TW202010007A - 半導體裝置的製造方法和製造裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供半導體裝置的製造方法和製造裝置。半導體裝置的製造方法包括：吸附工序，將半導體器件晶片的器件面朝下安裝於吸盤機構的上表面；以及邊緣修整工序，在所述吸附工序後進行，所述邊緣修整工序包括：利用所述吸盤機構使所述半導體器件晶片水準旋轉；利用施加有超聲波的立式主軸使旋轉刀具水準旋轉；以及用所述旋轉刀具對所述半導體器件晶片的周側面進行修整。

Description

半導體裝置的製造方法和製造裝置
相關申請的交叉參考
本申請基於2018年8月21日向日本特許廳提交的日本專利申請2018-154786號，因此將所述日本專利申請的全部內容以引用的方式併入本文。
本發明的實施方式涉及半導體裝置的製造方法和製造裝置。
在半導體裝置製造中，要求將半導體器件晶片封裝為更薄。具體地說，期望半導體器件晶片的厚度在50μm以下。在最先進的技術中已實現了厚度10μm的半導體器件晶片。
通過使用固定磨粒砂輪的磨削技術進行半導體器件晶片的薄層化。當使半導體器件晶片薄層化時，如果在該晶片邊緣發生破裂，則半導體器件晶片的成品率下降。
在晶片邊緣發生破裂的主要原因是在薄層化工序中磨削砂輪與半導體器件晶片的銳利邊緣碰撞。因此，以往為了抑制半導體器件晶片的破裂，在用於薄層化的磨削之前會進行晶片邊緣的修整（倒角），這已為公眾所知。
例如，在日本專利公開公報特開2009-39808號中公開了利用杯形的金剛石磨削砂輪來進行半導體基板的邊緣磨削加工（倒角加工）。在該文獻的邊緣磨削加工中，使用相對於水準旋轉的半導體基板水準旋轉的金剛石磨削砂輪。具體地說，以金剛石磨削砂輪的外周邊緣部的垂直面與半導體基板的外周邊緣部的垂直面重合的方式，使水準旋轉的金剛石磨削砂輪從上方下降，進行對半導體基板的邊緣面的磨削切入。
此外，在日本專利公開公報特開2011-142201號中公開了一種半導體基板的邊緣磨削工序，該半導體基板的邊緣磨削工序使用以水準軸為中心而垂直旋轉的金剛石制的邊緣磨削砂輪。在該文獻的邊緣磨削工序中，使垂直旋轉的邊緣磨削砂輪向水準旋轉的半導體基板的外周邊緣下降。由此，使半導體基板的外周邊緣的厚度減少到所希望的厚度。
此外，在日本專利公開公報特開平9-216152號中公開了一種端部磨削裝置。在該端部磨削裝置中，利用沿Y軸方向（水準方向）配置的主軸使金剛石砂輪垂直旋轉。通過使垂直旋轉的金剛石砂輪的外周面與水準旋轉的半導體晶片的外周部分抵接，對半導體晶片的外周部分進行磨削。
此外，以往在半導體器件晶片的器件面上粘貼BG膠帶（Back Grind Tape 背磨膠帶）作为磨削保護層、以及在半導體器件晶片的器件面上借助樹脂形成支撐晶片的方式亦即WSS（Wafer Support System 晶片支撐系統），這些已為公眾所知。
以往的修整工序一般來說通過由金剛石刀具切除半導體器件晶片的器件面的邊緣部分的一部分的方法來進行。接著，在半導體器件晶片的器件面上粘貼BG膠帶或形成WSS的支撐晶片。此後，通過磨削除去半導體器件晶片的背面。由此，進行半導體器件晶片的薄層化。
如上所述，在半導體裝置領域中，要求半導體器件晶片進一步的薄層化。為了實現上述薄層化，需要一種用於抑制半導體器件晶片破裂的高精度的修整技術。
但是，在上述現有技術中，難以實現抑制半導體器件晶片碎裂的高精度且高效率的邊緣修整工序。
具體地說，在利用作為上述現有技術之一的杯形的金剛石磨削砂輪對邊緣進行修整的方法中，加工速度慢且工作效率低。此外，由於杯形的金剛石磨削砂輪磨損，導致修整底面的垂直性變差，修整底面成為錐形。
此外，在通過使垂直旋轉的金剛石刀具壓抵於水準旋轉的半導體器件晶片的邊緣部來進行修整的方法中，金剛石刀具與半導體器件晶片線接觸。因此，對半導體器件晶片的剪切應力大。
因此，在利用WSS在半導體器件晶片的器件面借助樹脂形成支撐晶片的方式中，如果WSS的貼合不完整，則有時因金剛石刀具的剪切應力而在半導體器件晶片和/或WSS上產生新的缺陷。
此外，在用金剛石刀具除去半導體器件晶片的器件面的邊緣部的方法中，由於在器件面的外周形成有臺階的狀態下進行BG膠帶的粘貼或WSS的支撐晶片的形成。因此，進行薄層化工序時，容易產生半導體器件晶片的厚度偏差。
此外，在上述的對半導體器件晶片的器件面進行修整的方法中，必須經由難以加工的金屬和絕緣膜除去位於其下方的矽（Si）等半導體晶片。因此，金剛石刀具的磨損變大。
此外，在上述的對半導體器件晶片的器件面進行修整的方法中，飛散的灰塵和污染物容易附著在器件面上。因此，需要進行精密清洗等使工藝成本增加。
本發明的一個目的在於提供工作效率高的半導體裝置的製造方法和製造裝置，可以進行能夠抑制半導體器件晶片破裂的、高精度且高效率的修整加工。
本發明提供一種半導體裝置的製造方法，其包括：吸附工序，將半導體器件晶片的器件面朝下安裝於吸盤機構的上表面；以及邊緣修整工序，在所述吸附工序後進行，所述邊緣修整工序包括：利用所述吸盤機構使所述半導體器件晶片水準旋轉；利用施加有超聲波的立式主軸使旋轉刀具水準旋轉；以及用所述旋轉刀具對所述半導體器件晶片的周側面進行修整。
此外，本發明提供一種半導體裝置的製造裝置，其包括：吸盤機構，將半導體器件晶片的器件面朝下進行吸附，並使所述半導體器件晶片水準旋轉；旋轉刀具，通過利用立式主軸進行水準旋轉，對吸附於所述吸盤機構並水準旋轉的所述半導體器件晶片的周側面進行修整；以及超聲波振動裝置，向所述立式主軸施加超聲波。
按照本發明的製造方法，在進行將半導體器件晶片的器件面朝下安裝於吸盤機構的上表面的吸附工序後，進行邊緣修整。邊緣修整包括：利用吸盤機構使半導體器件晶片水準旋轉；利用立式主軸使旋轉刀具水準旋轉；以及用旋轉刀具對半導體器件晶片的周側面進行修整。由此，能夠在抑制了因形成於器件面表面的金屬膜和絕緣膜等各種覆膜產生的影響的狀態下，對半導體器件晶片的周側面進行修整。
特別是在本發明的製造方法的邊緣修整工序中，利用施加有超聲波的立式主軸使旋轉刀具水準旋轉。由此，按照本發明製造方法的邊緣修整，與現有技術的採用杯形的金剛石磨削砂輪等的修整相比，能夠進行高速且高精度的修整。此外，由於旋轉刀具的磨損少，所以能夠抑制被修整的周側面附近的破裂。
此外，在使器件面朝下安裝於吸盤機構的狀態下，用水準旋轉的施加有超聲波的旋轉刀具對半導體器件晶片進行修整。因此，不容易污染半導體器件晶片中的器件面。因此，不需要進行精密清洗，所以實現了半導體裝置的低成本化。
此外，本發明的製造方法可以包括薄層化工序，在邊緣修整後執行，通過使用杯形砂輪的磨削法對半導體器件晶片的背面進行加工，從而使半導體器件晶片薄層化。由此，能夠執行厚度偏差小的薄層化。因此，能夠得到高平坦度且薄層化的半導體器件晶片。
此外，作為吸盤機構，能夠利用通過粘貼BG膠帶或利用WSS的粘貼借助樹脂的支撐晶片來保持器件面的構成。因此，在薄層化工序中，不容易產生半導體器件晶片的厚度偏差。此外，通過BG膠帶或WSS支撐晶片來保護器件面。因此，不容易污染器件面且在器件面上不容易附著灰塵。
此外，按照本發明的製造方法，用於邊緣修整的旋轉刀具的外周砂輪面附近可以比半導體器件晶片薄。由此，能夠在半導體器件晶片的周側面形成沿旋轉方向延伸的凹部。由此，能夠減少半導體器件晶片背面的污染。因此，能夠進行精密的薄層化。
此外，本發明的製造裝置包括：吸盤機構，將半導體器件晶片的器件面朝下進行吸附，並且使所述半導體器件晶片水準旋轉；旋轉刀具，通過利用立式主軸進行水準旋轉，對吸著於吸盤機構並水準旋轉的所述半導體器件晶片的周側面進行修整；以及超聲波振動裝置，向立式主軸施加超聲波。由此，能夠對半導體器件晶片進行高精度且高效率的修整加工。因此，能夠抑制破裂並提高生產效率。
此外，按照本發明的製造裝置，可以在吸盤機構的上方設置杯形砂輪，所述杯形砂輪對用旋轉刀具進行了修整的半導體器件晶片的背面進行加工，來進行半導體器件晶片的薄層化。由此，能夠高精度地使半導體器件晶片的背面平坦化。因此，能夠實現半導體器件晶片的進一步的薄層化。
此外，按照本發明的製造裝置，立式主軸可以被樞軸支撐在旋轉刀具的上方和下方。由此，抑制了旋轉刀具的振動。其結果，由於提高了旋轉刀具的旋轉精度，所以能夠對半導體器件晶片的周側面的非常準確的位置進行修整。
在下面的詳細說明中，出於說明的目的，為了提供對所公開的實施方式的徹底的理解，提出了許多具體的細節。然而，顯然可以在沒有這些具體細節的前提下實施一個或更多的實施方式。在其它的情況下，為了簡化製圖，示意性地示出了公知的結構和裝置。
下面，基於附圖，對本發明實施方式的半導體裝置的製造方法和製造裝置進行詳細說明。
圖1是表示本實施方式的半導體裝置的製造裝置的示意圖，是表示邊緣修整裝置10的簡要結構的主視圖。參照圖1，邊緣修整裝置10是對半導體器件晶片30的周側面33進行修整的裝置。
邊緣修整裝置10具有：真空吸盤11、立式主軸15、旋轉刀具17和超聲波振盪裝置16。真空吸盤11支承半導體器件晶片30並使其水準旋轉。旋轉刀具17對半導體器件晶片30的周側面33進行磨削。立式主軸15支承旋轉刀具17。超聲波振盪裝置16向立式主軸15施加超聲波。超聲波振盪裝置16相當於超聲波振動裝置的一例。
真空吸盤11構成吸附半導體器件晶片30的吸盤機構。真空吸盤11以其旋轉軸為大體垂直的方式設置成水準旋轉自如。在真空吸盤11的上表面借助由支承基板13等形成的保護層安裝半導體器件晶片30。安裝於真空吸盤11的半導體器件晶片30與真空吸盤11等吸盤機構一起水準旋轉。
旋轉刀具17例如是包括由陶瓷結合劑固定的金剛石砂輪的金剛石砂輪刀具。旋轉刀具17通過其中心部由立式主軸15支承而能夠水準旋轉。此外，旋轉刀具17設置在其外周部能夠與半導體器件晶片30的周側面33抵接的位置。
立式主軸15是支撐旋轉刀具17的旋轉軸。立式主軸15的旋轉軸沿垂直方向延伸。因此，立式主軸15設置成能夠水準旋轉。立式主軸15由未圖示的驅動裝置驅動旋轉，由此，旋轉刀具17水準旋轉。
立式主軸15和旋轉刀具17設置成朝向半導體器件晶片30沿水準方向移動自如。由此，能夠使水準旋轉的旋轉刀具17接近保持於真空吸盤11並水準旋轉的半導體器件晶片30，並且能夠使旋轉刀具17的外周砂輪面朝向半導體器件晶片30的周側面33按壓。此外，能夠利用旋轉刀具17的外周砂輪面，高精度地對半導體器件晶片30的周側面33進行磨削，並且能夠形成所希望的深度的修整面35。
另外，為了通過使水準旋轉的旋轉刀具17的外周砂輪面向以上述方式水準旋轉的半導體器件晶片30的周側面33按壓來進行修整，可以使保持半導體器件晶片30的真空吸盤11能夠沿水準方向移動。
此外，旋轉刀具17或真空吸盤11也可以沿上下方向移動自如。由此，能夠邊改變旋轉刀具17相對於半導體器件晶片30的上下方向的位置、邊反復進行修整。由此，能夠在半導體器件晶片30的周側面33的上下方向的所希望的範圍，形成修整面35。
此外，立式主軸15在旋轉刀具17的上方和下方由軸承18樞軸支撐。由此，通過在上下兩個部位樞軸支撐立式主軸15，抑制了旋轉刀具17的旋轉振動。其結果，由於提高了旋轉刀具17的旋轉精度，所以能夠進行精度良好的精密的修整加工。
超聲波振盪裝置16是向立式主軸15施加超聲波的裝置。通過由超聲波振盪裝置16向立式主軸15施加超聲波，從而向旋轉刀具17施加超聲波，旋轉刀具17在旋轉半徑方向進行超聲波振動。由此，能夠高速且高精度地對半導體器件晶片30的周側面33進行修整。此外，通過向旋轉刀具17施加超聲波，旋轉刀具17的磨損減少。由此，能夠抑制半導體器件晶片30修整後的周側面33附近的破裂。
圖2是表示半導體裝置的製造裝置的俯視圖，表示了組裝有邊緣修整裝置10的全自動磨削裝置1的簡要結構。參照圖2，全自動磨削裝置1自動執行至半導體器件晶片30（參照圖1）的吸附工序、邊緣修整工序、薄層化工序和清洗工序的一系列工序。
全自動磨削裝置1具有輸送半導體器件晶片30的輸送機器人21、執行各工序的待機台22、超聲波修整台23、粗磨削台25、精磨削台27和清洗單元29。
並且，全自動磨削裝置1具有承載各台22、23、25、27的90度分度台20。90度分度台20使半導體器件晶片30向待機台22、超聲波修整台23、粗磨削台25和精磨削台27轉位90度。例如，90度分度台20使半導體器件晶片30（承載半導體器件晶片30的待機台22）每次旋轉移動（公轉）90度（轉位輸送）。由此，90度分度台20使承載半導體器件晶片30的台作為待機台22、超聲波修整台23、粗磨削台25和精磨削台27發揮功能。
待機台22是用於執行半導體器件晶片30的吸附工序的台。作為加工對象的半導體器件晶片30首先由輸送機器人21輸送到待機台22。並且，在待機台22執行半導體器件晶片30的吸附工序。
超聲波修整台23是用於執行半導體器件晶片30的邊緣修整工序的台。在待機台22進行吸附工序後，90度分度台20使半導體器件晶片30向順時針方向轉位輸送90度。由此，在超聲波修整台23執行半導體器件晶片30的邊緣修整工序。具體地說，利用在施加有超聲波的狀態下水準旋轉的邊緣修整裝置10的旋轉刀具17，對半導體器件晶片30的周側面33的一部分進行磨削。
此外，全自動磨削裝置1包括修整形狀評價單元24。修整形狀評價單元24準確地檢測並評價半導體器件晶片30的修整形狀。由此，實現了高精度的修整。
粗磨削台25和精磨削台27是用於執行半導體器件晶片30的薄層化工序的台。在粗磨削台25的上方設置有對半導體器件晶片30的上表面進行粗磨削的粗磨削頭26。此外，在精磨削台27的上方設置有對半導體器件晶片30的上表面進行精磨削的精磨削頭28。
在超聲波修整台23上，邊緣修整工序結束的半導體器件晶片30利用90度分度台20進一步向順時針方向轉位輸送90度。並且，在粗磨削台25進行利用粗磨削頭26的薄層化的粗磨削。
然後，在粗磨削台25進行了粗磨削的半導體器件晶片30由90度分度台20轉位輸送到精磨削台27。利用精磨削頭28將半導體器件晶片30精磨削成最終厚度。
在精磨削台27進行了薄層化的半導體器件晶片30利用90度分度台20返回待機台22。此後，由輸送機器人21輸送到清洗單元29。並且，在清洗單元29中進行清洗半導體器件晶片30的清洗工序。
另外，圖2所示的全自動磨削裝置1僅為本實施方式的半導體裝置的製造裝置的一例。例如，也能夠使邊緣修整裝置10從全自動磨削裝置1分離而實現單獨的全自動修整裝置。
此外，可以在圖2所示的配置有清洗單元29的部分上設置邊緣修整裝置10。由此，能夠得到具有與粗磨削台25和精磨削台27的磨削台分離的邊緣修整裝置10的、帶有邊緣修整裝置10的自動磨削裝置。
接著，對本實施方式的半導體裝置的製造方法進行詳細說明。
圖3A～3D是表示半導體裝置的製造方法的圖。圖3A是表示在吸附工序中準備半導體器件晶片30的狀態的圖。圖3B是表示在邊緣修整工序中進行修整的狀態的圖。圖3C是表示邊緣修整工序結束後的狀態的圖。圖3D是表示在薄層化工序中進行了薄層化的狀態的圖。
參照圖3A，半導體器件晶片30是形成有半導體器件層31的矽晶片。半導體器件晶片30例如直徑為300mm厚度為775μm。
在吸附工序中，通過WSS方式，在半導體器件晶片30的器件面32上，借助由矽樹脂形成的貼合樹脂層12粘貼有作為矽支撐晶片的支承基板13。貼合樹脂層12的厚度例如是40μm，支承基板13的厚度例如是750μm。
接著，如圖3B所示，半導體器件晶片30使器件面32向下借助貼合樹脂層12和支承基板13保持在真空吸盤11上。
並且，在超聲波修整台23（參照圖2）上執行邊緣修整工序。在邊緣修整工序中，半導體器件晶片30利用真空吸盤11水準旋轉。此外，同樣水準旋轉的施加有超聲波的旋轉刀具17的外周砂輪面壓抵於半導體器件晶片30的周側面33。由此，對半導體器件晶片30的周側面33進行修整。
另外，也可以利用旋轉刀具17與周側面33一起對貼合樹脂層12的上部進行磨削。由此，能夠提高抑制半導體器件晶片30破裂的效果。
其中，旋轉刀具17例如直徑為100mm，外周砂輪面厚度為0.15mm。旋轉刀具17的金剛石砂輪的細微性優選為從#240到#8000，進一步優選為從#1000到#3000，最優選為#2000。
此外，邊緣修整工序中的旋轉刀具17的轉速優選為從8000到12000min-1。半導體器件晶片30的轉速優選為從250到350min-1。立式主軸15的水準移動速度優選為從0.3到0.7mm/min。
例如，通過以下述條件進行3分鐘修整，對修整面35進行加工，從周側面33到1.5mm的深度，所述條件為將旋轉刀具17的轉速設為10000min-1、將半導體器件晶片30的轉速設為300min-1、將立式主軸15的水準移動速度設為0.5mm/min。通過上述條件的修整，得到表面粗糙度從15到20nm（Ra）的半導體器件晶片30。
如上所述，在邊緣修整工序中，由施加有超聲波的立式主軸15使旋轉刀具17水準旋轉，因此與現有技術的利用杯形的金剛石磨削砂輪等進行修整相比，能進行高速且高精度的修整。此外，通過向水準旋轉的旋轉刀具17施加超聲波，減少了旋轉刀具17的磨損。由此，能夠抑制被修整的周側面33附近的破裂。
其中，從超聲波振盪裝置16向立式主軸15施加的超聲波的頻率優選為16到1000kHz，進一步優選為20到100kHz，最優選為40kHz。由此，可得到適合於半導體器件晶片30的修整性能。
此外，半導體器件晶片30在使器件面32向下且保持於真空吸盤11的狀態下由水準旋轉的施加有超聲波的旋轉刀具17進行修整。因此，不容易污染器件面32。由此，不需要精密清洗，因而實現了半導體裝置的低成本化。此外，能夠在抑制了由形成於器件面32表面的金屬膜和絕緣膜等各種膜產生的影響的狀態下，對半導體器件晶片30的周側面33進行修整。
利用邊緣修整工序，在半導體器件晶片30的周側面33形成修整面35。具體地說，旋轉刀具17的外周砂輪面附近比半導體器件晶片30薄。因此，如圖3C所示，修整面35形成圓周狀的凹部，該凹部從周側面33凹陷並沿半導體器件晶片30的旋轉方向延伸。
通過利用邊緣修整工序在半導體器件晶片30的周側面33形成凹狀的修整面35，還能夠減少半導體器件晶片30的背面34的污染。由此，能夠在下一道的薄層化工序中進行精密的薄層化加工。
在執行邊緣修整工序後，在粗磨削台25（參照圖2）和精磨削台27（參照圖2）依次執行薄層化工序。在薄層化工序中，通過使用未圖示的杯形砂輪的磨削法，對半導體器件晶片30的背面34進行磨削。其結果，如圖3D所示，半導體器件晶片30被薄層化。
在薄層化工序中使用的杯形砂輪例如是具有細微性#240到#8000的金剛石磨粒的杯形砂輪。在粗磨削中可以使杯形砂輪的磨粒大並使轉速降低。另一方面，在精磨削中可以使杯形砂輪的磨粒小並使轉速升高。
通過在邊緣修整工序後執行薄層化工序，能夠執行厚度偏差小的薄層化。因此，可得到高平坦度且薄層化的半導體器件晶片30。此外，作為吸盤機構，能夠利用通過借助貼合樹脂層12粘貼支承基板13來保持半導體器件晶片30的器件面32的構成。因此，在薄層化工序中，不容易產生半導體器件晶片30的厚度偏差。此外，利用支承基板13來保護器件面32。因此，不容易污染器件面32且灰塵不容易附著在器件面32上。
圖4A和4B是表示半導體器件晶片30的修整面35附近的圖。圖4A是表示邊緣修整工序結束後的狀態的圖。圖4B是表示在薄層化工序中進行了薄層化的狀態的圖。
如圖4A和圖4B所示，形成於周側面33的凹狀的修整面35可以形成為上部直徑比下部直徑小的大體圓錐台狀。具體地說，器件面32與傾斜的修整面35所成的角為70到90度，優選為大約80度。由此，通過形成傾斜成上部直徑小的修整面35，能夠進一步降低半導體器件晶片30的破裂。
圖5A～5D是表示半導體裝置的製造方法的其他例子的圖。圖5A是表示在吸附工序中準備半導體器件晶片30的狀態的圖。圖5B是表示在邊緣修整工序中進行修整的狀態的圖。圖5C是表示邊緣修整工序結束後的狀態的圖。圖5D是表示在薄層化工序中進行了薄層化的狀態的圖。另外，起到與已說明的實施方式相同或大致同樣作用和效果的結構要素採用相同的附圖標記。
參照圖5A，在吸附工序中，在半導體器件晶片30的器件面32粘貼有BG膠帶亦即保護膠帶14。作為保護膠帶14，例如使用琳得科株式會社（LINTEC Corporation）制的厚度180μm的UV膠帶E8180。
並且，如圖5B所示，半導體器件晶片30使器件面32向下並借助保護膠帶14保持於真空吸盤11。
接著，在修整工序中，利用施加有超聲波並水準旋轉的旋轉刀具17對半導體器件晶片30進行修整。如圖5C所示，在周側面33形成修整面35的凹部。
在執行邊緣修整工序後，執行對背面34進行磨削的薄層化工序。由此，如圖5D所示，得到高平坦度且薄層化的厚度偏差小的半導體器件晶片30。
另外，本發明的實施方式並不限定於上述實施方式，能夠在不脫離本發明的技術宗旨的範圍內實施各種變更。
出於示例和說明的目的已經給出了所述詳細的說明。根據上面的教導，許多變形和改變都是可能的。所述的詳細說明並非沒有遺漏或者旨在限制在這裡說明的主題。儘管已經通過文字以特有的結構特徵和/或方法過程對所述主題進行了說明，但應當理解的是，請求項書中所限定的主題不是必須限於所述的具體特徵或者具體過程。更確切地說，將所述的具體特徵和具體過程作為實施請求項書的示例進行了說明。
1‧‧‧全自動磨削裝置 10‧‧‧邊緣修整裝置 11‧‧‧真空吸盤 12‧‧‧貼合樹脂層 13‧‧‧支承基板 14‧‧‧保護膠帶 15‧‧‧立式主軸 16‧‧‧超聲波振盪裝置 17‧‧‧旋轉刀具 18‧‧‧軸承 20‧‧‧90度分度台 21‧‧‧輸送機器人 22‧‧‧待機台 23‧‧‧超聲波修整台 24‧‧‧修整形狀評價單元 25‧‧‧粗磨削台 26‧‧‧粗磨削頭 27‧‧‧精磨削台 28‧‧‧精磨削頭 29‧‧‧清洗單元 30‧‧‧半導體器件晶片 31‧‧‧半導體器件層 32‧‧‧器件面 33‧‧‧周側面 34‧‧‧背面 35‧‧‧修整面
圖1是表示本發明實施方式的半導體裝置的製造裝置的邊緣修整裝置的主視圖。 圖2是表示本發明實施方式的半導體裝置的製造裝置的俯視圖。 圖3A～3D是表示本發明實施方式的半導體裝置的製造方法的圖。圖3A是表示在吸附工序中準備半導體器件晶片的狀態的圖。圖3B是表示在邊緣修整工序中進行修整的狀態的圖。圖3C是表示邊緣修整工序結束的狀態的圖。圖3D是表示在薄層化工序中進行了薄層化的狀態的圖。 圖4A和4B是表示本發明實施方式的修整面附近的圖。圖4A是表示邊緣修整工序結束後的狀態的圖。圖4B是表示在薄層化工序中進行了薄層化的狀態的圖。 圖5A～5D是表示本發明其他實施方式的半導體裝置的製造方法的圖。圖5A是表示在吸附工序中準備半導體器件晶片的狀態的圖。圖5B是表示在邊緣修整工序中進行修整的狀態的圖。圖5C是表示邊緣修整工序結束後的狀態的圖。圖5D是表示在薄層化工序中進行了薄層化的狀態的圖。
10‧‧‧邊緣修整裝置
11‧‧‧真空吸盤
12‧‧‧貼合樹脂層
13‧‧‧支承基板
15‧‧‧立式主軸
16‧‧‧超聲波振盪裝置
17‧‧‧旋轉刀具
18‧‧‧軸承
30‧‧‧半導體器件晶片
32‧‧‧器件面
33‧‧‧周側面
34‧‧‧背面
35‧‧‧修整面

Claims (6)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，包括： 一吸附工序，將一半導體器件晶片的一器件面朝下安裝於一吸盤機構的一上表面；以及 一邊緣修整工序，在所述吸附工序後進行， 所述邊緣修整工序包括： 利用所述吸盤機構使所述半導體器件晶片水準旋轉； 利用施加有超聲波的一立式主軸使一旋轉刀具水準旋轉；以及 用所述旋轉刀具對所述半導體器件晶片的一周側面進行修整。
  2. 根據請求項1所述的半導體裝置的製造方法，包括一薄層化工序，所述薄層化工序在所述邊緣修整工序後執行，通過使用一杯形砂輪的一磨削法對所述半導體器件晶片的一背面進行加工，使所述半導體器件晶片薄層化。
  3. 根據請求項1或2所述的半導體裝置的製造方法，其特徵在於，所述邊緣修整工序中使用的所述旋轉刀具的一外周砂輪面附近比所述半導體器件晶片薄。
  4. 一種半導體裝置的製造裝置，包括： 一吸盤機構，將一半導體器件晶片的一器件面朝下進行吸附，並使所述半導體器件晶片水準旋轉； 一旋轉刀具，通過利用一立式主軸進行水準旋轉，對吸附於所述吸盤機構並水準旋轉的所述半導體器件晶片的一周側面進行修整；以及 一超聲波振動裝置，向所述立式主軸施加一超聲波。
  5. 根據請求項4所述的半導體裝置的製造裝置，在所述吸盤機構的上方設置有一杯形砂輪，所述杯形砂輪對用所述旋轉刀具進行了修整的所述半導體器件晶片的一背面進行加工，使所述半導體器件晶片薄層化。
  6. 根據請求項4或5所述的半導體裝置的製造裝置，所述立式主軸被一樞軸支撐在所述旋轉刀具的一上方和一下方。
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