JP4901428B2 - ウエーハの砥石工具、研削加工方法および研削加工装置 - Google Patents

ウエーハの砥石工具、研削加工方法および研削加工装置 Download PDF

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Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを裏面研削して薄化する技術に係り、特に、表面にデバイスが形成されている領域に対応する領域のみを研削してウエーハの裏面に凹部を形成するためのウエーハの砥石工具、研削加工方法および研削加工装置であって、直径の異なる2種類のウエーハを研削加工対象とした場合の技術に関する。
各種電子機器に用いられるデバイスの半導体チップは、一般に、円盤状の半導体ウエーハの表面に、ストリートと呼ばれる分割予定ラインで格子状の矩形領域を区画し、これら領域の表面に電子回路を形成してから、裏面を研削して薄化し、ストリートに沿って分割するといった方法で製造される。ところで、近年の電子機器の小型化・薄型化は顕著であり、これに伴って半導体チップもより薄いものが求められ、これは半導体ウエーハを従来よりも薄くする必要が生じるということになる。
ところが、半導体ウエーハを薄くすると剛性が低下するため、その後の工程での取扱いが困難になったり、割れやすくなったりする問題が生じる。そこで、裏面研削の際に、表面に半導体チップが形成された円形のデバイス形成領域に対応する部分のみを必要厚さに研削して薄化すると同時に、その周囲の環状の外周余剰領域を比較的肉厚の補強部として残すことにより、薄化による上記問題が生じないようにすることが行われている。このように外周部を肉厚として裏面に凹部を形成する技術は、例えば特許文献1,2等に開示されている。
特開2004−281551公報 特開2005−123425公報
ウエーハ裏面に凹部を形成するには、回転可能なチャックテーブル上に、裏面を露出させた状態でウエーハを吸着させて保持し、ウエーハを回転させながら、砥石が環状に形成されたカップ状の砥石工具を被加工面に押し付ける方法がある。この方法では、砥石の直径は半導体ウエーハの半径に略等しい(形成する凹部の直径の半径に等しい)ものが用いられ、刃先がウエーハの回転中心を通過し、かつ刃先の外周縁が凹部の外周縁を通過するようにウエーハに対向させることにより、外周部を残してデバイス形成領域に対応する部分のみが研削されるようになされている。
ところで、半導体ウエーハのサイズすなわち直径は、300mm、200mm、150mmといったように様々であり、製造する半導体チップの種類などによって使い分けられている。したがって、上記のように半導体ウエーハの半径に略等しい環状の砥石を備えた砥石工具で凹部を形成するには、ウエーハの直径に応じた砥石工具を用意し、直径の異なる半導体ウエーハを加工するたびに砥石工具を付け替えることになる。
しかしながら、砥石工具の交換作業には相応の熟練技術を要し、そもそも交換のための時間がかかるため生産効率の低下を招くことになる。また、砥石のウエーハ押圧面全体を平坦化させるツルーイングや、刃先をフレッシュにして研削能力を向上させるドレッシング(いわゆる目立て)といった刃先を意図的に消耗させる作業が砥石に対して必要であるから、砥石寿命が短くなるといった物的ロスも生じることになる。
よって本発明は、直径の異なる少なくとも2種類のウエーハの裏面に凹部を形成する研削加工を、砥石工具を交換することなく1つの砥石工具で可能とし、結果として砥石寿命および生産効率の向上を図ることができるウエーハのウエーハの砥石工具、研削加工方法および研削加工方法を提供することを目的としている。
本発明のウエーハの砥石工具は、複数のデバイスが表面に形成されたデバイス形成領域を有するとともに、該デバイス形成領域の周囲に外周余剰領域を有する円盤状のウエーハのデバイス形成領域に対応する裏面領域のみを研削して、該裏面に略円形の凹部を形成するために用いられる砥石工具であって、研削加工対象のウエーハは、直径の異なる大径ウエーハおよび小径ウエーハの2種類とされるものであり、回転軸に固定され、その状態で、回転可能に保持されるウエーハの被加工面に対して略平行に対向配置される砥石形成面を有する基台と、該基台の砥石形成面に、基台の回転中心と同心状に形成され、一定幅の刃先を有する外径の異なる2つの環状の砥石とを備えており、2つの砥石のうちの大径側の砥石は、刃先が大径ウエーハの回転中心を通過し、かつ刃先の外周縁が形成すべき凹部の外周縁を通過する外径を有し、小径側の砥石は、刃先が小径ウエーハの回転中心を通過する外径を有していることを特徴としている。
本発明の砥石工具は、2つの環状の砥石を有しており、これら砥石が、上記のように、大径側の砥石の刃先が大径ウエーハの回転中心を通過し、かつ刃先の外周縁が上記凹部の外周縁を通過する外径を有し、小径側の砥石の刃先が小径ウエーハの回転中心を通過する外径を有するという条件を満たすには、次の寸法設定で可能とされる。すなわち、大径側の砥石の外径は、大径ウエーハに形成する凹部の半径に等しく、小径側の砥石の外径は、小径ウエーハの直径から大径側の砥石の外径を減じた寸法に等しい。
本発明の砥石工具によれば、回転軸とともに回転させながら、回転させたウエーハの裏面に砥石を押圧することにより凹部を形成することができるが、そのためには、ウエーハが大径ウエーハの場合には、大径側の砥石の刃先が大径ウエーハの回転中心を通過し、かつ刃先の外周縁が形成すべき凹部の外周縁を通過する位置に位置決めして、両方の砥石を裏面に押圧する。これによって凹部の半径分の領域が大径側の砥石でカバーされるので、大径ウエーハが回転した状態で、凹部全域を大径側の砥石で研削して形成することができる。
一方、ウエーハが小径ウエーハの場合には、小径側の砥石の刃先が小径ウエーハの回転中心を通過し、大径側砥石の刃先の外周縁が形成すべき凹部の外周縁を通過する位置に位置決めして、両方の砥石を裏面に押圧する。この場合、凹部の半径分の領域は、小径ウエーハの回転中心を通過する小径側の砥石の全域と、凹部の外周縁を通過する大径側の砥石によりカバーされる。なお、大径側の砥石の直径は凹部の半径よりも大きいから、小径ウエーハの回転中心を挟んで凹部の外周縁通過位置とは反対側に、余剰部分がはみ出ることになるが、凹部内に存在して裏面研削するから支障はない。この状態で小径ウエーハが回転することにより、凹部全域を大径側の砥石と小径側の砥石の組み合わせによって形成することができる。
以上のようにして大径ウエーハおよび小径ウエーハに対して大径側および小径側の砥石の対向する位置を適切に設定して、砥石工具およびウエーハを回転させることにより、それぞれのウエーハの裏面に凹部を適確に形成することができる。本発明の砥石工具によれば、該砥石工具1つで、直径の異なる2種類のウエーハの裏面にデバイス形成領域に対応した凹部を形成することができる。このため、各ウエーハに応じた直径を有する2つの砥石工具を用意して交換するといった手間が省かれるとともに、ツルーイングやドレッシング等のメンテナンスの頻度を少なくすることができる。これらの結果、砥石寿命および生産効率の向上を図ることができる。
本発明の砥石工具の好適な使用方法のポイントは上記の通りであり、該方法が本発明のウエーハの研削加工方法とされる。すなわちその方法は、複数のデバイスが表面に形成されたデバイス形成領域を有するとともに、該デバイス形成領域の周囲に外周余剰領域を有する円盤状のウエーハのデバイス形成領域に対応する裏面領域のみを研削して、該裏面に略円形の凹部を形成する研削加工方法であって、研削加工対象のウエーハは、直径の異なる大径ウエーハおよび小径ウエーハの2種類とされるものであり、研削加工するウエーハを回転可能な保持手段に保持するとともに、該保持手段に対向配置された研削手段の回転軸に、請求項1または2に記載の砥石工具を、該砥石工具の砥石形成面がウエーハの被加工面に対して略平行になる状態に固定し、回転軸を回転させることによって砥石工具を回転させながら、該砥石工具の大径側砥石および小径側砥石を、ウエーハの被加工面に押圧して研削して凹部を形成するにあたり、研削手段を、ウエーハの回転中心を通過する軸間方向に適宜移動させることによって、大径ウエーハに凹部を形成する場合には、大径側砥石の刃先が該大径ウエーハの回転中心を通過し、かつ刃先の外周縁が形成すべき凹部の外周縁を通過する位置に配し、小径ウエーハに凹部を形成する場合には、小径側砥石の刃先を、該小径ウエーハの回転中心を通過する位置に配することを特徴とする。
また、本発明のウエーハの研削加工装置は、上記本発明のウエーハの研削加工方法を好適に実施し得る装置であり、該装置は以下の通りである。すなわち、複数のデバイスが表面に形成されたデバイス形成領域を有するとともに、該デバイス形成領域の周囲に外周余剰領域を有する円盤状のウエーハのデバイス形成領域に対応する裏面領域のみを研削して、該裏面に略円形の凹部を形成する研削加工装置であって、研削加工対象のウエーハは、少なくとも直径の異なる大径ウエーハおよび小径ウエーハの2種類とされるものであり、大径ウエーハまたは小径ウエーハを、被加工面である裏面を露出させた状態で保持する保持面を有する回転可能な保持手段と、該保持手段の保持面に直交する方向に延びる回転軸および該回転軸を回転させる回転駆動源を備え、保持面に直交する送り方向、および保持面と平行でウエーハの回転中心を通過する軸間方向に移動可能に設けられた研削手段と、該研削手段を送り方向に移動させてウエーハに対し接近・離間させる送り方向駆動手段と、該研削手段を軸間方向に移動させる軸間方向駆動手段と、該研削手段の回転軸に固定され、保持手段に保持されたウエーハの被加工面に対して略平行な加工面を有し、研削手段が送り方向駆動手段によってウエーハに接近させられることにより、該ウエーハの加工面に押圧される砥石を有する砥石工具とを具備し、該砥石工具として、請求項1または2に記載の砥石工具が用いられることを特徴とする。
本発明によれば、直径の異なる少なくとも2種類のウエーハの裏面に凹部を形成する研削加工を、砥石工具を交換することなく1つの砥石工具で可能とし、結果として砥石寿命および生産効率の向上を図ることができるといった効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
[1]半導体ウエーハ
図1の符合1は、一実施形態の研削加工技術によって裏面が研削されて薄化される円盤状の半導体ウエーハ(以下ウエーハと略称)の一例を示している。このウエーハ1はシリコンウエーハ等であって、加工前の厚さは例えば800μm程度である。ウエーハ1の表面には格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ(デバイス)3が区画されている。これら半導体チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。
複数の半導体チップ3は、ウエーハ1と同心の概ね円形状のデバイス形成領域4に形成されている。デバイス形成領域4はウエーハ1の大部分を占めており、このデバイス形成領域4の周囲のウエーハ外周部が、半導体チップ3が形成されない環状の外周余剰領域5とされている。また、ウエーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)6aが形成されている。このノッチ6aは、外周余剰領域5内に形成されている。ウエーハ1は、最終的には分割予定ライン2に沿って切断、分割され、複数の半導体チップ3に個片化される。本実施形態に係る研削加工技術は、半導体チップ3に個片化する前の段階でウエーハ1の裏面におけるデバイス形成領域4に対応する領域のみを研削して該領域を薄化するとともに、裏面に凹部を形成する方法である。
ウエーハ1を裏面研削する際には、電子回路を保護するなどの目的で、図1に示すように電子回路が形成された側の表面に保護テープ7が貼着される。保護テープ7は、例えば厚さ70〜200μm程度のポリオレフィン等の柔らかい樹脂製基材シートの片面に5〜20μm程度の粘着剤を塗布した構成のものが用いられ、粘着剤をウエーハ1の裏面に合わせて貼り付けられる。
図1で示したウエーハ1は、本実施形態で裏面に凹部を形成するウエーハの基本構成を示すものであり、本実施形態では、このような構成のウエーハの、直径の異なる2種類を研削加工対象としている。図6および図7に、研削加工対象のウエーハをそれぞれ示しており、図6に示すウエーハ1Aは直径が大きな方の大径ウエーハであり、図7に示すウエーハ1Bは直径が小さな方の小径ウエーハである。大径ウエーハ1Aの直径は、小径ウエーハ1Bの直径の1.3から1.5倍程度とされ、それらの直径の組み合わせとしては、例えば大径ウエーハ1Aの直径が300mmで、小径ウエーハ1Bの直径が200mm、あるいは大径ウエーハ1Aの直径が200mmで、小径ウエーハ1Bの直径が150mmといった寸法が挙げられる。
[2]ウエーハ研削加工装置の構成
続いて、一実施形態のウエーハ研削加工装置を説明する。
図2はそのウエーハ研削加工装置10の全体を示しており、このウエーハ研削加工装置10は、上面が水平とされた直方体状の基台11を備えている。図2では、基台11の長手方向、長手方向に直交する水平な幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。基台11のY方向一端部には、X方向(ここでは左右方向とする)に並ぶ一対のコラム12,13が立設されている。基台11上には、Y方向のコラム12,13側にウエーハを研削加工する加工エリア11Aが設けられ、コラム12,13とは反対側に、加工エリア11Aに加工前のウエーハを供給し、かつ、加工後のウエーハを回収する着脱エリア11Bが設けられている。
加工エリア11Aには、回転軸がZ方向と平行で上面が水平とされた円盤状のターンテーブル20が回転自在に設けられている。このターンテーブル20は、図示せぬ回転駆動機構によって矢印R方向に回転させられる。ターンテーブル20上の外周部には、回転軸がZ方向と平行で、上面が水平とされた複数の円盤状のチャックテーブル30が、周方向に等間隔をおいて回転自在に配置されている。
これらチャックテーブル30は一般周知の真空チャック式であり、上面に載置されるウエーハを吸着、保持する。図3および図4に示すように、各チャックテーブル30は、円盤状の枠体31の上面中央部に、多孔質のセラミックス材からなる円形の吸着エリア32が設けられた構成である。吸着エリア32の周囲に枠体31の環状の上面31aが形成されており、この上面31aと、吸着エリア32の上面32aは、ともに水平で、かつ互いに平坦な同一平面(チャックテーブル上面30A)をなしている。各チャックテーブル30は、それぞれがターンテーブル20内に設けられた図示せぬ回転駆動機構によって、一方向、または両方向に独自に回転すなわち自転するようになっており、ターンテーブル20が回転すると公転の状態になる。
図2に示すように2つのチャックテーブル30がコラム12、13側でX方向に並んだ状態において、それらチャックテーブル30の直上には、ターンテーブル20の回転方向上流側から順に、粗研削ユニット40Aと、仕上げ研削ユニット40Bとが、それぞれ配されている。各チャックテーブル30は、ターンテーブル20の間欠的な回転によって、粗研削ユニット40Aの下方である粗研削位置と、仕上げ研削ユニット40Bの下方である仕上げ研削位置と、着脱エリア11Bに最も近付いた着脱位置の3位置にそれぞれ位置付けられるようになっている。
粗研削ユニット40Aおよび仕上げ研削ユニット40Bは、コラム(粗研削側コラム12、仕上げ研削側コラム13)にそれぞれ取り付けられている。これらコラム12,13に対する粗研削ユニット40Aおよび仕上げ研削ユニット40Bの取付構造は同一であってX方向で左右対称となっている。以下、図2および図5(粗研削側の取付構造)を参照して、その取付構造を説明する。
各コラム12,13の加工エリア11Aに面する前面12a,13aは、基台11の上面に対しては垂直面であるが、X方向の中央から端部に向かうにしたがって奥側(反着脱エリア11B側)に所定角度で斜めに後退したテーパ面に形成されている。粗研削側のコラム12のテーパ面12aの水平方向すなわちテーパ方向は、粗研削位置に位置付けられたチャックテーブル30の回転中心とターンテーブル20の回転中心とを結ぶ線と平行な面に設定されている。一方、仕上げ研削側のコラム13のテーパ面13aのテーパ方向は、仕上げ研削位置に位置付けられたチャックテーブル30の回転中心とターンテーブル20の回転中心とを結ぶ線と平行な面に設定されている。そして、これら各テーパ面12a,13aには、X軸送り機構50を介してX軸スライダ55が取り付けられ、さらにX軸スライダ55にはZ軸送り機構60を介してZ軸スライダ65が取り付けられている。
X軸送り機構50は、各テーパ面12a,13aに固定された上下一対のガイドレール51と、これらガイドレール51の間に配されてX軸スライダ55に螺合して貫通する図示せぬねじロッドと、このねじロッドを正逆回転させるモータ53とから構成されている。ガイドレール51およびねじロッドはいずれもテーパ面12a,13aのテーパ方向と平行に延びており、X軸スライダ55はガイドレール51に摺動自在に装着されている。X軸スライダ55は、モータ53で回転するねじロッドの動力が伝わりガイドレール51に沿って往復移動するようになっている。X軸スライダ55の往復方向は、ガイドレール51の延びる方向、すなわちテーパ面12a,13aのテーパ方向と平行である。
X軸スライダ55の前面はX・Z方向に沿った面であり、その前面に、Z軸送り機構60が設けられている。このZ軸送り機構60は、X軸送り機構50の送り方向をZ方向に変更させた構成であって、X軸スライダ55の前面に固定されたZ方向に延びる左右一対のガイドレール61と、これらガイドレール61の間に配されてZ軸スライダ65に螺合して貫通するZ方向に延びるねじロッド62と、このねじロッド62を正逆回転させるモータ63とから構成される。Z軸スライダ65は、ガイドレール61に摺動自在に装着されており、モータ63で回転するねじロッド62の動力によりガイドレール61に沿って昇降するようになっている。
粗研削側コラム12に取り付けられたZ軸スライダ65には、図3に示す粗研削ユニット40Aが固定され、仕上げ研削側コラム13に取り付けられたZ軸スライダ65には、図4に示す仕上げ研削ユニット40Bが固定されている。これら研削ユニット40A,40Bは同一構成のものであって、軸方向がZ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング41と、このスピンドルハウジング41内に同軸的、かつ回転自在に支持されたスピンドルシャフト42と、スピンドルハウジング41の上端部に固定されてスピンドルシャフト42を回転駆動するモータ43と、スピンドルシャフト42の下端に同軸的に固定された円盤状のフランジ44とを具備している。
粗研削ユニット40Aと仕上げ研削ユニット40Bとの違いは、フランジ44に取り付けられる砥石ホイールにある。すなわち粗研削ユニット40Aには粗研削砥石ホイール45が取り付けられ、仕上げ研削ユニット40Bには仕上げ研削砥石ホイール46が取り付けられる。これら砥石ホイール45,46も、基本構成は同一であって、図6〜図8に示すように、フレーム47と、このフレーム47に形成された2つの環状の砥石48,49とから構成されている。各砥石ホイール45,46は、フレーム47がねじ止め等の手段によってフランジ44に着脱自在に取り付けられる。
フレーム47は、全体が漏斗状に形成されたものであって、上端リング部47aと、この上端リング部47aよりも小径の下端リング部47bとの間に、下方に向かうにつれて縮径する円錐部47cを有しており、中心には、外面にほぼ沿った孔47dが形成されている。そしてこのフレーム47の下端リング部47bの下面47eに、上記環状の大小の砥石48,49が、該フレーム47と同心状に形成されている。大径側の砥石48は下端リング部47bの外径に一致する外径を有しており、小径側の砥石49は下端リング部47bの内径に一致する内径を有している。これら砥石48,49は、複数の細かな砥石セグメントが環状に近接して配列されたもの、あるいは分割されておらず環状に連続したものであり、フレーム47の下端面47eに固着されている。また、フレーム47には、中心の孔47dから下端面47eに達して砥石48,49の間の空間に連通する複数の孔47fが周方向に等間隔をおいて形成されている。
各砥石48,49の下端面はウエーハ裏面に押圧されて該裏面を研削する刃先であり、下端面と平行に、かつ、段差が生じることなく互いに同一平面となるように揃えられる。そのためには、例えば上記チャックテーブル30上にドレッサボードと呼ばれる砥石研削用の砥石を保持して回転させ、このドレッサボードの表面の砥石面に各砥石48,49を側方から移動させていって削り込むといった方法が採られる。
各砥石48,49は、例えばビトリファイドと呼ばれるガラス質の焼結材料にダイヤモンド砥粒を混ぜて焼成したものが用いられる。粗研削砥石ホイール45と仕上げ研削砥石ホイール46との違いは各砥石48,49の粒度、厳密には砥石に含まれる砥粒の粒度である。粗研削砥石ホイール45の各砥石48,49には、例えば♯320〜♯400の砥粒を含むものが用いられ、仕上げ研削砥石ホイール46の各砥石48,49には、例えば♯2000〜♯8000の砥粒を含むものが用いられる。
各砥石ホイール45,46の大径側および小径側の各砥石(以下、それぞれを大径砥石48、小径砥石49と称する)は例えば2〜4mm程度の一定の幅を有しており、その外径が、実質的な有効研削径となる。図6に示すように、各砥石48,49における大径砥石48の研削外径L1は、大径ウエーハ1Aの半径にほぼ等しい寸法であって形成する凹部8の半径に等しい。また、図7に示すように、小径砥石49の研削外径L3は形成する凹部8の直径(L2×2)から大径砥石48の外径L1を減じた寸法に等しい。
粗研削ユニット40Aは、粗研削砥石ホイール45の回転中心(スピンドルシャフト42の軸心)が、粗研削位置に位置付けられたチャックテーブル30の回転中心とターンテーブル20の回転中心とを結ぶ線の直上に存在するように位置設定がなされている。粗研削ユニット40Aは、Z軸スライダ65の往復移動に伴い、コラム12のテーパ面12aのテーパ方向に沿って往復移動する。したがって、その往復移動の際には、粗研削砥石ホイール45の回転中心が、粗研削位置に位置付けられたチャックテーブル30の回転中心とターンテーブル20の回転中心とを結ぶ線の直上において往復移動するようになっている。以下、この往復移動の方向を、チャックテーブル30とターンテーブル20の軸間の方向であることから「軸間方向」と称する。
上記位置設定は仕上げ研削ユニット40B側も同様であって、仕上げ研削ユニット40Bの仕上げ研削砥石ホイール46の回転中心は、仕上げ研削位置に位置付けられたチャックテーブル30の回転中心とターンテーブル20の回転中心とを結ぶ線の直上に存在しており、仕上げ研削ユニット40BがZ軸スライダ65とX軸スライダ55とともにコラム13のテーパ面13aのテーパ方向に沿って往復移動する際には、仕上げ研削砥石ホイール46の回転中心が、仕上げ研削位置に位置付けられたチャックテーブル30の回転中心とターンテーブル20の回転中心とを結ぶ線の直上において、その線の方向すなわち軸間方向に沿って往復移動するようになっている。
図2に示すように、基台11上には、粗研削位置および仕上げ研削位置に位置付けられたチャックテーブル30上のウエーハの厚さを測定する厚さ測定ゲージ25が配設されている。これら厚さ測定ゲージ25は、図3(a)および図4(a)に示すように、基準側ハイトゲージ26とウエーハ側ハイトゲージ27との組み合わせで構成される。基準側ハイトゲージ26は、揺動する基準プローブ26aの先端が、ウエーハで覆われないチャックテーブル20の枠体21の上面21aに接触し、チャックテーブル上面30Aの高さ位置を検出するものである。
ウエーハ側ハイトゲージ27は、揺動する変動プローブ27aの先端がチャックテーブル30に保持されたウエーハの上面すなわち被加工面に接触することで、ウエーハの上面の高さ位置を検出するものである。厚さ測定ゲージ25によれば、ウエーハ側ハイトゲージ27の測定値から基準側ハイトゲージ26の測定値を引いた値に基づいてウエーハの厚さが測定される。ウエーハが目標厚さ:t1まで研削されるとすると、研削前において元の厚さ:t2がまず測定され、(t2−t1)が研削量とされる。なお、ウエーハ側ハイトゲージ27の変動プローブ27aが接触するウエーハの厚さ測定ポイントは、図3(a)および図4(a)の破線で示すようにウエーハ1の外周縁(デバイス形成領域4の外周縁)に近い外周部が好適である。
以上が基台11上の加工エリア11Aに係る構成であり、次に、着脱エリア11Bについて図2を参照して説明する。
着脱エリア11Bの中央には、上下移動する2節リンク式のピックアップロボット70が設置されている。そしてこのピックアップロボット70の周囲には、上から見て反時計回りに、供給カセット71、位置合わせ台72、供給アーム73、回収アーム74、スピンナ式洗浄装置75、回収カセット76が、それぞれ配置されている。
カセット71、位置合わせ台72および供給アーム73はウエーハをチャックテーブル30に供給する手段であり、回収アーム74、洗浄装置75およびカセット76は、裏面研削が終了したウエーハをチャックテーブル30から回収して次工程に移すための手段である。カセット71,76は複数のウエーハを水平な姿勢で、かつ上下方向に一定間隔をおいて積層状態で収容するもので、基台11上の所定位置にセットされる。
ピックアップロボット70によって供給カセット71内から1枚のウエーハが取り出されると、そのウエーハは保護テープ7が貼られていない裏面側を上に向けた状態で位置合わせ台72上に載置され、ここで一定の位置に決められる。次いでウエーハは、供給アーム73によって位置合わせ台72から取り上げられ、着脱位置で待機しているチャックテーブル30上に載置される。
一方、各研削ユニット40A,40Bによって裏面が研削され、着脱位置に位置付けられたチャックテーブル30上のウエーハは回収アーム74によって取り上げられ、洗浄装置75に移されて水洗、乾燥される。そして、洗浄装置75で洗浄処理されたウエーハは、ピックアップロボット70によって回収カセット76内に移送、収容される。
[3]ウエーハ研削加工装置の動作
以上がウエーハ研削加工装置10の構成であり、次に、このウエーハ研削加工装置10によってウエーハの裏面を研削する動作を説明する。この動作は、本発明のウエーハの研削加工方法を含むものである。裏面研削に供されるウエーハは、図6に示した大径ウエーハ1Aと図7に示した小径ウエーハ1Bであり、該研削加工装置10では、これら直径の異なる2種類のウエーハの裏面研削および凹部形成を、粗研削では1つの粗研削砥石ホイール45で、また仕上げ研削では1つの仕上げ研削砥石ホイール46によって行うことができるものとなっている。以下の説明では、まず、該研削加工装置10によってウエーハを搬送しながら、その途中で裏面研削して洗浄する全体の流れを1つのサイクルとして説明し、その次に、本発明のポイントである直径の異なる2種類のウエーハ1A,1Bの裏面を研削して凹部を形成する工程について詳述する。
(A)ウエーハ研削加工装置の加工サイクル
まず、ピックアップロボット70によって、供給カセット71内に収容された1枚のウエーハ1(大径ウエーハ1Aまたは小径ウエーハ1B)が位置合わせ台72に移されて位置決めされ、続いて供給アーム73によって、着脱位置で待機し、かつ真空運転されているチャックテーブル30上に裏面側を上に向けてウエーハ1が載置される。位置合わせ台72で位置決めされたことにより、ウエーハ1はチャックテーブル30に所定角度で載置される。ウエーハ1においては表面に貼着された保護テープ7がチャックテーブル30の上面30aに密着し、裏面が露出する状態でその上面30aに吸着、保持される。
次に、ターンテーブル20が図2の矢印R方向に回転し、ウエーハを保持したチャックテーブル30が粗研削ユニット40Aの下方の粗研削位置に停止する。この時、着脱位置には、次のチャックテーブル30が位置付けられ、そのチャックテーブル30には上記のようにして次に研削するウエーハがセットされる。
粗研削位置に位置付けられたウエーハ1に対し、厚さ測定ゲージ25が上記のようにしてセットされ、ウエーハ1の厚さを測定可能な状態とする。そして、粗研削位置に位置付けられたウエーハ1の上方の粗研削ユニット40Aを、X軸送り機構50によって軸間方向に適宜移動させ、粗研削砥石ホイール45の水平方向位置を、ウエーハ1の大きさに応じた凹部8を形成することが可能な位置に位置付ける。凹部8はデバイス形成領域5に対応する領域に形成され、この凹部形成位置への粗研削砥石ホイール45の位置付けと裏面研削による凹部形成に関しては、ウエーハ1A,1Bごとに後述する。
ウエーハ1に対する粗研削砥石ホイール45の水平方向の位置決めがなされたら、チャックテーブル30を回転させることによりウエーハ1を一方向に回転させるとともに、粗研削砥石ホイール45を高速回転させて粗研削ユニット40AをZ軸送り機構60により下降させ、粗研削砥石ホイール45の大径砥石48および小径砥石49をウエーハ1の裏面に押し付ける。
これによりウエーハ1の裏面はデバイス形成領域5に対応する領域のみが研削されていき、図9に示すように研削領域が凹部8となり、凹部8の周囲の外周余剰領域5は、元の厚さが残った環状凸部5Aに形成される。裏面研削による凹部8の形成は、凹部8が形成されるデバイス形成領域4の厚さが厚さ測定ゲージ25によって逐一測定されながら行われる。粗研削では、デバイス形成領域4は例えば200〜100μm、あるいは50μm程度まで薄化されるが、いずれにしても仕上げ厚さよりも例えば20〜40μm程度厚い厚さまで研削される。
なお、ウエーハ裏面に形成する凹部8は、デバイス形成領域4に対応する領域であって図10の円弧線1aで描いた部分のように、ノッチ6aを回避した円形の領域に調整される。ウエーハ裏面に形成される凹部8はウエーハ1に対して偏心しており、凹部8の中心はノッチ6aとは180°反対側に僅かにずれた位置にある。したがって凹部8の形成によって凹部8の周囲に形成される元の厚さが環状凸部5Aの幅は、ノッチ6a付近が最も広く、ノッチ6aから最も離れた位置において最も狭いものとなる。凹部8の中心はウエーハ1の中心に対してずれており、ウエーハ1は、形成される凹部8の中心が、チャックテーブル20の回転中心に一致するように、チャックテーブル20上に保持される。
このようにノッチ6aを回避して凹部8を形成することにより、粗研削中においてノッチ6aを起点とした欠けの発生を予防することができる。凹部8の形成と同時に形成される環状凸部5Aの幅は、例えば2〜3mm程度とされ、図10に示すように凹部8(円弧線1aに対応する)が偏心している場合には、ノッチ6a付近で最大となる幅は3〜4mmとなる。いずれにしろ環状凸部5Aの幅は、ノッチ6aを起点として欠けが発生しにくい程度であって、仕上げ研削時の負荷が大きくならない範囲で、なるべく狭い方が好ましい。
さて、デバイス形成領域4が粗研削での目的厚さに至ったら、Z軸送り機構60による粗研削砥石ホイール45の下降を停止し、一定時間そのまま粗研削砥石ホイール45を回転させた後、粗研削ユニット40Aを上昇させて粗研削を終える。粗研削後のウエーハ1は、図9(a)に示すように、凹部8の底面4aに、中心から放射状に多数の弧を描いた形状の研削条痕9aが残留する。この研削条痕9aは砥石48,49中の砥粒による破砕加工の軌跡であり、マイクロクラック等を含む機械的ダメージ層である。この機械的ダメージ層は、次の仕上げ研削で除去されるが、仕上げ研削で新たな研削条痕9bが形成される(図4(a)参照)。
粗研削を終えたウエーハ1は、ターンテーブル20をR方向に回転させることによって仕上げ研削ユニット40Bの下方の仕上げ研削位置に移送される。そして、予め着脱位置のチャックテーブル30に保持されていたウエーハ1は粗研削位置に移送され、このウエーハ1は先行する仕上げ研削と並行して上記粗研削が施される。さらに、着脱位置に移動させられたチャックテーブル30上には、次に処理すべきウエーハ1がセットされる。
ウエーハ1が仕上げ研削位置に位置付けられたら、仕上げ研削ユニット40Bを、X軸送り機構50によって軸間方向に適宜移動させ、上記粗研削の場合と同様の要領で、仕上げ研削砥石ホイール46の水平方向位置を、粗研削で形成された凹部8に対応した凹部形成位置に位置付ける。ここでも凹部形成位置はウエーハ1の回転中心よりもターンテーブル20の外周側となる。次いで、チャックテーブル30を回転させることによりウエーハ1を一方向に回転させるとともに、仕上げ研削ユニット40Bの仕上げ研削砥石ホイール46を高速回転させ、仕上げ研削ユニット40BをZ軸送り機構60により下降させ、仕上げ研削砥石ホイール46の各砥石48,49をウエーハ1の裏面に形成された凹部8の底面4aに押し付け、該底面4aを研削する。この仕上げ研削の際にも、ウエーハ1の厚さを厚さ測定ゲージ25によって測定しながら行う。
これにより凹部8の底面4aが仕上げ研削用の砥石48,49で研削される。仕上げ研削量は、目的とする半導体チップ3の厚さにデバイス形成領域4が至るまでであり、その厚さまで研削されたら、Z軸送り機構60による仕上げ研削砥石ホイール46の下降を停止し、一定時間そのまま仕上げ研削砥石ホイール46を回転させた後、仕上げ研削ユニット40Bを上昇させて仕上げ研削を終える。
ここで、粗研削および仕上げ研削の好適な運転条件例を挙げておく。粗研削ユニット40Aおよび仕上げ研削ユニット40Bとも、砥石ホイール45,46の回転速度は3000〜5000RPM、チャックテーブル30の回転速度は100〜300RPMである。また、粗研削ユニット40Aの加工送り速度である下降速度は3〜5μm/秒、仕上げ研削ユニット40Bの下降速度は0.3〜1μm/秒である。
並行して行っていた仕上げ研削と粗研削をともに終えたら、ターンテーブル20をR方向に回転させ、仕上げ研削が終了したウエーハ1を着脱位置まで移送する。これにより、後続のウエーハ1は粗研削位置と仕上げ研削位置にそれぞれ移送される。着脱位置に位置付けられたチャックテーブル30上のウエーハ1は回収アーム74によって洗浄装置75に移されて水洗、乾燥される。そして、洗浄装置75で洗浄処理されたウエーハ1は、ピックアップロボット70によって回収カセット76内に移送、収容される。
以上が、1枚のウエーハ1の裏面側のデバイス形成領域4のみを半導体チップ3の厚さまで薄化すると同時に、裏面に凹部8を形成するサイクルである。本実施形態のウエーハ研削加工装置10によれば、上記のようにターンテーブル20を間欠的に回転させながら、ウエーハ1に対して粗研削位置で粗研削を、また、仕上げ研削位置で仕上げ研削を並行して行うことにより、複数のウエーハ1の研削処理が効率よく行われる。
次に、粗研削位置および仕上げ研削位置において、各研削ユニット40A,40Bにより大径ウエーハ1Aおよび小径ウエーハ1Bの裏面研削および凹部形成する場合について説明する。
(B)大径ウエーハの裏面研削および凹部形成
図6に示すように、大径ウエーハ1Aに対する各砥石ホイール45,46による凹部形成位置は、大径砥石48の外周縁が大径ウエーハ1Aの回転中心と、形成すべき凹部8の外周縁(環状凸部5Aの内側面5aと重なる位置)とを通過する位置である。この位置の好適な位置を厳密に言うと、2〜4mmの幅を持つ大径砥石48の刃先の幅の中心付近がチャックテーブル30の回転中心を通り、刃先の外周縁が形成すべき凹部8の外周縁を通る位置である。
そして、チャックテーブル30とともに大径ウエーハ1Aを回転させ、砥石ホイール45(46)を回転させながらZ軸送り機構60によって研削ユニット40A(40B)を下降させ、大径砥石48と小径砥石49の双方を大径ウエーハ1Aの裏面に押圧する。すると、形成する凹部8の半径分の領域が大径砥石48でカバーされるので、大径ウエーハ1Aが回転した状態で、凹部8の全域を大径砥石48で研削して形成することができる。
(C)小径ウエーハの裏面研削および凹部形成
図7に示すように、小径ウエーハ1Bに対する各砥石ホイール45,46による凹部形成位置は、小径砥石49の外周縁が、小径ウエーハ1Bの回転中心と形成すべき凹部8の外周縁とを通過する位置である。この位置の好適な位置を厳密に言うと、2〜4mmの幅を持つ小径砥石49の刃先の幅の中心付近がチャックテーブル30の回転中心を通り、刃先の外周縁が形成すべき凹部8の外周縁を通る位置である。小径ウエーハ1Bの裏面に粗研削および仕上げ研削を行って凹部8を形成する際には、この凹部形成位置に粗研削砥石ホイール45および仕上げ研削砥石ホイール46が位置付けられるように、X軸送り機構50によって各研削ユニット40A,40Bを軸間方向に移動させる。小径ウエーハ1Bの場合の凹部形成位置は、大径ウエーハ1Aの場合よりもターンテーブル20の回転中心寄りであり、その移動距離は、大径砥石の外径L1から小径ウエーハ1Bの半径L2を減じた距離(L1−L2)である。
この状態から、チャックテーブル30とともに小径ウエーハ1Bを回転させ、砥石ホイール45(46)を回転させながらZ軸送り機構60によって研削ユニット40A(40B)を下降させ、大径砥石48と小径砥石49の双方を小径ウエーハ1Bの裏面に押圧する。小径ウエーハ1Bの場合には、凹部8の半径分の領域は、小径ウエーハ1Bの回転中心を通過する小径砥石49の全域と、凹部8の外周縁を通過する大径砥石48によりカバーされる。大径砥石48の直径は小径ウエーハ1Bに形成する凹部8の半径よりも大きいから、小径ウエーハ1Bの回転中心を挟んで凹部8の外周縁通過位置とは反対側に余剰部分がはみ出ることになるが、凹部8内に存在して裏面研削するから支障はない。この状態で小径ウエーハ1Bが回転することにより、凹部8の全域を大径砥石48と小径砥石49の組み合わせで形成することができる。
なお、上記いずれのウエーハ研削時においても、砥石ホイール45,46のフレーム47に形成した各孔47d,47fから所定の研削水を研削加工面に供給し、遠心力により拡散させて、潤滑、冷却、清浄化等を行う。中心の孔47dに供給される研削水は小径砥石49の内側に至り、主に小径砥石49の研削に寄与する。また、周囲の複数の孔47fに供給される研削水は小径砥石48と大径砥石48の間に入り込んで、主に大径砥石49の研削に寄与する。
本実施形態によれば、直径の異なる大径ウエーハ1Aおよび小径ウエーハ1Bに対して、各砥石ホイール45,46の大径砥石48および小径砥石49を、各ウエーハに応じた適切な凹部形成位置に位置決めして、回転させたウエーハの裏面に対して回転させた砥石ホイール45,46を押圧することにより、各ウエーハ1A,1Bの裏面に凹部8を適確に形成することができる。すなわち、粗研削および仕上げ研削のいずれの場合も、1つの砥石ホイール45(46)で、直径の異なる2種類のウエーハ(この場合、大径ウエーハ1Aと小径ウエーハ1B)の裏面に、デバイス形成領域4に対応した凹部8を形成することができる。このため、大径ウエーハ1Aと小径ウエーハ1Bに応じた直径を有する2つの砥石ホイールを用意してその都度交換するといった手間が省かれるとともに、ツルーイングやドレッシング等のメンテナンスの頻度を少なくすることができる。これらの結果、砥石寿命および生産効率の向上を図ることができる。
なお、上記実施形態で示したウエーハ1には、結晶方位を示すマークとしてノッチ6aが形成されているが、結晶方位マークとしては、図10に示すオリエンテーションフラット6bが採用される場合もある。オリエンテーションフラット6bはウエーハ1の外周縁の一部を接線方向に沿って直線的に切り欠いたものである。このようなオリエンテーションフラット6bが形成されたウエーハ1には、オリエンテーションフラット6bを回避して円弧線1aより後退した円弧線1bで描いた部分に凹部8が形成される。オリエンテーションフラット6bが形成されたウエーハ1においては、ノッチ6aを形成した場合に比べて形成される凹部8は小さく、環状凸部5Aの幅は、オリエンテーションフラット6b付近では例えば2倍程度(例えば4〜8mm程度)と広くなる。
なお、本発明においては、大径ウエーハ1Aの直径が小径ウエーハ1Bの直径の1.5倍程度の場合に、2つの砥石(45,46)による裏面研削が可能とされ、この条件に合わない場合(例えば大径ウエーハの直径が150mmで小径ウエーハの直径が125mmといった場合)には、砥石が環状であるが故、未研削部分が生じる。このような不都合は、少なくとも一方の砥石の幅を拡張したり、新たに3つめの環状砥石を設けるなどの手段で回避することができる。
また、上記ウエーハ研削加工装置10は、粗研削側と仕上げ研削側の2つの研削ユニット40A,40Bに対し、ターンテーブル20を回転させて3つのチャックテーブル30上に保持したウエーハを順次供給していく形式であるが、本発明はこのような構成に限定されない。例えば、直線的に往復する1つのチャックテーブルによって1つの研削ユニットにウエーハを供給するなど、他の形式の研削加工装置にも適用することができる。
本発明の一実施形態により裏面研削されて凹部が形成されるウエーハの構成を示す(a)斜視図、(b)側面図である。 本発明の一実施形態に係るウエーハ研削加工装置の斜視図である。 同装置が備える粗研削ユニットを示す(a)斜視図、(b)側面図である。 同装置が備える仕上げ研削ユニットを示す(a)斜視図、(b)側面図である。 同装置の粗研削側の研削ユニットの取付構造および凹部形成位置を示す平面図である。 (a)、(c)は、大径ウエーハに対して砥石ホイールが凹部形成位置に位置付けられた状態を示す側面図および平面図、(b)は凹部形成後の大径ウエーハの平面図である。 (a)、(c)は、小径ウエーハに対して砥石ホイールが凹部形成位置に位置付けられた状態を示す側面図および平面図、(b)は凹部形成後の小径ウエーハの平面図である。 砥石ホイールの下面側を示す斜視図である。 裏面に凹部が形成されたウエーハの(a)斜視図、(b)断面図である。 ウエーハ裏面に形成する凹部の領域を示すウエーハ裏面図である。
符号の説明
1…半導体ウエーハ
1A…大径ウエーハ
1B…小径ウエーハ
3…半導体チップ(デバイス)
4…デバイス形成領域
5…外周余剰領域
8…凹部
10…ウエーハ研削加工装置
30…チャックテーブル(保持手段)
40A…粗研削ユニット(研削手段)
40B…仕上げ研削ユニット(研削手段)
42…スピンドルシャフト(回転軸)
43…モータ(回転駆動源)
45…粗研削砥石ホイール(砥石工具)
46…仕上げ研削砥石ホイール(砥石工具)
47e…下端面(砥石形成面)
47…フレーム(基台)
48…大径砥石
49…小径砥石
50…X軸送り機構(軸間方向駆動手段)
60…Z軸送り機構(送り方向駆動手段)

Claims (4)

  1. 複数のデバイスが表面に形成されたデバイス形成領域を有するとともに、該デバイス形成領域の周囲に外周余剰領域を有する円盤状のウエーハのデバイス形成領域に対応する裏面領域のみを研削して、該裏面に略円形の凹部を形成するために用いられる砥石工具であって、研削加工対象のウエーハは、直径の異なる大径ウエーハおよび小径ウエーハの2種類とされるものであり、
    回転軸に固定され、その状態で、回転可能に保持されるウエーハの被加工面に対して略平行に対向配置される砥石形成面を有する基台と、
    該基台の前記砥石形成面に、基台の回転中心と同心状に形成され、一定幅の刃先を有する外径の異なる2つの環状の砥石とを備えており、
    前記2つの砥石のうちの大径側の砥石は、刃先が前記大径ウエーハの回転中心を通過し、かつ刃先の外周縁が形成すべき前記凹部の外周縁を通過する外径を有し、
    小径側の砥石は、刃先が前記小径ウエーハの回転中心を通過する外径を有していること
    を特徴とするウエーハの砥石工具。
  2. 前記大径側の砥石の外径は、前記大径ウエーハに形成する前記凹部の半径に等しく、
    前記小径側の砥石の外径は、前記小径ウエーハの直径から大径側の砥石の外径を減じた寸法に等しいこと
    を特徴とする請求項1に記載のウエーハの砥石工具。
  3. 複数のデバイスが表面に形成されたデバイス形成領域を有するとともに、該デバイス形成領域の周囲に外周余剰領域を有する円盤状のウエーハのデバイス形成領域に対応する裏面領域のみを研削して、該裏面に略円形の凹部を形成する研削加工方法であって、研削加工対象のウエーハは、直径の異なる大径ウエーハおよび小径ウエーハの2種類とされるものであり、
    研削加工するウエーハを回転可能な保持手段に保持するとともに、該保持手段に対向配置された研削手段の回転軸に、請求項1または2に記載の砥石工具を、該砥石工具の前記砥石形成面がウエーハの被加工面に対して略平行になる状態に固定し、
    前記回転軸を回転させることによって砥石工具を回転させながら、該砥石工具の前記大径側砥石および前記小径側砥石を、ウエーハの被加工面に押圧して研削して前記凹部を形成するにあたり、
    研削手段を、ウエーハの回転中心を通過する前記軸間方向に適宜移動させることによって、
    前記大径ウエーハに凹部を形成する場合には、前記大径側砥石の刃先が該大径ウエーハの回転中心を通過し、かつ刃先の外周縁が形成すべき凹部の外周縁を通過する位置に配し、
    前記小径ウエーハに凹部を形成する場合には、前記小径側砥石の刃先を、該小径ウエーハの回転中心を通過する位置に配すること
    を特徴とするウエーハの研削加工方法。
  4. 複数のデバイスが表面に形成されたデバイス形成領域を有するとともに、該デバイス形成領域の周囲に外周余剰領域を有する円盤状のウエーハのデバイス形成領域に対応する裏面領域のみを研削して、該裏面に略円形の凹部を形成する研削加工装置であって、研削加工対象のウエーハは、少なくとも直径の異なる大径ウエーハおよび小径ウエーハの2種類とされるものであり、
    前記大径ウエーハまたは前記小径ウエーハを、被加工面である裏面を露出させた状態で保持する保持面を有する回転可能な保持手段と、
    該保持手段の前記保持面に直交する方向に延びる回転軸および該回転軸を回転させる回転駆動源を備えた研削手段と、
    該研削手段を、前記保持手段に対して前記保持面と平行、かつ保持手段の回転中心を通過する軸間方向に相対移動させる軸間方向駆動手段と、
    前記研削手段を前記保持面に直交する送り方向に移動させて該保持面に対し接近・離間させる直交送り方向駆動手段と、
    前記研削手段の前記回転軸に固定され、前記保持手段の前記保持面と略平行な加工面を有し、前記研削手段が前記直交送り方向駆動手段によって保持面に保持されたウエーハに接近させられることにより、該ウエーハの加工面に押圧される砥石を有する砥石工具とを具備し、
    該砥石工具として、請求項1または2に記載の砥石工具が用いられること
    を特徴とするウエーハの研削加工装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015199132A (ja) * 2014-04-04 2015-11-12 株式会社ディスコ 研削ホイール
JP2021005621A (ja) * 2019-06-26 2021-01-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62107909A (ja) * 1985-11-05 1987-05-19 Disco Abrasive Sys Ltd 二枚刃コアドリルの生産方法
JP4222591B2 (ja) * 2001-04-13 2009-02-12 コバレントマテリアル株式会社 リング状部材の加工用砥石とそれを用いた加工形成方法、並びにリング状部材の加工用砥石の冷却媒体供給方法
JP2003145396A (ja) * 2001-11-12 2003-05-20 Koyo Mach Ind Co Ltd 平面研削方法およびその装置
JP2003251567A (ja) * 2002-02-26 2003-09-09 Toshiba Ceramics Co Ltd 平面研削用セグメント砥石
JP2004025372A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨砥石
JP2005123425A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Toshiba Corp 半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法
JP2006043787A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Toshiba Ceramics Co Ltd 平面研削用セグメント砥石

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105390413A (zh) * 2014-08-27 2016-03-09 株式会社迪思科 磨削装置

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