CN110856900B - 半导体装置的制造方法和制造装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供半导体装置的制造方法和制造装置。半导体装置的制造方法包括：吸附工序，将半导体器件晶片的器件面朝下安装于吸盘机构的上表面；以及边缘修整工序，在所述吸附工序后进行，所述边缘修整工序包括：利用所述吸盘机构使所述半导体器件晶片水平旋转；利用施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转；以及用所述旋转刀具对所述半导体器件晶片的周侧面进行修整。

Description

半导体装置的制造方法和制造装置
相关申请的交叉参考
本申请基于2018年8月21日向日本特许厅提交的日本专利申请2018-154786号，因此将所述日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明的实施方式涉及半导体装置的制造方法和制造装置。
背景技术
在半导体装置制造中，要求将半导体器件晶片封装为更薄。具体地说，期望半导体器件晶片的厚度在50μm以下。在最先进的技术中已实现了厚度10μm的半导体器件晶片。
通过使用固定磨粒砂轮的磨削技术进行半导体器件晶片的薄层化。当使半导体器件晶片薄层化时，如果在该晶片边缘发生破裂，则半导体器件芯片的成品率下降。
在晶片边缘发生破裂的主要原因是在薄层化工序中磨削砂轮与半导体器件晶片的锐利边缘碰撞。因此，以往为了抑制半导体器件晶片的破裂，在用于薄层化的磨削之前会进行晶片边缘的修整(倒角)，这已为公众所知。
例如，在日本专利公开公报特开2009-39808号中公开了利用杯形的金刚石磨削砂轮来进行半导体基板的边缘磨削加工(倒角加工)。在该文献的边缘磨削加工中，使用相对于水平旋转的半导体基板水平旋转的金刚石磨削砂轮。具体地说，以金刚石磨削砂轮的外周边缘部的垂直面与半导体基板的外周边缘部的垂直面重合的方式，使水平旋转的金刚石磨削砂轮从上方下降，进行对半导体基板的边缘面的磨削切入。
此外，在日本专利公开公报特开2011-142201号中公开了一种半导体基板的边缘磨削工序，该半导体基板的边缘磨削工序使用以水平轴为中心而垂直旋转的金刚石制的边缘磨削砂轮。在该文献的边缘磨削工序中，使垂直旋转的边缘磨削砂轮向水平旋转的半导体基板的外周边缘下降。由此，使半导体基板的外周边缘的厚度减少到所希望的厚度。
此外，在日本专利公开公报特开平9-216152号中公开了一种端部磨削装置。在该端部磨削装置中，利用沿Y轴方向(水平方向)配置的主轴使金刚石砂轮垂直旋转。通过使垂直旋转的金刚石砂轮的外周面与水平旋转的半导体晶片的外周部分抵接，对半导体晶片的外周部分进行磨削。
此外，以往在半导体器件晶片的器件面上粘贴BG胶带(Back Grind Tape背磨胶带)作为磨削保护层、以及在半导体器件晶片的器件面上借助树脂形成支撑晶片的方式亦即WSS(Wafer Support System晶片支撑系统)，这些已为公众所知。
以往的修整工序一般来说通过由金刚石刀具切除半导体器件晶片的器件面的边缘部分的一部分的方法来进行。接着，在半导体器件晶片的器件面上粘贴BG胶带或形成WSS的支撑晶片。此后，通过磨削除去半导体器件晶片的背面。由此，进行半导体器件晶片的薄层化。
如上所述，在半导体装置领域中，要求半导体器件晶片进一步的薄层化。为了实现上述薄层化，需要一种用于抑制半导体器件晶片破裂的高精度的修整技术。
但是，在上述现有技术中，难以实现抑制半导体器件晶片碎裂的高精度且高效率的边缘修整工序。
具体地说，在利用作为上述现有技术之一的杯形的金刚石磨削砂轮对边缘进行修整的方法中，加工速度慢且工作效率低。此外，由于杯形的金刚石磨削砂轮磨损，导致修整底面的垂直性变差，修整底面成为锥形。
此外，在通过使垂直旋转的金刚石刀具压抵于水平旋转的半导体器件晶片的边缘部来进行修整的方法中，金刚石刀具与半导体器件晶片线接触。因此，对半导体器件晶片的剪切应力大。
因此，在利用WSS在半导体器件晶片的器件面借助树脂形成支撑晶片的方式中，如果WSS的贴合不完整，则有时因金刚石刀具的剪切应力而在半导体器件晶片和/或WSS上产生新的缺陷。
此外，在用金刚石刀具除去半导体器件晶片的器件面的边缘部的方法中，由于在器件面的外周形成有台阶的状态下进行BG胶带的粘贴或WSS的支撑晶片的形成。因此，进行薄层化工序时，容易产生半导体器件晶片的厚度偏差。
此外，在上述的对半导体器件晶片的器件面进行修整的方法中，必须经由难以加工的金属和绝缘膜除去位于其下方的硅(Si)等半导体晶片。因此，金刚石刀具的磨损变大。
此外，在上述的对半导体器件晶片的器件面进行修整的方法中，飞散的灰尘和污染物容易附着在器件面上。因此，需要进行精密清洗等使工艺成本增加。
发明内容
本发明的一个目的在于提供工作效率高的半导体装置的制造方法和制造装置，可以进行能够抑制半导体器件晶片破裂的、高精度且高效率的修整加工。
本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：吸附工序，将半导体器件晶片的器件面朝下安装于吸盘机构的上表面；以及边缘修整工序，在所述吸附工序后进行，所述边缘修整工序包括：利用所述吸盘机构使所述半导体器件晶片水平旋转；利用施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转；以及用所述旋转刀具对所述半导体器件晶片的周侧面进行修整。
此外，本发明提供一种半导体装置的制造装置，其包括：吸盘机构，借助贴合树脂层和支承基板将半导体器件晶片的器件面朝下地吸附，并使所述半导体器件晶片水平旋转，所述支承基板借助所述贴合树脂层贴合于所述半导体器件晶片；旋转刀具，通过利用立式主轴进行水平旋转，对吸附于所述吸盘机构并水平旋转的所述半导体器件晶片的周侧面以及所述贴合树脂层的上部进行修整；以及超声波振动装置，向所述立式主轴施加超声波，所述立式主轴被设置在所述立式主轴的上部和下部的轴承枢轴支撑，在所述立式主轴的所述上部和所述下部设置的所述轴承之间，所述旋转刀具与所述立式主轴连接。
按照本发明的制造方法，在进行将半导体器件晶片的器件面朝下安装于吸盘机构的上表面的吸附工序后，进行边缘修整。边缘修整包括：利用吸盘机构使半导体器件晶片水平旋转；利用立式主轴使旋转刀具水平旋转；以及用旋转刀具对半导体器件晶片的周侧面进行修整。由此，能够在抑制了因形成于器件面表面的金属膜和绝缘膜等各种覆膜产生的影响的状态下，对半导体器件晶片的周侧面进行修整。
特别是在本发明的制造方法的边缘修整工序中，利用施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转。由此，按照本发明制造方法的边缘修整，与现有技术的采用杯形的金刚石磨削砂轮等的修整相比，能够进行高速且高精度的修整。此外，由于旋转刀具的磨损少，所以能够抑制被修整的周侧面附近的破裂。
此外，在使器件面朝下安装于吸盘机构的状态下，用水平旋转的施加有超声波的旋转刀具对半导体器件晶片进行修整。因此，不容易污染半导体器件晶片中的器件面。因此，不需要进行精密清洗，所以实现了半导体装置的低成本化。
此外，本发明的制造方法可以包括薄层化工序，在边缘修整后执行，通过使用杯形砂轮的磨削法对半导体器件晶片的背面进行加工，从而使半导体器件晶片薄层化。由此，能够执行厚度偏差小的薄层化。因此，能够得到高平坦度且薄层化的半导体器件晶片。
此外，作为吸盘机构，能够利用通过粘贴BG胶带或利用WSS的粘贴借助树脂的支撑晶片来保持器件面的构成。因此，在薄层化工序中，不容易产生半导体器件晶片的厚度偏差。此外，通过BG胶带或WSS支撑晶片来保护器件面。因此，不容易污染器件面且在器件面上不容易附着灰尘。
此外，按照本发明的制造方法，用于边缘修整的旋转刀具的外周砂轮面附近可以比半导体器件晶片薄。由此，能够在半导体器件晶片的周侧面形成沿旋转方向延伸的凹部。由此，能够减少半导体器件晶片背面的污染。因此，能够进行精密的薄层化。
此外，本发明的制造装置包括：吸盘机构，将半导体器件晶片的器件面朝下进行吸附，并且使所述半导体器件晶片水平旋转；旋转刀具，通过利用立式主轴进行水平旋转，对吸着于吸盘机构并水平旋转的所述半导体器件晶片的周侧面进行修整；以及超声波振动装置，向立式主轴施加超声波。由此，能够对半导体器件晶片进行高精度且高效率的修整加工。因此，能够抑制破裂并提高生产效率。
此外，按照本发明的制造装置，可以在吸盘机构的上方设置杯形砂轮，所述杯形砂轮对用旋转刀具进行了修整的半导体器件晶片的背面进行加工，来进行半导体器件晶片的薄层化。由此，能够高精度地使半导体器件晶片的背面平坦化。因此，能够实现半导体器件晶片的进一步的薄层化。
此外，按照本发明的制造装置，立式主轴可以被枢轴支撑在旋转刀具的上方和下方。由此，抑制了旋转刀具的振动。其结果，由于提高了旋转刀具的旋转精度，所以能够对半导体器件晶片的周侧面的非常准确的位置进行修整。
附图说明
图1是表示本发明实施方式的半导体装置的制造装置的边缘修整装置的主视图。
图2是表示本发明实施方式的半导体装置的制造装置的俯视图。
图3A～3D是表示本发明实施方式的半导体装置的制造方法的图。图3A是表示在吸附工序中准备半导体器件晶片的状态的图。图3B是表示在边缘修整工序中进行修整的状态的图。图3C是表示边缘修整工序结束的状态的图。图3D是表示在薄层化工序中进行了薄层化的状态的图。
图4A和4B是表示本发明实施方式的修整面附近的图。图4A是表示边缘修整工序结束后的状态的图。图4B是表示在薄层化工序中进行了薄层化的状态的图。
图5A～5D是表示本发明其他实施方式的半导体装置的制造方法的图。图5A是表示在吸附工序中准备半导体器件晶片的状态的图。图5B是表示在边缘修整工序中进行修整的状态的图。图5C是表示边缘修整工序结束后的状态的图。图5D是表示在薄层化工序中进行了薄层化的状态的图。
附图标记说明
1 全自动磨削装置
10 边缘修整装置
11 真空吸盘
12 贴合树脂层
13 支承基板
14 保护胶带
15 立式主轴
16 超声波振荡装置
17 旋转刀具
18 轴承
30 半导体器件晶片
31 半导体器件层
32 器件面
33 周侧面
34 背面
35 修整面
具体实施方式
在下面的详细说明中，出于说明的目的，为了提供对所公开的实施方式的彻底的理解，提出了许多具体的细节。然而，显然可以在没有这些具体细节的前提下实施一个或更多的实施方式。在其它的情况下，为了简化制图，示意性地示出了公知的结构和装置。
下面，基于附图，对本发明实施方式的半导体装置的制造方法和制造装置进行详细说明。
图1是表示本实施方式的半导体装置的制造装置的示意图，是表示边缘修整装置10的简要结构的主视图。参照图1，边缘修整装置10是对半导体器件晶片30的周侧面33进行修整的装置。
边缘修整装置10具有：真空吸盘11、立式主轴15、旋转刀具17和超声波振荡装置16。真空吸盘11支承半导体器件晶片30并使其水平旋转。旋转刀具17对半导体器件晶片30的周侧面33进行磨削。立式主轴15支承旋转刀具17。超声波振荡装置16向立式主轴15施加超声波。超声波振荡装置16相当于超声波振动装置的一例。
真空吸盘11构成吸附半导体器件晶片30的吸盘机构。真空吸盘11以其旋转轴为大体垂直的方式设置成水平旋转自如。在真空吸盘11的上表面借助由支承基板13等形成的保护层安装半导体器件晶片30。安装于真空吸盘11的半导体器件晶片30与真空吸盘11等吸盘机构一起水平旋转。
旋转刀具17例如是包括由陶瓷结合剂固定的金刚石砂轮的金刚石砂轮刀具。旋转刀具17通过其中心部由立式主轴15支承而能够水平旋转。此外，旋转刀具17设置在其外周部能够与半导体器件晶片30的周侧面33抵接的位置。
立式主轴15是支撑旋转刀具17的旋转轴。立式主轴15的旋转轴沿垂直方向延伸。因此，立式主轴15设置成能够水平旋转。立式主轴15由未图示的驱动装置驱动旋转，由此，旋转刀具17水平旋转。
立式主轴15和旋转刀具17设置成朝向半导体器件晶片30沿水平方向移动自如。由此，能够使水平旋转的旋转刀具17接近保持于真空吸盘11并水平旋转的半导体器件晶片30，并且能够使旋转刀具17的外周砂轮面朝向半导体器件晶片30的周侧面33按压。此外，能够利用旋转刀具17的外周砂轮面，高精度地对半导体器件晶片30的周侧面33进行磨削，并且能够形成所希望的深度的修整面35。
另外，为了通过使水平旋转的旋转刀具17的外周砂轮面向以上述方式水平旋转的半导体器件晶片30的周侧面33按压来进行修整，可以使保持半导体器件晶片30的真空吸盘11能够沿水平方向移动。
此外，旋转刀具17或真空吸盘11也可以沿上下方向移动自如。由此，能够边改变旋转刀具17相对于半导体器件晶片30的上下方向的位置、边反复进行修整。由此，能够在半导体器件晶片30的周侧面33的上下方向的所希望的范围，形成修整面35。
此外，立式主轴15在旋转刀具17的上方和下方由轴承18枢轴支撑。由此，通过在上下两个部位枢轴支撑立式主轴15，抑制了旋转刀具17的旋转振动。其结果，由于提高了旋转刀具17的旋转精度，所以能够进行精度良好的精密的修整加工。
超声波振荡装置16是向立式主轴15施加超声波的装置。通过由超声波振荡装置16向立式主轴15施加超声波，从而向旋转刀具17施加超声波，旋转刀具17在旋转半径方向进行超声波振动。由此，能够高速且高精度地对半导体器件晶片30的周侧面33进行修整。此外，通过向旋转刀具17施加超声波，旋转刀具17的磨损减少。由此，能够抑制半导体器件晶片30修整后的周侧面33附近的破裂。
图2是表示半导体装置的制造装置的俯视图，表示了组装有边缘修整装置10的全自动磨削装置1的简要结构。参照图2，全自动磨削装置1自动执行至半导体器件晶片30(参照图1)的吸附工序、边缘修整工序、薄层化工序和清洗工序的一系列工序。
全自动磨削装置1具有输送半导体器件晶片30的输送机器人21、执行各工序的待机台22、超声波修整台23、粗磨削台25、精磨削台27和清洗单元29。
并且，全自动磨削装置1具有承载各台22、23、25、27的90度分度台20。90度分度台20使半导体器件晶片30向待机台22、超声波修整台23、粗磨削台25和精磨削台27转位90度。例如，90度分度台20使半导体器件晶片30(承载半导体器件晶片30的待机台22)每次旋转移动(公转)90度(转位输送)。由此，90度分度台20使承载半导体器件晶片30的台作为待机台22、超声波修整台23、粗磨削台25和精磨削台27发挥功能。
待机台22是用于执行半导体器件晶片30的吸附工序的台。作为加工对象的半导体器件晶片30首先由输送机器人21输送到待机台22。并且，在待机台22执行半导体器件晶片30的吸附工序。
超声波修整台23是用于执行半导体器件晶片30的边缘修整工序的台。在待机台22进行吸附工序后，90度分度台20使半导体器件晶片30向顺时针方向转位输送90度。由此，在超声波修整台23执行半导体器件晶片30的边缘修整工序。具体地说，利用在施加有超声波的状态下水平旋转的边缘修整装置10的旋转刀具17，对半导体器件晶片30的周侧面33的一部分进行磨削。
此外，全自动磨削装置1包括修整形状评价单元24。修整形状评价单元24准确地检测并评价半导体器件晶片30的修整形状。由此，实现了高精度的修整。
粗磨削台25和精磨削台27是用于执行半导体器件晶片30的薄层化工序的台。在粗磨削台25的上方设置有对半导体器件晶片30的上表面进行粗磨削的粗磨削头26。此外，在精磨削台27的上方设置有对半导体器件晶片30的上表面进行精磨削的精磨削头28。
在超声波修整台23上，边缘修整工序结束的半导体器件晶片30利用90度分度台20进一步向顺时针方向转位输送90度。并且，在粗磨削台25进行利用粗磨削头26的薄层化的粗磨削。
然后，在粗磨削台25进行了粗磨削的半导体器件晶片30由90度分度台20转位输送到精磨削台27。利用精磨削头28将半导体器件晶片30精磨削成最终厚度。
在精磨削台27进行了薄层化的半导体器件晶片30利用90度分度台20返回待机台22。此后，由输送机器人21输送到清洗单元29。并且，在清洗单元29中进行清洗半导体器件晶片30的清洗工序。
另外，图2所示的全自动磨削装置1仅为本实施方式的半导体装置的制造装置的一例。例如，也能够使边缘修整装置10从全自动磨削装置1分离而实现单独的全自动修整装置。
此外，可以在图2所示的配置有清洗单元29的部分上设置边缘修整装置10。由此，能够得到具有与粗磨削台25和精磨削台27的磨削台分离的边缘修整装置10的、带有边缘修整装置10的自动磨削装置。
接着，对本实施方式的半导体装置的制造方法进行详细说明。
图3A～3D是表示半导体装置的制造方法的图。图3A是表示在吸附工序中准备半导体器件晶片30的状态的图。图3B是表示在边缘修整工序中进行修整的状态的图。图3C是表示边缘修整工序结束后的状态的图。图3D是表示在薄层化工序中进行了薄层化的状态的图。
参照图3A，半导体器件晶片30是形成有半导体器件层31的硅晶片。半导体器件晶片30例如直径为300mm厚度为775μm。
在吸附工序中，通过WSS方式，在半导体器件晶片30的器件面32上，借助由硅树脂形成的贴合树脂层12粘贴有作为硅支撑晶片的支承基板13。贴合树脂层12的厚度例如是40μm，支承基板13的厚度例如是750μm。
接着，如图3B所示，半导体器件晶片30使器件面32向下借助贴合树脂层12和支承基板13保持在真空吸盘11上。
并且，在超声波修整台23(参照图2)上执行边缘修整工序。在边缘修整工序中，半导体器件晶片30利用真空吸盘11水平旋转。此外，同样水平旋转的施加有超声波的旋转刀具17的外周砂轮面压抵于半导体器件晶片30的周侧面33。由此，对半导体器件晶片30的周侧面33进行修整。
另外，也可以利用旋转刀具17与周侧面33一起对贴合树脂层12的上部进行磨削。由此，能够提高抑制半导体器件晶片30破裂的效果。
其中，旋转刀具17例如直径为100mm，外周砂轮面厚度为0.15mm。旋转刀具17的金刚石砂轮的粒度优选为从#240到#8000，进一步优选为从#1000到#3000，最优选为#2000。
此外，边缘修整工序中的旋转刀具17的转速优选为从8000到12000min-1。半导体器件晶片30的转速优选为从250到350min-1。立式主轴15的水平移动速度优选为从0.3到0.7mm/min。
例如，通过以下述条件进行3分钟修整，对修整面35进行加工，从周侧面33到1.5mm的深度，所述条件为将旋转刀具17的转速设为10000min-1、将半导体器件晶片30的转速设为300min-1、将立式主轴15的水平移动速度设为0.5mm/min。通过上述条件的修整，得到表面粗糙度从15到20nm(Ra)的半导体器件晶片30。
如上所述，在边缘修整工序中，由施加有超声波的立式主轴15使旋转刀具17水平旋转，因此与现有技术的利用杯形的金刚石磨削砂轮等进行修整相比，能进行高速且高精度的修整。此外，通过向水平旋转的旋转刀具17施加超声波，减少了旋转刀具17的磨损。由此，能够抑制被修整的周侧面33附近的破裂。
其中，从超声波振荡装置16向立式主轴15施加的超声波的频率优选为16到1000kHz，进一步优选为20到100kHz，最优选为40kHz。由此，可得到适合于半导体器件晶片30的修整性能。
此外，半导体器件晶片30在使器件面32向下且保持于真空吸盘11的状态下由水平旋转的施加有超声波的旋转刀具17进行修整。因此，不容易污染器件面32。由此，不需要精密清洗，因而实现了半导体装置的低成本化。此外，能够在抑制了由形成于器件面32表面的金属膜和绝缘膜等各种膜产生的影响的状态下，对半导体器件晶片30的周侧面33进行修整。
利用边缘修整工序，在半导体器件晶片30的周侧面33形成修整面35。具体地说，旋转刀具17的外周砂轮面附近比半导体器件晶片30薄。因此，如图3C所示，修整面35形成圆周状的凹部，该凹部从周侧面33凹陷并沿半导体器件晶片30的旋转方向延伸。
通过利用边缘修整工序在半导体器件晶片30的周侧面33形成凹状的修整面35，还能够减少半导体器件晶片30的背面34的污染。由此，能够在下一道的薄层化工序中进行精密的薄层化加工。
在执行边缘修整工序后，在粗磨削台25(参照图2)和精磨削台27(参照图2)依次执行薄层化工序。在薄层化工序中，通过使用未图示的杯形砂轮的磨削法，对半导体器件晶片30的背面34进行磨削。其结果，如图3D所示，半导体器件晶片30被薄层化。
在薄层化工序中使用的杯形砂轮例如是具有粒度#240到#8000的金刚石磨粒的杯形砂轮。在粗磨削中可以使杯形砂轮的磨粒大并使转速降低。另一方面，在精磨削中可以使杯形砂轮的磨粒小并使转速升高。
通过在边缘修整工序后执行薄层化工序，能够执行厚度偏差小的薄层化。因此，可得到高平坦度且薄层化的半导体器件晶片30。此外，作为吸盘机构，能够利用通过借助贴合树脂层12粘贴支承基板13来保持半导体器件晶片30的器件面32的构成。因此，在薄层化工序中，不容易产生半导体器件晶片30的厚度偏差。此外，利用支承基板13来保护器件面32。因此，不容易污染器件面32且灰尘不容易附着在器件面32上。
图4A和4B是表示半导体器件晶片30的修整面35附近的图。图4A是表示边缘修整工序结束后的状态的图。图4B是表示在薄层化工序中进行了薄层化的状态的图。
如图4A和图4B所示，形成于周侧面33的凹状的修整面35可以形成为上部直径比下部直径小的大体圆锥台状。具体地说，器件面32与倾斜的修整面35所成的角为70到90度，优选为大约80度。由此，通过形成倾斜成上部直径小的修整面35，能够进一步降低半导体器件晶片30的破裂。
图5A～5D是表示半导体装置的制造方法的其他例子的图。图5A是表示在吸附工序中准备半导体器件晶片30的状态的图。图5B是表示在边缘修整工序中进行修整的状态的图。图5C是表示边缘修整工序结束后的状态的图。图5D是表示在薄层化工序中进行了薄层化的状态的图。另外，起到与已说明的实施方式相同或大致同样作用和效果的结构要素采用相同的附图标记。
参照图5A，在吸附工序中，在半导体器件晶片30的器件面32粘贴有BG胶带亦即保护胶带14。作为保护胶带14，例如使用琳得科株式会社(LINTEC Corporation)制的厚度180μm的UV胶带E8180。
并且，如图5B所示，半导体器件晶片30使器件面32向下并借助保护胶带14保持于真空吸盘11。
接着，在修整工序中，利用施加有超声波并水平旋转的旋转刀具17对半导体器件晶片30进行修整。如图5C所示，在周侧面33形成修整面35的凹部。
在执行边缘修整工序后，执行对背面34进行磨削的薄层化工序。由此，如图5D所示，得到高平坦度且薄层化的厚度偏差小的半导体器件晶片30。
另外，本发明的实施方式并不限定于上述实施方式，能够在不脱离本发明的技术宗旨的范围内实施各种变更。
出于示例和说明的目的已经给出了所述详细的说明。根据上面的教导，许多变形和改变都是可能的。所述的详细说明并非没有遗漏或者旨在限制在这里说明的主题。尽管已经通过文字以特有的结构特征和/或方法过程对所述主题进行了说明，但应当理解的是，权利要求书中所限定的主题不是必须限于所述的具体特征或者具体过程。更确切地说，将所述的具体特征和具体过程作为实施权利要求书的示例进行了说明。

Claims (5)

1.一种半导体装置的制造装置，其特征在于包括：
吸盘机构，借助贴合树脂层和支承基板将半导体器件晶片的器件面朝下地吸附，并使所述半导体器件晶片水平旋转，所述支承基板借助所述贴合树脂层贴合于所述半导体器件晶片；
旋转刀具，通过利用立式主轴进行水平旋转，对吸附于所述吸盘机构并水平旋转的所述半导体器件晶片的周侧面以及所述贴合树脂层的上部进行修整；以及
超声波振动装置，向所述立式主轴施加超声波，
所述立式主轴被设置在所述立式主轴的上部和下部的轴承枢轴支撑，
在所述立式主轴的所述上部和所述下部设置的所述轴承之间，所述旋转刀具与所述立式主轴连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，在所述吸盘机构的上方设置有杯形砂轮，所述杯形砂轮对用所述旋转刀具进行了修整的所述半导体器件晶片的背面进行加工，使所述半导体器件晶片薄层化。
3.一种半导体装置的制造方法，使用于权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其特征在于包括：
吸附工序，将半导体器件晶片的器件面朝下安装于吸盘机构的上表面；以及
边缘修整工序，在所述吸附工序后进行，
所述边缘修整工序包括：
利用所述吸盘机构使所述半导体器件晶片水平旋转；
利用施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转；以及
用所述旋转刀具对所述半导体器件晶片的周侧面进行修整。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括薄层化工序，所述薄层化工序在所述边缘修整工序后执行，通过使用杯形砂轮的磨削法对所述半导体器件晶片的背面进行加工，使所述半导体器件晶片薄层化。
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述边缘修整工序中使用的所述旋转刀具的外周砂轮面附近比所述半导体器件晶片薄。
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