JP5746208B2 - 支持および位置決め構造体、半導体設備システムおよび位置決めのための方法 - Google Patents
支持および位置決め構造体、半導体設備システムおよび位置決めのための方法 Download PDFInfo
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Description
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]
テーブル上のターゲットを支持および位置決めするための支持および位置決め構造体を備えた荷電粒子システムであって、前記支持および位置決め構造体は、第一の部材と、第二の部材と、前記第二の部材に対して前記第一の部材を移動させる少なくとも一つのモーターを備えており、前記少なくとも一つのモーターによって発生される電磁場から少なくとも一本の荷電粒子ビームをシールドするシールドが存在しており、前記支持および位置決め構造体は、前記第一の部材と、前記第一の部材とテーブルとターゲットの重量を少なくとも部分的に支えるための前記第二の部材を機械的に結合しているスプリングをさらに備えている、荷電粒子システム。
[2]
前記シールドは第一のシールド部品と第二のシールド部品を備えており、前記第一の部材と前記第二の部材は、前記第一のシールド部品と前記第二のシールド部品の結合によって少なくとも部分的にシールドされており、前記第一および第二シールド部品は互いに向かって移動可能である、[1]に記載のシステム。
[3]
第一および第二シールド部品はおのおの、前記第一の部材の主表面に実質的に平行に延びている平面部と、前記平面部と異なる向きの側平面部を備えており、前記側部は重なっている、[2]に記載のシステム。
[4]
前記シールド部品の少なくとも一つは、平行に延びている第一および第二のプレートを備えており、もう一つのシールド部品の前記側部が、前記第一および前記第二のプレートの間に延びている、[1]、[2]または[3]に記載のシステム。
[5]
前記シールド部品の少なくとも一つは、断面図において、櫛構造体を構成するように複数のプレートを有している、[4]に記載のシステム。
[6]
前記シールド部品の両方が、指のように組まれた構造体を構成するように配列された複数のプレートを有している、[5]に記載のシステム。
[7]
前記指のように組まれた構造体は、前記第一および第二シールド部品の間の回転および並進移動を許すように含まれている、[6]に記載のシステム。
[8]
前記位置決めおよび支持構造体は、第一および隣接した第二の側面を備えており、それらは相互に90と180度の間の角度を有している、[1]、[2]または[3]に記載のシステム。
[9]
前記シールドは円形形状である、[1]、[2]または[3]に記載のシステム。
[10]
6自由度を提供するための複数のモーターが含まれている、[1]ないし[9]のいずれかによるシステム。
[11]
前記少なくとも一つのモーターはローレンツモーターである、[1]ないし[10]のいずれかによるシステム。
[12]
前記システムは制御雰囲気で作動される、[1]ないし[11]のいずれかによるシステム。
[13]
前記制御雰囲気は真空環境を備えている、[12]に記載のシステム。
[14]
前記システムは、測定システムおよびリソグラフィシステムの群から選ばれたシステムである、[1]ないし[13]のいずれかによるシステム。
[15]
前記システムは、ターゲット表面上への少なくとも一本の荷電粒子ビームの投影のためのカラムを有している、[1]ないし[14]のいずれかによるシステム。
[16]
前記構造体は、前記複数のモーターが相対的高パワーモードに切り替えられターゲットが積極的に位置決めされる作動状態と、前記少なくとも一つのモーターが低パワーモードにあるか切断された非作動状態が設けられている、[1]に記載のシステム。
[17]
前記非作動状態では、前記第一の部材は前記スプリングによって停止体に付勢される、[16]に記載のシステム。
[18]
前記スプリングは、非作動状態では作動状態よりも大きい有効長さを有している、[16]または[17]に記載のシステ。
[19]
前記第一の部材からの要素の除去を感知するための少なくとも一つのセンサーをさらに備えており、前記少なくとも一つのセンサーは、作動および非作動状態の間の移行をコントロールするコントロールユニットに結合されており、前記コントロールユニットは前記モーターのスイッチを切る、[16]、[17]または[18]に記載のシステム。
[20]
前記スプリングの最大長さを規定するスプリングホルダーをさらに備えている、[18]に記載のシステム。
[21]
前記非作動状態において前記第一の部材の位置をロックするためのロック構造体をさらに備えている、[16]ないし[20]のいずれかひとつに記載のシステム。
[22]
前記第一の部材は風袋重量を有しており、前記複数のモーターが前記第二の部材に対して前記第一の部材の位置を明示する間、前記スプリングは前記第一の部材の前記風袋重量を支えている、[16]ないし[20]のいずれかひとつに記載のシステム。
[23]
前記第一の部材に第一のシールド部品を前記第二の部材に第二のシールド部品を備えたシールドをさらに備えており、前記シールド部品のおのおのは前記部材の周囲に複数のプレートの櫛構造体を備えており、前記第一および前記第二のシールド部品の前記複数のプレートは相互に指のように組まれており、前記シールドは、前記非作動状態でシールドし続けるように設計されている、[18]に記載のシステム。
[24]
前記第一および第二シールド部品の前記複数のプレートは、前記スプリングの延びに平行な方向に相互の重なり長さを有しており、前記相互の重なり長さは、前記作動状態から前記非作動状態への移行下のスプリングの長さの増大よりも大きい、[23]に記載のシステム。
[25]
前記スプリングは、前記スプリングの中心軸に垂直な移動を許す前記位置決めおよび支持構造体に自由に移動可能に含まれた中空スプリングを備えている、[16]ないし[23]のいずれかひとつに記載のシステム。
[26]
[1]ないし[25]のいずれかひとつに記載の荷電粒子システムでの使用のための支持および位置決め構造体であって、第一の部材と第二の部材を備えており、第一の部材と第二の部材を機械的に結合しているスプリングと、第二の部材に対して第一の部材を移動させる複数の電磁モーターをさらに備えていており、前記構造体は、前記複数のモーターが相対的高パワーモードに切り替えられターゲットが積極的に位置決めされる作動状態と、前記少なくとも一つのモーターが低パワーモードにあるか切断された非作動状態が設けられている、支持および位置決め構造体。
[27]
半導体設備システムでの使用のための[1]ないし[26]のいずれかひとつに記載の荷電粒子システムであって、位置決めおよび支持構造体を備えており、前記位置決めおよび支持構造体は、第一の部材と、第二の部材と、前記第二の部材に対して前記第一の部材を移動させる少なくとも一つのモーターを備えており、前記少なくとも一つのモーターによって発生される電磁場から前記第一の部材の上方のカラムをシールドするシールドが存在しており、そのシールドは第一のシールド部品と第二のシールド部品を備えており、前記第一の部材は前記第一のシールド部品を備えており、前記第二部材が前記第二のシールド部品を備えており、前記第一および第二シールド部品は互いに向かって移動可能であり、前記支持構造体は、前記第一の部材と、前記第一の部材とチャックとテーブルとターゲットの重量を少なくとも部分的に支える前記第二の部材を機械的に結合しているスプリングをさらに備えている、荷電粒子システム。
[28]
荷電粒子システムにおいて要素を位置決めする方法であって、
第二の部材と少なくとも一つのモーターをさらに備えている支持および位置決め構造体の第一の部材に前記要素を機械的に結合するステップと、
前記第二の部材に対して前記第一の部材を位置決めするために前記少なくとも一つのモーターを作動するステップと、
前記モーター作動に起因する前記第二の部材に対する前記第一の部材の移動を可能にするための第一および第二のシールド部品を備えている分配シールドを使用して前記少なくとも一つのモーターによって発生される電磁場から前記第一の部材の上方の少なくとも一本の荷電粒子ビームをシールドするステップを備えている、方法。
[29]
前記方法は、前記支持および位置決め構造体を非作動状態にすることをさらに備えている、[28]の方法。
Claims (24)
- テーブル上のターゲット(24)を支持および位置決めするための支持および位置決め構造体(140)を備えた荷電粒子システムであって、前記支持および位置決め構造体は、
前記支持および位置決め構造体は、第一の部材(41)と、第二の部材(42)と、前記第二の部材に対して前記第一の部材を移動させる少なくとも一つのモーター(45)と、
前記第一の部材とテーブルとターゲットの重量を少なくとも部分的に支えるための前記第一の部材(41)と前記第二の部材(42)を機械的に結合しているスプリング(44)を備えており、
前記荷電粒子システムは、前記少なくとも一つのモーターによって発生される電磁場から少なくとも一本の荷電粒子ビームをシールドするために前記支持および位置決め構造体を取り囲むシールドを備えており、
前記シールド(43)は第一のシールド部品(43a)と第二のシールド部品(43b)を備えており、前記第一の部材(41)と前記第二の部材(42)は、前記第一のシールド部品(43a)と前記第二のシールド部品(43b)の結合によって少なくとも部分的にシールドされており、前記第一および第二のシールド部品は互いに向かって移動可能である、荷電粒子システム。 - 第一および第二のシールド部品はおのおの、前記第一の部材の主表面に実質的に平行に延びている平面部と、前記平面部と異なる向きの側部を備えており、前記側部は重なっている、請求項1に記載の荷電粒子システム。
- 前記第一および第二のシールド部品(43a,43b)の少なくとも一つは、平行に延びている第一および第二のプレートを備えており、もう一つのシールド部品の前記側部が、前記第一および第二のプレートの間に延びている、請求項2に記載の荷電粒子システム。
- 前記第一および第二のシールド部品(43a,43b)の少なくとも一つは、断面図において、櫛構造体を構成するように複数のプレートを有している、請求項3に記載の荷電粒子システム。
- 前記第一および第二のシールド部品(43a,43b)の両方が、指のように組まれた構造体を構成するように配列された複数のプレートを有している、請求項4に記載の荷電粒子システム。
- 前記指のように組まれた構造体は、前記第一および第二のシールド部品の間の回転および並進移動を許すように含まれている、請求項5に記載の荷電粒子システム。
- 前記位置決めおよび支持構造体は、第一および隣接した第二の側面を備えており、それらは相互に90と180度の間の角度を有している、請求項1または2に記載の荷電粒子システム。
- 前記第一および第二のシールド部品は円形形状をしており、前記第一および第二のシールド部品の前記側部の重なりが、前記第一および第二のシールド部品を同中心形態に配置することによって確立されている、請求項2に記載の荷電粒子システム。
- 前記少なくとも一つのモーターは、前記第二の部材に対する前記第一の部材の6自由度の位置決めを可能にする二つ以上のモーターを備えている、請求項1〜8のいずれかひとつに記載の荷電粒子システム。
- 前記少なくとも一つのモーターはローレンツモーターである、請求項1〜9のいずれかひとつに記載の荷電粒子システム。
- 前記荷電粒子システムは制御雰囲気で作動される、請求項1〜10のいずれかひとつに記載の荷電粒子システム。
- 前記制御雰囲気は真空環境を備えている、請求項11に記載の荷電粒子システム。
- 前記荷電粒子システムは、測定システムおよびリソグラフィシステムの群から選ばれたシステムであり、前記第一のシールド部品(43a)は前記第一のシールド部品(43b)に固定されており、前記第二のシールド部品(43b)は前記第二の部材(42)に固定されている、請求項1〜12のいずれかひとつに記載の荷電粒子システム。
- 前記荷電粒子システムは、ターゲット表面上への少なくとも一本の荷電粒子ビームの投影のためのカラムを有している、請求項1〜13のいずれかひとつに記載の荷電粒子システム。
- 前記支持および位置決め構造体は、前記少なくとも一つのモーターが相対的高パワーモードに切り替えられターゲットが積極的に位置決めされる作動状態と、前記少なくとも一つのモーターが低パワーモードにあるか切断された非作動状態が設けられている、請求項1に記載の荷電粒子システム。
- 前記非作動状態では、前記第一の部材(41)は前記スプリング(44)によって停止体(47)に付勢される、請求項15に記載の荷電粒子システム。
- 前記スプリング(44)は、非作動状態では作動状態よりも大きい有効長さを有している、請求項15または16に記載の荷電粒子システム。
- 前記第一の部材からの要素の除去を感知するための少なくとも一つのセンサーをさらに備えており、前記少なくとも一つのセンサーは、作動および非作動状態の間の移行をコントロールするコントロールユニットに結合されており、前記コントロールユニットは前記少なくとも一つのモーターのスイッチを切る、請求項15、16または17に記載の荷電粒子システム。
- 前記スプリングの最大長さを規定するスプリングホルダーをさらに備えている、請求項17に記載の荷電粒子システム。
- 前記非作動状態において前記第一の部材の位置をロックするためのロック構造体をさらに備えている、請求項15〜19のいずれかひとつに記載の荷電粒子システム。
- 前記第一の部材(41)は風袋重量を有しており、前記少なくとも一つのモーターが前記第二の部材(42)に対して前記第一の部材(41)の位置を明示する間、前記スプリング(44)は前記第一の部材の前記風袋重量を支えている、請求項15〜19のいずれかひとつに記載の荷電粒子システム。
- 請求項1〜21のいずれかひとつに記載の荷電粒子システムであって、前記支持および位置決め構造体の前記少なくとも一つのモーターは、第二の部材(42)に対して第一の部材(41)を移動させる複数の電磁モーター(45)を備えていており、前記支持および位置決め構造体(140)は、前記複数の電磁モーター(45)が相対的高パワーモードに切り替えられターゲットが積極的に位置決めされる作動状態と、前記複数の電磁モーターが低パワーモードにあるか切断された非作動状態が設けられている、支持および位置決め構造体。
- 荷電粒子システムにおいて要素を位置決めする方法であって、
第二の部材(42)と少なくとも一つのモーター(45)をさらに備えている支持および位置決め構造体(140)の第一の部材(41)に前記要素を機械的に結合するステップと、
前記第二の部材(42)に対して前記第一の部材(41)を位置決めするために前記少なくとも一つのモーター(45)を作動するステップと、
前記モーターの作動に起因する前記第二の部材に対する前記第一の部材の移動を可能にするための第一および第二のシールド部品を備えている分配シールド(43)を使用して前記少なくとも一つのモーター(45)によって発生される電磁場から前記第一の部材(41)の上方の少なくとも一本の荷電粒子ビームをシールドするステップを備えており、前記シールド(43)は、前記少なくとも一つのモーターによって発生される電磁場から少なくとも一本の荷電粒子ビームをシールドするために前記支持および位置決め構造体(140)を取り囲み、前記第一および第二のシールド部品は互いに向かって移動可能であり、
前記支持および位置決め構造体(140)は、前記第一の部材とテーブルとターゲットの重量を少なくとも部分的に支えるための前記第一の部材(41)と前記第二の部材(42)を機械的に結合しているスプリング(44)をさらに備えている、方法。 - 前記方法は、前記支持および位置決め構造体を非作動状態にすることをさらに備えている、請求項23に記載の方法。
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US4607167A (en) * | 1982-10-19 | 1986-08-19 | Varian Associates, Inc. | Charged particle beam lithography machine incorporating localized vacuum envelope |
US4560880A (en) * | 1983-09-19 | 1985-12-24 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for positioning a workpiece in a localized vacuum processing system |
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US6130517A (en) * | 1998-02-12 | 2000-10-10 | Nikon Corporation | Magnetic actuator producing large acceleration on fine stage and low RMS power gain |
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WO2000069241A1 (fr) * | 1999-05-06 | 2000-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Appareil de montage de composant et procede afferent |
WO2001022480A1 (fr) * | 1999-09-20 | 2001-03-29 | Nikon Corporation | Mecanisme a attelages paralleles, systeme d'exposition et procede de fabrication, et procede de fabrication de dispositifs |
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JP3720680B2 (ja) * | 2000-06-16 | 2005-11-30 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
US20030230729A1 (en) * | 2000-12-08 | 2003-12-18 | Novak W. Thomas | Positioning stage with stationary and movable magnet tracks |
JP2002217091A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
US6864601B2 (en) * | 2001-03-01 | 2005-03-08 | Nikon Corporation | Electric motors with reduced stray magnetic fields |
US7054414B2 (en) * | 2001-05-01 | 2006-05-30 | Interactive Technologies Inc. | Wireless phone-interface device |
JP2003022960A (ja) | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Canon Inc | ステージ装置及びその駆動方法 |
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JP2003243282A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US20030155882A1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-08-21 | Nikon Corporation | Anti-gravity mount with air and magnets |
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EP2302460A3 (en) * | 2002-10-25 | 2011-04-06 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system |
CN101414124B (zh) * | 2002-10-30 | 2012-03-07 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 电子束曝光系统 |
KR20050084304A (ko) * | 2002-12-16 | 2005-08-26 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 높은 위치 정밀도로 물체를 처리하는 장치 |
EP1602121B1 (en) * | 2003-03-10 | 2012-06-27 | Mapper Lithography Ip B.V. | Apparatus for generating a plurality of beamlets |
EP1457834A3 (en) * | 2003-03-14 | 2008-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Positioning apparatus, exposure apparatus and method for producing device |
DE602004005704T2 (de) * | 2003-05-28 | 2007-12-27 | Mapper Lithography Ip B.V. | Belichtungssystem unter Verwendung von Beamlets geladener Teilchen |
WO2005013027A1 (en) | 2003-08-04 | 2005-02-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lorentz motor control system for a payload |
WO2005047979A2 (en) | 2003-11-06 | 2005-05-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system |
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US7352149B2 (en) * | 2006-08-29 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Method for controlling the position of a movable object, a positioning system, and a lithographic apparatus |
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