TWI828750B - 基板磨削裝置以及基板磨削方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種基板磨削裝置以及基板磨削方法。基板磨削裝置具備：工作臺，在吸附並保持基板的狀態下旋轉；杯形的第一磨削砂輪，一邊旋轉一邊磨削保持於所述工作臺並旋轉的所述基板；以及杯形的第二磨削砂輪，與所述第一磨削砂輪同時接近所述基板而一邊旋轉一邊磨削所述基板。
Description
本申請以2018年09月13日向日本專利局提交的日本專利申請2018-171475為基礎，享受該申請的優先權。本申請透過參照該申請而包括該申請的全部內容。
本發明的實施方式涉及基板磨削裝置以及基板磨削方法。
以往，作為基板磨削方法，透過將旋轉的杯形的磨削砂輪向下切入到保持於工作臺而旋轉的加工對象物的基板的上表面來磨削基板已被公眾所知。例如，在日本專利發明公報特開2017-103441號中發明了透過杯形磨削砂輪對固定在吸附卡盤上的矽基板進行向下切入磨削加工。
此外，例如在日本專利發明公報特開2009-4406號中發明了具備由粗磨削用的磨削單元和精磨削用的磨削單元構成的兩台磨削單元的半導體晶片的磨削裝置。根據該文獻所發明的磨削裝置，透過轉檯向R方向旋轉規定角度，將保持於卡盤工作臺的晶片送入粗磨削用磨削單元的下方的一次加工位置。晶片在該位置處由粗磨削用的磨削單元粗磨削。接著，透過轉檯再次向R方向旋轉規定角度，將晶片送入精磨削用的磨削單元的下方的二次加工位置。晶片在該位置處由精磨削用的磨削單元精磨削。
此外，例如在日本專利發明公報特開2014－65082號中發明了保持在保持工作臺上的藍寶石、SiC或者GaN等基板用的磨削裝置。在該磨削裝置中，設定有用於粗磨削基板的粗磨削位置、用於中磨削基板的中磨削位置以及用於精磨削基板的精磨削位置。在粗磨削位置、中磨削位置和精磨削位置分別設置有磨削裝置。進而，這些磨削裝置呈直線狀配置。按照粗磨削、中磨削和精磨削的順序對基板進行串聯處理。
一種基板磨削裝置，具備：工作臺，在吸附並保持基板的狀態下旋轉；杯形的第一磨削砂輪，一邊旋轉一邊磨削保持於所述工作臺並旋轉的所述基板；以及杯形的第二磨削砂輪，與所述第一磨削砂輪同時接近所述基板而一邊旋轉一邊磨削所述基板。
在下面的詳細說明中，出於說明的目的，為了提供對所發明的實施方式的徹底的理解，提出了許多具體的細節。然而，顯然可以在沒有這些具體細節的前提下實施一個或更多的實施方式。在其它的情況下，為了簡化製圖，示意性地示出了公知的結構和裝置。
但是，在上述現有技術的基板磨削裝置和基板磨削方法中，存在為了實現高效的磨削加工而需要改善的地方。具體而言，例如，謀求高效且高精度地磨削近年來不斷大型化的WLP（Wafer Level Package）以及將WLP進一步大型化的大型安裝基板PLP（Panel Level Package）等的技術。
例如，如日本專利發明公報特開2017-103441號所公開的現有技術那樣，在透過旋轉的杯形的磨削砂輪磨削旋轉的基板的向下切入型的基板磨削裝置中，如果透過1個種類的磨削砂輪磨削存在翹曲的大型安裝基板，則加工時間會變長。
詳細來說，在PLP等的大型安裝基板中，除了基板尺寸大之外，基板的翹曲也大。這種基板即使在被真空吸附於工作臺的吸盤機構的狀態下，也成為與中央部分相比外周部隆起的形狀。一般情況下，與基板的中央部分相比，外周部分先出100～200μm左右與磨削砂輪接觸。由於對該100～200μm的厚度的部分也以精磨削的進給速度進行磨削，所以加工時間變長。
此外，在大型安裝基板的磨削中，要求高精度地完成樹脂的磨削面，並且也高精度地磨削銅電極來精加工。因此，使用磨損量變多的磨削砂輪。如上所述，在大型安裝基板的磨削中，由於基板的翹曲大、磨削加工時間長，所以需要大量的磨削砂輪。
此外，在日本專利公開公報特開2009-4406號以及日本專利公開公報特開2014-65082號所公開的現有技術中，使用粗磨削用的砂輪以及精磨削用的砂輪等多種磨削砂輪，對透過轉檯等移動的基板依次執行磨削。在該方法中，為了應對大型安裝基板，基板磨削裝置變大。即，PLP等的大型安裝基板與矽晶片等相比具有較大的面積。因此，要求具備與粗磨削工序和精磨削工序的兩個工序對應的工作臺的移動位置的大型基板磨削裝置。但是，難以使基板磨削裝置大型化。
此外，在PLP等的大型安裝基板存在特有的翹曲。在這樣的基板存在如下的特性，即，在透過磨削卡夾在工作臺上的基板消除基板的翹曲後，從工作臺卸下基板，當將基板再次卡夾在工作臺上時，會產生另外的翹曲。因此，在設置粗磨削用的設備和精磨削用的設備，在將基板卡夾在粗磨削用的設備的工作臺上進行粗磨削後，從工作臺卸下基板，將基板輸送至精磨削用的設備，將基板卡夾在該設備的工作臺上進行精磨削的方法中，難以執行高精度的精磨削。
本發明的一個目的在於提供一種能夠高效且高精度地磨削大型的基板的基板磨削裝置以及基板磨削方法。
本發明的一個方式的基板磨削裝置（本基板磨削裝置），具備：工作臺，在吸附並保持基板的狀態下旋轉；杯形的第一磨削砂輪，一邊旋轉一邊磨削保持於所述工作臺並旋轉的所述基板；以及杯形的第二磨削砂輪，與所述第一磨削砂輪同時接近所述基板而一邊旋轉一邊磨削所述基板。
此外，本發明的一個方式的基板磨削方法（本基板磨削方法），包括如下工序：卡夾工序，使基板吸附於旋轉自如的工作臺；以及磨削工序，透過使所述工作臺旋轉而使保持於所述工作臺的所述基板旋轉，並且使杯形的第一磨削砂輪和第二磨削砂輪一邊旋轉一邊同時接近所述基板，磨削所述基板。
根據本基板磨削裝置，具備一邊旋轉一邊磨削保持於工作臺並旋轉的基板的杯形的第一磨削砂輪、以及與第一磨削砂輪同時接近基板並一邊旋轉一邊磨削基板的杯形的第二磨削砂輪。由此，無需變更基板的位置，就能夠透過第一磨削砂輪和第二磨削砂輪同時磨削基板。其結果是，能夠抑制基板磨削裝置的大型化，並且能夠高效地磨削大型的基板。
例如，無需透過轉檯等輸送翹曲大的PLP等的大型安裝基板，能夠透過第一磨削砂輪和第二磨削砂輪同時進行磨削。因而，能夠實現短時間且高精度的磨削工序。
此外，根據本基板磨削裝置，也可以為，第一磨削砂輪構成為其磨削範圍具有大於工作臺的半徑的直徑，並且設置在磨削範圍包括基板的旋轉中心的位置。進而，也可以為，第二磨削砂輪構成為其磨削範圍具有大於工作臺的半徑的直徑，並且設置在接近基板的旋轉中心且不與第一磨削砂輪接觸的位置。由此，能夠透過第二磨削砂輪進行從基板的外周部到旋轉中心附近的磨削，並且透過第一磨削砂輪高精度地磨削包括旋轉中心在內的基板的被加工面的全部。
此外，根據本發明的基板磨削裝置，也可以為，第一磨削砂輪的細微性大於第二磨削砂輪的細微性。即，第一磨削砂輪的磨粒直徑小於第二磨削砂輪的磨粒直徑。進而，也可以為，第一磨削砂輪和第二磨削砂輪構成為，在第二磨削砂輪比第一磨削砂輪更接近基板的狀態下，第一磨削砂輪和第二磨削砂輪接近基板而磨削基板，之後，在第二磨削砂輪從基板離開的狀態下，第一磨削砂輪接近基板而磨削基板。由此，能夠透過第二磨削砂輪進行基板的粗磨削，之後，透過第一磨削砂輪進行基板的精磨削。由此，能夠高效地執行從粗磨削到精磨削的工序。此外，能夠使精磨削用的第一磨削砂輪的加工餘量極少。由此，能夠減少第一磨削砂輪的磨損量。
具體而言，根據本基板磨削裝置，與透過1種磨削砂輪執行從粗磨削到精磨削為止的全部的磨削工序的現有技術的磨削方法相比，能夠將磨削時間抑制在約1/2，並且能夠將磨削砂輪的運行成本抑制在約1/3。
此外，本基板磨削方法包括如下工序：卡夾工序，使基板吸附於旋轉自如的工作臺；以及磨削工序，透過使工作臺旋轉而使保持於工作臺的基板旋轉，並且使杯形的第一磨削砂輪和第二磨削砂輪一邊旋轉一邊同時接近基板，磨削基板。由此，在抑制基板磨削裝置的大型化的同時，進行工作臺的輸送次數少的高效的基板磨削。
此外，根據本基板磨削方法，也可以為，第一磨削砂輪構成為其磨削範圍具有大於工作臺的半徑的直徑，並且，在磨削工序中進給至磨削範圍包括基板的旋轉中心的位置。進而，也可以為，第二磨削砂輪構成為其磨削範圍具有大於工作臺的半徑的直徑，並且，在磨削工序中進給至接近基板的旋轉中心且不第一磨削砂輪接觸的位置。由此，能夠透過第二磨削砂輪進行從基板的外周部到旋轉中心附近的磨削，並且透過第一磨削砂輪高效且高精度地磨削包括旋轉中心在內的基板的被加工面的整體。
此外，根據本基板磨削方法，也可以為，第一磨削砂輪的細微性大於所述第二磨削砂輪的細微性。進而，也可以為，磨削工序包括如下工序：粗磨削工序，在第二磨削砂輪比第一磨削砂輪更接近基板的狀態下，第一磨削砂輪和第二磨削砂輪接近基板而磨削基板；以及精磨削工序，在執行粗磨削工序後執行，在第二磨削砂輪從基板離開的狀態下，第一磨削砂輪接近基板而磨削基板。由此，能夠透過第二磨削砂輪進行基板的粗磨削，之後，透過第一磨削砂輪進行基板的精磨削。因此，能夠在抑制第一磨削砂輪的磨削量的同時，高效且高精度地磨削大型安裝基板等。
以下，基於附圖對本發明的實施方式的基板磨削裝置進行詳細說明。圖1是表示本發明的實施方式的基板磨削裝置10的概要的俯視圖。參照圖1，基板磨削裝置10是磨削或研磨基板30的裝置。
作為基板磨削裝置10的加工物件物的基板30，例如也可以是PLP等的大面積的安裝基板、封裝基板、其他的層疊基板、半導體基板或者電容器等元件用的基板。基板磨削裝置10從基板30的主面高精度地磨削或研磨構成基板30的樹脂層、銅電極以及半導體元件等。即便是具有翹曲的大面積的基板30，基板磨削裝置10也能夠高效地進行加工。
基板磨削裝置10具有：用於設置作為加工對象物的基板30的待機台23；用於執行基板30的磨削的磨削台24；保持基板30的工作臺20；作為第一磨削砂輪的精磨削砂輪11；以及作為第二磨削砂輪的粗磨削砂輪15。
待機台23是為了在磨削加工前將加工物件的基板30固定於工作臺20以及為了在磨削加工後從工作臺20卸下基板30的卡盤的載台。
在待機台23的上方設置有用於使基板30吸附在工作臺20的真空吸盤的黏貼殼體22。在待機台23中，載置於工作臺20的上表面的基板30被夾持在從上方下降的黏貼殼體22與下方的工作臺20之間，透過真空吸附固定於工作臺20。在將基板30固定於工作臺20後，黏貼殼體22從基板30離開而上升。
工作臺20是在磨削工序中在保持基板30的狀態下旋轉的工作臺。工作臺20設置成，能夠在待機台23與磨削台24之間大致水平地移動而輸送基板30。
具體而言，在待機台23中，基板30被吸附在工作臺20的上表面。之後，工作臺20移動到磨削台24的規定的位置，在支承基板30的狀態下旋轉。在基板30的磨削結束後，工作臺20移動到待機台23的規定的位置。
磨削台24是用於執行基板30的磨削工序的位置。被吸附在工作臺20的上表面的基板30與工作臺20一起被輸送到磨削台24。在磨削台24中，透過精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15進行基板30的磨削工序。
精磨削砂輪11是一邊旋轉一邊磨削基板30的杯形的磨削砂輪。精磨削砂輪11由精磨削立柱14支承為能夠沿著上下方向移動。精磨削砂輪11設置在被輸送到磨削台24的工作臺20和基板30的上方。
粗磨削砂輪15是一邊旋轉一邊磨削基板30的杯形的磨削砂輪。粗磨削砂輪15由粗磨削立柱18支承為能夠沿著上下方向移動。粗磨削砂輪15設置在被輸送到磨削台24的工作臺20和基板30的上方。
精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15能夠一邊同時旋轉，一邊同時接近保持於工作臺20並旋轉的基板30，磨削基板30。
此外，在磨削台24設置有尺寸確定裝置26。尺寸確定裝置26是為了高精度地磨削基板30而透過準確地檢測基板30的上表面位置來測量基板30的加工尺寸的裝置。
在基板磨削裝置10設置有控制盤25。控制盤25具有用於輸入各種資訊的輸入部、顯示各種資訊的監視器以及進行各種運算等的運算部等。控制盤25基於所輸入的資訊執行各種運算，進行與基板磨削裝置10整體相關的加工的監視和控制等。
此外，在基板磨削裝置10也可以設置用於清洗精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15的未圖示的清洗液噴射裝置。清洗液噴射裝置具有用於向精磨削砂輪11吹噴清洗液的噴嘴以及用於向粗磨削砂輪15吹噴清洗液的噴嘴。
從噴嘴例如以3MPa至17MPa的壓力向精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15的遠離基板30的砂輪刃尖12、16（參照圖3）附近噴射清洗液。由此，能夠洗掉在磨削工序中附著於精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15的切屑，因此能夠高精度地磨削基板30。
圖2是表示基板磨削裝置10的磨削台24附近的俯視圖。圖3是示意性地表示磨削台24附近的縱截面圖。參照圖2以及圖3，在磨削台24，在基板30的上方並列設置有磨削基板30的精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15。
精磨削砂輪11主要是進行基板30的精磨削的砂輪。粗磨削砂輪15是進行基板30的粗磨削的砂輪。因此，精磨削砂輪11的細微性大於粗磨削砂輪15的細微性。此外，精磨削砂輪11的直徑與粗磨削砂輪15的直徑相等或者大於粗磨削砂輪15的直徑。
精磨削砂輪11構成為磨削範圍具有大於工作臺20的半徑的直徑，並且設置在該磨削範圍包括基板30的旋轉中心21的位置。例如，精磨削砂輪11設置在透過基板30的旋轉中心21的位置。由此，精磨削砂輪11能夠高精度地精磨削基板30的被加工面即上表面31的整體。
粗磨削砂輪15構成為磨削範圍具有大於工作臺20的半徑的直徑，並且設置在接近基板30的旋轉中心21且不與精磨削砂輪11接觸的位置。由此，粗磨削砂輪15能夠對上表面31中的從基板30的外周部到旋轉中心21附近的範圍進行粗磨削。
即，基板磨削裝置10能夠在磨削台24中，透過粗磨削砂輪15進行從基板30的外周部到旋轉中心21附近的磨削，並透過精磨削砂輪11高精度地磨削包括旋轉中心21在內的基板30的被加工面的全部。
這樣，無需變更基板30的位置，就能夠透過精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15同時磨削基板30。因此，無需分開設置粗磨削用的工作臺設置設備和精磨削用的工作臺設置設備。因此，能夠抑制基板磨削裝置10的大型化，並且能夠高效地磨削大型的基板30。
例如，即使在加工物件的基板30為翹曲大的PLP等的大型安裝基板等的情況下，也無需設置轉檯等來輸送工作臺20，能夠透過精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15同時高效地磨削基板30。這樣，根據基板磨削裝置10，能夠實現短時間且高精度的磨削工序。
接下來，對基於基板磨削裝置10的基板製造方法進行詳細說明。參照圖1，首先，執行使基板30吸附於旋轉自如的工作臺20的卡夾工序。
在卡夾工序中，透過機器人等將作為加工對象物的基板30載置於位於待機台23的工作臺20的上表面。然後，黏貼殼體22從基板30的上方下降，將基板30真空吸附於工作臺20。然後，將保持基板30的工作臺20從待機台23向磨削台24移動。
在磨削台24中，執行磨削基板30的磨削工序。在磨削工序中，首先，透過尺寸確定裝置26測定基板30的厚度。粗磨削砂輪15定位在比基板30的上表面31（參照圖3）高出空氣切割量的位置。
在磨削工序中，透過精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15對保持於工作臺20的基板30進行磨削。精磨削砂輪11以及粗磨削砂輪15與工作臺20一起旋轉，一邊旋轉一邊下降，與基板30接觸。另外，關於磨削工序的詳細情況將在後面敘述。
透過磨削工序進行了磨削的基板30與工作臺20一起從磨削台24移動到待機台23。然後，在磨削加工後，切斷工作臺20的真空吸附，將基板30從工作臺20卸下。
接下來，參照圖4至圖6詳細說明透過基板磨削裝置10對基板30進行磨削的磨削工序。圖4是示意性地表示粗磨削工序中的基板30的旋轉中心21附近的縱截面圖。在磨削工序中，首先，執行粗磨削工序。參照圖4，在粗磨削工序中，精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15以粗磨削砂輪15比精磨削砂輪11更接近基板30的上表面31的狀態接近基板30來磨削基板30。
從精磨削砂輪11的砂輪刃尖12到下方的粗磨削砂輪15的砂輪刃尖16的距離例如為1~50μm，優選為1~30μm。這樣，在粗磨削工序中，在粗磨削砂輪15更接近基板30的狀態下進行磨削。由此，透過細微性小且磨損少的粗磨削砂輪15，高效地進行基板30的除了旋轉中心21附近的大範圍的磨削。
如上所述，能夠磨削基板30的包括旋轉中心21的整體的精磨削砂輪11與粗磨削砂輪15同時一邊旋轉一邊下降。由此，能夠透過精磨削砂輪11對不接觸粗磨削砂輪15而未被磨削的基板30的旋轉中心21附近的凸部32進行粗磨削。粗磨削工序中的精磨削砂輪11的磨削範圍是旋轉中心21附近的狹窄範圍。因此，能夠抑制精磨削砂輪11的磨損。
在磨削工序中，精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15在維持彼此的位置關係不變的狀態下以相同切入速度進給。粗磨削工序中的精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15的切入速度例如優選為10~300μm/分鐘，更優選為30~300μm/分鐘。由此，能夠抑制精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15的磨損，並且能夠進行高效且高精度的磨削。
圖5是示意性地表示剛剛開始精磨削工序後的基板30的旋轉中心21附近的縱截面圖。在執行粗磨削工序後，如圖5所示，粗磨削砂輪15移動到相比精磨削砂輪11靠上方的位置。即，粗磨削砂輪15的砂輪刃尖16配置在相比精磨削砂輪11的砂輪刃尖12靠上方的位置，成為從基板30的上表面31離開的狀態。
在精磨削工序中，在粗磨削砂輪15不接觸基板30的上表面的狀態下，精磨削砂輪11一邊旋轉一邊與基板30接觸，對基板30進行磨削。由此，在粗磨削工序中，透過精磨削砂輪11對不接觸粗磨削砂輪15的刃尖而未被粗磨削砂輪15磨削的基板30的旋轉中心21附近的凸部32進行磨削。
精磨削工序中的精磨削砂輪11的切入速度例如優選為10~300μm/分鐘，更優選為10~100μm/分鐘。由此，能夠抑制精磨削砂輪11的磨損，並且能夠進行高效且高精度的磨削。
圖6是示意性地表示精磨削工序中的基板30的旋轉中心21附近的縱截面圖。在開始精磨削工序後，透過精磨削砂輪11對基板30的圖5所示的凸部32進行磨削。之後，如圖6所示，繼續執行精磨削砂輪11對基板30的磨削。由此，透過精磨削砂輪11的砂輪刃尖12，基板30的上表面31整體被高精度地精磨削而平坦化。
然後，透過精磨削砂輪11的精磨削，當由尺寸確定裝置26測定的基板30的厚度成為指定的厚度時，停止精磨削砂輪11的下降。之後，執行在停止精磨削砂輪11的下降的狀態下，使基板30和精磨削砂輪11的旋轉持續規定時間的無火花磨削。之後，使精磨削砂輪11上升，停止基板30和精磨削砂輪11的旋轉。由此，結束精磨削工序。
如上所述，在粗磨削工序中，透過粗磨削砂輪15對基板30的上表面31的大範圍進行粗磨削。因此，精磨削工序中的精磨削砂輪11的加工餘量極小。其結果是，精磨削砂輪11的磨損量減少。
具體而言，根據基板磨削裝置10，與透過1種磨削砂輪執行從粗磨削到精磨削為止的全部的磨削工序的現有技術的磨削方法相比，能夠將磨削時間抑制在約1/2以下，並且能夠將磨削砂輪的運行成本抑制在約1/3以下。
另外，透過精磨削砂輪11和粗磨削砂輪15同時磨削基板30是指，例如精磨削砂輪11對基板30的磨削期間和粗磨削砂輪15對基板30的磨削期間一部分重疊。
如上所述，在本實施方式中，在抑制裝置的大型化的同時，進行工作臺20的輸送次數少的高效的磨削加工。此外，能夠在抑制精磨削砂輪11的磨削量的同時，高效且高精度地磨削大型安裝基板等。
另外，本發明的實施方式並不限定於上述實施方式，能夠在不脫離本發明的主旨的範圍內實施各種變更。
出於示例和說明的目的已經給出了所述詳細的說明。根據上面的教導，許多變形和改變都是可能的。所述的詳細說明並非沒有遺漏或者旨在限制在這裡說明的主題。儘管已經透過文字以特有的結構特徵和/或方法過程對所述主題進行了說明，但應當理解的是，申請專利範圍中所限定的主題不是必須限於所述的具體特徵或者具體過程。更確切地說，將所述的具體特徵和具體過程作為實施申請專利範圍的示例進行了說明。
10:基板磨削裝置
11:精磨削砂輪
12:砂輪刃尖
14:精磨削立柱
15:粗磨削砂輪
16:砂輪刃尖
18:粗磨削立柱
20:工作臺
21:旋轉中心
22:黏貼殼體
23:待機台
24:磨削台
25:控制盤
26:尺寸確定裝置
30:基板
31:上表面
32:凸部
圖1是表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的概要的俯視圖。
圖2是表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的磨削台附近的俯視圖。
圖3是示意性地表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的磨削台附近的縱截面圖。
圖4是示意性地表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的粗磨削工序中的基板的旋轉中心附近的縱截面圖。
圖5是示意性地表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的精磨削工序中的基板的旋轉中心附近的縱截面圖。
圖6是示意性地表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的精磨削工序中的基板的旋轉中心附近的縱截面圖。
10:基板磨削裝置
11:精磨削砂輪
14:精磨削立柱
15:粗磨削砂輪
18:粗磨削立柱
20:工作臺
22:黏貼殼體
23:待機台
24:磨削台
25:控制盤
26:尺寸確定裝置
30:基板
Claims (4)
- 一種基板磨削裝置，包含：一工作臺，在吸附並保持一基板的狀態下旋轉；杯形的一第一磨削砂輪，一邊旋轉一邊磨削保持於所述工作臺並旋轉的所述基板；以及杯形的一第二磨削砂輪，與所述第一磨削砂輪同時接近所述基板而一邊旋轉一邊磨削所述基板；所述第一磨削砂輪的細微性大於所述第二磨削砂輪的細微性；所述第一磨削砂輪構成為其一磨削範圍具有大於所述工作臺的半徑的直徑，並且設置在所述磨削範圍包括所述基板的旋轉中心的位置，所述第二磨削砂輪構成為其一磨削範圍具有大於所述工作臺的半徑的直徑，並且設置在接近所述基板的旋轉中心且不與所述第一磨削砂輪接觸的位置，其磨削範圍不包含所述基板的旋轉中心。
- 如請求項1所述的基板磨削裝置，其中，所述第一磨削砂輪和所述第二磨削砂輪構成為，在所述第二磨削砂輪比所述第一磨削砂輪更接近所述基板的狀態下，所述第一磨削砂輪和所述第二磨削砂輪同時接近所述基板而磨削所述基板，之後，在所述第二磨削砂輪從所述基板離開的狀態下，所述第一磨削砂輪接近所述基板而磨削所述基板。
- 一種基板磨削方法，包括如下工序：一卡夾工序，使一基板吸附於旋轉自如的一工作臺；以及 一磨削工序，透過使所述工作臺旋轉而使保持於所述工作臺的所述基板旋轉，並且使杯形的一第一磨削砂輪和一第二磨削砂輪一邊旋轉一邊同時接近所述基板，同時磨削所述基板，所述第一磨削砂輪的細微性大於所述第二磨削砂輪的細微性，所述第一磨削砂輪構成為其一磨削範圍具有大於所述工作臺的半徑的直徑，並且，在所述磨削工序中進給至所述磨削範圍包括所述基板的旋轉中心的位置，所述第二磨削砂輪構成為其一磨削範圍具有大於所述工作臺的半徑的直徑，並且，在所述磨削工序中進給至接近所述基板的旋轉中心且不與所述第一磨削砂輪接觸的位置，其磨削範圍不包含所述基板的旋轉中心。
- 如請求項3所述基板磨削方法，其中，所述磨削工序包括如下工序：一粗磨削工序，在所述第二磨削砂輪比所述第一磨削砂輪更接近所述基板的狀態下，所述第一磨削砂輪和所述第二磨削砂輪同時接近所述基板而磨削所述基板；以及一精磨削工序，在執行所述粗磨削工序後執行，在所述第二磨削砂輪從所述基板離開的狀態下，所述第一磨削砂輪接近所述基板而磨削所述基板。
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