CN101656195A - 大直径硅片的制造方法 - Google Patents

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闫志瑞
库黎明
索思卓
黄军辉
葛钟
陈海滨
张国栋
盛方毓
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Grinm Semiconductor Materials Co Ltd
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Grinm Semiconductor Materials Co Ltd
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Abstract

一种大直径硅片的制造方法，它包括以下的步骤：(1)将磨削后的硅片进行HF溶液漂洗，去除磨削后硅片表面的氧化层，提高双面抛光的去除速度；(2)将磨削片进行常规双面抛光；(3)将硅片进行单面精抛和清洗。本发明的工艺方法中用HF溶液去除磨削后表面的氧化层，更有利于双面抛光，从而使抛光时间大幅度地降低，同时减小了硅单晶去除量，提高单位单晶的产率。由于磨削量和腐蚀量降低，从而有力的保证了产品的加工精度，可以制造出高平整度的大直径硅片，本发明可以使用于商业上的任何大直径硅片加工工艺。

Description

大直径硅片的制造方法
技术领域
本发明利用改进后的大直径硅片制造工艺来加工硅抛光片，具体地说是一种在双面磨削后用HF溶液对硅片进行漂洗，去除表面氧化层，然后直接用常规双面抛光工艺进行抛光。通过该加工工艺加工后的硅片，可以有效地降低加工时间，同时可以提高硅片的加工精度和硅单晶的出片率。
背景技术
半导体硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，一般通过拉晶、切片、倒角、磨片(包括磨削和研磨)、腐蚀、抛光、清洗等工艺过程制造而成的集成电路级半导体硅片。
传统硅片双面研磨技术(lapping)对300mm硅片表面机械加工精度的能力已经很难有较大的提升。研磨后硅片局部平整度等很难达到工艺要求，而且由于硅片经双面研磨后损伤层较厚，需要经过大去除量的腐蚀来去除硅片的表面损伤，增加了生产成本和环境问题。磨削技术(grinding)由于加工效率高，加工后硅片表面参数精度高，成本低，产生的表面损伤小等优点，目前在300mm硅抛光片制备工艺中取代传统双面研磨得到广泛应用。但是，硅片在磨削过程中由于金刚石砂粒与硅片表面的刚性去除，局部会产生高温生成氧化层，表面氧化层的存在会影响到下一步的加工速度。
发明内容
本发明的目的是提供一种大直径硅片制造工艺，该工艺简便，效果好，有利于双面抛光，从而使抛光时间大幅度地降低，同时减小了硅单晶去除量，提高单位单晶的产率。由于磨削量和腐蚀量降低，从而有力的保证了产品的加工精度。
为了实现上述的目的，本发明采用以下的技术方案：
大直径硅片的制造方法包括以下的步骤：
(1)将磨削后的硅片进行HF溶液漂洗；
(2)将硅片进行常规双面抛光；
(3)将硅片进行单面精抛和清洗；
在双面抛光前或抛光后可以加入边缘抛光工艺；每步加工工艺后可以插入清洗及干燥工艺；工艺流程如图1。
在本发明的工艺方法步骤(1)中，对倒角后的硅片磨削采用单面磨削或双面磨削的加工方式。
一种集成电路用大直径硅片制造工艺中，是采用KOYO DSG双面磨削机进行磨削的。
在本发明的工艺方法步骤(1)中，采用HF溶液，漂洗时间为0＜t＜60分钟；温度为15～60℃。其中，通常氢氟酸浓度为49％，也可稀释后使用。
双面抛光去除量为10～30微米。
在本发明的工艺方法步骤(2)中，使用的双面抛光方法包括所有的硅片双面抛光方法，例如每盘抛五片或十五片硅片。
在本发明的工艺方法中，边缘抛光可以加在双面抛光之前或者之后。边缘抛光放在双面抛光之前，可以保证双面抛光之后的表面不会受到边抛液的腐蚀，但是抛好的边缘会在双面抛光过程中被游轮片边缘破坏，因此，边缘抛光工艺可以放在双面抛光之后。
本发明的优点：本发明的工艺方法中用HF溶液去除磨削后表面的氧化层，更有利于双面抛光，从而使抛光时间大幅度地降低，同时减小了硅单晶去除量，提高单位单晶的产率。由于磨削量和腐蚀量降低，从而有力的保证了产品的加工精度，可以制造出高平整度的大直径硅片，本发明可以使用于商业上的任何大直径硅片加工工艺。
附图说明
图1：本发明的工艺流程框图
图2：双面磨削后硅片总厚度变化图
图3：双面抛光后硅片总厚度变化图
图2、3中，横座标为硅片，纵座标为总厚度变化
具体实施方式
实施例1
使用直拉法生产的P(100)的12英寸切片30片，用双面磨削机对硅片进行磨削，磨削后用AFS3220几何参数测试仪对硅片GBIR(硅片总厚度变化)进行测量，每片的GBIR值如图2所示。从图上可以看出GBIR均小于1微米，平均值0.839微米。
实施例2
取以上的经过双面磨削的30片硅片，在Speedfam20B抛光机上使用本发明的方法进行双面抛光，抛光去除量为30微米。然后用清洗机进行清洗，用甩干机进行干燥，抛光后的GBIR见图3。从图上可以看出，经过本发明后精度较高，GBIR平均值为0.459微米，均小于0.6微米。

Claims (6)

1.一种大直径硅片的制造方法，它包括以下的步骤：
(1)将磨削后的硅片进行HF溶液漂洗，去除磨削后硅片表面的氧化层，提高双面抛光的去除速度；
(2)、将磨削片进行常规双面抛光；
(3)、将硅片进行单面精抛和清洗
2、按照权利要求书1所述的大直径硅片的制造方法，其特征在于：在(1)与(2)之间有一边缘抛光工艺或(2)与(3)之间有一边缘抛光工艺。
3、按照权利要求书1或2所述的大直径硅片的制造方法，其特征在于：在每一步骤后接一清洗工艺。
4、按照权利要求书3所述的大直径硅片的制造方法，其特征在于：其特征在于：在每一清洗工艺后加有干燥工艺。
5、按照权利要求书1所述的大直径硅片的制造方法，其特征在于：漂洗时间为0＜t＜60分钟，温度为15～60℃。
6、按照权利要求书1或5所述的大直径硅片的制造方法，其特征在于：双面抛光去除量为10～30微米。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102528597A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 有研半导体材料股份有限公司 一种大直径硅片制造工艺
CN102768949A (zh) * 2012-07-06 2012-11-07 上海新傲科技股份有限公司 带有绝缘埋层的衬底的表面处理方法
CN102768980A (zh) * 2012-07-06 2012-11-07 上海新傲科技股份有限公司 衬底的表面处理方法和带有绝缘埋层衬底的制作方法
CN102969391A (zh) * 2012-08-27 2013-03-13 横店集团东磁股份有限公司 一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法
CN106683967A (zh) * 2015-11-10 2017-05-17 有研半导体材料有限公司 一种机加工后硅环卡槽或台阶的加工方法
CN108214110A (zh) * 2016-12-14 2018-06-29 有研半导体材料有限公司 一种硅抛光片边缘加工工艺
CN108400081A (zh) * 2017-02-08 2018-08-14 上海新昇半导体科技有限公司 硅片的制作方法
CN108885982A (zh) * 2016-02-03 2018-11-23 胜高股份有限公司 硅晶圆的单面抛光方法
CN108972919A (zh) * 2017-06-01 2018-12-11 江苏拓正茂源新能源有限公司 单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺
CN109937117A (zh) * 2016-11-15 2019-06-25 胜高股份有限公司 晶片的边缘抛光装置及方法
CN116116849A (zh) * 2023-02-07 2023-05-16 安徽旭诚鑫光电科技有限公司 一种镜片清洁设备

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102528597B (zh) * 2010-12-08 2015-06-24 有研新材料股份有限公司 一种大直径硅片制造工艺
CN102528597A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 有研半导体材料股份有限公司 一种大直径硅片制造工艺
CN102768949A (zh) * 2012-07-06 2012-11-07 上海新傲科技股份有限公司 带有绝缘埋层的衬底的表面处理方法
CN102768980A (zh) * 2012-07-06 2012-11-07 上海新傲科技股份有限公司 衬底的表面处理方法和带有绝缘埋层衬底的制作方法
CN102969391A (zh) * 2012-08-27 2013-03-13 横店集团东磁股份有限公司 一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法
CN102969391B (zh) * 2012-08-27 2015-04-08 横店集团东磁股份有限公司 一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法
CN106683967A (zh) * 2015-11-10 2017-05-17 有研半导体材料有限公司 一种机加工后硅环卡槽或台阶的加工方法
CN108885982A (zh) * 2016-02-03 2018-11-23 胜高股份有限公司 硅晶圆的单面抛光方法
CN108885982B (zh) * 2016-02-03 2022-11-22 胜高股份有限公司 硅晶圆的单面抛光方法
CN109937117B (zh) * 2016-11-15 2021-06-22 胜高股份有限公司 晶片的边缘抛光装置及方法
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US11559869B2 (en) 2016-11-15 2023-01-24 Sumco Corporation Wafer edge polishing apparatus and method
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CN108400081A (zh) * 2017-02-08 2018-08-14 上海新昇半导体科技有限公司 硅片的制作方法
CN108972919A (zh) * 2017-06-01 2018-12-11 江苏拓正茂源新能源有限公司 单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺
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