JP4901428B2 - ウエーハの砥石工具、研削加工方法および研削加工装置 - Google Patents
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Description
[1]半導体ウエーハ
図1の符合1は、一実施形態の研削加工技術によって裏面が研削されて薄化される円盤状の半導体ウエーハ(以下ウエーハと略称)の一例を示している。このウエーハ1はシリコンウエーハ等であって、加工前の厚さは例えば800μm程度である。ウエーハ1の表面には格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ(デバイス)3が区画されている。これら半導体チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。
続いて、一実施形態のウエーハ研削加工装置を説明する。
図2はそのウエーハ研削加工装置10の全体を示しており、このウエーハ研削加工装置10は、上面が水平とされた直方体状の基台11を備えている。図2では、基台11の長手方向、長手方向に直交する水平な幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。基台11のY方向一端部には、X方向(ここでは左右方向とする)に並ぶ一対のコラム12,13が立設されている。基台11上には、Y方向のコラム12,13側にウエーハを研削加工する加工エリア11Aが設けられ、コラム12,13とは反対側に、加工エリア11Aに加工前のウエーハを供給し、かつ、加工後のウエーハを回収する着脱エリア11Bが設けられている。
着脱エリア11Bの中央には、上下移動する2節リンク式のピックアップロボット70が設置されている。そしてこのピックアップロボット70の周囲には、上から見て反時計回りに、供給カセット71、位置合わせ台72、供給アーム73、回収アーム74、スピンナ式洗浄装置75、回収カセット76が、それぞれ配置されている。
以上がウエーハ研削加工装置10の構成であり、次に、このウエーハ研削加工装置10によってウエーハの裏面を研削する動作を説明する。この動作は、本発明のウエーハの研削加工方法を含むものである。裏面研削に供されるウエーハは、図6に示した大径ウエーハ1Aと図7に示した小径ウエーハ1Bであり、該研削加工装置10では、これら直径の異なる2種類のウエーハの裏面研削および凹部形成を、粗研削では1つの粗研削砥石ホイール45で、また仕上げ研削では1つの仕上げ研削砥石ホイール46によって行うことができるものとなっている。以下の説明では、まず、該研削加工装置10によってウエーハを搬送しながら、その途中で裏面研削して洗浄する全体の流れを1つのサイクルとして説明し、その次に、本発明のポイントである直径の異なる2種類のウエーハ1A,1Bの裏面を研削して凹部を形成する工程について詳述する。
まず、ピックアップロボット70によって、供給カセット71内に収容された1枚のウエーハ1(大径ウエーハ1Aまたは小径ウエーハ1B)が位置合わせ台72に移されて位置決めされ、続いて供給アーム73によって、着脱位置で待機し、かつ真空運転されているチャックテーブル30上に裏面側を上に向けてウエーハ1が載置される。位置合わせ台72で位置決めされたことにより、ウエーハ1はチャックテーブル30に所定角度で載置される。ウエーハ1においては表面に貼着された保護テープ7がチャックテーブル30の上面30aに密着し、裏面が露出する状態でその上面30aに吸着、保持される。
図6に示すように、大径ウエーハ1Aに対する各砥石ホイール45,46による凹部形成位置は、大径砥石48の外周縁が大径ウエーハ1Aの回転中心と、形成すべき凹部8の外周縁(環状凸部5Aの内側面5aと重なる位置)とを通過する位置である。この位置の好適な位置を厳密に言うと、2〜4mmの幅を持つ大径砥石48の刃先の幅の中心付近がチャックテーブル30の回転中心を通り、刃先の外周縁が形成すべき凹部8の外周縁を通る位置である。
図7に示すように、小径ウエーハ1Bに対する各砥石ホイール45,46による凹部形成位置は、小径砥石49の外周縁が、小径ウエーハ1Bの回転中心と形成すべき凹部8の外周縁とを通過する位置である。この位置の好適な位置を厳密に言うと、2〜4mmの幅を持つ小径砥石49の刃先の幅の中心付近がチャックテーブル30の回転中心を通り、刃先の外周縁が形成すべき凹部8の外周縁を通る位置である。小径ウエーハ1Bの裏面に粗研削および仕上げ研削を行って凹部8を形成する際には、この凹部形成位置に粗研削砥石ホイール45および仕上げ研削砥石ホイール46が位置付けられるように、X軸送り機構50によって各研削ユニット40A,40Bを軸間方向に移動させる。小径ウエーハ1Bの場合の凹部形成位置は、大径ウエーハ1Aの場合よりもターンテーブル20の回転中心寄りであり、その移動距離は、大径砥石の外径L1から小径ウエーハ1Bの半径L2を減じた距離(L1−L2)である。
1A…大径ウエーハ
1B…小径ウエーハ
3…半導体チップ(デバイス)
4…デバイス形成領域
5…外周余剰領域
8…凹部
10…ウエーハ研削加工装置
30…チャックテーブル(保持手段)
40A…粗研削ユニット(研削手段)
40B…仕上げ研削ユニット(研削手段)
42…スピンドルシャフト(回転軸)
43…モータ(回転駆動源)
45…粗研削砥石ホイール(砥石工具)
46…仕上げ研削砥石ホイール(砥石工具)
47e…下端面(砥石形成面)
47…フレーム(基台)
48…大径砥石
49…小径砥石
50…X軸送り機構(軸間方向駆動手段)
60…Z軸送り機構(送り方向駆動手段)
Claims (4)
- 複数のデバイスが表面に形成されたデバイス形成領域を有するとともに、該デバイス形成領域の周囲に外周余剰領域を有する円盤状のウエーハのデバイス形成領域に対応する裏面領域のみを研削して、該裏面に略円形の凹部を形成するために用いられる砥石工具であって、研削加工対象のウエーハは、直径の異なる大径ウエーハおよび小径ウエーハの2種類とされるものであり、
回転軸に固定され、その状態で、回転可能に保持されるウエーハの被加工面に対して略平行に対向配置される砥石形成面を有する基台と、
該基台の前記砥石形成面に、基台の回転中心と同心状に形成され、一定幅の刃先を有する外径の異なる2つの環状の砥石とを備えており、
前記2つの砥石のうちの大径側の砥石は、刃先が前記大径ウエーハの回転中心を通過し、かつ刃先の外周縁が形成すべき前記凹部の外周縁を通過する外径を有し、
小径側の砥石は、刃先が前記小径ウエーハの回転中心を通過する外径を有していること
を特徴とするウエーハの砥石工具。 - 前記大径側の砥石の外径は、前記大径ウエーハに形成する前記凹部の半径に等しく、
前記小径側の砥石の外径は、前記小径ウエーハの直径から大径側の砥石の外径を減じた寸法に等しいこと
を特徴とする請求項1に記載のウエーハの砥石工具。 - 複数のデバイスが表面に形成されたデバイス形成領域を有するとともに、該デバイス形成領域の周囲に外周余剰領域を有する円盤状のウエーハのデバイス形成領域に対応する裏面領域のみを研削して、該裏面に略円形の凹部を形成する研削加工方法であって、研削加工対象のウエーハは、直径の異なる大径ウエーハおよび小径ウエーハの2種類とされるものであり、
研削加工するウエーハを回転可能な保持手段に保持するとともに、該保持手段に対向配置された研削手段の回転軸に、請求項1または2に記載の砥石工具を、該砥石工具の前記砥石形成面がウエーハの被加工面に対して略平行になる状態に固定し、
前記回転軸を回転させることによって砥石工具を回転させながら、該砥石工具の前記大径側砥石および前記小径側砥石を、ウエーハの被加工面に押圧して研削して前記凹部を形成するにあたり、
研削手段を、ウエーハの回転中心を通過する前記軸間方向に適宜移動させることによって、
前記大径ウエーハに凹部を形成する場合には、前記大径側砥石の刃先が該大径ウエーハの回転中心を通過し、かつ刃先の外周縁が形成すべき凹部の外周縁を通過する位置に配し、
前記小径ウエーハに凹部を形成する場合には、前記小径側砥石の刃先を、該小径ウエーハの回転中心を通過する位置に配すること
を特徴とするウエーハの研削加工方法。 - 複数のデバイスが表面に形成されたデバイス形成領域を有するとともに、該デバイス形成領域の周囲に外周余剰領域を有する円盤状のウエーハのデバイス形成領域に対応する裏面領域のみを研削して、該裏面に略円形の凹部を形成する研削加工装置であって、研削加工対象のウエーハは、少なくとも直径の異なる大径ウエーハおよび小径ウエーハの2種類とされるものであり、
前記大径ウエーハまたは前記小径ウエーハを、被加工面である裏面を露出させた状態で保持する保持面を有する回転可能な保持手段と、
該保持手段の前記保持面に直交する方向に延びる回転軸および該回転軸を回転させる回転駆動源を備えた研削手段と、
該研削手段を、前記保持手段に対して前記保持面と平行、かつ保持手段の回転中心を通過する軸間方向に相対移動させる軸間方向駆動手段と、
前記研削手段を前記保持面に直交する送り方向に移動させて該保持面に対し接近・離間させる直交送り方向駆動手段と、
前記研削手段の前記回転軸に固定され、前記保持手段の前記保持面と略平行な加工面を有し、前記研削手段が前記直交送り方向駆動手段によって保持面に保持されたウエーハに接近させられることにより、該ウエーハの加工面に押圧される砥石を有する砥石工具とを具備し、
該砥石工具として、請求項1または2に記載の砥石工具が用いられること
を特徴とするウエーハの研削加工装置。
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