JP2009267427A - 制御された機械的保持力を有する剥離可能な基板、およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11と活性層14は単結晶であり、2つの中間層12、13はそれぞれ基板11および薄層14に接合される。接合される層が接合前に粗面化されているが、強化熱処理されてない基板に熱酸化により、酸化物層15が形成される。この剥離可能な基板(11+12+13+14+15)は活性層の最終支持基盤16に分子接着される。エッチングにより2つの界面12/13、15/16が優先的にエイッチングされ、機械的剥離により、最終構造13+14+15+16が完全に分離し、フッ化水素エッチング等により、酸化物13を除去するとSOI構造がえられる。
【選択図】図4
Description
したがって、本発明は、2つのウエハを分子接着接合して組み立てる技術に関し、得られる構造はアセンブリ界面において分離されることが意図される。層上に構成要素またはセンサが完全または部分的に形成された後、または一方のウエハ上のエピタキシャル成長工程の後に、この構造の剥離またはリフトオフが実施される。
Claims (25)
- 第1のウエハの1つの面の第2のウエハの1つの面への分子接着接合による剥離可能な構造の形成方法であって、その粗さを増大させて2つのウエハの間の界面の制御されたレベルの機械的強度をもたらすために接合前に前記面の少なくとも1つを処理する工程、界面の接合後前記2つのウエハの少なくとも1つ上に構成要素の一部または全体を形成する工程、及び前記接合界面で前記構造を引き続き剥離する工程を含み、前記制御されたレベルの機械的強度は前記形成及び引き続く剥離という引き続く工程に適合する方法。
- 1つの面の前記粗さを増大させる工程が、前記面の局所的な化学エッチングを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記化学エッチングが酸エッチングであることを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 前記酸エッチングがフッ化水素酸を使用して実施されることを特徴とする、請求項3に記載の方法。
- 前記2つのウエハの少なくとも1つに薄層が形成されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- ウエハの化学的および/または機械的シニングによって前記薄層が得られることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 1つのウエハの埋め込み脆弱領域が破壊されることによって前記薄層が得られることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- ガス状物質が打ち込まれることによって前記埋め込み脆弱領域が得られることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 前記剥離工程が、化学エッチングおよび/または熱応力の使用および/または機械力の使用によって実施されることを特徴とする、請求項1から8のいずれか1項に記載の方法。
- リフトオフの前に前記ウエハの少なくとも1つが少なくとも1つの素子に切断されることを特徴とする、請求項1から9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記剥離が素子ごとに実施されることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 前記構造を形成する工程と前記剥離工程との間に、前記構造がその薄層の高さで基板(16、16’)に接合される第2の接合工程が実施されることを特徴とする、請求項1から11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記接合工程が分子接着接合を含むことを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 前記接合工程が接着接合を含むことを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- UV線によって硬化する接着剤を使用して前記接着接合が実施されることを特徴とする、請求項14に記載の方法。
- 前記基板をリフトオフする工程が、化学エッチングおよび/または機械的応力および/または熱応力および/または光応力の使用によって実施されることを特徴とする、請求項12から15のいずれか1項に記載の方法。
- 前記構造を形成する工程と前記剥離工程との間に、マイクロエレクトロニクス構成要素、オプトエレクトロニクス構成要素、機械的構成要素、圧電性構成要素、超伝導構成要素、または磁性構成要素の全体または一部を製造する工程が実施されることを特徴とする、請求項1から16のいずれか1項に記載の方法。
- 前記構造を分離した後で、前記ウエハの少なくとも1つが再び使用されることを特徴とする、請求項1から17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記薄層が半導体材料の層であることを特徴とする、請求項5から18のいずれか1項に記載の方法。
- 第1のウエハの1つの面の第2のウエハの1つの面への分子接着接合による剥離可能な構造の形成方法であって、2つのウエハの間の界面の制御されたレベルの機械的強度をもたらすために接合前に前記面の少なくとも1つを処理する工程、界面の接合後前記2つのウエハの少なくとも1つ上に構成要素の一部または全体を形成する工程、前記構造を基板に接合する第2の接合工程及び前記接合界面で前記構造を引き続き剥離する工程を含み、前記制御されたレベルの機械的強度は前記形成及び引き続く剥離という引き続く工程に適合する方法。
- 第1のウエハの1つの面の第2のウエハの1つの面への分子接着接合による剥離可能な構造の形成方法であって、その粗さを増大させて2つのウエハの間の界面の制御されたレベルの機械的強度をもたらすために接合前に前記面の少なくとも1つを処理する工程、界面の接合後前記2つのウエハの少なくとも1つ上に構成要素の一部または全体を形成する工程、及び前記接合界面で前記構造を引き続き剥離する工程を含み、前記制御されたレベルの機械的強度は前記形成及び引き続く剥離という引き続く工程に適合し、前記剥離工程は少なくとも化学エッチングにより行われる方法。
- 第1のウエハの1つの面の第2のウエハの1つの面への分子接着接合による剥離可能な構造の形成方法であって、2つのウエハの間の界面の制御されたレベルの機械的強度をもたらすために接合前に前記面の少なくとも1つを処理する工程、界面の接合後前記2つのウエハの少なくとも1つ上に構成要素の一部または全体を形成する工程、及び前記接合界面で前記構造を引き続き剥離する工程を含み、前記引き続く剥離工程は前記ウエハの一つを少なくとも1つの素子に切断する工程と前記界面を素子ごとに剥離する工程を含み、前記制御されたレベルの機械的強度は前記形成及び引き続く剥離という引き続く工程に適合する方法。
- 前記処理工程が前記面の少なくとも1つの粗さを増大させる工程であることを特徴とする、請求項20から22のいずれか1項に記載の方法。
- 前記処理工程が前記面の少なくとも1つの親水性を調整する工程を含むことを特徴とする、請求項20から22のいずれか1項に記載の方法。
- 前記製造工程がマイクロエレクトロニクス構成要素、オプトエレクトロニクス構成要素、機械的構成要素、圧電性構成要素、超伝導構成要素、または磁性構成要素の全体または一部を製造することを含む、請求項20から22のいずれか1項に記載の方法。
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