CN111092045A - 一种新型的gpp芯片蓝膜加工方法 - Google Patents

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李英男
王林
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Abstract

一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。本发明涉及芯片蓝膜加工，尤其涉及一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。提供了一种提高加工效率和品质、降低应力损伤的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。本发明预先采用激光半切穿：将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度100‑300mm/s，切割频率30‑90Khz，切割功率75%±15%，切割深度1/4‑2/3，切割痕宽度20um‑60um。然后将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒。将芯片分离成一颗颗晶粒后贴在蓝膜上。本发明具有提高加工效率和品质、降低应力损伤等特点。

Description

一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法
技术领域
本发明涉及芯片蓝膜加工，尤其涉及一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。
背景技术
目前蓝膜芯片普遍的加工工艺是将GPP（GPP中文名称:玻璃钝化）芯片贴蓝膜后使用刀片全切穿成散粒状态，因为刀片的机械应力损伤较大，且GPP芯片使用玻璃做钝化层，其脆性较差，晶粒易受应力作用产生内部损伤，同时晶粒与蓝膜间的致密性导致这种损伤未能及时发现，最终造成终端的晶粒损破，导致产品品质下降。
在半导体市场竞争越演越烈的今天，随着客户端自动抓晶机的逐渐导入和PPH值不断提升，市场上的蓝膜需求量越来越大，而现有刀片切割蓝膜产品的效率低，应力损伤大，故研究一种高效率、高品质、低风险的GPP芯片蓝膜加工工艺对占有市场具有重大的意义。
发明内容
本发明针对以上问题，提供了一种提高加工效率和品质、降低应力损伤的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。
本发明的技术方案是：一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，包括以下步骤：
1.1）激光半切穿；
将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100-300mm/s，切割频率为30-90Khz，切割功率为75%±15%，切割深度1/4-2/3,切割痕宽度为20um-60um；
1.2）压片，将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒；
在晶片P/N两面涂抹IPA保护溶液，在P/N两面盖上裂片保护膜，使用尼龙滚棒沿着半切穿痕将晶圆裂成一颗颗散粒;
1.3）N面揭裂片保护膜；
将菲林版的N面揭开，使晶粒P面整齐排布在菲林版的P面上，并晾干；
1.4）贴蓝膜；
将晶粒N面贴在蓝膜上，揭开P面菲林版，得到成品激光切割蓝膜出货产品。
将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100mm/s，切割频率为30Khz，切割功率为60%，切割深度为晶圆的1/4,切割痕宽度为60um。
将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为200mm/s，切割频率为60Khz，切割功率为75%，切割深度为晶圆的1/2,切割痕宽度为40um。
将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为300mm/s，切割频率为90Khz，切割功率为90%，切割深度为晶圆的2/3,切割痕宽度为20um。
步骤1.3）中的晾干时间为10min。
本发明预先采用激光半切穿：将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度100-300mm/s，切割频率30-90Khz，切割功率75%±15%，切割深度1/4-2/3，切割痕宽度20um-60um。然后将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒。将芯片分离成一颗颗晶粒后贴在蓝膜上。本发明具有提高加工效率和品质、降低应力损伤等特点。
附图说明
图1是步骤1.3时的芯片状态示意图，
图2是步骤1.4时贴蓝膜的状态示意图，
图3是利用本案工艺加工完成后的状态示意图（蓝膜没有损伤），
图4是利用背景技术加工工艺完成后的状态示意图（图中蓝膜有损伤，椭圆圈出区域）。
具体实施方式
本发明如图1-2所示，一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，包括以下步骤：
1.1）激光半切穿；
将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100-300mm/s，切割频率为30-90Khz，切割功率为75%±15%，切割深度1/4-2/3,切割痕宽度为20um-60um；
1.2）压片，将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒；
在晶片P/N两面涂抹IPA保护溶液，在P/N两面盖上裂片保护膜，使用尼龙滚棒沿着半切穿痕将晶圆裂成一颗颗散粒;
1.3）N面揭裂片保护膜；
将菲林版（也可称为裂片保护膜）的N面揭开，使晶粒P面整齐排布在菲林版的P面上，并晾干；（车间洁净度确保在百万级以上，车间温度为15-26℃）
1.4）贴蓝膜；
将晶粒N面贴在蓝膜上，揭开P面菲林版，得到成品激光切割蓝膜出货产品。
步骤1.3）中的晾干时间为10min。
实施例一
将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100mm/s，切割频率为30Khz，切割功率为60%，切割深度为晶圆的1/4,切割痕宽度为60um。
实施例二
将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为200mm/s，切割频率为60Khz，切割功率为75%，切割深度为晶圆的1/2,切割痕宽度为40um。
实施例三
将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为300mm/s，切割频率为90Khz，切割功率为90%，切割深度为晶圆的2/3,切割痕宽度为20um。
Figure DEST_PATH_IMAGE001
原切割工艺中，刀切是带着蓝膜一起切割，蓝膜的厚度是0.07mm，晶片厚度是0.3mm，所以蓝膜切割基本在业内很难避免，加工报废率高，通过本案工艺，利用激光切割成散粒再贴膜，蓝膜没有损伤，提供了产品的合格率。

Claims (5)

1.一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
1.1）激光半切穿；
将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100-300mm/s，切割频率为30-90Khz，切割功率为75%±15%，切割深度1/4-2/3,切割痕宽度为20um-60um；
1.2）压片，将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒；
在晶片P/N两面涂抹IPA保护溶液，在P/N两面盖上裂片保护膜，使用尼龙滚棒沿着半切穿痕将晶圆裂成一颗颗散粒;
1.3）N面揭裂片保护膜；
将菲林版的N面揭开，使晶粒P面整齐排布在菲林版的P面上，并晾干；
1.4）贴蓝膜；
将晶粒N面贴在蓝膜上，揭开P面菲林版，得到成品激光切割蓝膜出货产品。
2.根据权利要求1所述的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100mm/s，切割频率为30Khz，切割功率为60%，切割深度为晶圆的1/4,切割痕宽度为60um。
3.根据权利要求1所述的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为200mm/s，切割频率为60Khz，切割功率为75%，切割深度为晶圆的1/2,切割痕宽度为40um。
4.根据权利要求1所述的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为300mm/s，切割频率为90Khz，切割功率为90%，切割深度为晶圆的2/3,切割痕宽度为20um。
5.根据权利要求1所述的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，步骤1.3）中的晾干时间为10min。
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