CN107866724A - 半导体装置的制造方法和半导体制造装置 - Google Patents

半导体装置的制造方法和半导体制造装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供半导体装置的制造方法和半导体制造装置，能使半导体晶片的厚度均匀并能在抑制端部崩碎的同时使半导体晶片薄化。所述半导体装置的制造方法包括：在形成突出部(11)的半导体晶片(10)的表面(10a)涂布粘接剂(12)的工序(S20)；磨削半导体晶片(10)上涂布的粘接剂(12)的表面的工序(S30)；将涂布有粘接剂(12)的半导体晶片(10)的周围端部和粘接剂(12)一起修边的工序(S40)；将粘接剂(12)的表面被磨削且周围端部被修边的半导体晶片(10)借助粘接剂(12)张贴到支撑基板(13)的工序(S50)；以及磨削支撑基板(13)上张贴的半导体晶片(10)的背面(10b)的工序(S60)。这样，可以使半导体晶片(10)的厚度均匀。而且，在抑制半导体晶片(10)的端部崩碎的同时，可以使半导体晶片(10)薄化。

Description

半导体装置的制造方法和半导体制造装置
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体制造装置。
背景技术
以往，为了提高半导体装置的集成率，通过对表面形成有电路等的半导体晶片的未形成有电路等的背面进行磨削，使半导体晶片薄化。此外，在包含层叠的多枚半导体芯片的三维安装的半导体装置的制造方法中，通过磨削形成有贯穿电极(TSV：Through SiliconVia)的半导体晶片的背面，使贯穿电极出头已被公知。
例如，日本专利公开公报特开2015-32679号中，记述了半导体装置的制造方法。所述制造方法中的铜贯穿电极的出头加工中，由杯形砂轮磨削形成有铜贯穿电极的硅基板的背面。这样，硅和铜同时被除去。按照所述文献所述的半导体装置的制造方法，在磨削硅基板的背面前，采用粘接剂片材或粘接剂将硅基板的表面张贴在磨削装置的基板卡盘上。
可是，上述现有技术这种在硅基板的表面张贴粘接剂片材等的方法中，为了通过使半导体芯片薄化而提高半导体装置的集成率，存在需要改进的问题。
具体而言，有时半导体晶片的表面形成凸出等突出部。此时，受到所述突出部的影响，在半导体晶片的表面张贴的粘接剂片等的表面会产生凹凸。因此，将半导体晶片张贴到基板卡盘上后，磨削半导体晶片的背面时，存在出现半导体晶片的厚度不均的问题。
这样，出现半导体晶片的厚度不均，成为半导体装置的品质降低的要因。特别是，这种情况在三维安装的半导体装置中，存在引起各层间的接点不良的危险。按照现有技术的制造方法，难以在抑制半导体晶片的厚度不均的同时进一步实现薄化。因此，开发将半导体晶片的背面均匀磨削的技术，成为提高半导体装置的集成率上的课题。
此外，为使半导体晶片的厚度均匀，可以考虑以下的手法。即，在磨削中测定半导体晶片的厚度等。根据其测定结果，改变砂轮与半导体晶片的接触方法等。可是，所述手法需要测定半导体晶片的厚度的装置，以及在高度上调整砂轮的位置的装置等。因此，磨削装置造价昂贵。
此外，背面磨削前的半导体晶片的周围端部附近，存在薄壁的部分。所述部分例如是倒圆的边缘部以及形成倾斜的端面。因此，磨削半导体晶片的背面时，半导体晶片的周围端部附近，形成比其他部分薄的部位。因此，存在容易发生端部的崩碎即崩裂的问题。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的一个目的是提供半导体装置的制造方法和半导体制造装置，使半导体晶片的厚度均匀，并且在抑制端部崩碎的同时使半导体晶片薄化。
本发明的一个方式的半导体装置的制造方法(本制造方法)包括：在形成突出部的半导体晶片的表面涂布粘接剂的工序；磨削所述半导体晶片上涂布的所述粘接剂的表面的工序；将涂布有所述粘接剂的所述半导体晶片的周围端部和所述粘接剂一起修边的工序；将所述粘接剂的表面被磨削且所述周围端部被修边的所述半导体晶片借助所述粘接剂张贴到支撑基板的工序；以及磨削所述支撑基板上张贴的所述半导体晶片的背面的工序。
此外，本发明的一个方式的半导体制造装置(本制造装置)包括：工作盘，吸附保持表面具有突出部且所述表面涂布有粘接剂的半导体晶片；粘接剂磨削工具，磨削吸附保持在所述工作盘上的所述半导体晶片的所述粘接剂的表面；以及研磨带，将吸附保持在所述工作盘上的所述半导体晶片的周围端部和所述粘接剂一起修边。
本制造方法具备在形成突出部的半导体晶片的表面涂布粘接剂的工序，以及磨削所述半导体晶片上涂布的所述粘接剂的表面的工序。这样，可以使涂布的粘接剂的表面平坦。而且，可以使粘接剂层的厚度均匀。因此，能够将背面磨削后的半导体晶片的厚度高精度统一。
此外，本制造方法具备将涂布有所述粘接剂的所述半导体晶片的周围端部和所述粘接剂一起修边的工序。这样，可以除去半导体晶片的周围端部附近的圆角和倾斜。因此，可以抑制将半导体晶片薄化磨削时的端部附近的崩裂。此外，涂布粘接剂后，对半导体晶片的周围端部修边。这样，可以将粘接剂的端部和半导体晶片的周围端部一起修边。因此，可以除去粘接剂层的端部附近的圆角。因此，能够使粘接剂层的厚度均匀。其结果，可以抑制半导体晶片的端部附近变薄。
此外，本制造方法具备将所述粘接剂的表面被磨削且周围端部被修边的所述半导体晶片借助所述粘接剂张贴到支撑基板的工序；以及磨削所述支撑基板上张贴的所述半导体晶片的背面的工序。这样，本制造方法在半导体晶片上的粘接剂的表面被磨削，而且半导体晶片的周围端部修边后，将支撑基板张贴到半导体晶片上，磨削半导体晶片的背面。这样，可以使半导体晶片的厚度均匀，并且抑制半导体晶片的破损。其结果，本制造方法能够制造比现有技术的半导体晶片更薄且高品质的半导体晶片。
此外，本制造方法的磨削所述粘接剂的表面的工序，可以包括向磨削所述粘接剂的表面的粘接剂磨削工具吹拂清洗液。这样，在用清洗液将粘接剂磨削工具上附着的粘接剂的切削屑除去的同时，可以由粘接剂磨削工具磨削粘接剂。因此，可以使粘接剂的表面高精度且容易磨削。
此外，按照本制造方法，可以向所述粘接剂磨削工具的从所述粘接剂的表面分离的砂轮的刃尖吹拂所述清洗液。这样，抑制了粘接剂的切削屑再次附着到粘接剂的表面。其结果，能使粘接剂的表面平坦且高精度加工粘接剂层的厚度。
此外，按照本制造方法，优选所述半导体晶片具有贯穿电极，磨削所述半导体晶片的背面的工序，同时磨削所述半导体晶片和所述贯穿电极。这样，可以同时高效进行半导体晶片的薄化工序和贯穿电极的出头工序。而且，不仅可以使半导体晶片的厚度均匀统一，还可以使半导体晶片上形成的贯穿电极的高度均匀统一。
此外，此时优选磨削所述半导体晶片的背面的工序，包括向磨削所述半导体晶片的背面的晶片磨削工具吹拂清洗液。通过向晶片磨削工具吹拂清洗液，可以抑制半导体晶片的污染。因此，能够高效高品质制造具有高集成率的小型三维安装的半导体装置。
此外，本制造装置包括：工作盘，吸附保持表面具有突出部且所述表面涂布有粘接剂的半导体晶片；粘接剂磨削工具，磨削吸附保持在所述工作盘上的所述半导体晶片的所述粘接剂的表面；以及研磨带，将吸附保持在所述工作盘上的所述半导体晶片的周围端部和所述粘接剂一起修边。这样，通过一个装置，可以有效进行对半导体晶片的表面上涂布的粘接剂的表面的磨削，以及半导体晶片的周围端部的修边。因此，不仅能提高将半导体晶片高精度薄化的制造方法中的生产效率，还可以抑制设备费用的增加。
此外，优选本制造装置还具备向所述粘接剂磨削工具吹拂清洗液的清洗液喷射装置。这样，可以高精度、高品质且容易磨削粘接剂的表面。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造工序的流程图。
图2是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造方法中采用的粘接剂磨削装置的简要结构的主视图。
图3是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造方法中采用的边缘修边装置的简要结构的主视图。
图4A是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造方法中采用的粘接剂磨削装置的其他示例的主视图，图4B是同装置的俯视图。
图5A～5C表示了本发明的实施方式的半导体装置的制造方法的半导体晶片。图5A是形成有电路的半导体晶片的示意图。图5B是涂布有粘接剂的半导体晶片的示意图。图5C是表示半导体晶片上的粘接剂被磨削的状态的示意图。
图6A～6C表示了本发明的实施方式的半导体装置的制造方法的半导体晶片。图6A是表示半导体晶片的周围端部被修边的状态的示意图。图6B是表示张贴有支撑基板的半导体晶片的示意图。图6C是表示半导体晶片的背面被磨削的状态的示意图。
附图标记说明
10 半导体晶片
10a 表面
10b 背面
11 凸出
12 粘接剂
13 支撑基板
20 粘接剂磨削装置
21 磨削头
22 砂轮
27 清洗液喷射装置
28 喷射喷嘴
40 边缘修边装置
41 修边头
42 研磨带
120 粘接剂磨削装置
具体实施方式
以下，根据附图具体说明本发明的实施方式的半导体装置的制造方法和半导体制造装置。
图1是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造工序的流程图。所述流程图具体涉及将表面10a(参照图5A)上形成有电路的半导体晶片10(参照图5A)薄化的工序。本实施方式的半导体装置的制造方法，特别适合磨削表面10a上形成有突出部的半导体晶片10的背面10b(参照图5A)。
如图1所示，本实施方式的半导体装置的制造方法，具备电路形成工序S10、粘接剂涂布工序S20、粘接剂磨削工序S30、端部修边工序S40、支撑基板张贴工序S50、背面磨削工序S60和支撑基板拆取工序S70。
首先，在电路形成工序S10中，根据以往的方法，在半导体晶片10的表面10a形成电路。作为半导体晶片10，例如采用具有720μm至770μm的厚度的硅(Si)基板。此外，可以在半导体晶片10上形成贯穿电极。此时，贯穿电极通过电路形成工序S10形成。
接着，在粘接剂涂布工序S20中，向半导体晶片10的形成有电路等的面(即表面10a)涂布粘接剂12(参照图5B)。通过在半导体晶片10的表面10a涂布粘接剂12，由粘接剂12保护半导体晶片10的表面10a上形成的电路。而且，可以由粘接剂12将半导体晶片10张贴到后述支撑基板13(参照图6B)。
使半导体晶片10的表面10a上涂布的粘接剂12固化后，进行粘接剂磨削工序S30。在粘接剂磨削工序S30中，采用后述粘接剂磨削装置20(参照图2)，磨削粘接剂12的表面。另外，如后所述，粘接剂磨削工序S30可以包括向磨削粘接剂12的表面的粘接剂磨削工具吹拂清洗液。
而后，在端部修边工序S40中，利用后述边缘修边装置40(参照图3)磨削或研磨半导体晶片10的端部。此时，粘接剂12也同时被磨削或研磨。另外，粘接剂磨削工序S30和端部修边工序S40，可以将顺序交替执行。即，可以在半导体晶片10的表面10a上涂布粘接剂12后，进行半导体晶片10的端部的修边，之后磨削粘接剂12的表面。
接着，在支撑基板张贴工序S50中，在半导体晶片10的表面10a侧张贴支撑基板13。通过张贴支撑基板13，可以将半导体晶片10的表面10a侧固定在背面磨削装置等上。这样，能够容易实施半导体晶片10的磨削以及薄化磨削后的半导体晶片10的搬送等。
而后接着，在背面磨削工序S60中，磨削或研磨半导体晶片10的背面10b。这样，使半导体晶片10薄化。另外，半导体晶片10上形成有贯穿电极的情况下，背面磨削时半导体晶片10和贯穿电极被同时磨削。此外，在背面磨削工序S60中，采用和粘接剂磨削装置20同等的装置。即，半导体晶片10的背面10b的磨削可以采用和粘接剂12的磨削同样的装置。另外，如后所述，背面磨削工序S60可以包括向磨削半导体晶片10的背面10b的晶片磨削工具吹拂清洗液。
另外，半导体晶片10的背面10b的磨削结束后，可以执行精加工工序和/或检查工序等。精加工工序例如包括在贯穿电极的顶面形成罩层的工序，通过对未形成罩层的硅面进行碱性蚀刻或化学机械研磨(CMP)加工使贯穿电极第二次出头的工序，以及在背面10b上堆叠绝缘膜后利用研磨加工或蚀刻加工除去贯穿电极的顶面的绝缘膜的工序。
在支撑基板拆取工序S70中，从半导体晶片10取下支撑基板13。此时，为了根据使用的粘接剂12的特性降低粘接剂12的粘接力，例如进行紫外线照射或者溶剂或者剥离剂等的供给。
取下的半导体晶片10可以层叠到其他半导体晶片等上。半导体晶片10取下后(或者，半导体晶片10层叠到其他半导体晶片等上后)，经过切割工序、芯片装配工序、引线接合工序、浇注工序、修边工序和检查工序等各种后续工序，完成半导体装置。
图2是表示粘接剂磨削装置20的简要结构的主视图。粘接剂磨削装置20是在前述图1所示的粘接剂磨削工序S30中磨削粘接剂12的表面的装置。
如图2所示，粘接剂磨削装置20具有砂轮22。砂轮22是用于磨削工作盘30(后述)上吸附保持的半导体晶片10的粘接剂12的粘接剂磨削工具。砂轮22例如为杯形磨削砂轮。砂轮22设置在磨削头21的大体水平的下表面。磨削头21与旋转轴23连接，而被旋转驱动。
砂轮22的砂粒根据被磨削的粘接剂12适当选择。作为砂轮22的砂粒，例如采用砂号#300～#1200的钻石、立方氮化硼(cBN)以及碳化硅(SiC)。此外，作为固定砂粒的连接材料，采用陶瓷结合剂、金属结合剂和树脂结合剂等。
旋转轴23与磨削头21的上部连接。所述旋转轴23例如与未图示的电机连接。通过所述电机驱动，使旋转轴23和磨削头21旋转。这样，砂轮22以规定的速度旋转移动，砂轮22的刃尖摩擦粘接剂12的表面，将规定量的粘接剂12除去。
此外，粘接剂磨削装置20具有用于承载半导体晶片10的工作盘30。工作盘30的上表面设有用于保持半导体晶片10的基板卡盘31。基板卡盘31的上表面与包围基板卡盘31的工作盘30的上表面，形成在彼此大体同一个面上且大体水平。
基板卡盘31例如是多孔陶瓷构成的板状体。成为基板卡盘31的下方的工作盘30的内部，形成有与基板卡盘31相连的流体室33。流体室33与脱气管34和供水管35连接。脱气管34与未图示的真空泵等连接。供水管35与未图示的供水泵等连接。
这种结构下，通过利用所述真空泵等并借助脱气管34排出流体室33内的空气，使流体室33减压。这样，半导体晶片10的背面10b被基板卡盘31吸附并保持。即，借助基板卡盘31，半导体晶片10固定在工作盘30的上表面。
通过解除基板卡盘31的吸附来取下半导体晶片10时，将与脱气管34连接的真空泵等停止，或将与真空泵等相连的未图示的阀等关闭。而且，利用与供水管35连接的供水泵等并借助供水管35，向流体室33供给纯水。这样，可以将半导体晶片10容易拆下。
此外，工作盘30的下部连接有用于支承工作盘30的旋转轴32。旋转轴32连接例如未图示的电机。通过所述电机驱动，使旋转轴32和工作盘30旋转。这样，可以使半导体晶片10以规定的速度旋转，并且可以磨削粘接剂12的表面整体。
此外，粘接剂磨削装置20具有供给磨削液的磨削液供给喷嘴26以及清洗液喷射装置27。磨削液供给喷嘴26例如向粘接剂12的表面即被磨削或研磨的面供给磨削液。作为使用的磨削液，例如可以列举纯水、乙醇胺水溶液、羟化四甲铵水溶液、苛性碱水溶液、二氧化铈水分散液和氧化铝水分散液。
清洗液喷射装置27是用于清洗砂轮22的装置，具有用于向砂轮22吹拂清洗液的喷射喷嘴28。清洗液喷射装置27从喷射喷嘴28，例如以3MPa至17MPa的压力，向非磨削加工中的砂轮22(从粘接剂12的表面分离的砂轮22)的刃尖喷射清洗液。这样，可以洗掉磨削或研磨粘接剂12时附着在砂轮22上的切削屑。这样，能够高精度、高品质且容易磨削粘接剂12的表面。
另外，作为从喷射喷嘴28喷射的清洗液，可以采用和前述的磨削液相同的。例如作为使用的清洗液，可以列举纯水、乙醇胺水溶液、羟化四甲铵水溶液、苛性碱水溶液、二氧化铈水分散液和氧化铝水分散液等。
另外，背面磨削工序S60中使用磨削半导体晶片10的背面10b的背面磨削装置(未图示)。所述背面磨削装置可以和参照图2说明的用于磨削粘接剂12的表面的粘接剂磨削装置20具有大体同等的结构。
此外，作为用于磨削半导体晶片10的背面10b的晶片磨削工具，可以采用和前述用于磨削粘接剂12的砂轮22具有大体同样结构的砂轮。但是，作为晶片磨削工具的规格(砂粒和粘接剂等)，选择适于切削半导体晶片10的硅和贯穿电极的规格。
此外，背面磨削装置具有和前述的工作盘30大体相同的工作盘。在背面磨削工序S60中，半导体晶片10的表面10a侧上张贴的支撑基板13(参照图6C)，被吸附保持在所述工作盘的上表面。
图3是表示边缘修边装置40的简要结构的主视图。如图3所示，边缘修边装置40如上所述，是对半导体晶片10的周围端部修边的装置。边缘修边装置40具备修边头41。修边头41具有将工作盘吸附保持的半导体晶片10的周围端部和粘接剂12一起修边(磨削或研磨)的研磨带42。
研磨带42例如为大体带状的构件。研磨带42具有100μm至150μm厚度的聚对苯二甲酸乙二醇酯等薄膜基材，以及设置在所述薄膜基材上的碳化硅或者钻石等的砂粒。所述砂粒设置在研磨带42的摩擦半导体晶片10的面(即研磨面)上。研磨带42卷绕在未图示的供给卷轴和卷取卷轴上。对半导体晶片10的端部修边时，研磨带42从供给卷轴送出，并被卷取卷轴卷绕。
研磨带42张挂在修边头41的规定位置上排列的多个导辊44上。这样，研磨带42以使研磨带42的研磨面摩擦半导体晶片10的规定位置的方式配置。另外，修边头41设置成通过未图示的伺服电机等位置调整自如。
此外，边缘修边装置40具有用于使研磨带42与半导体晶片10的端部抵接的抵板43。抵板43例如由发泡硅树脂形成。抵板43从研磨带42的研磨面的相反侧的面(即背面)抵接研磨带42。抵板43使研磨带42的研磨面从半导体晶片10的侧方压抵半导体晶片10的端部。即，研磨带42在被夹持于抵板43和半导体晶片10的端部之间的状态下，磨削或研磨半导体晶片10的端部。
此外，边缘修边装置40和前述的粘接剂磨削装置20(参照图2)同样，具备用于吸附保持半导体晶片10的工作盘45以及旋转驱动自如地支承工作盘45的旋转轴46。通过由未图示的电机等使旋转轴46和工作盘45旋转，使半导体晶片10旋转。这样，可以对半导体晶片10的全周端部修边。另外，作为工作盘45的用于吸附保持半导体晶片10的吸附卡盘机构，可以采用和上述说明的工作盘30的吸附卡盘机构同样的结构。
边缘修边装置40具有冷却水喷射喷嘴49。这样，边缘修边装置40边从冷却水喷射喷嘴49向摩擦半导体晶片10的研磨带42的研磨面喷射冷却水，边磨削或研磨半导体晶片10的端部。利用这种结构，边缘修边装置40可以将半导体晶片10的周围端部和粘接剂12一起高精度修边。
另外，粘接剂磨削装置20和边缘修边装置40，可以作为分别独立的装置构成，也可以作为将这些功能一体组装的一个装置构成。
以下，参照图4A和图4B，说明粘接剂磨削装置20的结构和边缘修边装置40的结构一体组装在一个装置的示例。
图4A是表示粘接剂磨削装置120的简要结构的主视图。图4B是同装置的俯视图。另外，在图4A和图4B中，对于和已说明的实施方式的结构要素相同的结构要素或发挥同样的作用和效果的结构要素，标注相同的附图标记。
如图4A和图4B所示，粘接剂磨削装置120具有磨削头21和修边头41。磨削头21具有砂轮22。砂轮22是用于磨削粘接剂12的表面的粘接剂磨削工具。修边头41具有用于磨削或研磨半导体晶片10的周围端部的研磨带42。
此外，粘接剂磨削装置120具备用于吸附保持半导体晶片10的工作盘45。工作盘45的结构和功能如上所述。但是，在粘接剂磨削工序S30和端部修边工序S40两工序中，粘接剂磨削装置120采用共通的工作盘45。
这里，工作盘45以其外径小于半导体晶片10的外径为特征。这样，可以在工作盘45与修边头41不接触的情况下，将承载在工作盘45的上表面并被吸附保持的半导体晶片10的周围端部，用修边头41的研磨带42修边。
粘接剂磨削装置120在上述的构件以外，具备磨削液供给喷嘴26、清洗液喷射装置27和冷却水喷射喷嘴49等和已说明的粘接剂磨削装置20及边缘修边装置40大体相同的构件。
按照具有上述结构的粘接剂磨削装置120，用一个粘接剂磨削装置120，可以执行磨削粘接剂12的表面的粘接剂磨削工序S30，以及对半导体晶片10的周围端部修边的端部修边工序S40。这样，能够削减半导体晶片10的搬送工序和设置工序。其结果，不仅可以提高生产效率，还能够削减设备费用。
接着，参照图5A～图5C和图6A～图6C，具体说明图1所示的半导体装置的制造方法。
图5A是表面10a上形成有电路的半导体晶片10的示意图。图5B是表面10a涂布有粘接剂12的半导体晶片10的示意图。图5C是表示半导体晶片10上的粘接剂12被磨削的状态的示意图。此外，图6A是表示半导体晶片10的周围端部被修边状态的示意图。图6B是张贴有支撑基板13的半导体晶片10的示意图。图6C是表示半导体晶片10的背面10b被磨削状态的示意图。
如图5A所示，在电路形成工序S10中，通过对半导体晶片10的表面10a实施(或者重复实施)规定的工序，形成电路。规定的工序例如包含光刻胶涂布工序、通过光掩模的图形电镀工序、蚀刻工序、氧化工序、扩散工序、化学气相沉积(CVD)工序、离子注入工序和CMP工序。
此外，在电路形成工序S10中，在半导体晶片10上形成未图示的贯穿电极。而且，作为突出部(具有凸出形状的部分)，半导体晶片10的表面10a形成有例如与贯穿电极连接的凸出11。例如，在形成有电路的半导体晶片10上，通过蚀刻加工或者激光加工等形成多个孔。形成的所述孔的内表面上设有绝缘膜。随后，由钽或钛在所述孔的表面形成金属晶种层。而后，金属晶种层的进一步内侧，填充铜树脂膏等。这样，形成贯穿电极。而后，在贯穿电极的表面10a侧的顶面上形成凸出形状的凸出11。
另外，半导体晶片10不限于具有上述的贯穿电极。半导体晶片10上也可以不形成贯穿电极。此外，半导体晶片10的表面10a的突出部，不限于与贯穿电极连接的凸出11。突出部可以是由其他电路和标记等形成的各种凸出状部等。
如图5B所示，在粘接剂涂布工序S20中，在半导体晶片10的表面10a上涂布粘接剂12。作为使用的粘接剂12，例如可以列举丙烯酸树脂系、橡胶系、硅树脂系和苯酚树脂系等各种树脂胶、粘接剂和粘合剂。粘接剂12可以是紫外线固化型粘合剂等。粘接剂12例如通过旋涂法涂布。另外，以粘接剂12形成的层的厚度大于凸出11的高度的方式，涂布粘接剂12。
而后，涂布粘接剂12后，通过与使用的粘接剂12的种类对应的规定的方法，进行使粘接剂12固化的处理。
这样，通过在半导体晶片10的表面10a涂布粘接剂12，半导体晶片10的表面10a上形成的电路被粘接剂12保护。而且，可以将半导体晶片10张贴到后述支撑基板13(参照图6B)上。
这里，粘接剂12覆盖半导体晶片10的表面10a上形成的凸出11。因此，粘接剂12的表面容易因凸出11而成为一部分略微隆起的状态。
半导体晶片10的表面10a上涂布的粘接剂12固化后，进行粘接剂磨削工序S30。如图5C所示，在粘接剂磨削工序S30中，采用参照图2说明的粘接剂磨削装置20的磨削头21，磨削粘接剂12的表面。这样，粘接剂12的表面形成的隆起等被除去，使粘接剂12的表面平坦。另外，粘接剂12的厚度大于凸出11的高度。因此，磨削粘接剂12的表面时，凸出11不会和粘接剂12一起被磨削。
这样，磨削半导体晶片10的表面10a上涂布的粘接剂12的表面。如此，可以使从半导体晶片10的表面10a至粘接剂12的表面的高度，即粘接剂12的厚度均匀。其结果，可以高精度统一粘接剂12的厚度尺寸。
如图6A所示，在端部修边工序S40中，采用参照图3说明的边缘修边装置40，对半导体晶片10的周围端部进行修边。在端部修边工序S40中，半导体晶片10的端部和粘接剂12同时被磨削或研磨。这样，半导体晶片10的端部和粘接剂12的端部的圆角和倾斜被除去。这样，抑制了通过磨削半导体晶片10的背面10b使半导体晶片10薄化时半导体晶片10的端部附近变得比其他部分薄。由此，能够抑制半导体晶片10的端部附近的崩裂。
如图6B所示，在支撑基板张贴工序S50中，在涂布有粘接剂12的半导体晶片10的表面10a侧，张贴支撑基板13。即，支撑基板13利用半导体晶片10的表面10a上涂布的粘接剂12，粘接到半导体晶片10的表面10a侧。
支撑基板13是高刚性的板状体。作为支撑基板13的材料，可以列举玻璃、金属、陶瓷和合成树脂等。另外，作为在粘接剂12的表面粘接支撑基板13的方法，根据使用的粘接剂12的特性等，可以采用各种方法。
如上所述，通过粘接剂磨削工序S30(参照图5C)使粘接剂12的表面平坦，使粘接剂12的厚度均匀化。在所述粘接剂12上张贴高刚性的支撑基板13。这样，半导体晶片10的背面10b与支撑基板13的主面大体平行。
如图6C所示，在背面磨削工序S60中，采用和图2所示的粘接剂磨削装置20大体相同的背面磨削装置，对半导体晶片10的背面10b进行磨削。半导体晶片10以支撑基板13在下的状态承载在背面磨削装置的工作盘的上表面，由基板卡盘吸附、保持。即，半导体晶片10以其背面10b朝向上方的状态，设置在工作盘的上表面上。而后，半导体晶片10的背面10b被晶片磨削工具磨削。
如上所述，在粘接剂磨削工序S30(参照图5C)中使粘接剂12的厚度均匀化。其结果，半导体晶片10的背面10b与支撑基板13的主面大体平行。因此，半导体晶片10的背面10b与背面磨削装置的工作盘的上表面大体平行。即，半导体晶片10大体水平承载在工作盘的上表面。
如上所述，在本实施方式中，半导体晶片10上的粘接剂12的表面被磨削，而且半导体晶片10的周围端部被修边后，将支撑基板13张贴到半导体晶片10上，磨削半导体晶片10的背面10b。这样，可以使半导体晶片10的厚度均匀，并且可以抑制半导体晶片10的破损。其结果，本实施方式能够制造比现有技术的半导体晶片更薄且高品质的半导体晶片10。
此外，在背面磨削工序S60中，同时磨削半导体晶片10和贯穿电极。这样，可以同时高效进行半导体晶片的薄化工序和贯穿电极的出头工序。而且，不仅使半导体晶片10的厚度均匀统一，还可以使半导体晶片10上形成的贯穿电极的高度均匀统一。此外，向磨削半导体晶片10的背面10b的晶片磨削工具吹拂清洗液。这样，可以抑制半导体晶片10的污染。因此，能够高效制造具有高集成率的小型三维安装的半导体装置。
另外，也可以在磨削半导体晶片10的背面10b后，执行用于精加工的各种工序。作为所述工序，例如可以列举在背面10b上形成绝缘膜的工序。
具体可以对半导体晶片10进行无电解镀镍(Ni)工序。所述工序可以仅在从半导体晶片10的背面10b的硅面露出的贯穿电极的顶面上选择性形成罩层。无电解镀镍液在镍(Ni)以外，可以包含硼(B)、磷(P)或钴(Co)等。
接着，可以通过对未形成罩层的硅面进行碱性蚀刻或CMP加工，进行贯穿电极的第二次出头加工。
而后，可以在进行过贯穿电极的第二次出头加工的半导体晶片10的背面10b上，进行堆叠绝缘膜(insulator)的处理。随后，可以采用CMP组合物和研磨抛光轮进行研磨加工。而且，也可以将贯穿电极的顶面的所述绝缘膜除去。
另外，本发明不限于上述实施方式。上述的实施方式在不脱离本发明的发明思想的范围内可以进行各种变更。

Claims (7)

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：
在形成突出部的半导体晶片的表面涂布粘接剂的工序；
磨削所述半导体晶片上涂布的所述粘接剂的表面的工序；
将涂布有所述粘接剂的所述半导体晶片的周围端部和所述粘接剂一起修边的工序；
将所述粘接剂的表面被磨削且所述周围端部被修边的所述半导体晶片借助所述粘接剂张贴到支撑基板的工序；以及
磨削所述支撑基板上张贴的所述半导体晶片的背面的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，磨削所述粘接剂的表面的工序，包括向磨削所述粘接剂的表面的粘接剂磨削工具吹拂清洗液。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，向所述粘接剂磨削工具的从所述粘接剂的表面分离的砂轮的刃尖吹拂所述清洗液。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体晶片具有贯穿电极，
磨削所述半导体晶片的背面的工序，同时磨削所述半导体晶片和所述贯穿电极。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，磨削所述半导体晶片的背面的工序，包括向磨削所述半导体晶片的背面的晶片磨削工具吹拂清洗液。
6.一种半导体制造装置，其特征在于包括：
工作盘，吸附保持表面具有突出部且所述表面涂布有粘接剂的半导体晶片；
粘接剂磨削工具，磨削吸附保持在所述工作盘上的所述半导体晶片的所述粘接剂的表面；以及
研磨带，将吸附保持在所述工作盘上的所述半导体晶片的周围端部和所述粘接剂一起修边。
7.根据权利要求6所述的半导体制造装置，其特征在于，还具备向所述粘接剂磨削工具吹拂清洗液的清洗液喷射装置。
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