JP2001006592A - 冷却装置、荷電粒子線露光装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

冷却装置、荷電粒子線露光装置及び半導体装置の製造方法

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JP2001006592A
JP2001006592A JP11178016A JP17801699A JP2001006592A JP 2001006592 A JP2001006592 A JP 2001006592A JP 11178016 A JP11178016 A JP 11178016A JP 17801699 A JP17801699 A JP 17801699A JP 2001006592 A JP2001006592 A JP 2001006592A
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container
supply container
cooled
cooling device
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Katsushi Nakano
勝志 中野
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Nikon Corp
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  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高所にある発熱部分に振動を与えることな
く、冷媒を強制還流させて発熱部を冷却する方式の荷電
粒子線露光装置用冷却装置を提供する。 【解決手段】 コイル1は、電子鏡筒の上部に設けられ
たもので、コイル収納容器2に収納されて冷媒3により
冷却されている。コイル収納容器中の冷媒3は、サイフ
ォン管4を通して、密封型の冷媒収集容器5中に落下す
る。冷媒収集容器5より上方で、コイル収納容器2の下
方には、密封型の冷媒供給容器7が設けられている。そ
して、ポンプ8により、冷媒収集容器5から冷媒供給容
器7に冷媒3が移送されている。冷媒収集容器5と冷媒
供給容器7の上部は、均圧管10で連結され、両者の空
気圧力は同一とされている。冷媒供給容器7の下部とコ
イル収納容器2の下部は、連通管12で結合されてお
り、連通管12中には、流量調整弁13が設けられてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィーに
使用される荷電粒子線露光装置における電磁コイル等の
発熱体を冷却するのに適した冷却装置、その冷却装置を
利用した荷電粒子線露光装置、及びその荷電粒子線露光
装置を利用した半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体の微細加工技術は年々進歩
を遂げている。現在の露光装置は、光によるものが主流
であるが、さらなる微細加工を進める上では、光の短波
長化が要求される。しかしながら、その短波長化には限
界がある。また、X線を使用する露光装置も考えられて
はいるが、レチクルの製作が容易ではないなどといった
点から、現時点で実用化はなされていない。このような
背景から、電子線等の荷電粒子線による転写、露光が注
目されている。
【0003】このような荷電粒子線を使用した露光装置
の例として、電子線露光装置の1例の概略図を図6に示
す。電子線は電子銃31から発生し、上部コラム32の
内部の真空領域であるライナーチューブ33の中を通
り、レチクルステージ34上のレチクルを照明する。レ
チクルを透過した電子線は下部コラム35内のライナー
チューブ36の中を通り、ウエハーステージ37に乗せ
てあるウエハー上に結像される。露光装置全体は除振機
構38の付いた足で床に固定されている。
【0004】電子線は静電レンズや電磁レンズによりウ
エハー上にフォーカスされ、静電偏向器、電磁偏向器に
よりウエハーの任意の位置に照射される。それら光学部
材はライナーチューブの外側に左右対称に配置されてい
る。電磁レンズ、電磁偏向器はコイルとそこから発生す
る磁場を強めたり成形したりするための磁性材料からな
る。コイルに通電すると発熱し、機器の熱膨張を引き起
こしたりするため、冷媒により冷却されている。それぞ
れのコイルの発熱量は異なるため、通常各エレメント毎
に個別に冷却される。
【0005】冷媒はリザーバータンク39に貯えられ、
所望の流量がそれぞれの冷却箇所に送られる。冷媒はコ
イルの熱により温度上昇し、対流により上部に流れよう
とするため、強制還流も下から流し込み、上から溢れさ
せている。冷却室の上部に空気の部分40が有るが、こ
れは外乱により冷媒の圧力変動が起こった場合、圧力分
布を吸収するためである。それぞれの箇所から溢れた冷
媒は、ドレインパイプ41を通り、収集タンク42に入
る。収集タンク42は、ペルチェ素子等の冷却機構43
を有しており、冷媒からの熱を奪うことにより冷媒を冷
却する。冷却された冷媒はポンプ44により再びリザー
バータンク39に戻される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記冷媒の還流にポン
プを使うと機械的な振動を引き起こすため、重力により
強制還流するのが望ましい。しかし、電子光学系の収差
を低減するためにたくさんの光学部材を使おうとすると
電子鏡筒の高さが高くなる。近年ではその高さは約2.5
m程度である。一方、電子線露光装置が使われるクリー
ンルームの高さは約3mに規格されている。そのため、
電子鏡筒の上部からクリーンルームの天井45まではあ
まり高さに余裕がない。
【0007】そのため、リザーバータンク39をクリー
ンルームの天井45ぎりぎりに配置しても、電子鏡筒の
上部の冷却を行う場合、重力だけでは十分な圧力を生じ
させる事ができず、十分な量の冷媒を還流することがで
きない場合が出てくる。そこで図6では上部2ヶ所の冷
媒の還流にはポンプ46を使っている。このようにポン
プを使うと、前述のように還流ポンプ46からの機械振
動がチューブを伝わり、電子鏡筒内部に影響を与える。
また、ポンプの発生する圧力も周期的に多少変化するた
め、その圧力変化が脈動となり冷媒が接触するコイル等
を振動させてしまう。このような振動が発生すると、当
然ながら露光装置としての性能は著しく低下する。
【0008】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、高所にある発熱部分に振動を与えることな
く、冷媒を強制還流させて発熱部を冷却する方式の冷却
装置、及びこの冷却装置を使用した荷電粒子線露光装
置、及びこの荷電粒子線露光装置を使用した半導体装置
の製造方法を提供することを課題とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第1の手段は、荷電粒子線露光装置における電磁コイ
ル等の発熱部を冷却する冷却装置であって、被冷却体収
納容器と、被冷却体収納容器に冷却冷媒を供給する冷媒
供給用容器と、被冷却体収納容器からの冷媒を収集する
冷媒収集容器とを有してなり、被冷却体収納容器から冷
媒収集容器への冷媒の移送がサイフォン管を介して行わ
れ、サイフォン管からの冷媒の出口が、被冷却体収納容
器における冷媒の液面高さよりも低位置に設けられてい
ることを特徴とする冷却装置(請求項1)である。
【0010】本手段によれば、サイフォンにより被冷却
体収納容器中の圧力を冷媒供給用容器内の圧力より十分
低くすることができる。よって、冷媒供給用容器と被冷
却体収納容器の間に十分な高低差をつけられなかった
り、前者を後者よりも低位置に設置せざるを得ない場合
においても、冷媒の環流のための大きな圧力差を作り出
すことができ、十分な流量を確保できる。又、被冷却体
収納容器への冷媒の移送にポンプを使用していないの
で、振動により、たとえば荷電粒子鏡筒内部に影響を与
えることがない。
【0011】前記課題を解決するための第2の手段は、
前記第1の手段であって、冷媒供給用容器中の冷媒液面
高さが、被冷却体収納容器における冷媒の液面高さに比
して同位置又は低位置とされ、冷媒供給用容器より被冷
却体収納容器に、サイフォンを使用して冷媒が供給され
ていることを特徴とするもの(請求項2)である。
【0012】本手段においては、冷媒供給用容器中の冷
媒を、サイフォンを使用することにより被冷却体収納容
器に供給している。よって、冷媒供給用容器中の冷媒の
液面高さを、被冷却体収納容器中の冷媒の液面高さより
低くすることができる。よって、装置全体の高さを低く
することが可能となる。
【0013】前記課題を解決するための第3の手段は、
前記第1の手段であって、前記サイフォンがヘロンの噴
水であることを特徴とするもの(請求項3)である。
【0014】図5はヘロンの噴水の模式図である。噴水
の名の通り、冷媒がタンク内の冷媒表面より高く吹き上
げている。まずこの原理を説明する。噴水となった冷媒
は、受け皿21により集められ、ドレインパイプ22に
より、大きな落差を持つ収集タンク23に流される。こ
のときの落差をh1とすると、ドレインパイプ22下部
での水圧はρgh1となる。ここに、ρは冷媒の密度、
gは重力加速度である。収集タンク23内は気密が保た
れているためタンクの大気部分の圧力も同じくρgh1
となる。その圧力は空気ホース24によりリザーバータ
ンク25の大気部分にもかけられている。
【0015】つまり、リザーバータンク25に溜まって
いる冷媒の上面はρgh1の圧力で下に押されている。
この圧力は冷媒供給パイプ26内部に溜まっている冷媒
を上に押し上げる。押し上げられた冷媒は噴射口27か
ら噴射されるが、噴射口27はリザーバータンク25内
の冷媒の上面より高い位置にあるので、噴射口27での
冷媒の圧力はリザーバータンクでの圧力から減少してい
る。ここで、リザーバータンク25の冷媒の上面から噴
射口までの高さをh2とすると、最終的に噴射口での圧
力は ρg(h1−h2) … (1) と表される。
【0016】このヘロンの噴水は、リザーバータンク内
の液体が収集タンクに流れ込むにつれ(h1−h2)の値
が小さくなり、噴水の勢いはなくなり、やがて噴水も止
まる。しかし、何らかの方法により、収集タンク23中
の冷媒をリザーバータンク25に移送してやれば、(h
1−h2)は所定の範囲に保たれ、噴水の勢いは持続す
る。
【0017】本手段においては、このようなヘロンの噴
水の原理を使用しているので、冷媒供給用容器(リザー
バータンクに相当)中の冷媒液面高さを、被冷却体収納
容器における冷媒の液面高さ(ヘロンの噴水の高さに相
当)より低くすることができると共に、被冷却体収納容
器を大気開放とすることができる。
【0018】前記課題を解決するための第4の手段は、
前記第2の手段であって、被冷却体収納容器及び冷媒供
給用容器より低位置に冷媒収集容器が設けられ、被冷却
体収納容器が密閉され、冷媒収集容器から冷媒供給用容
器に冷媒を移送する移送装置と、冷媒供給用容器中の冷
媒と被冷却体収納容器中の冷媒を連通させる連通管とを
有してなることを特徴とするもの(請求項4)である。
【0019】本手段においては、被冷却体収納容器中の
冷媒を、サイフォン管を介して冷媒収集容器に落下させ
ることにより被冷却体収納容器中を負圧にする。それに
より、冷媒供給用容器中の冷媒が被冷却体収納容器に吸
引される形で供給される。よって、サイフォンにより発
生する負圧の分だけ、冷媒供給用容器中の冷媒の液面を
被冷却体収納容器の冷媒の液面より下に置くことがで
き、冷媒供給用容器を高所に設ける必要がなくなる。
【0020】冷媒収集容器に落下した冷媒は、ポンプ等
の移送装置により冷媒供給用容器に移送されるので、サ
イフォン現象はいつまでも継続する。このとき、ポンプ
の振動は、冷媒供給用容器に影響を与えるのみで、被冷
却体収納容器には直接影響を与えないので問題とならな
いが、ポンプの前後の配管にベローズ等の緩衝装置を設
け、振動が他の部分に伝播しないようにすることが、よ
り好ましい。
【0021】前記課題を解決するための第5の手段は、
前記第4の手段であって、冷媒供給用容器と冷媒収集容
器が密閉され、かつ、それぞれの容器内の圧力変動を防
止する装置が設けられていることを特徴とするもの(請
求項5)である。
【0022】前記第4の手段においては、冷媒供給用容
器と冷媒収集用容器は大気開放としてかまわないが、冷
媒には揮発性があるものがあり、かつ、冷媒に大気中よ
り水分が混入すると被冷却体の腐食を起こす恐れがあ
る。そのため、本手段におけるように、これらを密閉す
ることが好ましい。その場合、これらの容器内の圧力変
動があると全体の系を乱したり、被冷却体に振動を与え
たりする恐れがあるので、それぞれの容器に圧力変動を
防止する装置(風船、ベローズ等)を設けている。
【0023】前記課題を解決するための第6の手段は、
前記第3の手段であって、被冷却体収納容器及び冷媒供
給用容器より低位置に冷媒収集容器が設けられ、被冷却
体収納容器が大気に開放され、冷媒供給用容器と冷媒収
集容器が密閉されており、冷媒収集容器から冷媒供給用
容器に冷媒を移送する移送装置と、冷媒供給用容器中の
冷媒と被冷却体収納容器中の冷媒を連通させる連通管
と、冷媒供給用容器と冷媒収集容器中の気体の圧力を均
一にする均圧管とを有してなることを特徴とするもの
(請求項6)である。
【0024】本手段においては、被冷却体収納容器が図
5におけるヘロンの噴水部、冷媒供給用容器が図5にお
けるリザーバータンク、冷媒収集容器が図5における収
集タンクに相当する。よって、図5において説明したヘ
ロンの噴水の原理により、被冷却体収納容器が大気開放
状態であり、冷媒供給用容器中の冷媒液面高さが、被冷
却体収納容器における冷媒の液面高さに比して同位置又
は低位置とされている場合であっても、冷媒供給用容器
より被冷却体収納容器に冷媒を送ることができる。
【0025】冷媒収集容器に落下した冷媒は、ポンプ等
の移送装置により冷媒供給用容器に移送されるので、サ
イフォン現象はいつまでも継続する。このとき、ポンプ
の振動は、冷媒供給用容器に影響を与えるのみで、被冷
却体収納容器には直接影響を与えないので問題とならな
いが、ポンプの前後の配管にベローズ等の緩衝装置を設
け、振動が他の部分に伝播しないようにすることが、よ
り好ましい。
【0026】前記課題を解決するための第7の手段は、
前記第3の手段であって、被冷却体収納容器及び冷媒供
給用容器より低位置に冷媒収集容器が設けられ、被冷却
体収納容器が密閉され、被冷却体収納容器内の圧力変動
を防止する装置が設けられると共に、冷媒供給用容器と
冷媒収集容器が密閉されており、冷媒収集容器から冷媒
供給用容器に冷媒を移送する移送装置と、冷媒供給用容
器中の冷媒と被冷却体収納容器中の冷媒を連通させる連
通管と、冷媒供給用容器と冷媒収集容器中の気体の圧力
を均一にする均圧管とを有してなることを特徴とするも
の(請求項7)である。
【0027】ヘロンの噴水を利用した場合は、前記第6
の手段のように、被冷却体収納容器を大気開放とできる
のであるが、前記第5の手段の説明において述べたよう
に、冷媒を大気にさらすことが好ましくない場合があ
る。よって、本手段においては、被冷却体収納容器を密
閉している。被冷却体収納容器中の圧力変動を防止する
装置を設ける理由は、前記第5の手段の説明において述
べた理由と同じである。
【0028】前記課題を解決するための第8の手段は、
前記第4の手段から第8の手段のいずれかであって、冷
媒供給用容器にオーバーフロー管を設け、このオーバー
フロー管より高位となった冷却用媒体を、冷媒収集容器
に還流させるようにしたことを特徴とするもの(請求項
8)である。
【0029】本手段においては、オーバーフロー管の働
きにより、冷媒供給用容器の冷媒の液面が一定に保たれ
るので、サイフォンの条件を常に同一に保つことができ
る。よって、冷媒の流れが常に一定、かつ安定に保たれ
る。
【0030】前記課題を解決するための第9の手段は、
前記第4の手段から第8の手段のいずれかであって、冷
媒収集容器中の冷媒液面が、サイフォン管の出口より下
に維持されていることを特徴とするもの(請求項9)で
ある。
【0031】本手段においては、サイフォン管の出口
が、冷媒の最高液面より上方に位置している。よって、
冷媒の液面位置に係わらず、被冷却体収納容器と冷媒収
集容器とを結ぶサイフォン管のヘッド圧が常に一定に保
たれるので、サイフォンの条件を常に同一に保つことが
できる。よって、冷媒の流れが常に一定かつ安定に保た
れる。
【0032】前記課題を解決するための第10の手段
は、前記第9の手段であって、サイフォン管の出口の直
下にスロープを設けたことを特徴とするもの(請求項1
0)である。
【0033】本手段においては、サイフォン管を出た冷
媒は、直接冷媒収集容器中の冷媒の液面に落下せず、ス
ロープに当たり、スロープに沿って緩やかに液面に落下
する。よって、冷媒収集容器中の冷媒の液面が振動する
ことが防止される。
【0034】前記課題を解決するための第11の手段
は、前記第1の手段から第10の手段のいずれかを備え
た荷電粒子線露光装置である。
【0035】本手段によれば、装置全体の高さを低くす
ることができるとともに、レンズを構成するコイル等に
振動が伝わらないので、露光転写精度の良い装置とする
ことができる。
【0036】前記課題を解決するための第12の手段
は、前記第11の手段を使用して、マスク又はレチクル
に形成されたパターンをウェハーに転写する工程を有し
てなる半導体装置の製造方法である。
【0037】本手段においては、露光転写の精度が良い
ため、精密なパターンを持つ半導体装置を製造すること
ができる。
【0038】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例を
図を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態の第
1の例を示す概要図である。この実施の形態はヘロンの
噴水の原理を応用したものである。図1において、1は
被冷却体であるコイル、2はコイル収納容器、3は冷
媒、4はサイフォン管、5は冷媒収集容器、6は熱交換
器、7は冷媒供給容器、8はポンプ、9はベローズ、1
0は均圧管、11はオーバーフロー管、12は連通管、
13は流量調整弁、14は通気孔、15はスロープ、1
6は温度計、17は冷媒ヒーターである。
【0039】コイル1は、電子鏡筒の上部に設けられた
もので、コイル収納容器2に収納されて冷媒3により冷
却されている。コイル収納容器中の冷媒3は、サイフォ
ン管4を通して、密封型の冷媒収集容器5中に落下す
る。サイフォン管4の出口は、冷媒収集容器5内の冷媒
3の最高液面より高くされており、サイフォン管の落差
はh1とされている。これにより、サイフォン管4のヘ
ッド圧はρgh1の一定値に保たれる。冷媒収集容器5
に集められた冷媒3は、ペルチエ素子等を利用した熱交
換器6により冷却される。
【0040】冷媒収集容器5より上方で、コイル収納容
器2の下方には、密封型の冷媒供給容器7が設けられて
いる。そして、ポンプ8により、冷媒収集容器5から冷
媒供給容器7に冷媒3が移送されている。この際、ポン
プ8の機械振動が冷媒収集容器5及び冷媒供給容器7に
伝達しないように、ベローズ9が設けられている。
【0041】冷媒収集容器5と冷媒供給容器7の上部
は、均圧管10で連結され、両者の空気圧力は同一とさ
れている。これは、図5に示したヘロンの噴水を成立さ
せるために必要なものである。また、冷媒供給容器7に
はオーバーフロー管11が設けられ、冷媒3のレベルが
これ以上になると、冷媒3はオーバーフロー管11を介
して冷媒収集容器5に還流される。ポンプ8の供給能力
を大きくしておくことにより、冷媒供給容器7中の冷媒
3は常にオーバーフロー管11を介して流れ、冷媒供給
容器7中の冷媒3のレベルは常に一定に保たれている。
【0042】また、後に述べるように、コイル収納容器
2中の冷媒3のレベルもほぼ一定に保たれる。よって、
冷媒収集容器5中の冷媒3のレベルも一定に保たれる。
従って、コイル収納容器2と冷媒収集容器5とは、均圧
管10で結合されているが、両者の気体は過渡的に移動
することがあっても、平均的には一定量に保たれる。ま
たポンプ8で生じる圧力変動は、冷媒収集容器5、冷媒
供給容器8おいて正負が反転しているため、両容器を均
圧管10で結合することによりポンプによる圧力変動を
打ち消すことができる。
【0043】冷媒供給容器7の下部(冷媒3で満たされ
ている部分)とコイル収納容器2の下部は、連通管12
で結合されており、連通管12中には、流量調整弁13
が設けられている。コイル収納容器2の冷媒3の液面レ
ベルと、冷媒供給容器7の冷媒3の液面レベルとの差は
2である。h1>h2であるので、前述のヘロンの噴水
の原理により、冷媒3は矢印で示したように循環し、コ
イル1が冷却される。また、前記の理由により(h1
2)は一定に保たれる。
【0044】なお、ヘロンの噴水では(h1−h2)に対
応する高さだけ液体が上に吹き上げていたが、本実施の
形態では、その圧力は、ある程度の粘性を持つ冷媒をコ
イルが密に詰まった鏡筒内部の比較的細い部分を強制還
流するためのエネルギーとして使われ、かつ、流量調整
弁13で圧力を吸収される。そのため冷媒3が上方に吹
き上げるようなことはない。
【0045】サイフォン管4のサイフォン作用を保つた
めには、サインフォン管4内が常に冷媒3で満たされて
いなければならない。サイフォン管4を流れる冷媒3の
流量は、コイル収納容器2中の冷媒のレベルが高ければ
多くなって、その結果、冷媒のレベルが低下し、逆に冷
媒のレベルが高ければ少なくなって、その結果、冷媒の
レベルが上昇する。すなわち、コイル収納容器1中の冷
媒のレベルは自己平衡性を持っているが、コイル収納容
器1に供給される冷媒3とのバランスが崩れると、オー
バーフローしたり、サイフォン管4の入り口レベルまで
低下してサイフォンが切れることがある。
【0046】この実施の形態では、流量調整弁13を調
整することによって、このようなことが発生することを
防止している。必要に応じて、コイル収納容器2中の冷
媒のレベルを検出し、それを一定に保つように流量調整
弁13を操作してもよい。
【0047】本実施の形態では、コイル収納容器2に
は、通気孔14が設けられている。これは冷媒の圧力変
動があった場合に、圧力を外部に逃がし、圧力変動が脈
動となって他の冷却部分に伝播するのを防止する役割を
果たす。特に圧力により振動して欲しくない電子鏡筒の
部品の冷却用のコイル収納容器2にこのような通気孔1
4を設けることは、部品の振動低減に効果的である。
【0048】なお、冷媒収集容器5のサイフォン管4の
出口直下は、スロープ15となっている。よって、サイ
フォン管4から放出された冷媒3は、直接冷媒収集容器
5内の冷媒3の液面に直接落下せず、スロープ15上に
落ちて、スロープ15をつたって緩やかに落下する。よ
って、サイフォン管4からの冷媒3の落下によって、冷
媒収集容器5内の冷媒3の液面が乱されることはない。
また、オーバーフロー管11の出口は、冷媒収集容器5
内の冷媒3中に出口を持つので、オーバーフロー管11
からの冷媒3によっても、冷媒収集容器5内の冷媒3の
液面が乱されることはない。
【0049】コイル1には、温度計16が取り付けら
れ、その温度を一定に保つように、冷媒供給容器7中の
冷媒ヒーター17が制御される。なお、図1において
は、冷媒供給容器7がコイル収納容器2の下側に置かれ
ているが、コイル収納容器2の上側においてもよい。こ
のようにすれば、その高低差分だけ圧力が増すため、よ
り大きな液量を確保できる。
【0050】図2は、本発明の実施の形態の第2の例を
示す概要図である。以下の図においては、発明の実施の
形態の欄における前出の図で示された構成要素と同じ構
成要素には、同じ符号を付してその説明を省略する。図
2において18は風船である。
【0051】図2に示す実施の形態は、コイル収納容器
2が大気に開放されておらず、風船18が取りつけられ
ている点が図1に示した実施の形態と異なるのみで、他
の作動は図1に示したものと同じであるので、異なる部
分のみを説明する。
【0052】この実施の形態においてもヘロンの噴水の
原理が使用されているので、コイル収納容器2を大気に
開放してもかまわない。しかしながら、冷媒には揮発性
があるものがあり、かつ、冷媒に大気中より水分が混入
すると被冷却体の腐食を起こす恐れがある。そのため、
本実施の形態においては、コイル収納容器2を密閉し、
冷媒が蒸発して少なくなったり、冷媒中に水分が入るこ
とを防止している。その場合、これらのコイル収納容器
2内の圧力変動があると全体の系を乱したり、被冷却体
に振動を与えたりする恐れがあるので、風船18を設
け、コイル収納容器2内の圧力が、ほぼ一定に保たれる
ようにしている。
【0053】図3は、本発明の実施の形態の第3の例を
示す概要図である。この実施の形態は単なるサイフォン
の原理を応用したものであり、従って、コイル収納容器
2は密閉型とされ、冷媒収集容器5、冷媒供給容器7は
大気開放型となっている。
【0054】コイル1は、電子鏡筒の上部に設けられた
もので、コイル収納容器2に収納されて冷媒3により冷
却されている。コイル収納容器中の冷媒3は、サイフォ
ン管4を通して、大気開放型の冷媒収集容器5中に落下
する。サイフォン管4の出口は、冷媒収集容器5内の冷
媒3の最高液面より高くされており、サイフォン管の落
差はh1とされている。これにより、サイフォン管4の
ヘッド圧はρgh1の一定値に保たれる。冷媒収集容器
5に集められた冷媒3は、ペルチエ素子等を利用した熱
交換器6により冷却される。
【0055】コイル収納容器2とほぼ同じレベルに、大
気開放型の冷媒供給容器7が設けられている。そして、
ポンプ8により、冷媒収集容器5から冷媒供給容器7に
冷媒3が移送されている。この際、ポンプ8の機械振動
が冷媒収集容器5及び冷媒供給容器7に伝達しないよう
に、ベローズ9が設けられている。
【0056】冷媒供給容器7にはオーバーフロー管11
が設けられ、冷媒3のレベルがこれ以上になると、冷媒
3はオーバーフロー管11を介して冷媒収集容器5に還
流される。ポンプ8の供給能力を大きくしておくことに
より、冷媒供給容器7中の冷媒3は常にオーバーフロー
管11を介して流れ、冷媒供給容器7中の冷媒3のレベ
ルは常に一定に保たれている。
【0057】冷媒供給容器7の下部(冷媒3で満たされ
ている部分)とコイル収納容器2の下部は、連通管12
で結合されており、連通管12中には、流量調整弁13
が設けられている。流量調整弁13における圧損や、コ
イル1中における圧損等を無視した場合、サイフォン作
用により、コイル収納容器2中の圧力は、同じレベルの
冷媒供給容器7の圧力より、ρgh1だけ低くなってい
る。よって、冷媒供給容器7中の冷媒3は、この圧力差
によりコイル収納容器2に吸引される。よって、冷媒3
は矢印で示したように循環し、コイル1が冷却される。
【0058】なお、図3においては、冷媒供給容器7
は、コイル収納容器2とほぼ同一レベルに置かれている
が、冷媒3がサイフォン作用により吸引されてコイル収
納容器1に流れることを考慮すれば、ρgh1のヘッド
差から圧損を引いた分だけコイル収納容器の下側におい
ても問題ないことは説明を要しないであろう。また、冷
媒供給容器7をコイル収納容器の上に設けた場合には、
その高低差分だけ圧力差が増すため、より大きな液量を
確保できる。
【0059】この実施の形態においても、サイフォン管
4中を常に冷媒3で満たすため、コイル収納容器2内の
冷媒3のレベルをほぼ一定に保つ必要があるが、その手
法としては図1に示した実施の形態の説明において示し
たものと同じ方法が採用できる。なお、スロープ15、
温度計16、冷媒ヒーター17の作用については図1に
示したものと同じであるので、その説明を省略する。
【0060】この実施の形態では、コイル収納容器1を
密閉状態に保たなければならないという不利な点はある
が、その反面、温度を均一に保てるという利点を有す
る。加えて、冷媒収集容器5、冷媒供給容器7を大気開
放にできるという有利な点をも有する。冷媒収集容器
5、冷媒供給容器7を大気開放とすることにより、圧力
変動を吸収し他に伝播させにくくしている。
【0061】図4は、本発明の実施の形態の第4の例を
示す概要図である。本実施の形態と図3に示した実施の
形態の違いは、冷媒収集容器5と冷媒供給容器7が大気
に開放されておらず、それぞれに風船18が取りつけら
れている点のみである。よって、これ以外の作動は図3
に示したものと同じである。冷媒収集容器5と冷媒供給
容器7が大気に開放しない理由、及び風船18の作用に
付いては、図2に示した実施の形態の説明において述べ
たものと同じである。
【0062】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のうち、請
求項1に係る発明においては、サイフォンにより被冷却
体収納容器中の圧力を冷媒供給用容器内の圧力より十分
低くすることができる。よって、冷媒供給用容器と被冷
却体収納容器の間に十分な高低差をつけられなかった
り、前者を後者よりも低位置に設置せざるを得ない場合
においても、冷媒の環流のための大きな圧力差を作り出
すことができ、十分な流量を確保できる。又、被冷却体
収納容器への冷媒の移送にポンプを使用していないの
で、振動により、たとえば荷電粒子鏡筒内部に影響を与
えることがない。
【0063】請求項2に係る発明においては、冷媒供給
用容器中の冷媒の液面高さを、被冷却体収納容器中の冷
媒の液面高さより低くすることができるので、装置全体
の高さを低くすることが可能となる。
【0064】請求項3に係る発明においては、ヘロンの
噴水の原理を使用しているので、冷媒供給用容器中の冷
媒液面高さを、被冷却体収納容器における冷媒の液面高
さより低くすることができると共に、被冷却体収納容器
を大気開放とすることができる。
【0065】請求項4に係る発明においては、サイフォ
ンにより発生する負圧の分だけ、冷媒供給用容器中の冷
媒の液面を被冷却体収納容器の冷媒の液面より下に置く
ことができ、冷媒供給用容器を高所に設ける必要がなく
なる。
【0066】請求項5に係る発明においては、冷媒が揮
発により失われたり、大気中の水分が冷媒中に入って被
冷却体を腐食させることを防止できる。また、容器内の
圧力変動を防止できるので、全体の系を乱したり、被冷
却体に振動を与えたりすることがない。
【0067】請求項6に係る発明においては、被冷却体
収納容器を大気開放状態とすることができるので、冷媒
の圧力変動があった場合に、圧力を外部に逃がし、圧力
変動が脈動となって他の冷却部分に伝播するのを防止す
ることができる。
【0068】請求項7に係る発明においては、冷媒が揮
発により失われたり、大気中の水分が冷媒中に入って被
冷却体を腐食させることを防止できる。また、容器内の
圧力変動を防止できるので、全体の系を乱したり、被冷
却体に振動を与えたりすることがない。
【0069】請求項8に係る発明においては、オーバー
フロー管の働きにより、冷媒供給用容器の冷媒の液面が
一定に保たれるので、サイフォンの条件を常に同一に保
つことができる。
【0070】請求項9に係る発明においては、冷媒の液
面位置に係わらず、被冷却体収納容器と冷媒収集容器と
を結ぶサイフォン管のヘッド圧が常に一定に保たれるの
で、サイフォンの条件を常に同一に保つことができる。
【0071】請求項10に係る発明においては、サイフ
ォン管を出た冷媒は、スロープに沿って緩やかに液面に
落下するので、冷媒収集容器中の冷媒の液面が振動する
ことを防止できる。
【0072】請求項11に係る発明においては、装置全
体の高さを低くすることができるとともに、レンズを構
成するコイル等に振動が伝わらないので、露光転写精度
の良い装置とすることができる。
【0073】請求項12に係る発明においては、露光転
写の精度が良いため、精密なパターンを持つ半導体装置
を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の第1の例を示す概要図であ
る。
【図2】本発明の実施形態の第2の例を示す概要図であ
る。
【図3】本発明の実施形態の第3の例を示す概要図であ
る。
【図4】本発明の実施形態の第4の例を示す概要図であ
る。
【図5】ヘロンの噴水の模式図である。
【図6】従来の電子鏡筒の冷媒の冷却法を示す概要図で
ある。
【符号の説明】
1…コイル、2…コイル収納容器、3…冷媒、4…サイ
フォン管、5…冷媒収集容器、6…熱交換器、7…冷媒
供給容器、8…ポンプ、9…ベローズ、10…均圧管、
11…オーバーフロー管、12…連通管、13…流量調
整弁、14…通気孔、15…スロープ、16…温度計、
17…冷媒ヒーター、18…風船
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/027 H01L 21/30 502H 5F056 541Z Fターム(参考) 2H097 BA02 CA16 GB01 LA10 3L044 AA04 BA06 CA13 DB02 FA02 FA04 KA05 5C033 DD09 DE07 GG01 GG07 5C034 BB02 BB10 5F046 AA05 BA04 DA26 DB02 5F056 AA17 AA22 AA27 CD05

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 荷電粒子線露光装置における電磁コイル
    等の発熱部を冷却する冷却装置であって、被冷却体収納
    容器と、被冷却体収納容器に冷却冷媒を供給する冷媒供
    給用容器と、被冷却体収納容器からの冷媒を収集する冷
    媒収集容器とを有してなり、被冷却体収納容器から冷媒
    収集容器への冷媒の移送がサイフォン管を介して行わ
    れ、サイフォン管からの冷媒の出口が、被冷却体収納容
    器における冷媒の液面高さよりも低位置に設けられてい
    ることを特徴とする冷却装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の冷却装置であって、冷
    媒供給用容器中の冷媒液面高さが、被冷却体収納容器に
    おける冷媒の液面高さに比して同位置又は低位置とさ
    れ、冷媒供給用容器より被冷却体収納容器に、サイフォ
    ンを使用して冷媒が供給されていることを特徴とする冷
    却装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の冷却装置
    であって、前記サイフォンがヘロンの噴水であることを
    特徴とする冷却装置。
  4. 【請求項4】 請求項2に記載の冷却装置であって、被
    冷却体収納容器及び冷媒供給用容器より低位置に冷媒収
    集容器が設けられ、被冷却体収納容器が密閉され、冷媒
    収集容器から冷媒供給用容器に冷媒を移送する移送装置
    と、冷媒供給用容器中の冷媒と被冷却体収納容器中の冷
    媒を連通させる連通管とを有してなることを特徴とする
    冷却装置。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の冷却装置であって、冷
    媒供給用容器と冷媒収集容器が密閉され、かつ、それぞ
    れの容器内の圧力変動を防止する装置が設けられている
    ことを特徴とする冷却装置。
  6. 【請求項6】 請求項3に記載の冷却装置であって、被
    冷却体収納容器及び冷媒供給用容器より低位置に冷媒収
    集容器が設けられ、被冷却体収納容器が大気に開放さ
    れ、冷媒供給用容器と冷媒収集容器が密閉されており、
    冷媒収集容器から冷媒供給用容器に冷媒を移送する移送
    装置と、冷媒供給用容器中の冷媒と被冷却体収納容器中
    の冷媒を連通させる連通管と、冷媒供給用容器と冷媒収
    集容器中の気体の圧力を均一にする均圧管とを有してな
    ることを特徴とする冷却装置。
  7. 【請求項7】 請求項3に記載の冷却装置であって、被
    冷却体収納容器及び冷媒供給用容器より低位置に冷媒収
    集容器が設けられ、被冷却体収納容器が密閉され、被冷
    却体収納容器内の圧力変動を防止する装置が設けられる
    と共に、冷媒供給用容器と冷媒収集容器が密閉されてお
    り、冷媒収集容器から冷媒供給用容器に冷媒を移送する
    移送装置と、冷媒供給用容器中の冷媒と被冷却体収納容
    器中の冷媒を連通させる連通管と、冷媒供給用容器と冷
    媒収集容器中の気体の圧力を均一にする均圧管とを有し
    てなることを特徴とする冷却装置。
  8. 【請求項8】 請求項4から請求項7のうちいずれか1
    項に記載の冷却装置であって、冷媒供給用容器にオーバ
    ーフロー管を設け、このオーバーフロー管より高位とな
    った冷却用媒体を、冷媒収集容器に還流させるようにし
    たことを特徴とする冷却装置。
  9. 【請求項9】 請求項4から請求項8のうちいずれか1
    項に記載の冷却装置であって、冷媒収集容器中の冷媒液
    面が、サイフォン管の出口より下に維持されていること
    を特徴とする冷却装置。
  10. 【請求項10】 請求項9に記載の冷却装置であって、
    サイフォン管の出口の直下にスロープを設けたことを特
    徴とする冷却装置。
  11. 【請求項11】 請求項1から請求項10のうちいずれ
    か1項に記載の冷却装置を備えた荷電粒子線露光装置。
  12. 【請求項12】 請求項11に記載の荷電粒子線露光装
    置を使用して、マスク又はレチクルに形成されたパター
    ンをウェハーに転写する工程を有してなる半導体装置の
    製造方法。
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