CN104827384A - Led硅基板的研磨技术 - Google Patents

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张正来
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Shanxi Southern Ye Li Acer Photoelectric Co Ltd
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Shanxi Southern Ye Li Acer Photoelectric Co Ltd
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool

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  • Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract

本发明公开了一种效率高、加工成本低、均匀性好的LED硅基板研磨技术；采用的技术方案为：采用砂轮式研磨机对硅基板进行研磨，切削速率为0.2um/s，将硅基板的厚度从450um研磨到350um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度进行测量；继续对硅基板进行研磨，这次研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从350um研磨到250um，并对硅基板厚度再次进行测量；继续对硅基板进行研磨，在研磨时自动进行厚度补偿，这次研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从250um研磨到200um；本发明可广泛应用于硅基板研磨领域。

Description

LED硅基板的研磨技术
技术领域
本发明LED硅基板的研磨技术，属于硅基板研磨技术领域。
背景技术
目前同业使用的成熟量产技术为使用半自动上蜡机与研磨机使用研磨液进行作业，以达到减薄硅基板厚度的功能。一般最常用的硅基板的研磨方法是用市场上主流的SPEEDFAM机台进行，该方法的研磨速度为2um/min，最主要的是研磨后的芯片厚度均匀性在±5um。对后续的切割劈裂作业有一定的影响。
发明内容
本发明克服了现有技术存在的不足，提供了一种效率高、加工成本低、均匀性好的LED硅基板研磨技术。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：LED硅基板的研磨技术，按下述步骤进行：
第一步：采用砂轮式研磨机对硅基板进行研磨，砂轮式研磨机的切削速率为0.2um/s，将硅基板的厚度从450um研磨到350um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度进行测量；
第二步：继续用砂轮式研磨机对第一步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第一步中对硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从350um研磨到250um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度再次进行测量；
第三步：继续用砂轮式研磨机对第二步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第二步中对硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从250um研磨到200um。
优选地，所述砂轮式研磨机为蓝宝石砂轮研磨机。
优选地，所述第三步中研磨好的硅基板厚度范围为200±2um。
优选地，所述第一步至第三步的研磨时间总计不超过25min。
优选地，所述第一步至第三步的研磨过程中使用纯水作为研磨液。
本发明与现有技术相比具有的有益效果是：本发明主要在于使用目前市场上常见的蓝宝石砂轮研磨机对硅片进行研磨作业，以达到LED硅基板的厚度均匀性在±2um之内。通过砂轮式研磨机对硅基板分三阶段研磨，且每段研磨后对芯片厚度进行量测，这样在进行下一阶段研磨时自动进行厚度补偿，使整盘芯片的均匀性在最后一段研磨后达到±2um。
本发明与现有同行业的研磨机相比具有下列三个优点：
1、使作业时间从之前的两小时缩短到现在的25min；
2、使用纯水进行作业，无需使用研磨液节约成本；
3、研磨后的硅基板芯片的均匀性在±2um，较普通研磨机的±5um均匀性好。
具体实施方式
本发明LED硅基板的研磨技术，按下述步骤进行：
第一步：采用砂轮式研磨机对硅基板进行研磨，砂轮式研磨机的切削速率为0.2um/s，将硅基板的厚度从450um研磨到350um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度进行测量；
第二步：继续用砂轮式研磨机对第一步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第一步中对硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从350um研磨到250um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度再次进行测量；
第三步：继续用砂轮式研磨机对第二步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第二步中对硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从250um研磨到200um。
所述砂轮式研磨机为蓝宝石砂轮研磨机。
所述第三步中研磨好的硅基板厚度范围为200±2um。
所述第一步至第三步的研磨时间总计不超过25min。
所述第一步至第三步的研磨过程中使用纯水作为研磨液。
本发明是通过砂轮式研磨机对硅基板分三阶段研磨，且每段研磨后对芯片厚度进行量测，这样在进行下一阶段研磨时自动进行厚度补偿，使整盘硅基板芯片的均匀性在最后一段研磨后达到误差±2um。
本发明使用三段式研磨，研磨厚度分别为450um到350um，350um到250um，250um到200um，三段研磨后总计耗时25min。较市场主流机台耗时两小时来算，充分节约作业时间，三段研磨的切削速率分别为0.2um/s，0.15um/s，0.15um/s，最终硅基板芯片研磨厚度为200±2um。
本发明主要比同行业的研磨机有三个优点：
1、使作业时间从之前的两小时缩短到现在的25min；
2、使用纯水进行作业，无需使用研磨液节约成本；
3、研磨后的芯片的均匀性在±2um，较普通研磨机的±5um均匀性好。
下表为同一台研磨机5次研磨后的数据统计：
NO 1 2 3 4 5
第1阶段 345um 345um 346um 346um 345um
第2阶段 248um 248um 249um 249um 249um
第3阶段 199um 199um 200um 200um 199um
上面结合实施例对本发明作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (5)

1.LED硅基板的研磨技术，其特征在于，按下述步骤进行：
第一步：采用砂轮式研磨机对硅基板进行研磨，砂轮式研磨机的切削速率为0.2um/s，将硅基板的厚度从450um研磨到350um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度进行测量；
第二步：继续用砂轮式研磨机对第一步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第一步中对硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从350um研磨到250um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度再次进行测量；
第三步：继续用砂轮式研磨机对第二步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第二步中对硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从250um研磨到200um。
2.根据权利要求1所述的LED硅基板的研磨技术，其特征在于，所述砂轮式研磨机为蓝宝石砂轮研磨机。
3.根据权利要求1所述的LED硅基板的研磨技术，其特征在于，所述第三步中研磨好的硅基板厚度范围为200±2um。
4.根据权利要求1所述的LED硅基板的研磨技术，其特征在于，所述第一步至第三步的研磨时间总计不超过25min。
5.根据权利要求1所述的LED硅基板的研磨技术，其特征在于，所述第一步至第三步的研磨过程中使用纯水作为研磨液。
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