JP2021133428A - 平面研削装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 10
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
Description
このような構成により、加工物の平面は、回転中心から外れて全面が回転移動することになる。よって、加工物の平面全体を高精度に研削加工することができる。また、ワークテーブルには、縦軸を中心として複数の加工物を略環状に配置することができる。よって、複数の基板を一工程で同時に研削することができ、加工時間を大幅に短縮して生産効率を向上させることができる。
図1は、本発明の実施形態に係る平面研削装置10の概略を示す正面図である。図2は、平面研削装置10の概略を示す平面図であり、粗研削工程の状態を示している。なお、以下の説明では、適宜、図1における上下方向をZ方向、左右方向をX方向と称する。
平面研削装置10の加工対象物である加工物Wは、例えば、SiC、GaN、サファイア、ダイヤモンド等の硬脆性材料からなる半導体基板であっても良い。平面研削装置10は、硬脆性材料からなる大面積で薄板状の加工物Wを高精度に効率良く加工することができる。
図4に示すように、平面研削装置110では、粗研削といし11と精研削といし20は、それぞれの回転軸が平面視で略直交するように設けられている。
図5に示すように、平面研削装置210は、回転しているワークテーブル41上の加工物Wの平面を研削する第3の研削といしとしての中研削といし30を有する。そして、平面研削装置210は、粗研削といし11、中研削といし30、精研削といし20の順で、加工物Wの平面を研削する。
図6に示すように、ワークテーブル41は、移動可能に設けられても良い。具体的には、平面研削装置310は、上面にワークテーブル41が載置される回転自在なインデックステーブル50を有する。
図7を参照して、ワークテーブル41は、移動可能に設けられ、粗研削加工と、中研削加工と、精研削加工と、がワークテーブル41の位置を変えて行われても良い。
図8に示すように、1つのコラム515に、2つの研削といし、例えば、粗研削といし11と、精研削といし20と、が設けられる構成を採用することも可能である。
11 粗研削といし
12 といし刃先
13 といし軸
14 カバー
15、515 コラム
16 モータ
20 精研削といし
21 といし刃先
22 といし軸
23 カバー
24 コラム
25 モータ
30 中研削といし
31 といし刃先
32 といし軸
33 カバー
34 コラム
35 モータ
40 本体
41 ワークテーブル
42 ツルーイングブロック
43 ドレッサ
44 定寸装置
50、450 インデックステーブル
51 スタンバイ位置
52 研削位置
53 粗研削位置
54 中研削位置
55 精研削位置
W 加工物
Claims (5)
- 吸着面に板状の加工物の底面を固定して前記吸着面に垂直な縦軸を中心として回転するワークテーブルと、
回転している前記ワークテーブル上の前記加工物の平面を第1の研削横軸を中心として回転しながら円周面で研削する第1の研削といしと、
回転している前記ワークテーブル上の前記加工物の平面を第2の研削横軸を中心として回転しながら円周面で研削する第2の研削といしと、を具備し、
前記第1の研削といしで前記加工物を研削した後に前記第2の研削といしで前記加工物を研削することを特徴とする平面研削装置。 - 前記ワークテーブルには、前記縦軸から逸れた位置に前記加工物が固定されることを特徴とする請求項1に記載の平面研削装置。
- 前記吸着面の中央側には、前記第1の研削といし及び前記第2の研削といしの少なくとも一方の研削面を調整する研削面調整工具が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の平面研削装置。
- 前記第1の研削といしを回転させる第1のモータと、
前記第2の研削といしを回転させる第2のモータと、
前記第1の研削といし及び前記第2の研削といしの送りを制御する制御装置と、
前記第1のモータ及び前記第2のモータの少なくとも一方の回転負荷を検出する回転負荷検出手段と、を具備し、
前記制御装置は、前記回転負荷検出手段によって検出される前記回転負荷に基づいて前記第1の研削といしまたは前記第2の研削といしの研削面の状態を検知することを特徴とする請求項1ないし請求項3の何れか1項に記載の平面研削装置。 - 回転している前記ワークテーブル上の前記加工物の平面を第3の研削横軸を中心として回転しながら円周面で研削する第3の研削といしと、を具備し、
前記第1の研削といしで前記加工物を研削した後、前記第3の研削といしで前記加工物を研削し、その後前記第2の研削といしで前記加工物を研削することを特徴とする請求項1ないし請求項4の何れか1項に記載の平面研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020028757A JP2021133428A (ja) | 2020-02-21 | 2020-02-21 | 平面研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020028757A JP2021133428A (ja) | 2020-02-21 | 2020-02-21 | 平面研削装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021133428A true JP2021133428A (ja) | 2021-09-13 |
Family
ID=77659714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020028757A Pending JP2021133428A (ja) | 2020-02-21 | 2020-02-21 | 平面研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2021133428A (ja) |
-
2020
- 2020-02-21 JP JP2020028757A patent/JP2021133428A/ja active Pending
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