CN1664993A - 晶片的磨削装置及磨削方法 - Google Patents

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Abstract

在一边使厚度计测用的检测端子与被加工物接触地计测该被磨削物的厚度、一边进行磨削的场合,防止从磨削砂轮脱落的磨粒划伤晶片及厚度计测用的检测端子。在用磨削砂轮(33)磨削保持在卡盘台(2)上的晶片(W)的同时,将检测端子(50)与晶片(W)的磨削面接触地计测晶片(W)的厚度的场合,向检测端子(50)与晶片(W)的接触部(50a)供给清洗水(53),将由磨削砂轮(33)脱落的磨粒(33a)从该接触部(50a)清除。

Description

晶片的磨削装置及磨削方法
技术领域
本发明涉及磨削半导体晶片等板状物的面的磨削装置及磨削方法,特别是涉及具有测量被磨削物厚度的机能的磨削装置以及采用其装置的磨削方法。
背景技术
为使各种板状物表面平滑、且达到期望的厚度,须用磨削砂轮磨削。例如:半导体晶片,通过磨削没有形成电路的背面而形成期望的厚度。
磨削半导体晶片背面时,如图5所示,将半导体晶片W在背面W1露出的状态下保持在卡盘台80上。而且半导体晶片W也随着卡盘台80的转动而转动,同时,具有磨削砂轮81的磨削机构82边转动边下降,磨削砂轮81与半导体晶片W的背面W1接触,由此对该背面W1进行磨削。
另外,为使半导体晶片W形成期望的厚度,磨削中,例如如图所示,使检测端子83接触半导体晶片W的背面W1,根据卡盘台80的表面80a的高度与检测端子83的前端高度之差,求得晶片W的厚度。(例如参照专利文献1)
专利文献1:日本特开2000-006018号公报
但是,由于磨削砂轮是将磨粒借助粘结剂固定构成的,由于磨削砂轮的自锐性作用,有时磨粒会脱落而落到晶片上。并且,磨粒一旦落入晶片与检测端子之间,检测端子与晶片间在夹杂着磨粒的状态下、晶片转动,就会出现磨粒将晶片的面划伤的问题。特别是通常构成砂轮的材料的硬度比晶片材料的硬度高,所以容易划伤晶片。再者,还会出现由于脱落的磨粒划伤检测端子、使厚度的计测精度降低的问题。
另外,粘合剂也会从磨削砂轮脱落。这种场合由于粘合剂本身远比晶片的硬度低,所以粘合剂夹杂在检测端子与晶片之间,划伤晶片的可能性较低。但一旦夹杂在检测端子与晶片之间,将使检测端子上升相应的量,会产生晶片厚度计测上的误差的问题。
发明内容
本发明要解决的课题在于,使磨粒即使从磨削砂轮脱落也不会伤及晶片及厚度计测用的检测端子,可精度良好地计测厚度。
本发明提供的磨削装置,至少设有:可保持着晶片转动的卡盘台、包含对保持在该卡盘台上的晶片进行磨削的磨削砂轮的磨削机构、和厚度检测机构,所述厚度检测机构的检测端子与保持在该卡盘台上的晶片的磨削面相接触地计测该晶片的厚度;进而,还配置了向该检测端子与该晶片的接触部供给清洗水的清洗水喷嘴。
本发明的晶片的磨削方法,在至少设有:可保持着晶片转动的卡盘台、包含对保持在该卡盘台上晶片进行磨削的磨削砂轮的磨削机构、和厚度检测机构,所述厚度检测机构的检测端子与保持在该卡盘台上的晶片的磨削面相接触地计测该晶片的厚度的磨削装置中,配置了向该检测端子与该晶片的接触部供给清洗水的清洗水喷嘴,在借助该磨削机构对该晶片磨削的过程中,从该清洗水喷嘴向该检测端子与该晶片的接触部供给清洗水。
由于本发明配置了向厚度计测机构的检测端子与晶片的接触部供给清洗水的清洗水喷嘴,所以在磨削中,可以在计测晶片厚度的同时,由清洗水喷嘴向该接触部供给清洗水。并且,从磨削砂轮脱落的磨粒等异物即使落到晶片上,其异物也会被清洗水清除。所以,在该接触部,检测端子与晶片之间不会有异物夹杂,故此不会划伤晶片的磨削面。进而由于检测端子与晶片之间不会有异物夹杂,接触端子经常与晶片的露出面接触,晶片的厚度计测不会出现误差。
附图说明
图1是表示磨削装置的一例的轴测图。
图2是表示厚度计测机构的一例的轴测图。
图3是表示边计测晶片厚度边进行磨削的状态的平面图。
图4是表示晶片磨削中喷射清洗水的状态的说明图。
图5是表示现有的磨削方法的说明图。
具体实施方式
作为本发明的一例,就图1所示的磨削装置1及运用此磨削装置1对晶片W进行磨削的方法进行说明。
磨削装置1具有可保持着晶片转动的卡盘台2、对保持在卡盘台2上的磨削晶片进行磨削的磨削机构3,磨削机构3通过驱动机构4升降。
卡盘台2被移动基台20可转动地支承,移动基台20随齿条21的伸缩而在水平方向移动,同时,卡盘台2也在同方向移动。
磨削机构3具备拥有垂直方向轴心的主轴30、在主轴30下端形成的固定装置31、固定在固定装置31上的磨削轮32,在磨削轮32的下面安装着磨削砂轮33。磨削砂轮33由树脂粘合剂等的粘合剂将磨粒固定构成,磨粒可采用金刚石、CBN、绿炭化础、矾土等。另外,虽然图示中未标出,但在磨削轮32的下面还设有流淌磨削水用的流水孔。
驱动机构4由垂直方向配置的导轨40及滚珠螺杆41、连接滚珠螺杆41的驱动源42、与导轨40可滑动地配合着的升降板43构成。升降板43伴随着被驱动源42驱动的滚珠螺杆41的转动、被导轨40导向而升降。
卡盘台2的近旁设有计测晶片厚度的厚度计测机构5。如图2所示,厚度计测机构5具备与晶片接触地检测晶片的露出面的接触端子50、向接触端子50与晶片的接触部供给清洗水的清洗水喷嘴51、根据接触端子50的高度计测晶片厚度的计测部52。清洗水喷嘴51通过阀门6与水源7连接。
如图3所示,磨削晶片W时,晶片W保持在卡盘台2上。卡盘台2转动的同时,随着磨削轮32的转动而转动的磨削砂轮与晶片W接触而进行磨削。此时,厚度计测机构5的接触端子50与晶片W的不接触磨削砂轮的部分相接触,检测晶片W的露出面,据此计测磨削中的晶片W的厚度。而且,从清洗水喷嘴51向接触端子50与晶片W接触的部位喷射清洗水53。
在晶片W的磨削过程中,由于磨削砂轮33(参照图1)的自锐性作用,构成磨削砂轮33的磨粒可能会从磨削砂轮33上脱落。并且,脱落的磨粒可能会由于晶片W的转动而处于检测端子50与晶片W的接触部。
但是如图4所示,由于从清洗水喷嘴51向该接触部50a喷射清洗水,磨粒33a处于接触部50a时,喷出的清洗水53就会即刻将磨粒33a从其位置清除。所以,接触端子50与晶片W之间不会夹杂有磨粒33a,因此也就不会因磨粒33a划伤晶片。特别是磨粒33a的材料硬度比晶片W的硬度高时,例如磨粒33a为金刚石时,一旦夹杂在检测端子50与晶片W之间,由于晶片W的转动,特别容易划伤晶片W的磨削面。但由于磨粒33a被清洗水的清除,在防止划伤晶片这一点上是极具效果的。
另外,由于检测端子50与晶片W之间不会夹杂磨粒,接触端子50经常接触晶片W的露出面,所以晶片W的厚度计测不会出现误差,可以形成期望的晶片厚度。
再者,磨粒33a有时也会与粘合剂一起脱落,而且粘合剂也会单独脱落。但无论何种场合,同样均可将这些异物从接触部50a清除掉,所以不会划伤晶片,厚度计测也不会产生误差。而且,磨削产生的磨削屑等异物也同样可以清除掉。
工业上的利用可能性
本发明即使在晶片磨削时磨粒等从磨削砂轮上脱落,也可以防止其划伤晶片,而且不会给厚度计测带来影响。故此,可特别适用于高品质的晶片的制造。

Claims (2)

1.一种磨削装置,至少设有:可保持着晶片转动的卡盘台、包含对保持在该卡盘台上的晶片进行磨削的磨削砂轮的磨削机构、和厚度检测机构,所述厚度检测机构的检测端子与保持在该卡盘台上的晶片的磨削面相接触地计测该晶片的厚度;其特征在于,配置了向该检测端子与该晶片的接触部供给清洗水的清洗水喷嘴。
2.一种晶片的磨削方法,在至少设有:可保持着晶片转动的卡盘台、包含对保持在该卡盘台上晶片进行磨削的磨削砂轮的磨削机构、和厚度检测机构,所述厚度检测机构的检测端子与保持在该卡盘台上的晶片的磨削面相接触地计测该晶片的厚度的磨削装置中,配置了向该检测端子与该晶片的接触部供给清洗水的清洗水喷嘴,在借助该磨削机构对该晶片磨削的过程中,从该清洗水喷嘴向该检测端子与该晶片的接触部供给清洗水。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101885163A (zh) * 2009-05-14 2010-11-17 宋健民 以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法及其系统
CN101383281B (zh) * 2007-09-04 2012-03-21 株式会社迪思科 晶片磨削方法及磨削装置
CN101380726B (zh) * 2007-09-04 2012-07-25 株式会社不二制作所 磨削加工方法以及磨削加工装置
CN104551871A (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 浙江工业大学 一种钽酸锂晶片的磨削加工方法
CN104827384A (zh) * 2015-03-31 2015-08-12 山西南烨立碁光电有限公司 Led硅基板的研磨技术
CN111347304A (zh) * 2018-12-20 2020-06-30 株式会社冈本工作机械制作所 包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置
CN113021180A (zh) * 2021-03-12 2021-06-25 长江存储科技有限责任公司 一种研磨轮、研磨设备

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008006536A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削方法
JP2013104721A (ja) * 2011-11-11 2013-05-30 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2013184277A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Disco Corp バイト切削装置
JP2014079838A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2019149461A (ja) 2018-02-27 2019-09-05 株式会社ディスコ 加工装置
JP7201342B2 (ja) 2018-06-06 2023-01-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019220550A (ja) 2018-06-19 2019-12-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7191586B2 (ja) 2018-08-17 2022-12-19 株式会社ディスコ ウエーハの一体化方法
JP2020031183A (ja) 2018-08-24 2020-02-27 株式会社ディスコ ウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法
JP7173792B2 (ja) 2018-08-28 2022-11-16 株式会社ディスコ ウエーハの保護方法
JP7317483B2 (ja) 2018-10-16 2023-07-31 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7461118B2 (ja) 2019-08-19 2024-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7374657B2 (ja) 2019-08-21 2023-11-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR20220014812A (ko) 2020-07-29 2022-02-07 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법, 보호 시트, 및 보호 시트 부설 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW369456B (en) * 1996-11-01 1999-09-11 Ind Tech Res Inst Chemical mechanical polishing device
JP2000006018A (ja) * 1998-06-23 2000-01-11 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
CN1464525A (zh) * 2002-06-13 2003-12-31 衡阳科晶微电子有限公司 N<100>衬底扩散、抛光工艺

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101383281B (zh) * 2007-09-04 2012-03-21 株式会社迪思科 晶片磨削方法及磨削装置
CN101380726B (zh) * 2007-09-04 2012-07-25 株式会社不二制作所 磨削加工方法以及磨削加工装置
CN101885163A (zh) * 2009-05-14 2010-11-17 宋健民 以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法及其系统
CN101885163B (zh) * 2009-05-14 2016-05-25 宋健民 以水枪辅助执行化学机械抛光处理程序的方法及其系统
CN104551871A (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 浙江工业大学 一种钽酸锂晶片的磨削加工方法
CN104827384A (zh) * 2015-03-31 2015-08-12 山西南烨立碁光电有限公司 Led硅基板的研磨技术
CN111347304A (zh) * 2018-12-20 2020-06-30 株式会社冈本工作机械制作所 包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置
US11745299B2 (en) 2018-12-20 2023-09-05 Okamoto Machine Tool Works, Ltd. Grinding method of composite substrate including resin and grinding apparatus thereof
CN111347304B (zh) * 2018-12-20 2023-12-22 株式会社冈本工作机械制作所 包含树脂的复合基板的磨削方法和磨削装置
CN113021180A (zh) * 2021-03-12 2021-06-25 长江存储科技有限责任公司 一种研磨轮、研磨设备

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Publication number Publication date
JP2005246491A (ja) 2005-09-15
CN100397584C (zh) 2008-06-25

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