JP2021146464A - トリミング用ブレードおよびウェーハの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】バックグラインド時にウェーハの外周部に切り残し部が生じることを抑制でき、これによりウェーハの外周部を高品位に形成できるトリミング用ブレードおよびウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】中心軸Ｃを中心とする円板状のブレード本体１を備え、ブレード本体１は、ブレード本体１に分散される砥粒３と、ブレード本体１の外周部に配置される切れ刃４と、を有し、切れ刃４は、ブレード本体１の外周面に配置されるテーパ部４ａを有し、テーパ部４ａは、中心軸Ｃの軸方向一方側へ向かうに従い径方向外側へ向けて傾斜する。【選択図】図４

Description

本発明は、トリミング用ブレードおよびウェーハの製造方法に関する。

近年、半導体製造分野ではウェーハの薄膜化が進んでいる。ウェーハは、表面が半導体素子の形成面とされており、裏面を研削すること（以下、バックグラインドと呼ぶ）により、薄膜化される。バックグラインド前のウェーハの外周部は、ウェーハの中心軸に沿う断面視で、径方向外側に突出する凸曲線状に形成されている。このため、バックグラインドの際、ウェーハの厚さが薄くなるに従い外周部が尖り、この外周部から欠けが生じてウェーハが破損するおそれがある。

そこで特許文献１のウェーハの加工方法では、特許文献１の図３に示されるように、ウェーハの外周部に、表面側から切削ブレードを所定の深さまで切り込ませて、外周部の一部を除去するエッヂトリミングを施している。エッヂトリミングを施した後、特許文献１の図５に示されるように、ウェーハにバックグラインドを施すことにより、ウェーハの外周部が尖ることを抑制できる。

特開２０１５−２１７４６１号公報

しかしながら、本願の図８および図９に示すように、エッヂトリミング後に、ウェーハＷの裏面１０１ｂ側からバックグラインドを施す際、ウェーハＷの外周部に切り残し部１０２が生じる場合がある。切り残し部１０２は、ウェーハＷから離脱されるときにウェーハＷの外周部に欠損を生じさせるなど、不具合の原因となるため好ましくない。

上記事情に鑑み、本発明は、バックグラインド時にウェーハの外周部に切り残し部が生じることを抑制でき、これによりウェーハの外周部を高品位に形成できるトリミング用ブレードおよびウェーハの製造方法を提供することを目的の一つとする。

本発明のトリミング用ブレードの一つの態様は、中心軸を中心とする円板状のブレード本体を備え、前記ブレード本体は、前記ブレード本体に分散される砥粒と、前記ブレード本体の外周部に配置される切れ刃と、を有し、前記切れ刃は、前記ブレード本体の外周面に配置されるテーパ部を有し、前記テーパ部は、前記中心軸の軸方向一方側へ向かうに従い径方向外側へ向けて傾斜する。
また、本発明の一つの態様は、表面が半導体素子の形成面とされたウェーハを製造する方法であって、前記ウェーハを裏面側から保持するウェーハ第１保持工程と、上述のトリミング用ブレードにより、前記ウェーハの外周部に、前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さ方向の所定深さまでエッヂトリミング加工を施すエッヂトリミング工程と、前記ウェーハを表面側から保持するウェーハ第２保持工程と、前記ウェーハを裏面側から研削加工し、前記ウェーハの厚さ方向の寸法を減少させるバックグラインド工程と、を含み、前記エッヂトリミング工程では、前記トリミング用ブレードの前記テーパ部により、前記ウェーハの外周部に、前記ウェーハの径方向外側へ向かうに従い前記厚さ方向の表面から裏面側へ向けて傾斜するテーパ面を形成する。

本発明のトリミング用ブレードは、ウェーハの製造方法におけるエッヂトリミング工程に用いられる。このためトリミング用ブレードは、ウェーハのエッヂトリミング用ブレードと言い換えてもよい。
ウェーハのエッヂトリミング工程では、トリミング用ブレードの切れ刃のテーパ部が、ウェーハの外周部に、ウェーハ表面から所定深さに位置するテーパ面を形成する。これにより、エッヂトリミング後のバックグラインド工程において、ウェーハの外周部に切り残し部が発生することが抑制される。切り残し部が発生しないため、切り残し部の離脱に起因してウェーハの外周部に欠損が生じるなどの不具合が抑えられる。したがって、本発明によれば、ウェーハの外周部を精度よく高品位に形成できる。

上記トリミング用ブレードにおいて、前記ブレード本体は、三次元架橋構造の多孔質状であり前記砥粒を保持するビトリファイドボンド相を有することが好ましい。

この場合、トリミング用ブレードは、ビトリファイドブレードである。具体的に、ビトリファイドボンド相は、セラミック等を含むガラス質の結合材からなる三次元架橋構造を有する多孔質体のボンド相である。ビトリファイドブレードは、ウェーハの加工に適している。また、ビトリファイドブレードは、切れ刃の偏芯を除去し切れ刃の形状を整えるツルーイングや、切れ刃の砥粒の目立てを行うドレッシング等（以下、単にドレッシングと呼ぶ）が容易に行える。すなわち、ビトリファイドブレードは、切れ刃を径方向に数十μｍドレッシングして形状を整えることが容易であり、ドレッシングの作業性がよい。このため、トリミング用ブレードが実装されるダイシング装置（ダイサー）の装置内において、トリミング用ブレードの切れ刃のドレッシングを自動化することが容易である。これにより、ウェーハの製造効率を向上できる。

上記トリミング用ブレードにおいて、前記切れ刃は、軸方向の寸法が１〜５ｍｍであることが好ましい。

この場合、エッヂトリミング前にウェーハの外周部に設けられている凸曲面状の部分、つまりいわゆる面取り部の径方向の寸法に合わせて、トリミング用ブレードの切れ刃の刃幅を適宜選択しエッヂトリミング加工できる。

具体的には、切れ刃の軸方向の寸法が１ｍｍ以上であるので、一度のエッヂトリミング加工により、ウェーハにテーパ面を付与できる。すなわち、トリミング用ブレードをウェーハに対して軸方向に移動させることなく、ウェーハにテーパ面を簡単に形成できる。なお好ましくは、切れ刃の軸方向の寸法は、２ｍｍ以上である。

また、切れ刃の軸方向の寸法が５ｍｍ以下であるので、エッヂトリミング加工時に、切れ刃のうち軸方向一方側の端部が、ウェーハの外周部からウェーハの径方向外側に突出する量を小さく抑えられる。これにより、テーパ部に摩耗による大きな段差が生じること、つまり大きな偏摩耗が生じることが抑制されて、トリミング用ブレードの切れ刃のドレッシングが効率よく行える。なお好ましくは、切れ刃の軸方向の寸法は、３ｍｍ以下である。

本発明の一つの態様のトリミング用ブレードおよびウェーハの製造方法によれば、バックグラインド時にウェーハの外周部に切り残し部が生じることを抑制でき、これによりウェーハの外周部を高品位に形成できる。

図１は、本実施形態のトリミング用ブレードを示す平面図である。 図２は、本実施形態のトリミング用ブレードを示す断面図である。 図３は、本実施形態のウェーハの製造方法を説明するフローチャートである。 図４は、ウェーハの製造方法のエッヂトリミング工程を説明する図である。 図５は、ウェーハの製造方法のバックグラインド工程を説明する図である。 図６は、トリミング用ブレードのドレッシングプレート、およびトリミング用ブレードのドレッシング方法を説明する斜視図である。 図７は、トリミング用ブレードのドレッシングプレート、およびトリミング用ブレードのドレッシング方法を説明する側面図である。 図８は、従来のウェーハの製造方法のバックグラインド工程を説明する図である。 図９は、従来のウェーハの製造方法のバックグラインド工程を説明する図である。

以下、本発明の一実施形態のウェーハＷの製造システム、トリミング用ブレード１０、トリミング用ブレード１０のドレッシングプレート５０（以下、単にドレッシングプレート５０と呼ぶ）、ウェーハＷの製造方法、および、トリミング用ブレード１０のドレッシング方法について、図面を参照して説明する。
なお図面には、必要に応じて、適宜３次元直交座標系としてＸＹＺ座標系を示す。ＸＹＺ座標系において、Ｚ軸方向は、鉛直方向である。＋Ｚ側は、鉛直方向上側であり、−Ｚ側は、鉛直方向下側である。本実施形態では、鉛直方向上側を単に「上側」と呼び、鉛直方向下側を単に「下側」と呼ぶ。Ｘ軸方向は、Ｚ軸方向と直交する方向である。Ｘ軸方向は、鉛直方向と直交する水平方向である。Ｙ軸方向は、Ｚ軸方向およびＸ軸方向の両方と直交する方向である。Ｙ軸方向は、鉛直方向と直交する水平方向である。

図４に示すように、ウェーハＷは、中心軸Ｏを中心とする円板状である。ウェーハＷの表面１０１ａには、半導体素子が配置される。つまり表面１０１ａは、半導体素子の形成面とされる。ウェーハＷの裏面１０１ｂは、中心軸Ｏの軸方向において、表面１０１ａとは反対側を向く。ウェーハＷの外周部には、中心軸Ｏに沿う断面視で、径方向外側に突出する凸曲線状の面取り部１０１ｃが形成されている。面取り部１０１ｃは、ウェーハＷの外周部に設けられる凸曲面状の部分である。後述するダイシング装置１００において、面取り部１０１ｃのうち中心軸Ｏの軸方向に沿う一部は、表面１０１ａ側からトリミング（エッヂトリミング）される。

特に図示しないが、ウェーハＷには、表面１０１ａから窪む分割溝が、複数形成されている。また表面１０１ａには、図示しないテープが貼着されている。テープは、分割溝により区画される複数のチップ予定部に跨って配置される。
なお以下の説明では、後述するトリミング用ブレード１０の中心軸Ｃの軸方向と区別して、ウェーハＷの中心軸Ｏの軸方向を、「厚さ方向」と呼ぶ場合がある。

まず、ウェーハＷの製造システムについて説明する。図４および図５に示すように、本実施形態のウェーハＷの製造システムは、ダイシング装置（ダイサー）１００と、研削装置２００と、を備える。

図４に示すように、ダイシング装置１００は、ウェーハＷの外周部すなわち面取り部１０１ｃに、トリミング用ブレード１０により表面１０１ａ側からエッヂトリミング加工を施す。このためダイシング装置は、エッヂトリミング装置と言い換えてもよい。またトリミング用ブレード１０は、ウェーハＷのエッヂトリミング用ブレードと言い換えてもよい。ダイシング装置１００でウェーハＷが処理される際、ウェーハＷの中心軸Ｏは、Ｚ軸方向に沿って配置される。ウェーハＷの表面１０１ａは、上側を向き、裏面１０１ｂは、下側を向く。

図５に示すように、研削装置２００は、図示しない研削ホイールにより、ウェーハＷを裏面１０１ｂ側から研削加工（バックグラインド加工）して、ウェーハＷの厚さ方向の寸法を所定値まで減少させる。研削装置２００でウェーハＷが処理される際、ウェーハＷの中心軸Ｏは、Ｚ軸方向に沿って配置される。ウェーハＷの表面１０１ａは、下側を向き、裏面１０１ｂは、上側を向く。
特に図示しないが、研削装置２００は、ウェーハＷを研削加工する前記研削ホイールと、ウェーハＷを保持するチャックテーブルと、を有する。研削ホイールの中心軸とチャックテーブルの中心軸とは、互いに平行であり、本実施形態では各中心軸がＺ軸方向（つまり鉛直方向）に延びる。研削ホイールおよびチャックテーブルは、各中心軸回りに、それぞれ回転可能である。研削ホイールとチャックテーブルとは、各中心軸と垂直な方向（つまり水平方向）に、相対的に移動可能である。

研削装置２００で処理するよりも前、つまりバックグラインド加工前のウェーハＷの厚さ方向の寸法は、例えば数百μｍであり、本実施形態の例では３５０μｍである。バックグラインド加工前のウェーハＷの厚さ方向の寸法は、例えば、表面１０１ａに半導体素子を形成する際のウェーハＷの熱変形を抑制するために必要な寸法等に設定される。特に図示しないが、研削装置２００で処理した後、つまりバックグラインド加工後のウェーハＷの厚さ方向の寸法（上記所定値）は、例えば数十μｍであり、本実施形態の例では５０μｍである。

図４、図６および図７に示すように、ダイシング装置１００は、トリミング用ブレード１０と、トリミング用ブレード１０をその中心軸Ｃ回りに回転させ、少なくともＺ軸方向に移動させるスピンドル（図示省略）と、ウェーハＷを中心軸Ｏ回りに回転可能に保持する保持部（図示省略）を有し、Ｚ軸と垂直な方向（水平方向）に移動可能なテーブルＴと、テーブルＴ上に固定されるドレッシングプレート５０と、テーブルＴに対向して配置され、テーブルＴのアライメント（位置合わせ）等に用いられる顕微鏡部材Ｍと、を備える。トリミング用ブレード１０、スピンドル、テーブルＴ、ドレッシングプレート５０および顕微鏡部材Ｍは、ダイシング装置１００の装置内に配置される。

トリミング用ブレード１０は、図示しないスピンドルに着脱可能に装着される。スピンドルに装着されたトリミング用ブレード１０の中心軸Ｃは、水平方向に延び、スピンドルの中心軸と同軸に配置される。図４に示すように、本実施形態では、スピンドルに取り付けられたトリミング用ブレード１０の中心軸Ｃが、Ｘ軸方向に沿って延びる。

図１、図２および図４に示すように、トリミング用ブレード１０は、中心軸Ｃを中心とする円板状のブレード本体１を備える。詳しくは、ブレード本体１は、中心軸Ｃを中心とする円環板状である。すなわち、本実施形態でいう円板状には、円板の中央に貫通孔を有する円環板状が含まれる。ブレード本体１は、中心軸Ｃの軸方向において互いに反対側を向く一対の板面１ａ，１ｂを有する。なお板面１ａ，１ｂは、側面１ａ，１ｂと言い換えてもよい。

本実施形態では、ブレード本体１の中心軸Ｃが延びる方向を、軸方向と呼ぶ。本実施形態では、軸方向がＸ軸方向に相当する。軸方向のうち、一方の板面１ａから他方の板面１ｂへ向かう方向を軸方向一方側（＋Ｘ側）と呼び、他方の板面１ｂから一方の板面１ａへ向かう方向を軸方向他方側（−Ｘ側）と呼ぶ。
中心軸Ｃと直交する方向を径方向と呼ぶ。径方向のうち、中心軸Ｃに近づく方向を径方向内側と呼び、中心軸Ｃから離れる方向を径方向外側と呼ぶ。
中心軸Ｃ回りに周回する方向を周方向と呼ぶ。

ブレード本体１は、ビトリファイドボンド相２と、砥粒３と、切れ刃４と、取付孔５と、フィラーと、を有する。

ビトリファイドボンド相２は、三次元架橋構造の多孔質状であり、砥粒３を保持する。ビトリファイドボンド相２は、セラミック等を含むガラス質の結合材からなる三次元架橋構造を有する多孔質体のボンド相である。詳しくは、ビトリファイドボンド相２は、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２を含む（例えば、主成分とする）非導電性（絶縁性）のガラス質を材料とする結合材（ガラス状結合相）からなり、砥粒３同士を繋ぐ三次元架橋構造（三次元網目構造）に形成されることにより、内部に連続的な多数（複数）の気孔を有する。
つまり、本実施形態のトリミング用ブレード１０は、ビトリファイドブレードである。

砥粒３は、ビトリファイドボンド相２に分散される。つまり砥粒３は、ブレード本体１に分散される。砥粒３は、例えばダイヤモンド砥粒やｃＢＮ砥粒等である。

切れ刃４は、ビトリファイドボンド相２の外周部に配置される。つまり切れ刃４は、ブレード本体１の外周部に配置される。切れ刃４は、中心軸Ｃを中心とする円形リング状である。切れ刃４は、軸方向の寸法つまり刃幅が、１〜５ｍｍであり、好ましくは、２〜３ｍｍである。本実施形態では切れ刃４の刃幅が、ブレード本体１の軸方向の寸法つまりブレード厚に相当する。すなわち、ブレード本体１は、軸方向の寸法が、１〜５ｍｍであり、好ましくは、２〜３ｍｍである。

切れ刃４は、ビトリファイドボンド相２の外周面に配置されるテーパ部４ａを有する。つまり切れ刃４は、ブレード本体１の外周面に配置されるテーパ部４ａを有する。テーパ部４ａは、軸方向一方側（＋Ｘ側）へ向かうに従い径方向外側へ向けて傾斜する。テーパ部４ａは、軸方向一方側へ向かうに従い拡径するテーパ面状である。本実施形態ではテーパ部４ａが、ブレード本体１の外周面の軸方向全域にわたって配置される。

図２に示すように、中心軸Ｃに沿う断面視において、テーパ部４ａは、中心軸Ｃに対して傾斜して延びる。この断面視で、テーパ部４ａは直線状に延びる。この断面視で、テーパ部４ａと中心軸Ｃとの間に形成される傾斜角θ１は、例えば、０°を超え７０°以下であり、好ましくは、２０°以上６０°以下である。

取付孔５は、ブレード本体１を軸方向に貫通する。取付孔５は、中心軸Ｃを中心とする円孔状である。
特に図示しないが、フィラーは、ビトリファイドボンド相２に分散される。つまりフィラーは、ブレード本体１に分散される。フィラーの硬度は、砥粒３の硬度よりも低い。フィラーの平均粒径は、砥粒３の平均粒径よりも小さい。フィラーは、例えば、ＳｉＣ粒子等である。なおブレード本体１は、フィラーを有していなくてもよい。

特に図示しないが、ブレード本体１は、金属被覆ビトリファイドボンド相を有していてもよい。この場合、金属被覆ビトリファイドボンド相は、ビトリファイドボンド相２の軸方向の外側に配置され、ブレード本体１の軸方向を向く一対の板面１ａ，１ｂのうち少なくともいずれかに露出される。つまり金属被覆ビトリファイドボンド相は、ブレード本体１の軸方向の端部に配置される。金属被覆ビトリファイドボンド相は、ブレード本体１の軸方向の両端部に、一対設けられていてもよい。この場合、軸方向において、一対の金属被覆ビトリファイドボンド相間に、ビトリファイドボンド相２が配置される。金属被覆ビトリファイドボンド相は、外周部が切れ刃４に露出され、内周部が取付孔５に露出される。金属被覆ビトリファイドボンド相には、砥粒３およびフィラーが分散される。

金属被覆ビトリファイドボンド相は、上述のビトリファイドボンド相２とは異なる第２のビトリファイドボンド相と、第２のビトリファイドボンド相の三次元架橋構造および砥粒３に付着する金属被覆膜と、第２のビトリファイドボンド相に、金属被覆膜に塞がれることなく形成される連続的な多数（複数）の気孔と、を有する。第２のビトリファイドボンド相は、上述のビトリファイドボンド相２と同様の構造を有する。金属被覆膜は、導電性を有し、第２のビトリファイドボンド相に、例えばＮｉめっきにより形成される。なお金属被覆膜は、Ｎｉ以外の例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ等により形成されてもよい。また金属被覆膜は、めっきに限らず、蒸着等により形成されてもよい。金属被覆ビトリファイドボンド相は、金属被覆膜を備えたことにより、通電性を有する。

ドレッシングプレート５０は、トリミング用ブレード１０の切れ刃４の偏芯を除去し切れ刃４の形状を整えるツルーイングや、切れ刃４の砥粒３の目立てを行うドレッシング等（以下、単にドレッシングと呼ぶ）に用いられる。

図６および図７に示すように、ドレッシングプレート５０は、ダイシング装置１００のテーブルＴに着脱可能に装着される。ドレッシングプレート５０は、板状のプレート本体５１を備える。プレート本体５１は、例えば、鋼製である。プレート本体５１は、プレート本体５１の板厚方向において互いに反対側を向く一対の板面５１ａ，５１ｂを有する。

本実施形態では、プレート本体５１の板厚方向が、Ｚ軸方向に相当する。つまりプレート本体５１の板厚方向は、鉛直方向に相当する。一対の板面５１ａ，５１ｂのうち、一方の板面５１ａは上側を向き、他方の板面５１ｂは下側を向く。以下の説明では、板厚方向のうち、他方の板面５１ｂから一方の板面５１ａへ向かう方向を板厚方向一方側（＋Ｚ側）と呼び、一方の板面５１ａから他方の板面５１ｂへ向かう方向を板厚方向他方側（−Ｚ側）と呼ぶ。本実施形態では、板厚方向一方側が上側であり、板厚方向他方側が下側である。

プレート本体５１は、板厚方向の寸法Ｈが４ｍｍ以下であり、好ましくは３ｍｍ以下である。プレート本体５１は、板厚方向一方側を向く一方の板面５１ａから板厚方向他方側に窪む溝部５２を有する。溝部５２は、板厚方向一方側（つまり上側）から見て、所定方向に沿って直線状に延びる。
以下の説明では、溝部５２が延びる方向、すなわち板厚方向から見た前記所定方向を、溝部５２の延在方向または単に延在方向と呼ぶ。本実施形態では、延在方向がＹ軸方向に相当する。また、溝部５２の延在方向と直交する幅方向、すなわち板厚方向から見て前記所定方向と直交する方向を、溝部５２の溝幅方向または単に溝幅方向と呼ぶ。本実施形態では、溝幅方向がＸ軸方向に相当する。溝部５２の溝幅方向は、トリミング用ブレード１０の中心軸Ｃの軸方向と同じ方向である。溝部５２の溝幅方向のうち、溝幅方向一方側（＋Ｘ側）は、中心軸Ｃの軸方向一方側に相当し、溝幅方向他方側（−Ｘ側）は、中心軸Ｃの軸方向他方側に相当する。

溝部５２は、溝部５２の延在方向の端部が、プレート本体５１の延在方向を向く端面５１ｃに開口する。本実施形態では、溝部５２の延在方向の両端部が、プレート本体５１の延在方向を向く一対の端面５１ｃにそれぞれ開口する。
溝部５２は、溝幅方向に互いに間隔をあけて複数設けられる。本実施形態では、複数の溝部５２が、溝幅方向に等ピッチで配列する。各溝部５２は、互いに同じ形状を有する。

溝部５２は、一対の壁面５２ａ，５２ｂと、底面５２ｃと、を有する。
一対の壁面５２ａ，５２ｂは、溝部５２の溝幅方向の両端部に位置する。一対の壁面５２ａ，５２ｂは、溝幅方向において互いに対向する。一対の壁面５２ａ，５２ｂのうち、一方の壁面５２ａは、溝幅方向一方側（＋Ｘ側）を向き、他方の壁面５２ｂは、溝幅方向他方側（−Ｘ側）を向く。

一方の壁面５２ａは、傾斜面５２ｄを有する。つまり溝部５２は、傾斜面５２ｄを有する。本実施形態では傾斜面５２ｄが、一方の壁面５２ａの全域にわたって配置される。傾斜面５２ｄは、溝部５２の内壁の一部を構成する。傾斜面５２ｄは、一方の板面５１ａから板厚方向他方側へ向かうに従い溝部５２の溝幅方向へ向けて傾斜し、板厚方向一方側に露出される。具体的に、傾斜面５２ｄは、一方の板面５１ａから板厚方向他方側（−Ｚ側）へ向かうに従い、溝幅方向一方側（＋Ｘ側）へ向けて傾斜する。このため傾斜面５２ｄは、板厚方向一方側（＋Ｚ側）かつ溝幅方向一方側（＋Ｘ側）を向く。傾斜面５２ｄは、板厚方向および溝幅方向に対して傾斜する平面状であり、延在方向に沿って延びる。

図７に示すように、溝部５２の延在方向と垂直な断面視で、傾斜面５２ｄが溝幅方向（つまりＸ軸方向）に対して傾斜する傾斜角θ２は、例えば、０°を超え７０°以下であり、好ましくは、２０°以上６０°以下である。なお傾斜角θ２は、上述した傾斜角θ１と同じ値である。

傾斜面５２ｄは、ドレッシング砥粒５２ｅを有する。ドレッシング砥粒５２ｅは、傾斜面５２ｄ上に分散される。ドレッシング砥粒５２ｅは、傾斜面５２ｄ上の全域にわたって配置される。ドレッシング砥粒５２ｅは、例えばダイヤモンド砥粒やｃＢＮ砥粒等である。

底面５２ｃは、溝部５２の板厚方向他方側（−Ｚ側）の端部に位置する。底面５２ｃは、板厚方向一方側（＋Ｚ側）を向く。底面５２ｃは、板厚方向（Ｚ軸方向）と垂直な方向に拡がる平面状である。

顕微鏡部材Ｍは、テーブルＴの上側に配置される。顕微鏡部材Ｍは、テーブルＴに上側から対向する。テーブルＴに対する顕微鏡部材Ｍの焦点深度（被写界深度）は、プレート本体５１の板厚方向の寸法Ｈよりも大きく、例えば３ｍｍを超え５ｍｍ以下である。言い換えると、プレート本体５１の板厚方向の寸法Ｈは、顕微鏡部材Ｍの焦点深度よりも小さい。

次に、ウェーハＷの製造方法について説明する。図３に示すように、本実施形態のウェーハＷの製造方法は、ウェーハ第１保持工程Ｓ１と、エッヂトリミング工程Ｓ２と、ウェーハ第２保持工程Ｓ３と、バックグラインド工程Ｓ４と、を含む。ウェーハ第１保持工程Ｓ１およびエッヂトリミング工程Ｓ２は、ダイシング装置１００で行われ、ウェーハ第２保持工程Ｓ３およびバックグラインド工程Ｓ４は、研削装置２００で行われる。

ウェーハ第１保持工程Ｓ１では、ダイシング装置１００において、テーブルＴ上の図示しない保持部により、ウェーハＷを裏面１０１ｂ側から保持する。具体的に、ウェーハＷは、表面１０１ａが上側を向く姿勢で、下側を向く裏面１０１ｂが保持部により保持される。

エッヂトリミング工程Ｓ２では、図４に示すようにダイシング装置１００において、トリミング用ブレード１０により、ウェーハＷの外周部に、ウェーハＷの表面１０１ａ側からウェーハＷの厚さ方向の所定深さまでエッヂトリミング加工を施す。エッヂトリミング工程Ｓ２では、テーブルＴの保持部によりウェーハＷを中心軸Ｏ回りに回転させつつ、スピンドルによりトリミング用ブレード１０を中心軸Ｃ回りに回転させて、切れ刃４でウェーハＷの外周部を全周にわたってエッヂトリミング加工する。

具体的に、エッヂトリミング工程Ｓ２では、トリミング用ブレード１０のテーパ部４ａにより、ウェーハＷの外周部つまり面取り部１０１ｃに、ウェーハＷの径方向外側へ向かうに従い、厚さ方向の表面１０１ａから裏面１０１ｂ側（つまり下側）へ向けて傾斜するテーパ面１０１ｄを形成する。テーパ面１０１ｄは、ウェーハＷの外周部に全周にわたって形成される。

ウェーハ第２保持工程Ｓ３では、図５に示すように研削装置２００において、図示しないチャックテーブルにより、ウェーハＷを表面１０１ａ側から保持する。具体的に、ウェーハＷは、裏面１０１ｂが上側を向く姿勢で、下側を向く表面１０１ａがチャックテーブルにより保持される。

バックグラインド工程Ｓ４では、研削装置２００において、図示しない研削ホイールにより、ウェーハＷを裏面１０１ｂ側から研削加工し、ウェーハＷの厚さ方向の寸法を減少させる。特に図示しないが、バックグラインド工程Ｓ４では、チャックテーブルによりウェーハＷを中心軸Ｏ回りに回転させつつ、研削ホイールを研削ホイールの中心軸回りに回転させて、研削ホイールの下面、すなわち研削ホイールの研削砥石が配置される面を、ウェーハＷの裏面１０１ｂに接触させる。またこのとき、チャックテーブルおよびウェーハＷと、研削ホイールとを、中心軸Ｏと垂直な方向つまり水平方向に、相対移動させる。これにより、ウェーハＷの裏面１０１ｂ全体が均等にバックグラインド加工される。バックグラインド加工は、ウェーハＷの厚さ方向の寸法が所定値（本実施形態の例では５０μｍ）になるまで行う。バックグラインド加工により、ウェーハＷの面取り部１０１ｃはすべて除去される。
上記各工程を経て、ウェーハＷが製造される。

次に、トリミング用ブレード１０のドレッシング方法について説明する。トリミング用ブレード１０のドレッシング方法は、トリミング用ブレード１０のブレード本体１の外周部に配置される切れ刃４を、ドレッシングプレート５０によりドレッシングする方法である。

図７に示すように、本実施形態のトリミング用ブレード１０のドレッシング方法では、切れ刃４のテーパ部４ａの傾斜の向きと、溝部５２の傾斜面５２ｄの傾斜の向きとを互いに合わせて、テーパ部４ａを傾斜面５２ｄに接触させる。具体的には、トリミング用ブレード１０を図示しないスピンドルにより中心軸Ｃ回りに回転させ、傾斜面５２ｄの上側に位置するトリミング用ブレード１０をスピンドルとともに下側へ移動させて、テーパ部４ａと傾斜面５２ｄとを接触させる。また図６に示すように、テーパ部４ａと傾斜面５２ｄとを互いに接触させた状態で、トリミング用ブレード１０とドレッシングプレート５０とを、溝部５２の延在方向（Ｙ軸方向）に相対的に移動させる。
これにより、トリミング用ブレード１０の切れ刃４がドレッシングされ、切れ刃４が所定の形状に整えられる。

以上説明した本実施形態のトリミング用ブレード１０およびウェーハＷの製造方法によれば、下記の作用効果が得られる。
本実施形態のトリミング用ブレード１０は、ウェーハＷの製造方法におけるエッヂトリミング工程Ｓ２に用いられる。ウェーハＷのエッヂトリミング工程Ｓ２では、トリミング用ブレード１０の切れ刃４のテーパ部４ａが、ウェーハＷの外周部に、表面１０１ａから所定深さに位置するテーパ面１０１ｄを形成する。これにより、エッヂトリミング後のバックグラインド工程Ｓ４において、ウェーハＷの外周部に、図９に示すような切り残し部１０２が発生することが抑制される。切り残し部１０２が発生しないため、切り残し部１０２の離脱に起因してウェーハＷの外周部に欠損が生じるなどの不具合が抑えられる。したがって、本実施形態によれば、ウェーハＷの外周部を精度よく高品位に形成できる。

また本実施形態では、トリミング用ブレード１０が、ビトリファイドブレードである。ビトリファイドブレードは、ウェーハＷの加工に適している。また、ビトリファイドブレードは、切れ刃４の偏芯を除去し切れ刃４の形状を整えるツルーイングや、切れ刃４の砥粒３の目立てを行うドレッシング等が容易に行える。すなわち、ビトリファイドブレードは、切れ刃４を径方向に数十μｍドレッシングして形状を整えることが容易であり、ドレッシングの作業性がよい。このため、トリミング用ブレード１０が実装されるダイシング装置１００の装置内において、トリミング用ブレード１０の切れ刃４のドレッシングを自動化することが容易である。これにより、ウェーハＷの製造効率を向上できる。

また本実施形態では、切れ刃４の軸方向の寸法が、１〜５ｍｍである。
この場合、エッヂトリミング前にウェーハＷの外周部に設けられている凸曲面状の部分、つまり面取り部１０１ｃの径方向の寸法に合わせて、トリミング用ブレード１０の切れ刃４の刃幅を適宜選択しエッヂトリミング加工できる。

具体的には、切れ刃４の軸方向の寸法が１ｍｍ以上であるので、一度のエッヂトリミング加工により、ウェーハＷにテーパ面１０１ｄを付与できる。すなわち、トリミング用ブレード１０をウェーハＷに対して中心軸Ｃの軸方向に移動させることなく、ウェーハＷにテーパ面１０１ｄを簡単に形成できる。なお好ましくは、切れ刃４の軸方向の寸法は、２ｍｍ以上である。

また、切れ刃４の軸方向の寸法が５ｍｍ以下であるので、エッヂトリミング加工時に、切れ刃４のうち軸方向一方側（＋Ｘ側）の端部が、ウェーハＷの外周部からウェーハの径方向外側に突出する量を小さく抑えられる。これにより、テーパ部４ａに摩耗による大きな段差が生じること、つまり大きな偏摩耗が生じることが抑制されて、トリミング用ブレード１０の切れ刃４のドレッシングが効率よく行える。なお好ましくは、切れ刃４の軸方向の寸法は、３ｍｍ以下である。

また本実施形態では、中心軸Ｃに沿う断面視で、テーパ部４ａと中心軸Ｃとの間に形成される傾斜角θ１が、０°を超え７０°以下である。
傾斜角θ１が７０°以下であるので、切れ刃４の先端（外周端）が鋭利になり過ぎることが抑えられ、ウェーハＷのエッヂトリミング加工時などに、切れ刃４が破損することを抑制できる。
なお好ましくは、傾斜角θ１は、２０°以上６０°以下である。
傾斜角θ１が２０°以上であると、ウェーハＷのバックグラインド加工時に、ウェーハＷの外周部に切り残し部１０２が発生することをより安定して抑制できる。
傾斜角θ１が６０°以下であると、ウェーハＷのエッヂトリミング加工時などに、切れ刃４が破損することをより安定して抑制できる。

また本実施形態において、トリミング用ブレード１０のブレード本体１が、金属被覆ビトリファイドボンド相を有する場合には、トリミング用ブレード１０に通電性が付与される。
この場合、ダイシング装置１００のスピンドルにトリミング用ブレード１０を装着して、ウェーハＷをエッヂトリミング加工する際に、電気的な接点をとって（つまり電気式手法で）切れ刃４のＺ軸方向の位置を正確に管理することができる。

また、本実施形態のドレッシングプレート５０およびトリミング用ブレード１０のドレッシング方法によれば、下記の作用効果が得られる。
本実施形態によれば、ドレッシングプレート５０が傾斜面５２ｄを有する。このため、トリミング用ブレード１０の切れ刃４が、トリミング用ブレード１０の中心軸Ｃに対して傾斜するテーパ部４ａを有していても、このテーパ部４ａを傾斜面５２ｄにより安定してドレッシングすることができる。

また、ドレッシングプレート５０は、トリミング用ブレード１０とともに、ダイシング装置１００の装置内に実装される。ドレッシングプレート５０を装置内部に配置することで、トリミング用ブレード１０の切れ刃４のドレッシングを自動化できる。
本実施形態によれば、プレート本体５１が板状であり、板厚方向の寸法Ｈが小さく抑えられているため、ドレッシングプレート５０をダイシング装置１００内のテーブルＴ上に、省スペースでコンパクトに配置できる。このため、ドレッシングプレート５０を装置内に配置しても、別の部材のレイアウト上の制約になりにくい。また、溝部５２の延在方向に沿って延びる傾斜面５２ｄが、溝幅方向に複数並んで配置されることにより、傾斜面５２ｄの総面積が大きく確保されている。このため、トリミング用ブレード１０をドレッシングする回数を増やすことができ、ドレッシングプレート５０を長期にわたり使用することができて、ドレッシングプレート５０の工具寿命が延長される。

また本実施形態では、溝部５２の延在方向の端部が、プレート本体５１の延在方向を向く端面５１ｃに開口する。
この場合、傾斜面５２ｄが、プレート本体５１の延在方向の端部まで配置され、トリミング用ブレード１０のドレッシングに用いられる領域が拡大する。すなわち、各傾斜面５２ｄの面積つまりドレッシングの使用可能領域が、より大きく確保される。トリミング用ブレード１０と傾斜面５２ｄとの、溝部５２の延在方向に沿う相対移動可能な距離が大きくなり、ドレッシング効率が高められる。

また本実施形態では、プレート本体５１の板厚方向の寸法Ｈが、４ｍｍ以下である。
この場合、ダイシング装置１００のテーブルＴに対向して配置される顕微鏡部材Ｍの焦点深度（被写界深度）の数値範囲内に、プレート本体５１の板厚方向の寸法Ｈをおさめることができる。テーブルＴと顕微鏡部材Ｍとが、プレート本体５１の板厚方向と垂直な方向（つまり水平方向）に相対移動しても、顕微鏡部材Ｍとプレート本体５１との接触は抑えられる。このため、テーブルＴ上にドレッシングプレート５０を配置するレイアウトの自由度が高められる。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されず、例えば下記に説明するように、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において構成の変更等が可能である。

前述の実施形態では、ドレッシングプレート５０の溝部５２が、底面５２ｃを有する例を挙げたが、これに限らない。溝部５２は、底面５２ｃを有さなくてもよい。この場合、一対の壁面５２ａ，５２ｂの各下端部同士が直接接続され、溝部５２は、延在方向に垂直な断面視で上側に開口するＶ字状をなす。

その他、本発明の趣旨から逸脱しない範囲において、前述の実施形態、変形例およびなお書き等で説明した各構成（構成要素）を組み合わせてもよく、また、構成の付加、省略、置換、その他の変更が可能である。また本発明は、前述した実施形態によって限定されず、特許請求の範囲によってのみ限定される。

本発明のトリミング用ブレードおよびウェーハの製造方法によれば、バックグラインド時にウェーハの外周部に切り残し部が生じることを抑制でき、これによりウェーハの外周部を高品位に形成できる。したがって、産業上の利用可能性を有する。

１…ブレード本体、２…ビトリファイドボンド相、３…砥粒、４…切れ刃、４ａ…テーパ部、１０…トリミング用ブレード、１０１ａ…表面、１０１ｂ…裏面、１０１ｄ…テーパ面、Ｃ…中心軸、Ｓ１…ウェーハ第１保持工程、Ｓ２…エッヂトリミング工程、Ｓ３…ウェーハ第２保持工程、Ｓ４…バックグラインド工程、Ｗ…ウェーハ

Claims (4)

1. 中心軸を中心とする円板状のブレード本体を備え、
   前記ブレード本体は、
   前記ブレード本体に分散される砥粒と、
   前記ブレード本体の外周部に配置される切れ刃と、を有し、
   前記切れ刃は、前記ブレード本体の外周面に配置されるテーパ部を有し、
   前記テーパ部は、前記中心軸の軸方向一方側へ向かうに従い径方向外側へ向けて傾斜する、
   トリミング用ブレード。
2. 前記ブレード本体は、三次元架橋構造の多孔質状であり前記砥粒を保持するビトリファイドボンド相を有する、
   請求項１に記載のトリミング用ブレード。
3. 前記切れ刃は、軸方向の寸法が１〜５ｍｍである、
   請求項１または２に記載のトリミング用ブレード。
4. 表面が半導体素子の形成面とされたウェーハを製造する方法であって、
   前記ウェーハを裏面側から保持するウェーハ第１保持工程と、
   請求項１から３のいずれか１項に記載のトリミング用ブレードにより、前記ウェーハの外周部に、前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さ方向の所定深さまでエッヂトリミング加工を施すエッヂトリミング工程と、
   前記ウェーハを表面側から保持するウェーハ第２保持工程と、
   前記ウェーハを裏面側から研削加工し、前記ウェーハの厚さ方向の寸法を減少させるバックグラインド工程と、を含み、
   前記エッヂトリミング工程では、前記トリミング用ブレードの前記テーパ部により、前記ウェーハの外周部に、前記ウェーハの径方向外側へ向かうに従い前記厚さ方向の表面から裏面側へ向けて傾斜するテーパ面を形成する、
   ウェーハの製造方法。

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