CN109290941A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶片的加工方法，其能够抑制怠速运转后的第一片晶片的加工时的研磨速率与连续加工时的研磨速率的偏差。本发明的晶片的加工方法至少具备：驱动磨削研磨装置的研磨组件的怠速步骤(ST1)、以及在实施怠速步骤(ST1)后利用研磨垫对磨削研磨装置的卡盘工作台所保持的晶片进行研磨的磨削研磨步骤(ST2)。磨削研磨步骤(ST2)中的研磨条件设定了对第一片晶片进行研磨的初期加工时的旋转轴的倾角、以及对第二片及以后的晶片进行研磨的连续加工时的旋转轴的倾角这两种。初期加工时的旋转轴的倾角设定为以初期加工时的旋转轴的倾角对第一片晶片进行研磨时的研磨速率与以连续加工时的旋转轴的倾角对第二片及以后的晶片进行研磨时的研磨速率相同。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及对晶片进行加工的晶片的加工方法。
背景技术
对于在表面形成了半导体器件的由硅等构成的半导体晶片、或形成了光器件的由蓝宝石、SiC(碳化硅)等构成的光器件晶片等各种晶片，将背面侧用磨削磨具进行磨削使其薄化后(例如参见专利文献1)，对背面进行研磨。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-119123号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在对晶片的背面进行研磨的研磨装置中，对于以全自动方式连续加工得到的晶片与暂且中断加工进行怠速(idling)运转后加工成第一片的晶片，基于研磨的除去量的分布不同。例如，在研磨装置中，与连续加工时相比，在加工怠速运转后的第一片晶片时，存在中心部分的除去量(也称为研磨速率)减少、外周部的除去量增加的问题。据认为这种现象的一个原因在于，与连续加工时相比，在怠速运转后的第一片晶片的加工时所产生的热较少。
本发明的目的在于提供一种晶片的加工方法，其能够抑制怠速运转后的第一片晶片加工时的研磨速率与连续加工时的研磨速率的偏差。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题、实现目的，本发明的晶片的加工方法是使用研磨装置的晶片的加工方法，该研磨装置具备：卡盘工作台，其对晶片进行保持；研磨单元，其包含对该卡盘工作台所保持的该晶片进行研磨的研磨垫、安装该研磨垫的主轴、以及对该主轴进行旋转驱动的电动机；以及加工进给单元，其对该研磨单元进行加工进给，该加工方法的特征在于，其至少具备下述步骤：怠速步骤，驱动该研磨单元；以及研磨步骤，在实施该怠速步骤后，利用该研磨垫对该卡盘工作台所保持的晶片进行研磨，该研磨步骤中的研磨条件设定有对第一片晶片进行研磨的初期加工条件、以及对第二片及以后的晶片进行研磨的连续加工条件这两种，该初期加工条件设定为在该初期加工条件下对第一片晶片进行研磨时的研磨速率与在该连续加工条件下对第二片及以后的晶片进行研磨时的研磨速率相同。
在上述晶片的加工方法中，也可以是，该卡盘工作台至少具备：外周部比中心稍低的圆锥状的保持面；通过该保持面的中心的旋转轴；以及对该旋转轴的倾角进行调整的倾角调整单元，该初期加工条件中，将该旋转轴的倾角设定为：与该连续加工条件相比，加工点处的该研磨垫与该卡盘工作台所成的角度较大。
发明效果
本发明的晶片的加工方法发挥出了下述效果：能够抑制怠速运转后的第一片晶片加工时的研磨速率与连续加工时的研磨速率的偏差。
附图说明
图1是实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。
图2是在图1所示的晶片的表面粘贴有保护部件的状态的立体图。
图3是在实施方式1的晶片的加工方法中使用的磨削研磨装置的构成例的立体图。
图4是示出图3所示的磨削研磨装置的卡盘工作台和研磨组件等的侧视图。
图5是示出图3所示的磨削研磨装置的倾角调整机构的侧视图。
图6是对测定初期加工时和连续加工时的每单位时间的晶片除去量的测定点进行说明的俯视图。
图7是示出在图6所示的各测定点的初期加工时的每单位时间的除去量的测定结果的图。
图8是示出在图6所示的各测定点的连续加工时的每单位时间的除去量的测定结果的图。
图9是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。
图10是示出图9所示的晶片的加工方法的磨削研磨步骤的初期加工时的侧截面图。
图11是示出图9所示的晶片的加工方法的磨削研磨步骤的连续加工时的侧截面图。
图12是说明实施方式2的晶片的加工方法的初期加工时的旋转轴的倾角的图。
图13是实施方式1和实施方式2的变形例的晶片的加工方法中使用的研磨装置的构成例的立体图。
具体实施方式
参照附图对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不受以下的实施方式中记载的内容的限定。另外，以下记载的构成要素中包括本领域技术人员能够容易地想到的内容、实质上相同的内容。进而，以下记载的构成可以适宜地组合。另外，可以在不脱离本发明要点的范围内对构成进行各种省略、置换或变更。
[实施方式1]
基于附图对本发明的实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图1是实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。图2是在图1所示的晶片的表面粘贴有保护部件的状态的立体图。
实施方式1的晶片的加工方法为对图1所示的晶片200的背面201进行磨削和研磨的加工方法，该方法将晶片200薄化至规定的完工厚度。作为实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片200是以硅为母材的圆板状的半导体晶片或以蓝宝石、SiC(碳化硅)等为母材的光器件晶片。如图1所示，晶片200在由形成在表面202的格子状的分割预定线203划分出的多个区域中形成有器件204。对于晶片200，如图2所示，以在表面202粘贴有保护部件205的状态对背面201实施磨削等，薄化至规定的厚度后，对背面201实施研磨。保护部件205形成为与晶片200相同尺寸的圆板状，由具有可挠性的合成树脂构成。
在实施方式1的晶片的加工方法中，使用图3所示的作为研磨装置的磨削研磨装置1对晶片200的背面201进行磨削。图3是实施方式1的晶片的加工方法中使用的磨削研磨装置的构成例的立体图。图4是示出图3所示的磨削研磨装置的卡盘工作台和研磨组件等的侧视图。图5是示出图3所示的磨削研磨装置的倾角调整机构的侧视图。
如图3所示，磨削研磨装置1主要具备：装置主体2、第一磨削组件3、第二磨削组件4、作为研磨单元的研磨组件5、作为加工进给单元的加工进给组件12、设置在旋转工作台6上且对晶片200进行保持的例如4个卡盘工作台7、盒8、9、对位组件10、搬入组件11、清洗组件13、搬出搬入组件14、以及控制装置100。
第一磨削组件3用于对晶片200的背面201进行粗磨削，该粗磨削是通过一边供给磨削水一边利用电动机33使安装在主轴31的下端且具有磨削磨具的磨削磨轮32旋转、同时沿着铅垂方向Z对粗磨削位置102的卡盘工作台7所保持的晶片200的背面201进行按压而进行的。同样地，第二磨削组件4用于对晶片200的背面201进行精磨削，该精磨削是通过一边供给磨削水一边利用电动机43使安装在主轴41的下端且具有磨削磨具的磨削磨轮42旋转、同时沿着Z轴方向对位于精磨削位置103的卡盘工作台7所保持的粗磨削完毕的晶片200的背面201进行按压而进行的。需要说明的是，在实施方式1中，作为第一磨削组件3和第二磨削组件4的磨削磨轮32、42的旋转中心的轴心与卡盘工作台7的图4所示的旋转轴72在水平方向隔着间隔地配置。
如图4所示，研磨组件5包含研磨垫51、主轴52、以及图3所示的电动机53。研磨垫51对卡盘工作台7所保持的晶片200进行研磨，其安装在研磨工具54的圆盘状的支承基台55的下表面并且与晶片200对置的研磨面56平行于水平方向。主轴52安装有工具安装部件57，在该工具安装部件57的下端安装有研磨工具54的支承基台55，隔着支承基台55将研磨垫51安装在下端。电动机53对主轴52进行旋转驱动，使研磨垫51绕轴心58旋转。加工进给组件12使研磨组件5沿着铅垂方向Z朝向卡盘工作台7所保持的晶片200进行加工进给。研磨组件5一边使研磨工具54旋转、一边利用加工进给组件12沿着铅垂方向Z对利用位于研磨位置104的卡盘工作台7的保持面71进行保持的精磨削完毕的晶片200的背面201进行按压。研磨组件5用于对晶片200的背面201进行研磨，该研磨是通过使研磨工具54的研磨垫51沿Z轴方向对晶片200的背面201按压而进行的。
需要说明的是，在实施方式1中，研磨组件5的主轴52和作为研磨垫51的旋转中心的轴心58与铅垂方向Z平行地配置。研磨组件5的主轴52和作为研磨垫51的旋转中心的轴心58与卡盘工作台7的图4所示的旋转轴72在水平方向隔着间隔地配置。另外，在实施方式1中，研磨组件5在研磨时从加工液供给组件15选择性地供给研磨液和清洗液。加工液供给组件15经由加工液供给路径16与研磨组件5的上端部连结，向研磨组件5供给研磨液或清洗液。
旋转工作台6为设置于装置主体2的上表面的圆盘状的工作台，其设置成在水平面内可旋转，在规定的时机被旋转驱动。在该旋转工作台6上，例如4个卡盘工作台7以例如90度的相位角等间隔地配设。
如图4所示，卡盘工作台7具备：隔着保护部件205对晶片200的表面202侧进行保持的保持面71、通过保持面71的中心711的在图4中由单点划线表示的旋转轴72、以及图5所示的作为倾角调整单元的倾角调整机构73。卡盘工作台7为在保持面71具备真空卡盘的卡盘工作台结构，其对载置于保持面71的晶片200进行真空吸附并保持。
如图4所示，保持面71形成为外周部712比中心711稍低的圆锥状。即，保持面71形成为以中心711作为顶点的圆锥面，形成为具有从中心711朝向外周部712下降的倾斜的斜面。卡盘工作台7使加工对象的晶片200仿形于保持面71的圆锥面而进行保持。需要说明的是，图4夸张示出了保持面71的圆锥面的倾斜，但保持面71的圆锥面的倾斜实际上为肉眼无法识别的程度的轻微倾斜。
旋转轴72是卡盘工作台7的旋转中心。旋转轴72相对于铅垂方向Z稍微倾斜地配置。因此，如图4所示，保持面71的圆锥面的一部分713沿水平方向配置。需要说明的是，保持面71的圆锥面的沿着水平方向的一部分713、以及研磨面56的与一部分713在铅垂方向Z对置的一部分561为研磨垫51研磨晶片200的背面201的加工点。需要说明的是，图4中夸张地示出了旋转轴72相对于铅垂方向Z的倾角θ，但该倾角θ实际上为肉眼无法识别的程度的微小角度。
倾角调整机构73被安装于各卡盘工作台7。倾角调整机构73用于变更(调整)旋转轴72相对于铅垂方向Z的倾角θ。如图5所示，倾角调整机构73具备支承台74、以及与支承台74连结的位置调整组件75。支承台74具备：形成为圆筒状的支承筒部741，其借助未图示的轴承将卡盘工作台7支承为可自由旋转；以及凸缘部742，其从支承筒部741进行扩径。倾角调整机构73通过调整凸缘部742的倾角来调整旋转轴72的倾角θ。
图5所示的位置调整组件75沿着凸缘部742的圆弧等间隔地设置2个以上。在实施方式1中，倾角调整机构73以120度间隔配置有2个位置调整组件75、以及固定凸缘部742的未图示的固定部，在本发明中，也可以配置3个以上位置调整组件75。
如图5所示，位置调整组件75具备：固定于旋转工作台6的筒部751、贯通筒部751的轴752、与轴752的下端连结的驱动部753、以及在轴752的上端固定于凸缘部742的固定部754。驱动部753具备使轴752旋转的电动机755、以及减弱轴752的旋转速度并固定于旋转工作台6的减速机756。
固定部754与形成于轴752的上端部的未图示的外螺纹螺合。在位置调整组件75中，电动机755藉由减速机756使轴752绕着轴心旋转，从而调整旋转轴72的倾角θ。另外，在旋转工作台6安装有使卡盘工作台7以旋转轴72为中心旋转的电动机76。
卡盘工作台7在磨削时和研磨时利用电动机76以旋转轴72为中心进行旋转驱动。这样的卡盘工作台7通过旋转工作台6的旋转依次移动到搬入搬出位置101、粗磨削位置102、精磨削位置103、研磨位置104、搬入搬出位置101。
盒8、9为用于容纳具有多个槽的晶片200的容纳器。一个盒8容纳磨削研磨前的在表面202上粘贴有保护部件205的晶片200，另一个盒9容纳磨削研磨后的晶片200。另外，对位组件10是用于临时放置从盒8中取出的晶片200并进行其中心对位的工作台。
搬入组件11具有吸附垫，其对利用对位组件10进行了对位的磨削研磨前的晶片200进行吸附保持并将其搬入到位于搬入搬出位置101的卡盘工作台7上。搬入组件11对位于搬入搬出位置101的卡盘工作台7上所保持的磨削研磨后的晶片200进行吸附保持并将其搬出到清洗组件13中。
搬出搬入组件14为例如具备U型手141的机器人拾取器，通过U型手141吸附保持并搬运晶片200。具体地说，搬出搬入组件14将磨削研磨前的晶片200从盒8搬出到对位组件10，并且将磨削研磨后的晶片200从清洗组件13搬入到盒9中。清洗组件13对磨削研磨后的晶片200进行清洗，除去附着于磨削和研磨后的加工面的磨削屑和研磨屑等污染物。
控制装置100分别控制构成磨削研磨装置1的上述各构成要素。即，控制装置100使磨削研磨装置1执行对于晶片200的磨削研磨动作。控制装置100为能够执行计算机程序的计算机。控制装置100具有：运算处理装置，其具有CPU(中央处理器，central processingunit)之类的微处理器；存储装置，其具有ROM(只读存储器，read only memory)或RAM(随机存取存储器，random access memory)之类的存储器；以及输入输出接口装置。控制装置100的CPU在RAM上执行存储在ROM中的计算机程序，生成用于控制磨削研磨装置1的控制信号。控制装置100的CPU借助输入输出接口装置将所生成的控制信号输出到磨削研磨装置1的各构成要素。另外，控制装置100与未图示的显示组件、输入组件连接，该显示组件由对加工动作的状态或图像等进行显示的液晶显示装置等构成，该输入组件在操作者登记加工内容信息等时使用。输入组件由设置于显示组件的触控面板和键盘等中的至少一者构成。
控制装置100存储有下述表1所示的研磨条件。表1所示的研磨条件设定了下述两种条件：作为初期加工条件的在初期加工时的研磨位置104的旋转轴72的倾角θ1、以及作为连续加工条件的在连续加工条件时的研磨位置104的旋转轴72的倾角θ2。
[表1]
旋转轴的倾角(θ)
初期加工条件 θ1
连续加工条件 θ2
控制装置100在磨削研磨装置1的启动(从加工的一次中断等未进行晶片200的磨削研磨的状态开始进行磨削研磨加工)时实施怠速运转(暖机运转)。控制装置100在怠速运转时不进行晶片200的磨削研磨，而实施下述的空运转：使卡盘工作台7以与磨削研磨加工时相同的旋转速度进行旋转，一边供给调节至规定温度的磨削水一边使磨削组件3、4的磨削磨轮32、42以与磨削加工时相同的旋转速度进行旋转，并且使研磨组件5的研磨工具54以与研磨加工时相同的旋转速度进行旋转。怠速运转是用于进行下述准备的运转，该准备是为了将磨削研磨装置1的各部位调整为与进行晶片200的磨削研磨时同样的温度而能够以规定的精度实施磨削研磨。控制装置100在实施了规定时间(例如30分钟)的怠速运转后，实施实际的晶片200的磨削研磨。
表1所示的初期加工是对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨的加工。初期加工时的旋转轴72的倾角θ1是对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨时的旋转轴72的倾角θ，其是用于以规定的精度形成晶片200的倾角θ。即，初期加工时的旋转轴72的倾角θ1是用于将怠速运转后的第一片晶片200的厚度的偏差等抑制在规定的精度以下的倾角θ。
表1所示的连续加工是对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨的加工。连续加工时的旋转轴72的倾角θ2是对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨时的旋转轴72的倾角θ，其是用于以规定的精度形成晶片200的倾角θ。即，连续加工时的旋转轴72的倾角θ2是用于将怠速运转后的第二片及以后的晶片200的厚度的偏差等抑制在规定的精度以下的倾角θ。
这样，表1所示的本发明的晶片的加工方法的研磨条件设定了对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨的初期加工条件、以及对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨的连续加工条件这两种。
初期加工时的旋转轴72的倾角θ1小于连续加工时的旋转轴72的倾角θ2，例如如下进行设定。图6是对测定初期加工时和连续加工时的每单位时间的晶片除去量的测定点进行说明的俯视图。图7示出在图6所示的各测定点的初期加工时的每单位时间的除去量的测定结果的图。图8是示出在图6所示的各测定点的连续加工时的每单位时间的除去量的测定结果的图。
需要说明的是，每单位时间的除去量表示每单位时间减少(薄化)的晶片200的厚度。图6所示的测定点中的测定点“1”和“9”配置在晶片200的外缘部，测定点“5”配置在晶片200的中心。图6所示的测定点中，从测定点“5”朝向测定点“1”等间隔地配置测定点“4”、“3”和“2”，从测定点“5”朝向测定点“9”等间隔地配置测定点“6”、“7”和“8”。另外，图7示出了使旋转轴72的倾角θ为表1所示的初期加工条件的旋转轴72的倾角θ1时的初期加工时的各测定点的每单位时间的除去量，图8示出了使旋转轴72的倾角θ为表1所示的连续加工条件的旋转轴72的倾角θ2时的连续加工时的各测定点的每单位时间的除去量。
根据图7和图8，初期加工时的测定点“5”的每单位时间的除去量少于连续加工时的测定点“5”的每单位时间的除去量。因此，为了使初期加工时的测定点“5”的每单位时间的除去量接近连续加工时的测定点“5”的每单位时间的除去量，有必要使初期加工时的测定点“5”与研磨垫51接触的压力高于连续加工时的测定点“5”与研磨垫51接触的压力，有必要使初期加工时的倾角θ1小于连续加工时的倾角θ2。需要说明的是，测定点“5”即晶片200的中心的每单位时间的除去量相当于技术方案1中记载的研磨速率。
这样，表1所示的本发明的晶片的加工方法的研磨条件的初期加工条件设定为在初期加工条件下对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨时的研磨速率与在连续加工条件下对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨时的研磨速率相同。即，设定为在初期加工条件下对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨时的研磨速率与在连续加工条件下对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨时的研磨速率相同是指图7所示的测定点“5”的除去量接近图8所示的测定点“5”的除去量。设定为在初期加工条件下对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨时的研磨速率与在连续加工条件下对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨时的研磨速率相同并不限于在初期加工条件对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨时的各测定点的除去量与在连续加工条件下对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨时的各测定点的除去量完全一致。
接下来，对实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图9是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。图10是示出图9所示的晶片的加工方法的磨削研磨步骤的初期加工时的侧截面图。图11是示出图9所示的晶片的加工方法的磨削研磨步骤的连续加工时的侧截面图。
实施方式1的晶片的加工方法(以下简记为加工方法)是磨削研磨装置1对晶片200依次实施粗磨削、精磨削以及研磨的方法。如图9所示，加工方法至少具备怠速步骤ST1、以及作为研磨步骤的磨削研磨步骤ST2。在加工方法中，操作者在装置主体2中安装容纳有磨削研磨前的在表面202粘贴有保护部件205的晶片200的盒8、以及未容纳晶片200的盒9。在加工方法中，操作者将加工信息登记在控制装置100中，在操作者对磨削研磨装置1输入加工动作的开始指示时，依次实施怠速步骤ST1、以及磨削研磨步骤ST2。
怠速步骤ST1是实施规定时间的研磨组件5等的驱动(空运转)、即怠速运转的步骤。在怠速步骤ST1中，控制装置100对磨削研磨装置1的各构成要素进行规定时间的怠速运转。在各构成要素怠速运转规定时间时，加工方法进入到磨削研磨步骤ST2。
磨削研磨步骤ST2是在实施怠速步骤ST1之后利用研磨垫51对卡盘工作台7所保持的晶片200进行研磨的步骤。在磨削研磨步骤ST2中，磨削研磨装置1的控制装置100利用搬出搬入组件14将晶片200从盒8中取出，搬出到对位组件10中，利用对位组件10进行晶片200的中心对位，利用搬入组件11将进行了对位的晶片200的表面202侧搬入到位于搬入搬出位置101的卡盘工作台7上。
在磨削研磨步骤ST2中，磨削研磨装置1的控制装置100隔着保护部件205将晶片200的表面202侧保持于卡盘工作台7，使背面201露出，利用旋转工作台6将晶片200依次搬运到粗磨削位置102、精磨削位置103、研磨位置104和搬入搬出位置101，依次实施租磨削、精磨削、研磨，将晶片200的背面201高精度地平坦化。需要说明的是，在磨削研磨步骤ST2中，在磨削研磨装置1中，旋转工作台6每旋转90度，则磨削研磨前的晶片200被搬入到搬入搬出位置101的卡盘工作台7。
控制装置100将磨削研磨步骤ST2中的研磨条件设定为表1所示的研磨条件。即，磨削研磨步骤ST2中的研磨条件设定了对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨的初期加工条件即初期加工时的旋转轴72的倾角θ1、以及对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨的连续加工条件即连续加工时的旋转轴72的倾角θ2这两种。另外，由于初期加工时的旋转轴72的倾角θ1按上述进行设定，因而作为初期加工条件的初期加工时的旋转轴72的倾角θ1设定为以初期加工时的旋转轴72的倾角θ1对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨时的研磨速率与以连续加工时的旋转轴72的倾角θ2对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨时的研磨速率相同。
在磨削研磨步骤ST2中，控制装置100对用于调整研磨位置104的卡盘工作台7的旋转轴72的倾角θ的倾角调整机构73进行控制，在对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨时，如图10所示，将研磨位置104的卡盘工作台7的旋转轴72的倾角θ调整为倾角θ1来实施研磨。在磨削研磨步骤ST2中，控制装置100对用于调整研磨位置104的卡盘工作台7的旋转轴72的倾角θ的倾角调整机构73进行控制，在对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨时，如图11所示，将研磨位置104的卡盘工作台7的旋转轴72的倾角θ调整为倾角θ2来实施研磨。
这样，在磨削研磨步骤ST2中，控制装置100使得在实施怠速步骤ST1后的磨削研磨步骤ST2中对第一片晶片200进行研磨时的倾角θ1小于对第二片及以后的晶片200进行研磨时的倾角θ2。这样，初期加工条件中，将旋转轴72的倾角θ1设定为：与图11所示的连续加工条件相比，在作为研磨垫51的研磨面56的加工点的一部分561与保持面71的一部分713，图10所示的研磨垫51与卡盘工作台7所成的角度θ3较大。需要说明的是，图10和图11与图4同样地夸张示出了保持面71的圆锥面的倾斜、倾角θ1、θ2和角度θ3，但它们实际上为肉眼无法识别的程度的微小的倾斜、倾角和角度。
磨削研磨装置1将利用研磨组件5研磨后的晶片200定位在搬入搬出位置101，利用搬入组件11搬入到清洗组件13，利用清洗组件13进行清洗，将清洗后的晶片200利用搬出搬入组件14搬入到盒9中。磨削研磨装置1对盒8内的全部晶片200实施磨削研磨时，加工方法结束。
如上所述，在实施方式1的加工方法中，初期加工时的旋转轴72的倾角θ1设定为以初期加工时的旋转轴72的倾角θ1对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨时的研磨速率与以连续加工时的旋转轴72的倾角θ2对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨时的研磨速率相同，因而能够抑制怠速运转后的第一片晶片200的研磨速率与第二片及以后的晶片200的研磨速率之差。其结果，实施方式1的加工方法发挥出了下述效果：能够抑制怠速运转后的第一片晶片200的加工时的研磨速率与连续加工时的研磨速率的偏差。
另外，在实施方式1的加工方法中，初期加工时的旋转轴72的倾角θ1设定为与连续加工条件相比，在作为研磨垫51的研磨面56的加工点的一部分561与保持面71的一部分713，研磨垫51与卡盘工作台7所成的角度θ3较大，因而能够抑制怠速运转后的第一片晶片200的研磨速率与第二片及以后的晶片200的研磨速率之差。
[实施方式2]
基于附图对本发明的实施方式2的晶片的加工方法进行说明。图12是对实施方式2的晶片的加工方法的初期加工时的旋转轴的倾角进行说明的图。
在实施方式2的晶片的加工方法(以下简记为加工方法)中，控制装置100预先存储有图12所示的前一次的加工后的待机时间和初期加工时的旋转轴72的倾角θ1的关系300，根据前一次的加工后的待机时间变更在实施怠速步骤ST1后的磨削研磨步骤ST2中对第一片晶片200进行研磨时的倾角θ1。在实施方式2的加工方法中，随着前一次的加工后的待机时间延长，在实施怠速步骤ST1后的磨削研磨步骤ST2中对第一片晶片200进行研磨时的倾角θ1减小。需要说明的是，前一次的加工可以是前一次的加工开始时，也可以是前一次的加工结束时。另外，待机时间是指维持待机状态的时间，待机状态是指未进行加工的全部状态(包括怠速运转的状态以及怠速运转停止的状态这两者)。
如上所述，在实施方式2的加工方法中，与实施方式1同样地，初期加工时的旋转轴72的倾角θ1设定为以初期加工时的旋转轴72的倾角θ1对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨时的研磨速率与以连续加工时的旋转轴72的倾角θ2对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨时的研磨速率相同，因而能够抑制怠速运转后的第一片晶片200的研磨速率与第二片及以后的晶片200的研磨速率之差。其结果，实施方式2的加工方法发挥出了下述效果：能够抑制怠速运转后的第一片晶片200的加工时的研磨速率与连续加工时的研磨速率的偏差。
另外，在实施方式2的加工方法中，随着前一次的加工后的待机时间延长，在实施怠速步骤ST1后的磨削研磨步骤ST2中对第一片晶片200进行研磨时的倾角θ1减小，因而能够抑制怠速运转后的第一片晶片200的研磨速率与第二片及以后的晶片200的研磨速率之差。
[变形例]
基于附图对本发明的实施方式1和实施方式2的变形例的晶片的加工方法进行说明。图13是实施方式1和实施方式2的变形例的晶片的加工方法中使用的研磨装置的构成例的立体图。需要说明的是，图13中，对于与实施方式1相同的部分附以相同符号，并省略说明。
实施方式1和实施方式2的变形例的晶片的加工方法(以下简记为加工方法)使用图13所示的研磨装置。图13所示的研磨装置1-1不具备第一磨削组件3和第二磨削组件4，而仅具备研磨组件5，除了这一点以外，与磨削研磨装置1的构成是等同的。
在变形例的加工方法中，与实施方式1同样地，初期加工时的旋转轴72的倾角θ1设定为以初期加工时的旋转轴72的倾角θ1对怠速运转后的第一片晶片200进行研磨时的研磨速率与以连续加工时的旋转轴72的倾角θ2对怠速运转后的第二片及以后的晶片200进行研磨时的研磨速率相同，因而能够抑制怠速运转后的第一片晶片200的研磨速率与第二片及以后的晶片200的研磨速率之差。其结果，变形例的加工方法发挥出了下述效果：能够抑制怠速运转后的第一片晶片200的加工时的研磨速率与连续加工时的研磨速率的偏差。
需要说明的是，根据上述实施方式1的加工方法，可得到以下的研磨装置。
(附录1)
一种研磨装置，其具备：
卡盘工作台，其对晶片进行保持；
研磨单元，其包含对该卡盘工作台所保持的该晶片进行研磨的研磨垫、安装该研磨垫的主轴、以及旋转驱动该主轴的电动机；
加工进给单元，其对该研磨单元进行加工进给；以及
控制装置，对各构成要素进行控制，
该研磨装置的特征在于，
该卡盘工作台具备倾角调整单元，其用于对通过保持该晶片的保持面的中心的旋转轴的倾角进行调整，
该控制装置使得在实施驱动研磨单元的怠速步骤后，在利用该研磨垫对该卡盘工作台所保持的晶片进行研磨的研磨步骤中的对第一片晶片进行研磨时的该旋转轴相对于铅垂方向的倾角小于对第二片及以后的晶片进行研磨时的该旋转轴相对于铅垂方向的倾角。
在上述研磨装置中，与实施方式1的加工方法同样地，将初期加工条件设定为在初期加工条件下对怠速运转后的第一片晶片进行研磨时的研磨速率与在连续加工条件下对怠速运转后的第二片及以后的晶片进行研磨时的研磨速率相同，因而能够抑制怠速运转后的第一片晶片的研磨速率与第二片及以后的晶片的研磨速率之差。其结果，上述研磨装置发挥出了下述效果：能够抑制怠速运转后的第一片晶片的加工时的研磨速率与连续加工时的研磨速率的偏差。
需要说明的是，本发明并不限于上述实施方式和变形例。即，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形来实施。
符号说明
1 磨削研磨装置(研磨装置)
1-1 研磨装置
7 卡盘工作台
5 研磨组件(研磨单元)
12 加工进给组件(加工进给单元)
51 研磨垫
52 主轴
53 电动机
561 一部分(加工点)
71 保持面
72 旋转轴
73 倾角调整机构(倾角调整单元)
711 中心
712 外周部
713 一部分(加工点)
200 晶片
θ 旋转轴的倾角
θ1 初期加工时的旋转轴的倾角(初期加工条件)
θ2 连续加工时的旋转轴的倾角(连续加工条件)
θ3 角度
ST1 怠速步骤
ST2 磨削研磨步骤(研磨步骤)

Claims (2)

1.一种晶片的加工方法，其是使用研磨装置的晶片的加工方法，该研磨装置具备：
卡盘工作台，其对晶片进行保持；
研磨单元，其包含对该卡盘工作台所保持的该晶片进行研磨的研磨垫、安装该研磨垫的主轴、以及旋转驱动该主轴的电动机；以及
加工进给单元，其对该研磨单元进行加工进给，
该加工方法的特征在于，其至少具备下述步骤：
怠速步骤，其驱动该研磨单元；以及
研磨步骤，在实施该怠速步骤后，利用该研磨垫对卡盘工作台所保持的晶片进行研磨，
该研磨步骤中的研磨条件设定有对第一片晶片进行研磨的初期加工条件、以及对第二片及以后的晶片进行研磨的连续加工条件这两种，
该初期加工条件设定为在该初期加工条件下对第一片晶片进行研磨时的研磨速率与在该连续加工条件下对第二片及以后的晶片进行研磨时的研磨速率相同。
2.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
该卡盘工作台至少具备：
外周部比中心稍低的圆锥状的保持面；
通过该保持面的中心的旋转轴；以及
对该旋转轴的倾角进行调整的倾角调整单元，
该初期加工条件中，将该旋转轴的倾角设定为：与该连续加工条件相比，加工点处的该研磨垫与该卡盘工作台所成的角度较大。
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