KR100709457B1 - 반도체 웨이퍼의 연삭방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 연삭방법 Download PDF

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Abstract

반도체 웨이퍼를 보지(保持: holding)하는 척테이블(chuck table)과, 상기 척테이블상에 보지된 반도체 웨이퍼의 상부면을 연삭하는 연삭수단,을 구비한 연삭장치를 사용한 반도체 웨이퍼 연삭방법으로서, 연삭가공후에 척테이블로부터 반출된 연삭후의 반도체 웨이퍼를 반도체 보지 트레이에 보지시키는 트레이 보지공정을 구비하고 있다.
반도체, 웨이퍼, 척테이블, 연삭장치, 연삭방법

Description

반도체 웨이퍼의 연삭방법{SEMICONDUCTOR WAFER GRINDING METHOD}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 연삭방법을 실시하기 위한 연삭장치의 사시도.
도 2는 도 1에 나타낸 표면연삭장치에 장착된 세척장치를 구성하는 스피너 테이블(spinner table)의 요부사시도.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 연삭방법을 실시하기 위하여 준비된 웨이퍼 보지(保持: holding) 트레이(tray)의 사시도.
도 4는 도 3에 나타낸 웨이퍼 보지 트레이의 구성부재를 분해하여 나타낸 분해사시도.
도 5는 도 3에 나타낸 웨이퍼 보지 트레이를 구성하는 탄성 패드의 확대단면도.
도 6은 도 3에 나타낸 웨이퍼 보지 트레이를 스피너 테이블 상에 거치한 상태를 나타낸 사시도.
본 발명은 반도체 웨이퍼의 연삭방법, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼를 보 지(保持 : holding)하는 척테이블(chuck table)과, 이 척테이블상에 보지된 반도체 웨이퍼의 상부면을 연삭하는 연삭수단,을 구비한 연삭장치를 사용한 반도체 웨이퍼의 연삭방법에 관한 것이다.
당업자에게는 주지된 바와 같이 반도체 디바이스 제조공정에서는, 거의 원판형인 반도체 웨이퍼를 개개의 펠릿(pellet)으로 분할하여 반도체 소자를 형성하고 있다. 반도체 소자의 방열성(放熱性)을 양호하게 하기 위해서는 반도체 소자의 두께를 가능한 한 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 또한 반도체 소자를 다수 사용하는 휴대전화, 스마트 카드(smart card), PC 등의 소형화를 가능하게 하기 위해서도 반도체 소자의 두께를 가능한 한 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 이를 위해 반도체 웨이퍼를 개개의 펠릿으로 분할하기 전에 그 뒷면을 연삭하여 소정의 두께로 가공하고 있다. 이와 같은 반도체 웨이퍼의 뒷면을 연삭하는 연삭장치는 피가공물인 반도체 웨이퍼를 척테이블(chuck table) 상에 흡인보지하고, 이 척테이블상에 표면측이 흡인유인된 반도체 웨이퍼의 뒷면(상부면)을 연삭수단에 의해 연삭한다.
그리고 반도체 웨이퍼는 예를 들면 100μm 이하의 두께까지 연삭되면 강성(剛性)이 저하되어 전체적으로 휘어지게 되고, 반송 및 카세트로의 수납이 곤란해 진다는 문제가 있다. 또한 반도체 웨이퍼의 뒷면을 연삭하기 전에 다이싱(dicing) 장치에서 표면으로부터 소정 깊이의 다이싱 홈(dicing groove)을 미리 만들어 놓고, 반도체 웨이퍼의 뒷면을 연삭하여 50μm 정도의 두께로 마무리 함으로써, 각 칩으로 분할하는 소위 프리 다이싱(pre-dicing)이라고 칭하는 제조 방법에서는, 연삭후의 반도체 웨이퍼는 표면측에 부착된 보호 테이프의 작용으로 개개의 칩으로 분리되지는 않지만, 반도체 웨이퍼의 형태로서 전혀 강성을 띠고 있지 않기 때문에 연삭후의 반송 및 카세트로의 수납이 매우 어려워진다.
또한 연삭후의 반도체 웨이퍼의 반송을 용이하게 하기 위해서는, 반도체 웨이퍼를 미리 강성이 높은 기판에 부착해 두고, 이 반도체 웨이퍼를 부착한 기판을 척테이블에 거치하여 반도체 웨이퍼를 연삭하면, 연삭에 의해 반도체 웨이퍼가 얇아져도 기판에 강성에 의해 휘는 일없이 반송될 수 있음과 동시에, 카세트 내로의 수납이 용이해진다. 그러나 척테이블의 표면 정도(精度: accuracy)와 연삭수단의 연삭면 정도(accuracy)에 의해 반도체 웨이퍼의 마무리(완료) 정도(accuracy)가 결정되는 연삭장치에 있어서는, 반도체 웨이퍼와 척테이블 사이에 기판을 개재시키는 것은 마무리(완료) 정도(精度)를 저하시키는 요인이 된다.
본 발명의 목적은 연삭에 의한 마무리(완료) 정도(精度)의 저하를 초래하지 않고, 연삭후의 반도체 웨이퍼를 원활하게 반송할 수 있는 반도체 웨이퍼의 연삭방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼를 보지(保持)하는 척테이블과, 상기 척테이블상에 보지된 반도체 웨이퍼의 상부면을 연삭하는 연삭수단,을 구비하는 연삭장치를 사용한 반도체 웨이퍼의 연삭방법으로서, 상기 척테이블에 연삭해야할 상기 반도체 웨이퍼를 거치하는 연삭전 웨이퍼 거치공정과, 상기 척테이블에 거치된 상기 반도체 웨이퍼의 상부면을 상기 연삭수단에 의해 소정 두께로 연삭하는 웨이퍼 연삭공정과, 연삭후의 상기 반도체 웨이퍼를 상기 척 테이블로부터 반출하는 웨이퍼 반출공정과, 상기 척테이블로부터 반출된 연삭후의 상기 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 보지 트레이에 보지시키는 트레이 보지공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연삭방법이 제공된다.
상기 반도체 웨이퍼를 보지하는 상기 웨이퍼 보지 트레이는, 무수한 기공이 표면에 형성되어 탄성에 의한 복원력과 밀착성으로 기공이 찌부러져 부압이 생겼을 때에 흡착력을 발생하는 탄성패드와, 상기 탄성패드를 장착함과 동시에 상기 탄성패드에 부압 또는 가압력을 도입하는 연통공을 구비하는 기판으로 구성되어 있으며, 상기 트레이 보지공정은, 상기 척테이블로부터 반출된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 웨이퍼 보지 트레이의 상기 탄성패드의 표면에 거치하고, 상기 연통공에 부압을 도입하여 상기 반도체 웨이퍼를 탄성패드에 흡착보지시킨다.
상기 연삭장치는 연삭후의 상기 반도체 웨이퍼를 거치하는 스피너 테이블을 가진 세척수단과, 상기 웨이퍼 보지 트레이를 수용하는 트레이용 카세트를 구비하고 있으며, 상기 트레이 보지공정은 연삭후의 상기 반도체 웨이퍼를 상기 스피너 테이블로 거치하기 전에, 상기 트레이용 카세트 내에 수납되어 있는 상기 웨이퍼 보지 트레이를 반출하여 상기 스피너 테이블로 거치하는 보지 트레이 세트공정과, 상기 스피너 테이블에 거치된 상기 웨이퍼 보지 트레이의 탄성패드상에 연삭후의 반도체 웨이퍼를 거치하는 연삭후의 웨이퍼 거치공정과, 스피너 테이블에 거치된 상기 웨이퍼 보지 트레이의 상기 기판에 형성된 상기 연통공에 부압을 도입하여 반도체 웨이퍼를 탄성패드로 흡착보지시키는 연삭후 웨이퍼 흡착공정을 포함하고 있다.
또한, 상기 연삭장치는 세척후의 반도체 웨이퍼를 수납하는 연삭후 웨이퍼 카세트를 구비하고 있으며, 상기 세척수단에서 반도체 웨이퍼의 세척이 완료된 후에 세척수단으로부터 상기 웨이퍼 보지 트레이와 일체가 된 반도체 웨이퍼를 연삭후 웨이퍼용 카세트 내에 수납하는 연삭후 웨이퍼 수납공정을 구비하고 있다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 연삭방법의 바람직한 실시형태에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1에는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 연삭방법을 실시하기 위한 연삭장치의 사시도가 도시되어 있다.
도시된 실시형태에서의 연삭장치는, 거의 직사각형 모양의 장치 하우징(2)을 구비하고 있다. 장치 하우징(2)의 도 1에서 우측 상단에는 정지 지지판(靜止支持板: static support plate)(4)이 입설(立設)되어 있다. 이 정지 지지판(4)의 안쪽 면에는 상하 방향으로 뻗은 2 쌍의 안내 레일(6,6) 및 (8,8)이 설치되어 있다. 한 쪽의 안내 레일(6,6)에는 거친 연삭수단으로서의 거친 연삭유니트(10)가 상하방향으로 이동가능하게 장치되어 있으며, 다른 쪽의 안내 레일(8,8)에는 마무리 연삭수단으로서의 마무리 연삭유니트(12)가 상하방향으로 이동가능하게 장착되어 있다.
거친 연삭유니트(10)는, 유니트 하우징(101)과, 이 유니트 하우징(101)의 하단에 회전가능하게 장치된 연삭휠(grinding wheel)(102)과, 이 유니트 하우징(101)의 상단에 장착되어 연삭휠(102)을 화살표로 표시한 방향으로 회전시키는 회전구동기구(103)와, 유니트 하우징(101)을 장착한 이동기저대(104),를 구비하고 있다. 이 동기저대(104)에는 피(被)안내레일(105, 105)이 설치되어 있으며, 이 피안내레일(105,105)을 상기 정지 지지판(4)에 설치된 안내 레일(6,6)에 이동가능하게 끼워 맞춤으로써, 거친 연삭유니트(10)가 상하방향으로 이동가능하게 지지된다. 도시된 형태에서의 거친 연삭유니트(10)는, 상기 이동기저대(104)를 안내레일(6,6)을 따라서 이동시켜 연삭휠(102)의 절단깊이를 조정하는 피딩(feeding) 기구(11)를 구비하고 있다. 피딩기구(11)는, 상기 정지 지지판(4)에 안내 레일(6,6)과 평행하게 상하 방향으로 배설되어 회전가능하게 지지된 숫나사 로드(111)와, 이 숫나사 로드(111)를 회전구동하기 위한 펄스 모터(112)와, 상기 이동기저대(104)에 장착되어 숫나사로드(111)와 나사결합하는 암나사 블록(도시하지 않음),을 구비하고 있고, 펄스 모터(112)에 의해 숫나사 로드(111)를 정전(正轉) 및 역전(逆轉) 구동함으로써 거친 연삭유니트(19)를 상하 방향으로 이동시킨다.
상기 마무리 연삭유니트(12)도 거친 연삭유니트(10)와 마찬가지로 구성되어 있어, 유니트 하우징(121)과, 이 유니트 하우징(121)의 하단에 회전가능하게 장착된 연삭휠(122)과, 이 유니트 하우징(121)의 상단에 장착되어 연삭휠(122)을 화살표 방향으로 회전시키는 회전구동장치(123)와, 유니트하우징(121)을 장착한 이동기저대(125),를 구비하고 있다. 이동기저대(124)에는 피안내 레일(125,125)이 설치되어 있으며, 이 피안내 레일(125,125)을 상기 정지 지지판(4)에 설치된 안내레일(8,8)에 이동가능하게 끼어맞춤으로써, 마무리 연삭유니트(12)가 상하방향으로 이동가능하게 지지된다. 도시된 형태에서의 마무리 연삭유니트(12)는, 상기 이동기저대(124)를 안내 레일(8,8)을 따라서 이동시켜 연삭휠(122)의 절단깊이를 조정하는 피딩(feeding) 기구(13)를 구비하고 있다. 이 피딩기구(13)는 상기 피딩기구(11)와 실질적으로 같은 구성이다. 즉, 피딩기구(13)는, 상기 정지 지지판(4)에 안내 레일(8,8)과 평행하게 상하방향으로 배설되어 회전가능하게 지지된 숫나사 로드(131)과, 이 숫나사 로드(131)를 회전구동하기 위한 펄스 모터(132)와, 상기 이동기저대(124)에 장착되어 숫나사 로드(131)와 나사결합하는 암나사 블록(도시되지 않음),을 구비하고 있으며, 펄스 모터(132)에 의해 숫나사 로드(131)를 정전(正轉) 및 역전(逆轉) 구동함으로써 마무리 연삭유니트(12)를 상하방향으로 이동시킨다.
도시된 실시형태에서의 연삭장치는, 상기 정지 지지판(4)의 앞쪽에서 장치 하우징(2)의 상부면과 거의 동일한 선상에서 배설된 턴테이블(turn table)(15)을 구비하고 있다. 이 턴테이블(15)은 비교적 큰 반경을 가진 원반형으로 형성되어 있으며 회전구동장치(도시되지 않음)에 의해 화살표(15a) 방향으로 자연스럽게 회전된다. 턴테이블(15)에는, 도시된 실시형태의 경우 각각 120도의 위상각도를 가지고 3개의 척테이블(chuck table)이 수평면 내에서 회전가능하게 배설되어 있다. 이 척테니블(20)은, 상부가 개방된 원형의 오목부(凹)를 구비한 원반형의 기저대(21)와, 이 기저대에 형성된 오목부에 끼어맞추어진 다공성 세라믹(porous ceramic) 보드에 의해 형성된 흡착보지척(suction-holding chuck)(22),으로 이루어져 있으며, 회전구동장치(도시되지 않음)에 의해 화살표 방향으로 회전하도록 구성되어 있다. 또한 척페이블(20)은 흡기수단(도시되지 않음)에 접속되어 있다. 이상과 같이 구성된 턴 테이블(15)에 배설된 3개의 척테이블(20)은, 턴테이블(15)이 자연스럽게 회전함으로써 피가공물 반입·반출 영역(area)(A), 거친 연삭가공 영역(B), 마무리 연삭가공 영역(C) 및 피가공물 반입·반출 영역(A),으로 순차적으로 이동해 간다.
도시된 연삭장치에서의 피가공물 반입·반출 영역(A)에 대하여 한쪽에는, 연삭가공전의 피가공물인 반도체 웨이퍼를 저장하는(수납하는) 연삭전 웨이퍼용 카세트(31)와, 이 연삭전 웨이퍼용 카세트(31)와 피가공물 반입·반출 영역(A)과의 사이에 설치된 피가공물 거치부(32),가 배설되어있다. 연삭전 웨이퍼용 카세트(31)에는, 하부면에 테이프(T)가 부착된 반도체 웨이퍼(W)가 수납된다. 한편, 연삭장치에서의 피가공물 반입·반출 영역(A)에 대하여 다른 쪽에는, 연삭 가공후의 이 반도체 웨이퍼를 세척하는 스피너 테이블(330)을 갖는 세척수단(33)이 배설되어 있다. 이 세척수단(33)의 스피너 테이블(330)은, 도 2에 나타낸 바와 같이 상부 방향이 개방된 원형의 오목부(凹)를 구비한 원반형의 기저대(331)와, 이 기저대(331)에 형성된 오목부에 끼어맞추어진 다공질 세라믹(porous ceramic) 보드에 의해 형성된 흡착보지척(suction-holding chuck)(332)으로 이루어져 있으며, 흡기수단(도시되지 않음)에 접속되어 있다. 또한 연삭장치에서의 피가공물 반입·반출 영역(A)에 대하여 또 다른 쪽에는, 세척수단(33)에 의해 세척된 연삭가공후의 피가공물인 반도체 웨이퍼(W)를 저장하는(수납하는) 연삭후 웨이퍼용 카세트(34)와, 연삭가공후의 반도체 웨이퍼(W)를 보지하기 위한 후술하는 웨이퍼 보지 트레이(wafer holding tray)(40)를 수용하는 트레이용 카세트(35)가 배설되어 있다. 또한 도시된 실시형태에서의 연삭장치는, 연삭전 웨이퍼용 카세트(31) 내에 수납된 피가공물인 반도체 웨이퍼(W)를 피가공물 거치부(32)로 반출함과 동시에 세척수단(33)으로 세척된 반도체 웨이퍼(W)를 연삭후 웨이퍼용 카세트(34)로 반송하는 피가공물 반송수단(36)을 구비하고 있다. 또한 이 피가공물 반송수단(36)은, 상기 트레이용 카세트(35)에 수용된 후술하는 웨이퍼 보지 트레이(40)를 상기 세척수단(33)의 스피너 테이블(330) 상으로 반송하는 기능을 가지고 있다. 또한 도시된 실시형태에서의 연삭장치는, 상기 피가공물 거치부(32)에 거치된 반도체 웨이퍼(W)를 피가공물 반입·반출 영역(A)에 위치된 척테이블(20) 상으로 반송하는 피가공물 반입수단(37)과, 피가공물 반입·반출 영역(A)에 위치된 척테이블(20) 상에 거치되어 있는 연삭가공후의 반도체 웨이퍼(W)를 세척수단으로 반송하는 피가공물 반출수단(38),을 구비하고 있다.
다음으로, 연삭가공후의 반도체 웨이퍼를 보지하기 위한 웨이퍼 보지 트레이(40)에 대하여 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한다.
웨이퍼 보지 트레이(40)는, 원형의 기판(41)과, 이 기판(41) 상부면에 장착되는 원형의 탄성패드(42),로 이루어져 있다. 기판(41)은 예를 들면 알루미늄이나 합성수지 등의 경질(硬質)부재로 이루어지며, 1mm정도의 두께를 가지고 쉽게 휘어지지 않도록 구성되어 있다. 이와 같이 형성된 기판(41)에는 상부면으로부터 하부면으로 관통하는 복수개의 연통공(411)이 형성되어 있다. 또한 도시된 실시형태에서 기판(41)은 원형으로 형성되어 있지만, 기판(41)은 피가공물의 형상에 맞춘 형상으로 하는 것이 바람직하다.
상기 탄성패드(42)는 예를 들면 알킬 벤젠 술폰산(alkybenzensulfonic acid) 등의 합성수지 등으로 이루어진 탄성을 가진 부재에 의해 기판(41)의 모양에 대응한 형상으로 형성되어 있다. 이와 같이 형성된 탄성패드(42)는 도 5에 확대하여 나타낸 바와 같이 무수한 기공(421)이 적어도 표면(420)에 형성되어 있다. 또한 탄성패드(42)에서 서로 이웃하는 기공(421)과 기공(421)과의 사이에는 상부면으로부터 하부면으로 관통하는 폭이 수십μm 정도의 관통공(422)이 형성되어 있으며, 이 관통공(422)을 통하여 공기유통이 가능하도록 되어 있다. 또한 탄성패드(42)의 두께는 피가공물의 성질을 고려하여 결정되지만 0.5mm정도가 바람직하다. 이와 같은 탄성패드(42)는 예를 들면 Dars Bond Co.,Ltd.社로부터 제공되고 있다.
상기와 같이 구성된 탄성패드(42)를 상기 기판(41)의 상부면에 적당한 접착제를 사용하여 부착함으로써 기판(41)과 탄성패드(42)가 일체화된 웨이퍼 보지 트레이(40)를 구성할 수 있다. 이와 같이 구성된 웨이퍼 보지 트레이(40)는, 탄성패드(42)의 상부면에 반도체 웨이퍼(W)를 거치하고, 기판(41)에 형성된 연통공(41)을 통하여 부압(負壓: negative pressure )을 도입하면, 부압이 탄성패드(42)에 형성된 관통공(422)을 통하여 탄성패드(42)의 상부면에 거치된 반도체 웨이퍼(W)에 작용하여 이 반도체 웨이퍼(W)를 탄성 패드(42)에 흡착시킨다. 이 때 탄성패드(42)가 압축되어 표면(420)에 형성된 기공(421)이 찌부러진다. 이 결과, 웨이퍼 보지 트레이(40)는, 기판(41)에 형성된 관통공(411)을 통한 부압의 도입이 해제되어도 탄성패드(42)가 갖는 탄성에 의한 복원력과 밀착성에 의해 기공(421)에 부압이 생기고, 이 부압이 흡인력이 되어 반도체 웨이퍼(W)의 흡착상태를 보지한다.
도시된 실시형태에서의 연삭장치 및 웨이퍼 보지 트레이는 이상과 같이 구성 되어 있으며, 이하 그 연삭가공의 작업순서에 대하여 설명한다.
연삭전 웨이퍼용 카세트(31)에 수용된 연삭가공전의 피가공물인 반도체 웨이퍼(W)는 피가공물 반송수단(36)의 상하동작 및 전후진 동작에 의해 반송되어 피가공물 거치부(32)에 거치된다. 피가공물 거치부(32)에 거치된 연삭전의 반도체 웨이퍼(W)는 6개의 핀(321)의 중심으로 향한 방사 운동(radial movement)에 의해 중심에 맞추어진다. 피가공물 거치부(32)에 거치되어 중심이 맞추어진 반도체 웨이퍼(W)는, 피가공물 반입수단(37)의 회전(旋回: turning)동작에 의해 피가공물 반입·반출 영역(A)에 위치된 척테이블(20)상에 거치된다(연삭전 웨이퍼 거치공정). 척테이블(20) 상에 연삭전 반도체 웨이퍼(W)가 거치되었다면, 흡인수단(도시되지 않음)을 작동함으로써 연삭전의 반도체 웨이퍼(W)를 흡착보지척(22) 상에 흡인보지할 수 있다. 그리고 턴테이블(15)을 회전구동기구(도시되지 않음)에 의해 화살표(15a) 방향으로 120도 회동시켜서, 연삭전 반도체 웨이퍼(W)를 거치한 척테이블(20)을 거친 연삭가공 영역(B)에 위치시킨다.
연삭전 반도체 웨이퍼(W)를 거치한 척테이블(20)은 거친 연삭가공 영역(B)에 위치되면 회동구동기구(도시되지 않음)에 의해 화살표 방향으로 회전되며, 한편 거친 연삭유니트(10)의 연삭휠(102)이 화살표 방향으로 회전하면서 피딩(Feeding) 기구에 의해 소정량 하강함으로써, 척테이블(20) 상에 연삭전 반도체 웨이퍼에 거친 연삭가공이 실시된다(웨이퍼 거친 연삭공정). 또한 그 사이에 피가공물 반입·반출 영역(A)에 위치된 그 다음 척테이블(20) 상에는 상술한 바와 같이 연삭전의 반도체 웨이퍼(W)가 거치된다. 다음으로, 턴테이블(15)을 화살표(15a) 방향으로 120도 회 전시켜서 거친 연삭가공한 반도체 웨이퍼(W)를 거치한 척테이블(20)을 마무리 연삭가공 영역(C)에 위치시킨다. 또한 이 때 피가공물 반입·반출 영역(A)에서 연삭전 반도체 웨이퍼(W)가 거치된 그 다음 턴테이블(20)은 거친 연삭가공 영역(B)에 위치되며, 또 그 다음 착테이블(20)이 피가공물 반입·반출 영역(A)에 위치된다.
이렇게 하여 거친 연삭가공 영역(B)에 위치된 척테이블(20) 상에 거치된, 거친 연삭가공전의 반도체 웨이퍼(W)에는 거친 연삭유니트(10)에 의해 거친 연삭가공이 실시되며, 마무리 연삭가공 영역(C)에 위치된 척테이블(20) 상에 거치된, 거친 연삭가공처리 된 반도체 웨이퍼(W)에는 마무리 연삭유니트(12)에 의해 마무리 연삭가공이 실시된다(웨이퍼 마무리 연삭공정). 상술한 거친 연삭가공 및 마무리 연삭가공에서는, 반도체 웨이퍼(W)는 척테이블(20) 상에 직접 거치되기 때문에 마무리 정도(accuracy)의 저하를 초래하지는 않는다. 다음으로, 턴테이블(15)을 화살표(15a) 방향으로 120도 회전시켜서, 마무리 연삭가공한 연삭후 반도체 웨이퍼(W)를 거치한 척테이블(20)을 피가공물 반입·반출 영역(A)에 위치시킨다. 또한 거친 연삭가공 영역(B)에서 거친 연삭가공 된 반도체 웨이퍼(W)를 거치한 척테이블(20)은 마무리 연삭가공 영역(C)으로, 피가공물 반입·반출 영역(A)에서 연삭전 반도체 웨이퍼(W)가 거치된 척테이블(20)은 거친 연삭가공 영역(B)으로 각각 이동된다.
또한, 거친 연삭가공 영역(B) 및 마무리 연삭가공 영역(C)을 경유하여 피가공물 반입·반출 영역(A)으로 복귀한 척테이블(20)은, 여기에서 마무리 연삭가공된 반도체 웨이퍼(W)의 흡착보지를 해제한다 피가공물 반입·반출 영역(A)으로 복귀한 척테이블(20)상에서 흡착보지가 해제 된 연삭후 반도체 웨이퍼(W)를 세척수단(33)으로 반송하기 전에, 트레이용 카세트(35) 내에 수용되어 있는 웨이퍼 보지 트레이(40)가 피가공물 반송수단(36)의 상하동작 및 전후진 동작에 따라 반송되어 세척수단(33)의 스피너 테이블(330) 상에 거치된다(보지 트레이 세트공정). 이와 같이 하여 스피너 테이블(330) 상에 웨이퍼 보지 트레이(40)가 거치되었다면, 피가공물 반출수단(38)을 작동하여 피가공물 반입·반출 영역(A)으로 복귀한 척테이블(20) 상에서 흡착보지가 해제된 연삭후 반도체 웨이퍼(W)를 척테이블(20)로부터 반출하여(웨이퍼 반출공정), 스피너 테이블(330) 상에 거치된 웨이퍼 보지 트레이(40)의 탄성패드상에 거치한다(가공후 웨이퍼 거치공정). 그리고 스피너 테이블(330)에 접속된 흡인수단(도시되지 않음)을 작동함으로써, 도 6에 나타낸 바와 같이 스피너 테이블(330)상에 웨이퍼 보지 트레이(40) 및 연삭후 반도체 웨이퍼(W)가 흡작보지된다(연삭후 웨이퍼 흡착보지공정). 즉, 흡인수단(도시되지 않음)의 작용에 따른 부압이, 스피너 테이블(330)의 다공성 세라믹(porous ceramic) 보드에 의해 형성되어 흡착보지척(332)을 통하여 웨이퍼 보지 트레이(40)를 구성하는 기판(41)의 하부면에 작용함으로써, 웨이퍼 보지 트레이(40)가 스피너 테이블(330)에 흡착보지된다. 또한 상기 부압이 기판(41)에 형성된 연통공(411)을 통하여 도입되면, 부압이 탄성패드(42)에 형성된 관통공(422)을 통하여 탄성패드(42)의 상부면에 거치된 연삭후의 반도체 웨이퍼(W)에 작용하고, 이 연삭후 반도체 웨이퍼(W)가 탄성패드(42)에 흡착된다. 이렇게 하여 스피너 테이블(33) 상에 웨이퍼 보지 트레이(40) 및 연삭후 반도체 웨이퍼(W)가 흡착보지되었다면, 세척수단(33)이 작동하여 연삭후 반도체 웨이퍼(W)의 세척이 진행된다(연삭후 웨이퍼 세척공정).
상술한 연삭후 반도체 웨이퍼의 세척공정을 실행했다면 스피너 테이블(330)에 접속된 흡인수단(도시되지 않음)의 작동을 정지하고, 스피너 테이블(330) 상에 거치된 웨이퍼 보지 트레이(40)의 흡착보지를 해제한다. 이 때, 흡인수단(도시되지 않음)의 작동이 정지되면 웨이퍼 보지 트레이(40)의 기판(41)에 형성된 연통공(411)을 통한 부압의 도입이 해제되지만, 웨이퍼 보지 트레이(40)는 상술한 바와 같이 연삭후 반도체 웨이퍼(W)의 흡착상태를 보지하고 있다. 즉, 상기 연삭후 웨이퍼의 흡착보지공정에서 탄성패드(42)에 연삭후 반도체 웨이퍼(W)를 흡인보지할 때에, 상술한 바와 같이 탄성패드(42)가 압축되어 표면(420)에 형성된 기공(421)이 찌부러져서, 그 결과 탄성패드(42)가 갖는 탄성에 의한 복원력과 밀착성에 의해 기공(421)에 생기는 부압의 흡인력으로 반도체 웨이퍼(W)의 흡착상태가 보지된다.
다음으로, 스피너 테이블(330) 상에서 흡착보지가 해제된 웨이퍼 보지 트레이(40)에 흡착보지되어 있는 연삭후 반도체 웨이퍼(W)는, 피가공물 반송수단(36)의 상하동작 및 전후진 동작에 의해 연삭후 웨이퍼용 카세트(34)로 반송되어 수납된다(연삭후 웨이퍼 수납공정). 이 피가공물 반송수단(36)에 의한 반송에서, 연삭후 반도체 웨이퍼(W)는 웨이퍼 보지 트레이(40)에 흡착보지된 상태이기 때문에, 연삭가공되어 얇아져도 또한 소위 프리 다이싱(pre-dicing)에 의해 각 칩으로 분할되어도, 웨이퍼 보지 트레이(40)의 강성(rigidity)으로 지지되어 있어 휘는 일이 없기 때문에, 원활하게 반송될 수 있으며, 동시에 연삭후 웨이퍼용 카세트(34)에 용이하게 수납될 수 있다. 그리고 연삭후 웨이퍼용 카세트(34)에 수납된 연삭 반도체 웨이퍼(W)를 다른 제조공정으로 반송할 때에도 상술한 연삭후 반도체 웨이퍼(W)는 보지 트레이(40)에 흡착보지되어 일체화되어 있기 때문에, 웨이퍼 보지 트레이(40)의 강성으로 지지되어 휘는 일이 없으므로 원활하게 반송할 수 있다. 또한 웨이퍼 보지 트레이(40)에 의한 연삭후 반도체 웨이퍼(W)의 흡착보지를 해제하는 데는, 웨이퍼 보지 트레이(40)의 기판(41)을 가압수단(도시되지 않음)에 장착하고, 고압 에어를 기판(41)에 형성된 통기공(411)에 공급한다. 이 결과, 통기공(411)으로 공급된 고압에어가 탄성패드(42)의 관통공(422)을 통하여 기공(421)으로 침입하여 흡착력을 감쇄시키기 때문에, 연삭후 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보지 트레이(40)로부터 용이하게 이탈시킬 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 연삭방법은 이상과 같이 구성되어 있으므로 다음과 같은 작용효과를 나타낸다.
즉, 본 발명에 따르면 연삭가공후에 척테이블로부터 반출된 연삭후 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보지 트레이에 보지시키는 트레이 보지공정을 갖추고 있기 때문에, 반도체 웨이퍼는 연삭가공되어 얇아져도 또한 소위 프리 다이싱(pre-dicing)에 의해 각 칩으로 분할되어도 웨이퍼 보지 트레이(40)의 강성으로 지지되어있어서 휘는 일이 없으므로, 원활하게 반송할 수 있음과 동시에, 연삭후 웨이퍼용 카세트에 용이하게 수납할 수 있다. 또한 연삭시에는 척테이블과 반도체 웨이퍼와의 사이에 웨이퍼 보지 트레이는 개재하지 않기 때문에 마무리 정도(accuracy)의 저하를 초래하지 않으며 양호한 연삭 정도(accuracy)를 확보할 수 있다.

Claims (4)

  1. 삭제
  2. 반도체 웨이퍼를 보지하는 척테이블(chuck table)과, 상기 척테이블상에 보지된 반도체 웨이퍼의 상부면을 연삭하는 연삭수단을 구비하는 연삭장치를 사용한 반도체 웨이퍼의 연삭방법으로서,
    상기 척테이블에 연삭해야할 상기 반도체 웨이퍼를 거치하는 연삭전 웨이퍼 거치공정과, 상기 척테이블에 거치된 상기 반도체 웨이퍼의 상부면을 상기 연삭수단에 의해 소정 두께로 연삭하는 웨이퍼 연삭공정과, 연삭후의 상기 반도체 웨이퍼를 상기 척테이블로부터 반출하는 웨이퍼 반출공정과, 상기 척테이블로부터 반출된 연삭후 상기 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 보지 트레이에 보지시키는 트레이 보지공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연삭방법에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼를 보지하는 상기 웨이퍼 보지 트레이는 무수한 기공이 표면에 형성되어 탄성에 의한 복원력과 밀착성으로 기공이 찌부러져서 부압이 생겼을 때에 흡착력을 발생하는 탄성패드와, 상기 탄성패드를 장착함과 동시에 상기 탄성패드에 부압 또는 가압력을 도입하는 연통공을 구비하는 기판으로 구성되어 있으며,
    상기 트레이 보지공정은 상기 척테이블로부터 반출된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 웨이퍼 보지 트레이의 상기 탄성패드의 표면에 거치하고, 상기 연통공에 부압을 도입하여 상기 반도체 웨이퍼를 탄성패드에 흡착보지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연삭방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 연삭장치는 연삭후의 상기 반도체 웨이퍼를 거치하는 스피너 테이블을 가진 세척수단과, 상기 웨이퍼 보지 트레이를 수용하는 트레이용 카세트를 구비하고 있으며,
    상기 트레이 보지공정은 연삭후의 상기 반도체 웨이퍼를 상기 스피너 테이블로 거치하기 전에 상기 트레이용 카세트 내에 수납되어 있는 상기 웨이퍼 보지 트레이를 반출하여 상기 스피너 테이블로 거치하는 보지 트레이 세트공정과, 상기 스피너 테이블에 거치된 상기 웨이퍼 보지 트레이의 상기 탄성패드상에 연삭후 반도체 웨이퍼를 거치하는 연삭후의 웨이퍼 거치공정과, 상기 스피너 테이블에 거치된 상기 웨이퍼 보지 트레이의 상기 기판에 형성된 상기 연통공에 부압을 도입하여 상기 반도체 웨이퍼를 상기 탄성패드로 흡착보지시키는 연삭후 웨이퍼 흡착공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 연삭장치는 세척후의 반도체 웨이퍼를 수납하는 연삭후 웨이퍼 카세트를 구비하고 있으며,
    상기 세척수단에서 상기 반도체 웨이퍼의 세척이 완료된 후에, 상기 세척수 단으로부터 상기 웨이퍼 보지 트레이와 일체가 된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 연삭후 웨이퍼용 카세트 내에 수납하는 연삭후 웨이퍼 수납공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연삭방법.
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010035163A (ko) * 2001-01-09 2001-05-07 이민기 세계 헤드헌터 네트워크를 이용한 국제 고급인력 수급인터넷망
US6826986B2 (en) * 2001-05-05 2004-12-07 Ah Beng Lim Bi-directional singulation system and method
JP2002359211A (ja) * 2001-05-30 2002-12-13 Disco Abrasive Syst Ltd 切削機
KR20040031071A (ko) * 2001-09-28 2004-04-09 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 연마용 워크지지반, 워크의 연마장치 및 연마방법
US7018268B2 (en) 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing
JP2004319697A (ja) * 2003-04-15 2004-11-11 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物に形成された電極の加工装置
JP4464113B2 (ja) * 2003-11-27 2010-05-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工装置
US6910956B1 (en) 2003-12-22 2005-06-28 Powerchip Semiconductor Corp. Wafer grinding apparatus
US7011567B2 (en) * 2004-02-05 2006-03-14 Robert Gerber Semiconductor wafer grinder
US7163441B2 (en) * 2004-02-05 2007-01-16 Robert Gerber Semiconductor wafer grinder
JP4427396B2 (ja) * 2004-06-30 2010-03-03 株式会社ディスコ 加工装置
TWI251924B (en) * 2004-12-29 2006-03-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd A process applied to semiconductor
US7713846B2 (en) * 2004-12-29 2010-05-11 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Process applied to semiconductor
JP2007243112A (ja) * 2006-03-13 2007-09-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの凹状加工方法及び凹凸吸収パッド
JP4806282B2 (ja) * 2006-03-29 2011-11-02 株式会社ディスコ ウエーハの処理装置
JP4937674B2 (ja) * 2006-08-16 2012-05-23 株式会社ディスコ ウエーハのエッチング方法
KR101109078B1 (ko) * 2009-11-17 2012-03-13 (주)엘이티 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 검사 장치, 그리고 이를 이용한 기판 검사 방법
US9508570B2 (en) * 2013-10-21 2016-11-29 Asm Technology Singapore Pte Ltd Singulation apparatus and method
WO2016151121A2 (de) * 2015-03-26 2016-09-29 Mauser-Werke Oberndorf Maschinenbau Gmbh Bearbeitungseinheit
KR20160125585A (ko) * 2015-04-21 2016-11-01 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2018114573A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ 研削装置
CN108000267A (zh) * 2017-12-26 2018-05-08 北京中电科电子装备有限公司 减薄机
JP7171140B2 (ja) * 2018-12-11 2022-11-15 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法および樹脂シートユニット
US20220115226A1 (en) * 2020-10-08 2022-04-14 Okmetic Oy Manufacture method of a high-resistivity silicon handle wafer for a hybrid substrate structure

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1123450A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ガス濃度検知方法及び装置
KR19990023450A (ko) * 1997-08-15 1999-03-25 겐이치 세키야 가공장치 및 가공방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3377096A (en) 1967-06-02 1968-04-09 Wood S Powr Grip Co Inc Vacuum gripping pad
US5035087A (en) * 1986-12-08 1991-07-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Surface grinding machine
JP3050910B2 (ja) * 1990-11-30 2000-06-12 東芝セラミックス株式会社 薄板状部材の保持装置
JPH06302572A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及びテープ貼付剥離装置
DE4335980C2 (de) * 1993-10-21 1998-09-10 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zum Positionieren einer Werkstückhalterung
US5632667A (en) * 1995-06-29 1997-05-27 Delco Electronics Corporation No coat backside wafer grinding process
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
DE19641534C2 (de) * 1996-10-09 1998-09-10 Genauigkeits & Maschinenbau Nu Schleifautomat
US5816895A (en) * 1997-01-17 1998-10-06 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Surface grinding method and apparatus
US5827111A (en) * 1997-12-15 1998-10-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for grinding wafers
US6383890B2 (en) 1997-12-26 2002-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Wafer bonding method, apparatus and vacuum chuck
JP2000015570A (ja) * 1998-07-02 2000-01-18 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP4009367B2 (ja) * 1998-08-04 2007-11-14 株式会社ディスコ スピン洗浄・乾燥方法
JP2000158334A (ja) * 1998-11-30 2000-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd 作業用トレー及び研削方法
US6254155B1 (en) * 1999-01-11 2001-07-03 Strasbaugh, Inc. Apparatus and method for reliably releasing wet, thin wafers
US6227950B1 (en) * 1999-03-08 2001-05-08 Speedfam-Ipec Corporation Dual purpose handoff station for workpiece polishing machine

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1123450A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ガス濃度検知方法及び装置
KR19990023450A (ko) * 1997-08-15 1999-03-25 겐이치 세키야 가공장치 및 가공방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
한국공개특허 특1999-23450호

Also Published As

Publication number Publication date
DE60103701T2 (de) 2005-06-16
EP1170088B1 (en) 2004-06-09
US6527627B2 (en) 2003-03-04
JP2002025961A (ja) 2002-01-25
KR20020017943A (ko) 2002-03-07
TW490359B (en) 2002-06-11
US20020004359A1 (en) 2002-01-10
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