲｚ方向の振動の減衰を可能にする。

好ましくは、管１４０は、アンカー点１５１、１５２の間でこれらの軌道に沿って１以上のサスペンションホルダ１６０に支持されている。１以上のサスペンションホルダ１６０の使用は、重力の影響下での管の湾曲を低減させる。このような湾曲の結果、１以上の管は、支持フレーム６０又はそれに接続された構造と接触することができ、振動の分断をなくす。サスペンションホルダ１６０の一実施の形態が、図７に概略的に描かれる。

管のタイプ及び数、及びサスペンションホルダの数の適切な選択によって、もしあれば、流体移送システムの硬さは、所定の最大の振動数より上の振動が抑制されるように規定されることができる。特に、図５に描かれる実施の形態では、ｘ、ｙ及びＲｚ方向の振動の減衰は、アンカー点１５１、１５２の間の全長にわたって漸進的に確立される。他方では、Ｒｘ、Ｒｙ及びｚ方向の振動の減衰は、アンカー点１５２とアンカー点１５２に最も近いサスペンションホルダ１６０との間に有効に起こる。結果として、放射線投影システムに向かって前進させる所定の最大の振動数は、１つの振動方向ごとに異なっていることができる。特に、図５に描かれた実施の形態では、ｘ、ｙ及びＲｚ方向の所定の最大の振動数は、代表的には、Ｒｘ、Ｒｙ及びｚ方向の所定の最大の振動数よりも低い。

１以上の管１４０に適した材料は、パーフルオロアルコキシエチレン（ＰＦＡ）及びポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であり、後者は、商標名テフロン（登録商標）の下で知られている。この実施の形態では、ＰＦＡは、これらに限定されないが射出成形及び軸押出加工を含む通常の処理技術を使用した溶解処理であることが好ましい。

湾曲した管、好ましくは、製造又は組立て中に管に自然に与えられる湾曲に実質的に対応する湾曲、即ちこれらの「自然な湾曲」で湾曲した管の使用は、比較的長い軌道に沿った振動の減衰を可能にする。特に、管は、流体移送システムが所定の最大の硬さを有するようにして向けられ置かれることができる。好ましくは、所定の最大の硬さは、５００Ｎ／ｍ未満、より好ましくは４００Ｎ／ｍ未満である。低い硬さは、振動の低減された内結合を招く。特に、流体移送システムの最大の硬さが低減された場合、冷却構成体に結合される振動のカットオフ周波数は低い。

流体移送システムの可撓性部分に所定の硬さを与えることは、適切なパラメータ及び条件のさまざまな選択を含むことができる。例えば、１以上の管１４０の長さ、直径及び壁の厚さが、適切に選択されることができる。代わって、又はさらに、１以上の管１４０の湾曲が適切に選択されることができる。さらに、可撓性部分の硬さが使用中に流体移送システムを通って移動される流体に依存することができるので、流体移送システムは、流体移送システムの流体流れのパラメータを調整するための流体供給システムを有する。例示的なパラメータは、流体に限定されないが、流体の体積及び流体の圧力を含む。

冷却構成体に向かって、及び流体構成体から流体移送システムによって移送される流体は、液体、気体又はこれら２つの組み合わせであることができる。多くの用途では、適切な冷却流体は水である。

図６は、さらなる支持フレーム１７０に接続された図５の流体移送システム１５０を概略的に示す図である。さらなる支持フレーム１７０は、結合構造１７１を介することによって支持フレーム６０に接続されている。さらに、さらなる支持フレーム１７０が、管１４０の重さを支持するために使用されるサスペンションホルダ１６０を支持するように配置されている。さらに、さらなる支持フレーム１７０は、基板処理装置内の流体移送システム１５０の位置を概説するために使用されることができる。さらなる支持フレーム１７０は、適宜、溶接される技術と組み合わせて、プレート材料、例えばアルミニウムを切断して曲げることによって製造されることができる。

図６は、さらに、上方に面している管１４０の端部分がフランジ１８０、１８１によって支持フレーム６０と接続され、各フランジ１８０、１８１は、好ましくは、それぞれ、放射線投影システム２０に向かって、及び離れるように流体を移送する単独の管を収容するように配置されていることを示している。同様に、下方に面している管１４０の端部分が、フランジ１９０、１９１を介して、放射線投影システム２０に、好ましくはその中に設けられた冷却構成体に接続されている。再び、各フランジ１９０、１９１は、好ましくは、それぞれ、放射線投影システム２０に向かって、及び離れるように流体を移送する単独の管を収容するように配置されている。

図７は、図５の流体移送システムで使用されることができるサスペンションホルダ１６０を概略的に示す図である。サスペンションホルダ１６０は、フレーム２００を有し、フレーム２００には、１以上の支持部材２１０が、１以上の管１４０を支持するために設けられている。好ましくは、管１４０を収容するための複数の孔が設けられた支持構造を形成するようにして接続されることができる複数の支持部材２１０が使用される。支持構造は、支持柱２２０及びばね部材２３０によってフレーム２００からｘ、ｙ及びＲｚ方向で振動分断される。支持柱２２０は、ｘ、ｙ及びＲｚ方向の移動を可能にする丸い端部２２１を有する。ばね部材２３０は、ばねの形態を取ることができる。

好ましくは、支持部材２１０は、モジュール式であるようにして支持構造の形成を可能にする寸法を有する。このような実施の形態では、第１の、最も下側の支持部材２１０は、１以上の管が置かれた上部に設けられる。続いて、第２の支持部材２１０が、最も下側の支持部材２１０の上部に置かれ、これにより、最も下側の支持部材２１０に既に置かれている管１４０を取り囲む。第２の支持部材２１０には、さらなる管１４０の配置を可能にする凹部が設けられることができる。そして、第３の支持部材２１０は、第２の支持部材２１０の凹部に置かれた管１４０を取り囲む第２の支持部材２１０の上部に置かれることができる。全ての管が図７に描かれるように適切に囲まれるまで、支持部材２１０のこの積み重ねが継続する。

好ましくは、さまざまな直径の管１４０が使用された場合、最大の直径の管は、比較的中心にある位置で支持され、一方、より小さい直径の管１４０は、支持構造の縁部の近くに位置されることができる。管のこのような割り当ては、より安定した構造をもたらす。

好ましくは、管がそれを通過することを可能にするための支持構造の孔は、管が孔内の横断方向に幾分移動することができるような寸法である。言い換えれば、いくつかの実施の形態では、管は、孔にきつく入らずむしろやや緩く嵌まる。特に、管の湾曲がその自然な湾曲と異なるならば、少し内側又は外側へ管を移動させることができる弾性力が生じることができる。管がきつく適合するならば、このような側方への移送は、サスペンションホルダ１６０の支持構造と同様の移動をもたらすことができ、続いて、サスペンションホルダ１６０と支持フレーム６０との間の、例えば、さらなる支持フレーム１７０に接続された構造と接触することができる。従って、支持構造の振動の分断が除去される。

図８は、本発明の他の実施の形態による流体移送システム２５０を概略的に示す図である。流体移送システム２５０は、放射線投影システム２０の冷却構成体に流体を供給し、冷却構成体から流体を除去するように配置されており、基板処理装置１０内の２点で固定された少なくとも１つの管２４０を有する。管２４０は、少なくとも２つの直線部分２５２と、２点間の少なくとも１つの角部分２５４とを有する。直線部分２５２は、１以上の角部分２５４と比較して可撓性を有する。言い換えれば、１以上の角部分２５４は、直線部分２５２よりも高い硬さを有する。

直線部分２５２は、管２４０の大部分を構成し、即ち、直線部分２５２の長さの合計は、管２４０の長さの５０％を超過する。好ましくは、直線部分２５２の長さの合計は、管２４０の長さの少なくとも７０％を占める。従って、管２４０はほとんど可撓性であるが、角で堅い。流体移送システム２５０内の可撓性の直線部分２５２は、所定の最大の振動数より上で支持本体６２に向かって進行する振動の減衰を可能にする。１以上の堅い角部分２５４は、圧力上昇を保持することができ、例えば、管を通る流体により管２４０が真っすぐになるのを回避することができる。１以上の管１４０に適した材料は、再びパーフルオロアルコキシエチレン（ＰＦＡ）、及びポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であり、商標名テフロン（登録商標）の下で知られている。

直線部分２５２及び１以上の角部分２５４を有する１以上の管の使用は、流体移送システムの硬さに関して設計の自由度を与える。特に、流体移送システムは、所定の最大の硬さを有するように設計されることができる。好ましくは、所定の最大の硬さは、５００Ｎ／ｍ未満である。所定の最大の硬さを与えることは、図５に示される実施の形態を参照して説明されたのと同様の選択及び考察を含むことができる。

冷却構成体に向かって、及び冷却構成体から流体移送システムを介して移送される流体は、液体、気体又はこれら２つの組み合わせであることができる。多くの用途では、適切な冷却流体は水である。

図９は、図８の流体移送システムで使用される角部分２５４の一実施の形態を概略的に示す断面図である。角部分２５４は、補剛部材２６０を有する。補剛部材２６０は、曲げられた管の形状の中空開口２６２が設けられた構造体である。好ましくは、中空開口２６２は、管２４０を収容し、角の近くに管をガイドする。代わって、中空開口２６２は、管の直線部分２５２が取り付けられた導管として使用されることができる。補剛部材２６０は、管が管を通る流体により真っすぐになるのを防ぐ。補剛部材２６０は、好ましくは、非磁性材料でできている。さらに、材料は、好ましくは、容易な製造を可能にし、重さの制限された材料である。補剛部材２６０に適した材料は、アルミニウムである。

補剛部材２６０は、ばね部材２７０によって支持フレーム６０に接続されることができる。このような接続は、基板処理装置内の冷却移送システム２５０に構造の完全を与え、外部振動の影響を限定している。ばね部材２７０のサイズ及び形状は、減衰される振動（の振動数）に関する所望の構造の完全性及び必要性に依存する。

図８並びに図９は、単一管２４０を備えた流体移送システム２５０を示す図である。しかしながら、いくつかの実施の形態では、流体移送システム２５０は、複数の管を有する。このようなシステム２５０では、各管は、図８並びに図９に示されるように、即ち２点で固定されるように配置されることができ、少なくとも２つの比較的可撓な直線部分と、これら２点間の少なくとも１つの比較的堅い角部分とを有する。

図１０は、本発明の実施の形態で使用されることができる補剛部材２６０の一実施の形態を概略的に示す横断面図であり、流体移送システム２５０は、図８の流体移送システムのような、複数の管を有する。補剛部材２６０には、所望の方向に流体をガイドするための複数の開口２６２が設けられている。図９に示される実施の形態と同様に、開口２６２は、流体をガイドするための導管として使用されることができるか、これらは、管２４０の一部を収容することができる。

流体移送システム２５０は、管状ハウジング２８０で囲まれることができる。管状ハウジング２８０は、流体移送システム２５０を保護するために使用されることができる。さらに、流体移送システム２５０が真空環境に、例えば、図２に示されるような真空チャンバ５０に設けられた場合、管状ハウジング２８０は、管２４０から放出された粒子が真空に入るのをブロックするように配置されることができる。好ましくは、管２４０は、ハウジング２８０と直接接触しない。補剛部材２６０は、好ましくは、環境からの振動の分断を確実にするために、１以上のばね部材２９０によって、ハウジング２８０に接続されている。管状ハウジング２８０は、好ましくは、比較的堅く、管状ハウジング２８０に十分な構造の完全性を与えるために、接続２７２によって支持フレーム６０に堅く接続されている。

代わって、管状ハウジング２８０は、ばね部材２７０のような１以上のばね部材によって支持フレーム６０に接続されることができる。このような場合、ばね部材２７０、２９０の硬さは、支持フレーム６０からの補剛部材２６０の効果的な振動の分断を達成するために適切に調整される。

図１１は、管状ハウジング２８０内の流体移送システム２５０を示す側面図である。システム２５０は、複数の管２４０を有する。各管の直線部分２５２は、他の管２４０の直線部分と接触しない。結果として、近隣の管２４０内の振動は、管２４０の振動減衰性能に無視できるほどの影響しかない。管２４０の角部分２５４の補剛部材２６０に加えて、流体移送システム２５０は、管の端にさらなる補剛部材２６５を有する。さらなる補剛部材２６５は、その端部の点で流体移送システム２５０の接続位置を固定させる。例えば、さらなる補剛部材２６５は、放射線投影システム２０の冷却構成体２３０内の対応する導管への接続のための流体移送システムの管２４０の端部の点を固定させるために使用されることができる。さらなる補剛部材２６５は、補剛部材２６０と同様であることができる。しかしながら、１以上の開口２６２は、角の近くに流体をガイドするための湾曲部分を必ずしも有していない。

図１２は、本発明の実施の形態による冷却構成体２３０を備えた流体移送システム２５０の接続を概略的に示す断面図である。図１２に描かれる実施の形態では、流体移送システム２５０は、ハウジング２８０で囲まれた複数の管２４０を有する。ハウジング２８０は、好ましくは、複数の管２４０によって形成された形状に実質的に対応するようにして形作られている。図示される実施の形態では、ハウジングは、このように、管状ハウジング２８０の形態を取る。

冷却構成体２３０は、対応する複数の管２３１を有する。冷却構成体の管の端部及び流体移送システム２５０の管の端部が互いに接続されるやり方は、明示的には示されない。しかしながら、これは、この分野で一般に周知であるようにしてなされることができることが理解される。管状ハウジング２８０には、メンブレン３００が設けられている。メンブレン３００は、外部影響から、特に真空環境から管状ハウジング２８０内の空間を分けるために配置されている。メンブレン３００には、１以上の開口が設けられ、流体移送システム２５０の１以上の管が開口を通って突出する。

冷却構成体２３０が真空環境に晒された場合、例えばガス放出により、管状ハウジング２８０内で生成された粒子が、メンブレン開口を介して真空環境に向かって漏れうる。このような漏れを低減させるために、管状ハウジング２８０には、好ましくは、ポンプ、好ましくは真空ポンプに接続されることができる出口３１０が設けられている。代わって、又はさらに、漏れは、メンブレン開口の縁部に近接して、又はその縁部の位置に可撓性部分３０５を与えることによって低減される。可撓性部分３０５は、管の上でメンブレン３００から延び、弱いシールを形成している。可撓性部分３０５は、開口のサイズを減少させ、それ故、真空環境に向かってハウジング２８０の内部空間からの粒子の漏れをさらに減少させることができる。さらに、これら部分３０５が弱いシールを形成しているので、ハウジング２８０及びメンブレン３００を介して放射線投影システムに向かう不所望な振動の前進が回避される。

本発明は、上に説明された所定の実施の形態を参照して説明されてきた。これらの実施の形態は、本発明の意図及び範囲から逸脱することなく、当業者に周知のさまざまな変形及び代替形態を受けることが認識される。従って、特定の実施の形態が説明されてきたが、これらは単なる例であり、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲に規定される。
出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を以下に付記する。
［１］リソグラフィ装置又は点検装置のような基板処理装置（１０）であって、支持フレーム（６０）と、処理される基板（７０）の上に放射線を投影するための放射線投影システム（２０）とを具備し、前記放射線投影システムは、冷却構成体（１３０）を有し、前記支持フレームによって支持され、前記支持フレームから振動分断され、所定の最大の振動数より上の前記支持フレームの振動が、前記放射線投影システムから実質的に分断され、処理される前記基板を支持するための表面が設けられた基板支持構造（６０）を具備し、基板処理装置は、さらに、前記放射線投影システムの前記冷却構成体に流体を供給し、前記冷却構成体から流体を除去するための流体移送システム（１５０；２５０）をさらに具備し、前記流体移送システムは、装置内の少なくとも２点で固定された少なくとも１つの管（１４０；２４０）を有し、前記流体移送システムは、前記２つの固定点間に延び、前記少なくとも１つの管を含む可撓性部分（１４０；２５２）を有し、前記２つの固定点のうち第１の固定点は、前記放射線投影システムに対して固定され、前記２つの固定点のうち第２の固定点は、前記放射線投影システムに対して移動可能であり、前記可撓性部分の少なくとも実体部分は、処理される基板を支持するための前記基板支持構造の表面にほぼ平行な平面上で２次元に延び、前記２点の間の前記可撓性部分の硬さは、前記第２の固定点で、前記第１の固定点から前記所定の最大振動数の上の振動を実質的に分断するように構成されている基板処理装置（１０）。
［２］前記固定点のうち前記第２の固定点は、前記支持フレームに対して固定されている［１］の装置。
［３］前記流体移送システムの可撓性部分は、所定の最大の硬さを有する［１］又は［２］の装置。
［４］前記所定の最大の硬さは、５００Ｎ／ｍ未満、好ましくは４００Ｎ／ｍ未満である［３］の装置。
［５］前記少なくとも１つの管の長さ、直径及び壁の厚さは、前記流体移送システムの前記可撓性部分の所定の硬さを与えるように選択されている［１］ないし［４］のいずれか１の装置。
［６］前記少なくとも１つの管の湾曲は、前記流体移送システムの前記可撓性部分の所定の硬さを与えるように選択されている［１］ないし［５］のいずれか１の装置。
［７］前記流体移送システムは、さらに、前記流体移送システムの前記可撓性部分の所定の硬さを与えるために、前記流体移送システムの流体の体積及び圧力を調整するための流体供給システムを有する［１］ないし［６］のいずれか１の装置。
［８］前記流体移送システムの１以上の管は、パーフルオロアルコキシエチレンとポリテトラフルオロエチレンとの少なくとも１つを含む材料でできている［１］ないし［７］のいずれか１の装置。
［９］前記冷却構成体は、１以上の導管を有し、前記流体移送システムの１以上の管は、対応する導管に接続されている［１］ないし［８］のいずれか１の装置。
［１０］前記支持フレーム、前記放射線投影システム、前記基板支持構造及び前記流体移送システムは、真空チャンバ（５０）に配置されている［１］ないし［９］のいずれか１の装置。
［１１］前記少なくとも１つの管（１４０）は、処理される基板を支持するための前記基板支持構造の表面にほぼ平行な平面で湾曲するようにして向けられている［１］ないし［１０］のいずれか１の装置。
［１２］前記少なくとも１つの管の湾曲は、その製造中に得られる前記少なくとも１つの管の自然な湾曲にほぼ一致する［１１］の装置。
［１３］その長さに沿った位置で前記少なくとも１つの管を保持するための支持構造を有する少なくとも１つのサスペンションホルダ（１６０）をさらに具備し、前記支持構造は、処理される基板を支持するための前記基板支持フレームの表面にほぼ平行な平面内の方向で、及び前記平面にほぼ垂直な軸のまわりの方向で振動に対して前記支持フレームから振動分断されている［１１］又は［１２］の装置。
［１４］前記サスペンションホルダは、少なくとも２つの支持柱（２２０）と、１以上のばね部材（２３０）とによって前記支持構造に接続されたフレーム（２００）を有する［１２］の装置。
［１５］前記流体移送システムは、複数の管（１４０）を有し、各管は、２点で固定され、各管は、処理される基板を支持するための前記基板支持構造の表面にほぼ平行に湾曲するようにして向けられ、前記少なくとも１つのサスペンションホルダの前記支持構造は、これらの長さに沿った位置で前記複数の管を保持するように構成され、前記管は互いに接触しない［１３］の装置。
［１６］前記複数の管は、異なる直径を有し、より大きい直径の管は、前記少なくとも１つのサスペンションホルダの前記支持構造によってより中心に支持されている［１５］の装置。
［１７］前記少なくとも１つのサスペンションホルダを支持するための前記支持フレームに接続されたさらなる支持フレーム（１７０）をさらに具備する［１５］又は［１６］の装置。
［１８］前記少なくとも１つの管の端部分は、処理される基板を支持するための前記基板支持構造の表面の平面にほぼ垂直な方向に向けられている［１１］ないし［１７］のいずれか１の装置。
［１９］前記流体移送システムの少なくとも１つの管は、少なくとも２つの直線部分（２５２）と、前記２点間の少なくとも１つの角部分（２５４）とを有し、前記少なくとも２つの直線部分は、前記少なくとも１つの角部分と比較して可撓性を有し、前記直線部分の長さは、前記少なくとも１つの管の長さの大部分を構成している［１］ないし［１０］のいずれか１の装置。
［２０］前記直線部分の長さの合計は、前記少なくとも１つの管の長さの少なくとも７０％を占める［１９］の装置。
［２１］前記流体移送システムは、複数の管を有し、各管は、２点で固定され、少なくとも２つの直線部分（２５２）と、前記２点間の少なくとも１つの角部分（２５４）とを有し、前記少なくとも２つの直線部分は、前記少なくとも１つの角部分と比較して可撓性を有する［１９］又は［２０］の装置。
［２２］前記直線部分の長さは、前記管の長さの大部分を構成している［２１］の装置。
［２３］前記直線部分の長さの合計は、前記管の長さの少なくとも７０％を占める［２２］の装置。
［２４］各管の直線部分は、他の管の直線部分と接触していない［２１］ないし［２３］のいずれか１装置。
［２５］前記少なくとも１つの角部分には、角の近くに流体を移送するための開口部（２６２）が設けられた補剛部材（２６０）を有する［２１］ないし［２４］のいずれか１の装置。
［２６］前記補剛部材は、ばね部材（２７０）によって前記支持フレームに接続されている［２５］の装置。
［２７］前記支持フレーム、前記放射線投影システム、前記基板支持構造及び前記流体移送システムは、真空チャンバ（５０）に配置され、前記流体移送システムは、ハウジング（１８０）に、好ましくは管状ハウジングに囲まれている［１９］ないし［２６］のいずれか１の装置。
［２８］前記１以上の管（２４０）が前記冷却構成体（２４０）に取り付けられた端部で、前記ハウジングには、外部影響から前記ハウジング内の空間を分けるためのメンブレン（３００）が設けられ、前記メンブレンには、前記１以上の管が突出する１以上の開口が設けられている［２７］の装置。
［２９］前記メンブレンには、前記開口内の領域に可撓性部分（３０５）が設けられ、前記可撓性部分は、前記メンブレンから前記チューブに延びている［２８］の装置。
［３０］前記ハウジングには、ポンプに接続可能な出口（３１０）が設けられている［２８］又は［２９］の装置。
［３１］前記放射線投影システムを収容するための支持本体（６２）と、少なくとも１つのばね部材（６６）によって前記支持フレームに接続された中間本体（６４）とをさらに具備し、前記支持本体は、少なくとも１つの振り子ロッド（６８）によって前記中間本体に接続されている［１］ないし［３０］のいずれか１の装置。
［３２］前記少なくとも１つのばね部材は、板ばねである［３１］の装置。
［３３］前記支持本体には、前記放射線投影システムを囲んでいる側壁（１３５）が設けられ、前記側壁は、外部電磁場から前記放射線投影システムを保護するための遮蔽物質を含む［３１］又は［３２］の装置。
［３４］前記放射線投影システムは、マルチ小ビーム荷電粒子リソグラフィ装置である［１］ないし［３３］のいずれか１の装置。
［３５］前記マルチ小ビーム荷電粒子リソグラフィ装置は、複数の荷電粒子小ビームを発生させるためのビーム発生器（２１）と、パターンに従って複数の小ビームをパターニングするための小ビームブランカアレイ（２２）と、前記ターゲット支持構造に設けられた基板のターゲット面上にパターニングされた小ビームを投影するための投影システム（２３）とを有する［３４］の装置。
［３６］リソグラフィ装置又は点検装置のような基板処理装置（１０）であって、支持フレーム（６０）と、処理される基板（７０）の上に放射線を投影するための放射線投影システム（２０）とを具備し、前記放射線投影システムは、前記支持フレームによって支持され、前記支持フレームから振動分断され、所定の最大の振動数より上の前記支持フレームの振動が、前記放射線投影システムから実質的に分断され、前記放射線投影システムに流体を移送し、前記放射線投影システムから流体を除去するための流体移送システム（１５０；２５０）と、処理される前記基板を支持するための表面が設けられた基板支持構造（６０）とを具備し、前記流体移送システムは、流体を移送するための１以上の管を有し、前記可撓性部分の少なくとも実体部分は、処理される基板を支持するための前記基板支持構造の表面にほぼ平行な平面上で２次元に延びている基板処理装置（１０）。
［３７］前記１以上の管の一部は、ループの形態で平面に延びている［３６］の装置。
［３８］前記２次元に延びている前記１以上の管の一部を保持するための少なくとも１つのサスペンションホルダを具備する［３７］の装置。
［３９］前記少なくとも１つのサスペンションホルダを支持するための前記支持フレームに接続されたさらなる支持フレーム（１７０）をさらに具備する［３８］の装置。
［４０］前記放射線投影システムは、冷却構成体（１３０）を有し、前記流体移送システムは、前記冷却構成体に流体を移送し、前記冷却構成体から流体を除去するように構成されている［３５］ないし［３９］のいずれか１の装置。

国際公開第２００９／１２７６５８号

Claims (22)

1. 基板処理装置（１０）であって、
   支持フレーム（６０）と、
   処理される基板（７０）の上に放射線を投影するための放射線投影システム（２０）とを具備し、前記放射線投影システムは、冷却構成体（１３０）を有し、前記支持フレームによって支持され、前記支持フレームから振動分断され、所定の最大振動数より上の前記支持フレームの振動が、前記放射線投影システムから分断され、
   処理される前記基板を支持するための表面が設けられた基板支持構造（３０）と、
   前記放射線投影システムの前記冷却構成体に流体を供給し、前記冷却構成体から流体を除去するための流体移送システム（１５０；２５０）とを具備し、前記流体移送システムは、装置内の少なくとも２つの固定点（１５１，１５２）で固定された少なくとも１つの管（１４０；２４０）を有し、前記２つの固定点のうち第１の固定点（１５２）は、前記放射線投影システムに対して固定されており、前記２つの固定点のうち第２の固定点（１５１）は、前記放射線投影システムに対して移動可能であり、
   前記流体移送システムは、前記２つの固定点間に延び、前記少なくとも１つの管を含む可撓性部分（１４０；２５２）を有し、
   前記流体移送システムの前記可撓性部分の少なくとも実体部分は、前記基板支持構造の表面に平行な平面上で２次元に延び、
   前記流体移送システムの前記可撓性部分の硬さは、前記２つの固定点のうち前記第２の固定点で、前記２つの固定点のうち前記第１の固定点から前記所定の最大振動数より上の振動を分断するように構成され、
   前記流体移送システムの前記少なくとも１つの管（１４０）は、前記２つの固定点のうち前記第１の固定点と前記２つの固定点のうち前記第２の固定点との間で前記平面での振動を減衰するように、前記基板支持構造の表面に平行な平面で湾曲しているようにして向けられている基板処理装置（１０）。
2. 前記２つの固定点のうち前記第２の固定点は、前記支持フレームに対して固定されている請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記少なくとも１つの管の長さ、直径及び壁の厚さは、前記流体移送システムの前記可撓性部分の所定の硬さを与えるように選択されている請求項１又は２に記載の基板処理装置。
4. 前記流体移送システムは、さらに、前記流体移送システムの前記可撓性部分の所定の硬さを与えるために、前記流体移送システムの流体の体積及び圧力を調整するための流体供給システムを有する請求項１ないし３のいずれか１に記載の基板処理装置。
5. 前記支持フレーム、前記放射線投影システム、前記基板支持構造及び前記流体移送システムは、真空チャンバ（５０）に配置されている請求項１ないし４のいずれか１に記載の基板処理装置。
6. 前記少なくとも１つの管（１４０）は、ループの形態で前記平面で湾曲しているようにして向けられている請求項１ないし５のいずれか１に記載の基板処理装置。
7. 前記少なくとも１つの管の湾曲は、その製造中に得られる前記少なくとも１つの管の自然な湾曲に一致する請求項１に記載の基板処理装置。
8. その長さに沿った位置で前記少なくとも１つの管（１４０）を保持するための支持構造（２１０）をさらに具備する請求項１又は７に記載の基板処理装置。
9. 前記支持構造（２１０）は、処理される基板を支持するための前記基板支持構造の表面に平行な平面内の方向で、及び前記平面に垂直な軸のまわりの方向で振動に対して前記支持フレームから振動分断されている請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記支持構造（２１０）は、サスペンションホルダ（１６０）に含まれ、前記サスペンションホルダ（１６０）は、少なくとも２つの支持柱（２２０）と、１以上のばね部材（２３０）とによって前記支持構造（２１０）に接続されたフレーム（２００）を有する請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記流体移送システムは、複数の管（１４０）を有し、各管は、前記２つの固定点で固定され、各管は、処理される基板を支持するための前記基板支持構造の表面に平行な平面で湾曲しているようにして向けられ、前記支持構造は、これらの長さに沿った位置で前記複数の管を保持するように構成され、前記管は互いに接触しない請求項９又は１０に記載の基板処理装置。
12. 前記複数の管は、異なる直径を有し、より大きい直径の管は、前記支持構造によってより中心に支持されている請求項１１に記載の基板処理装置。
13. 前記少なくとも１つのサスペンションホルダを支持するための、前記支持フレームに接続されたさらなる支持フレーム（１７０）をさらに具備する請求項１１又は１２に記載の基板処理装置。
14. 前記少なくとも１つの管の両端部分は、処理される基板を支持するための前記基板支持構造の表面の平面に垂直な方向に向けられている請求項６ないし１３のいずれか１に記載の基板処理装置。
15. 前記流体移送システムの少なくとも１つの管は、少なくとも２つの直線部分（２５２）と、前記２点間の少なくとも１つの角部分（２５４）とを有し、前記少なくとも２つの直線部分は、前記少なくとも１つの角部分と比較して可撓性を有し、前記直線部分の長さは、前記少なくとも１つの管の長さの大部分を構成している請求項１ないし５のいずれか１に記載の基板処理装置。
16. 各管の直線部分は、他の管の直線部分と接触していない請求項１５に記載の基板処理装置。
17. 前記少なくとも１つの角部分は、角の近くに流体を移送するための開口部（２６２）が設けられた補剛部材（２６０）を有する請求項１５又は１６に記載の基板処理装置。
18. 前記補剛部材は、ばね部材（２７０）によって前記支持フレームに接続されている請求項１７に記載の基板処理装置。
19. 前記放射線投影システムを収容するための支持本体（６２）と、
    少なくとも１つのばね部材（６６）によって前記支持フレームに接続された中間本体（６４）とをさらに具備し、
    前記支持本体は、少なくとも１つの振り子ロッド（６８）によって前記中間本体に接続されている請求項１ないし１８のいずれか１に記載の基板処理装置。
20. 前記支持本体には、前記放射線投影システムを囲んでいる側壁（１３５）が設けられ、前記側壁は、外部電磁場から前記放射線投影システムを保護するための遮蔽物質を含む請求項１９に記載の基板処理装置。
21. 前記放射線投影システムは、マルチ小ビーム荷電粒子リソグラフィ装置の一部を形成しており、前記マルチ小ビーム荷電粒子リソグラフィ装置は、さらに、
    複数の荷電粒子小ビームを発生させるためのビーム発生器（２１）と、
    パターンに従って前記複数の荷電粒子小ビームをパターニングするための小ビームブランカアレイ（２２）と、
    前記基板支持構造に設けられた基板のターゲット面上にパターニングされた小ビームを投影するための投影システム（２３）とを有する請求項２０に記載の基板処理装置。
22. リソグラフィ装置又は検査装置である、請求項１ないし２１のいずれか１に記載の基板処理装置。

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