CN1464525A - N＜100＞衬底扩散、抛光工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的N<100>衬底扩散、抛光工艺，其包括磷预扩散、磷主扩散、磨片、抛光、清洗等步骤。本发明采用N<100>单晶片来制做VDMOS管，提高了产品的性能同时也降低了成本，且所采用的扩散、抛光工艺简单可行。
Description
技术领域
本发明涉及利用单晶硅片来制做VDMOS管的衬底扩散、抛光工艺，特别是N<100>衬底扩散、抛光工艺。
背景技术
目前，用来制做VDMOS管采用的单晶体有P<100>、N<111>、P<111>。三种规格型号，而利用这些规格型号的单晶体来制做VDMOS管存在着产品性能难以提高，制做成本偏高的问题。同时对这些规格型号的单晶体采用化学、机械的抛光工艺进行抛光时，也存在着工艺复杂的弊病。
发明内容
本发明的目的是提供一种用N<100>单晶片来制做VDMOS管的衬底扩散、抛光工艺。以解决现有P<100>、N<111>、P<111>等规格型号单晶体制做VDMOS管存在的不足之处。
为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案是：N<100>衬底扩散、抛光工艺，其特征包括以下步骤：
1、磷预扩散：其是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，使硅片表面沉积一定量的磷原子；
2、磷主扩散：是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，通过高温扩散使结深达到要求值，以满足器件的性能要求；
3、磨片：采用机械磨削方法，对主扩后的硅片厚度及表面进行控制加工；
4、抛光：采用抛光液抛去经磨片后硅片表面上存在的损伤层，形层良好的镜面；
5、清洗：使用电子清洗液和水的混合液对抛光后的硅片进行清洗，以去除硅片表面上的杂质与污染物。
本发明采用N<100>单晶片来制做CDMOS管，提高了产品的性能同时也降低了成本，且所采用的扩散、抛光工艺简单可行。
具体实施方式
N<100>衬底扩散、抛光工艺。包括以下步骤：
1、磷预扩散：其是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，使硅片表面沉积一定量的磷原子；
2、磷主扩散：是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，通过高温扩散使结深达到要求值，以满足器件的性能要求；
3、磨片：采用机械磨削方法，对主扩后的硅片厚度及表面进行控制加工；
4、抛光：采用抛光液抛去经磨片后硅片表面上存在的损伤层，形层良好的镜面；
5、清洗：使用电子清洗液和水的混合液对抛光后的硅片进行清洗，以去除硅片表面上的杂质与污染物。
Claims (1)
1、N<100>衬底扩散、抛光工艺，其特征包括以下步骤：
(1)、磷预扩散：其是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，使硅片表面沉积一定量的磷原子；
(2)、磷主扩散：是在一定的温度和氧气、氮气气氛条件下，通过高温扩散使结深达到要求值，以满足器件的性能要求；
(3)、磨片：采用机械磨削方法，对主扩后的硅片厚度及表面进行控制加工；
(4)、抛光：采用抛光液抛去经磨片后硅片表面上存在的损伤层，形层良好的镜面；
(5)、清洗：使用电子清洗液和水的混合液对抛光后的硅片进行清洗，以去除硅片表面上的杂质与污染物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 02114201 CN1464525A (zh) | 2002-06-13 | 2002-06-13 | N＜100＞衬底扩散、抛光工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN 02114201 CN1464525A (zh) | 2002-06-13 | 2002-06-13 | N＜100＞衬底扩散、抛光工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1464525A true CN1464525A (zh) | 2003-12-31 |
Family
ID=29742294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 02114201 Pending CN1464525A (zh) | 2002-06-13 | 2002-06-13 | N＜100＞衬底扩散、抛光工艺 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN1464525A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100397584C (zh) * | 2004-03-01 | 2008-06-25 | 株式会社迪思科 | 晶片的磨削装置及磨削方法 |
| CN104576363A (zh) * | 2015-01-15 | 2015-04-29 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种大功率整流管管芯的制作方法 |
-
2002
- 2002-06-13 CN CN 02114201 patent/CN1464525A/zh active Pending
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| CN104576363B (zh) * | 2015-01-15 | 2018-08-24 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种大功率整流管管芯的制作方法 |
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