CN111441072A - 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法 - Google Patents

一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111441072A
CN111441072A CN202010229694.1A CN202010229694A CN111441072A CN 111441072 A CN111441072 A CN 111441072A CN 202010229694 A CN202010229694 A CN 202010229694A CN 111441072 A CN111441072 A CN 111441072A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
crystal grains
electroplating
cutting
carrier plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010229694.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111441072B (zh
Inventor
严立巍
李景贤
陈政勋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shaoxing Tongxincheng Integrated Circuit Co ltd
Original Assignee
Shaoxing Tongxincheng Integrated Circuit Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaoxing Tongxincheng Integrated Circuit Co ltd filed Critical Shaoxing Tongxincheng Integrated Circuit Co ltd
Priority to CN202010229694.1A priority Critical patent/CN111441072B/zh
Publication of CN111441072A publication Critical patent/CN111441072A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111441072B publication Critical patent/CN111441072B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

本发明公开一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,晶粒生产方法包括以下步骤：S1：晶圆键合，晶圆的正面完成金属垫工艺后，在晶圆上形成金属层，将晶圆的正面通过粘合剂键合在环形玻璃载板上；S2：减薄、S3：中间工艺、S4：背面切割、S5：蚀刻工艺、S6：粘合剂去除，采用氧气电浆蚀刻晶粒上的粘合剂，在粘合剂上形成凹槽使金属层露出；S7：电镀，对晶粒的双面进行电镀；S8：解键合，通过解键合将晶粒从玻璃载板上脱离。本发明双面电镀的晶粒生产方法通过中空的玻璃载板对晶粒双面电镀一次完成，取代传统的双面分布电镀的方式，提高了晶圆的生产效率，有利于降低晶圆的生产成本。

Description

一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法
技术领域
本发明涉及一种晶粒生产方法，具体是一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法。
背景技术
功率半导体及光学器件生产工艺过程，先晶圆正面完成刻蚀，金属沉积工艺后，晶圆键合玻璃载板上，进行背面薄化，黄光工序及背面金属沉积工艺。被广泛的用在薄化晶圆的工艺过程中，使用的载板为厚度400-700微米的玻璃，晶圆正面无法再进行黄光工艺刻蚀，电镀等工艺，故分次进行黄光工艺刻蚀，电镀等工艺。
目前在晶圆制造工艺过程中，先电镀后切割，双面电镀分步进行，电镀的金属为贵金属，成本较高，电镀后在晶圆表面形成电镀层，再进行切割，极易损伤晶圆，造成贵金属的浪费，影响晶粒的成品率，电镀的设备较昂贵，双面电镀分步进行，提高了晶粒的生产成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法，通过中空的玻璃载板对晶粒双面电镀一次完成，取代传统的双面分布电镀的方式，提高了晶圆的生产效率，有利于降低晶圆的生产成本；先切割后电镀，减少贵金属的损伤，有利于提高晶粒的成品率。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,晶粒生产方法包括以下步骤：
S1：晶圆键合
晶圆的正面完成金属垫工艺后，在晶圆上形成金属层，将晶圆的正面通过粘合剂键合在环形玻璃载板上。
S2：减薄
对晶圆的背面进行减薄。
S3：中间工艺
对晶圆的背面进行黄光、离子注入、干式除灰、湿式剥离和背面金属溅镀/ 蒸镀。
S4：背面切割
对晶圆的背面进行切割，晶圆切割后形成晶粒。
S5：蚀刻工艺
进行黄光工序，以氢氟酸蚀刻玻璃载板上固定有晶粒的相对面，在玻璃载板上形成贯穿孔，贯穿孔正对晶粒，使玻璃载板变成中间空开窗户的玻璃载板。
S6：粘合剂去除
采用氧气电浆蚀刻晶粒上的粘合剂，在粘合剂上形成凹槽使金属层露出。
S7：电镀
对晶粒的双面进行电镀。
S8：解键合
通过解键合将晶粒从玻璃载板上脱离。
进一步的，所述S1中粘合剂通过UV键合/加热键合将晶圆和玻璃载板键合在一起。
进一步的，所述S2中减薄的方法为蚀刻/研磨。
进一步的，所述S4中切割的方法为金刚石切割/激光切割/等离子切割。
进一步的，所述S8中通过镭射的方式解键合。
本发明的有益效果：
1、本发明双面电镀的晶粒生产方法通过中空的玻璃载板对晶粒双面电镀一次完成，取代传统的双面分布电镀的方式，提高了晶圆的生产效率，有利于降低晶圆的生产成本；
2、本发明双面电镀的晶粒生产方法通过先切割后电镀，减少贵金属的损伤，有利于提高晶粒的成品率。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明金属垫工艺结构示意图；
图2是本发明晶圆键合结构示意图；
图3是本发明减薄结构示意图；
图4是本发明背面切割结构示意图；
图5是本发明蚀刻工艺结构示意图；
图6是本发明粘合剂去除结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,晶粒生产方法包括以下步骤：
S1：晶圆键合
晶圆1的正面完成金属垫工艺，在晶圆1上形成金属层2，将晶圆1的正面通过粘合剂4键合在环形玻璃载板3上，粘合剂4通过UV键合/加热键合将晶圆1和玻璃载板3键合在一起。
S2：减薄
通过蚀刻/研磨对晶圆1的背面进行减薄。
S3：中间工艺
对晶圆1的背面进行黄光、离子注入、干式除灰、湿式剥离和背面金属溅镀/蒸镀。
S4：背面切割
通过金刚石切割/激光切割/等离子切割的方式对晶圆1的背面进行切割，晶圆1切割后形成晶粒5。
S5：蚀刻工艺
进行黄光工序，以氢氟酸蚀刻玻璃载板3上固定有晶粒5的相对面，在玻璃载板3上形成贯穿孔6，贯穿孔6正对晶粒5，使玻璃载板3变成中间空开窗户的玻璃载板。
S6：粘合剂去除
采用氧气电浆蚀刻晶粒5上的粘合剂4，在粘合剂4上形成凹槽7使金属层 2露出。
S7：电镀
对晶粒的双面进行电镀。
S8：解键合
采用镭射的方式解键合，将晶粒从玻璃载板3上脱离，进行后续的生产工艺。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。

Claims (5)

1.一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,其特征在于，晶粒生产方法包括以下步骤：
S1：晶圆键合
晶圆(1)的正面完成金属垫工艺后，在晶圆(1)上形成金属层(2)，将晶圆(1)的正面通过粘合剂(4)键合在环形玻璃载板(3)上；
S2：减薄
对晶圆(1)的背面进行减薄；
S3：中间工艺
对晶圆(1)的背面进行黄光、离子注入、干式除灰、湿式剥离和背面金属溅镀/蒸镀；
S4：背面切割
对晶圆(1)的背面进行切割，晶圆(1)切割后形成晶粒(5)；
S5：蚀刻工艺
进行黄光工序，以氢氟酸蚀刻玻璃载板(3)上固定有晶粒(5)的相对面，在玻璃载板(3)上形成贯穿孔(6)，贯穿孔(6)正对晶粒(5)，使玻璃载板(3)变成中间空开窗户的玻璃载板；
S6：粘合剂去除
采用氧气电浆蚀刻晶粒(5)上的粘合剂(4)，在粘合剂(4)上形成凹槽(7)使金属层(2)露出；
S7：电镀
对晶粒(5)的双面进行电镀；
S8：解键合
通过解键合将晶粒(5)从玻璃载板(3)上脱离。
2.根据权利要求1所述的一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,其特征在于，所述S1中粘合剂(4)通过UV键合/加热键合将晶圆(1)和玻璃载板(3)键合在一起。
3.根据权利要求1所述的一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,其特征在于，所述S2中减薄的方法为蚀刻/研磨。
4.根据权利要求1所述的一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,其特征在于，所述S4中切割的方法为金刚石切割/激光切割/等离子切割。
5.根据权利要求1所述的一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法,其特征在于，所述S8中通过镭射的方式解键合。
CN202010229694.1A 2020-03-27 2020-03-27 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法 Active CN111441072B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010229694.1A CN111441072B (zh) 2020-03-27 2020-03-27 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010229694.1A CN111441072B (zh) 2020-03-27 2020-03-27 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111441072A true CN111441072A (zh) 2020-07-24
CN111441072B CN111441072B (zh) 2021-01-15

Family

ID=71651227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010229694.1A Active CN111441072B (zh) 2020-03-27 2020-03-27 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111441072B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112010022A (zh) * 2020-08-14 2020-12-01 天能电池集团股份有限公司 蓄电池极耳铸焊机自动上料装置
CN113053798A (zh) * 2021-03-30 2021-06-29 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0288792A (ja) * 1988-09-22 1990-03-28 Yamaha Corp ウェハのメッキ装置
JPH05299423A (ja) * 1992-04-23 1993-11-12 Fujitsu Ltd 電極膜形成方法及び装置
US20020040849A1 (en) * 2000-10-06 2002-04-11 Wataru Yamamoto Cathode cartridge and anode cartridge of testing device for electroplating
CN103500704A (zh) * 2013-09-29 2014-01-08 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种晶圆背面的离子注入方法
US20140346035A1 (en) * 2013-05-24 2014-11-27 Silevo, Inc. Electroplating apparatus with improved throughput
CN104795338A (zh) * 2015-04-13 2015-07-22 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 背照式影像芯片的晶圆级低成本封装工艺和结构
CN106800272A (zh) * 2017-02-17 2017-06-06 烟台睿创微纳技术股份有限公司 一种mems晶圆切割和晶圆级释放及测试方法
CN108122749A (zh) * 2017-12-20 2018-06-05 成都海威华芯科技有限公司 一种基于图形化载片的SiC基GaN_HEMT背面工艺
CN110323176A (zh) * 2019-05-29 2019-10-11 宁波芯健半导体有限公司 一种芯片的三维封装方法及封装结构

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0288792A (ja) * 1988-09-22 1990-03-28 Yamaha Corp ウェハのメッキ装置
JPH05299423A (ja) * 1992-04-23 1993-11-12 Fujitsu Ltd 電極膜形成方法及び装置
US20020040849A1 (en) * 2000-10-06 2002-04-11 Wataru Yamamoto Cathode cartridge and anode cartridge of testing device for electroplating
US20140346035A1 (en) * 2013-05-24 2014-11-27 Silevo, Inc. Electroplating apparatus with improved throughput
CN103500704A (zh) * 2013-09-29 2014-01-08 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种晶圆背面的离子注入方法
CN104795338A (zh) * 2015-04-13 2015-07-22 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 背照式影像芯片的晶圆级低成本封装工艺和结构
CN106800272A (zh) * 2017-02-17 2017-06-06 烟台睿创微纳技术股份有限公司 一种mems晶圆切割和晶圆级释放及测试方法
CN108122749A (zh) * 2017-12-20 2018-06-05 成都海威华芯科技有限公司 一种基于图形化载片的SiC基GaN_HEMT背面工艺
CN110323176A (zh) * 2019-05-29 2019-10-11 宁波芯健半导体有限公司 一种芯片的三维封装方法及封装结构

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112010022A (zh) * 2020-08-14 2020-12-01 天能电池集团股份有限公司 蓄电池极耳铸焊机自动上料装置
CN113053798A (zh) * 2021-03-30 2021-06-29 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN111441072B (zh) 2021-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3612317B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7169669B2 (en) Method of making thin silicon sheets for solar cells
CN101625972A (zh) 使半导体晶片变薄的方法
CN102161471A (zh) 半导体装置的制造方法
CN111441072B (zh) 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法
JP2009267427A (ja) 制御された機械的保持力を有する剥離可能な基板、およびその製造方法
CN111446162B (zh) 一种正面切割两次减薄的晶粒生产方法
JP4277469B2 (ja) 貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハ
WO2006109614A1 (ja) Ｓｏｉウェーハの製造方法およびこの方法により製造されたｓｏｉウェーハ
CN111446158B (zh) 一种晶圆背面切割后金属沉积工艺
CN101086956A (zh) 半导体装置的制造方法
JP4639520B2 (ja) 窒化物半導体チップの製造方法
US6974721B2 (en) Method for manufacturing thin semiconductor chip
JP2001127010A (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN111446159B (zh) 一种正面切割背面减薄的生产方法
JP2002280579A (ja) 集積化薄膜太陽電池の製造方法
CN111446164A (zh) 一种边缘缓坡状/阶梯状晶圆的制造方法
CN102163542A (zh) 薄膜电子元件的单片化方法及由其制造的电子元件搭载粘着性薄片
CN111446193A (zh) 一种中央部分去除的玻璃载板
CN111446161B (zh) 一种晶圆的切割方法
US8835283B2 (en) Fabrication method for producing semiconductor chips with enhanced die strength
CN115497821A (zh) 一种基于柔性载板的SiC切割工艺
CN111446160B (zh) 一种晶粒间粘合剂的去除方法
CN113036002A (zh) 太阳能电池制备方法
JP2003124147A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant