CN110722692B - 一种控制研磨产品bow值加工的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种控制研磨产品BOW值加工的方法，步骤如下：将4寸蓝宝石晶棒使用多线切割机切割成晶片；分选；研磨减薄。本发明通过此种加工方式可以有效的控制研磨后产品的BOW值，提升产品良率，更好的控制产品在抛光后的BOW/WARP的一致性，对后制程MOCVD反向增长有较好的控制，从而增加产品的波长命中率及降低波长STD。

Description

一种控制研磨产品BOW值加工的方法
技术领域
本发明提供了一种控制研磨产品BOW值加工的方法。
背景技术
蓝宝石作为一种硬性材料，是一种理想的LED芯片材料。作为LED理想材料不但稳定性好，能够在高温下保持稳定性，有硬度高、熔点高、透光性好、热传导性和电绝缘性优良、化学性能稳定等特点而被广泛应用于精密仪器仪表、激光器的窗口和反射镜、半导体外延衬底材料、绝缘的集成芯片等。而以上各器件的性能和质量在很大程度上取决于其衬底表面的精密加工质量，因此目前市面上主要采用蓝宝石作为理想衬底材料。
但在实际生产过程中，研磨去除能力有限，针对线切来料bow值、warp值只有修复能力。加工后bow、warp值偏差大，会影响产品的性能。甚至直接影响着LED芯片产品质量（量子效率、出光效率及产品功率等）。因此材料研磨加工过程中的控制bow、warp值尤其重要。
在衬底材料加工初期，由于缺少验证，未对线切晶片进行分面（正负BOW面）加工，导致产品bow、warp值散差大，一致性差，面型难以控制，甚至会严重影响加工良率（现在的衬底产品都是需要规定产品正负BOW要求）。
通过此种加工方式可以有效的控制研磨后产品的BOW值，提升产品良率，更好的控制产品在抛光后的BOW/WARP的一致性，对后制程MOCVD反向增长有较好的控制，从而增加产品的波长命中率及降低波长STD。
发明内容
将线切后产品正BOW面向上进行研磨，研磨后产品BOW值统一偏大，可以较好的保留产品的BOW；将线切后产品负BOW面向上进行加工，研磨后产品BOW值可以有效去除，BOW值降低多。通过对研磨BOW值的控制可以有效地将产品BOW控制在一个范围内。
本发明的技术方案：
一种控制研磨产品BOW值加工的方法，步骤如下：
（1）将4寸蓝宝石晶棒使用多线切割机切割成晶片，切割时间5-20H，线速度900-1800 m/min，张力30-50N，并将切割后的产品BOW控制在15um内，WARP控制在50um内，切割厚度比最终成品厚度大300um内；
（2）分选：
将步骤（1）得到的线切晶片进行正负BOW面分选，负BOW面统一朝向料盒U面放置；
（3）研磨减薄：
（3.1）将步骤（2）分选好的产品负BOW面朝上放置在研磨机的游星轮内，转速10-30rpm，压力10-50g/cm2，去除量50-100um，加工温度18-25℃，加工30-90min，产品下机厚度公差在5um内，无划伤，TTV≤3um，产品BOW值控制在0-2um；
（3.2）将步骤（2）分选好的产品正BOW面朝上放置在研磨机的游星轮内，转速10-30rpm，压力10-50g/cm2，去除量50-100um，加工温度18-25℃，加工30-90min，产品下机厚度公差在5um内，无划伤，TTV≤3um，产品BOW值控制在3-6um；
通过对研磨正/负BOW分面加工，有效的达到对成品BOW值控制的目的。
本发明的有益效果：通过此种加工方式可以有效的控制研磨后产品的BOW值，提升产品良率，更好的控制产品在抛光后的BOW/WARP的一致性，对后制程MOCVD反向增长有较好的控制，从而增加产品的波长命中率及降低波长STD。
具体实施方式
以下结合技术方案，进一步说明本发明的具体实施方式。
实施例1
（1）将4寸蓝宝石晶棒使用多线切割机切割成晶片，切割时间10H，线速度1500 m/min，张力40N，并将切割后的产品BOW控制在15um内，WARP控制在50um内，切割厚度比最终成品厚度大300um内；
（2）分选：
将线切晶片进行正负BOW面进行分选（使用自动厚度分选机，可以自动检测产品的厚度，TTV,BOW,WARP），负BOW面统一朝向料盒U面放置；
（3）研磨减薄：
将分选好的产品负BOW面朝上放置在研磨机的游星轮内，转速20rpm，压力30g/cm2，去除量70um，加工温度20℃，加工60min，产品下机厚度公差在5um内，无划伤，TTV≤3um，产品BOW值控制在0-2um。
实施例2
（1）将4寸蓝宝石晶棒使用多线切割机切割成晶片，切割时间20H，线速度1800 m/min，张力50N，并将切割后的产品BOW控制在15um内，WARP控制在50um内，切割厚度比最终成品厚度大300um内；
（2）分选：
将步骤（1）得到的线切晶片进行正负BOW面进行分选，负BOW面统一朝向料盒U面放置；
（3）研磨减薄：
如将分选好的产品正bow面朝上放置在研磨机的游星轮内，转速30rpm，压力50g/cm2，去除量100um，加工温度25℃，加工90min，产品下机厚度公差在5um内，无划伤，TTV≤3um，产品BOW值控制在3-6um；
通过对研磨正/负BOW分面加工可以有效的达到对成品BOW值控制的目的。

Claims (1)

1.一种控制研磨产品BOW值加工的方法，其特征在于，步骤如下：
（1）将4寸蓝宝石晶棒使用多线切割机切割成晶片，切割时间5-20H，线速度900-1800m/min，张力30-50N，并将切割后的产品BOW控制在15um内，WARP控制在50um内，切割厚度比最终成品厚度大300um内；
（2）分选：
将步骤（1）得到的线切晶片进行正负BOW面分选，负BOW面统一朝向料盒U面放置；
（3）研磨减薄：
（3.1）将步骤（2）分选好的产品负BOW面朝上放置在研磨机的游星轮内，转速10-30rpm，压力10-50g/cm2，去除量50-100um，加工温度18-25℃，加工30-90min，产品下机厚度公差在5um内，无划伤，TTV≤3um，产品BOW值控制在0-2um；
（3.2）将步骤（2）分选好的产品正BOW面朝上放置在研磨机的游星轮内，转速10-30rpm，压力10-50g/cm2，去除量50-100um，加工温度18-25℃，加工30-90min，产品下机厚度公差在5um内，无划伤，TTV≤3um，产品BOW值控制在3-6um；
通过对研磨正/负BOW分面加工，有效的达到对成品BOW值控制的目的。
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