TW563248B - A demountable substrate of controlled mechanical strength and a method of production - Google Patents

A demountable substrate of controlled mechanical strength and a method of production Download PDF

Info

Publication number
TW563248B
TW563248B TW091107436A TW91107436A TW563248B TW 563248 B TW563248 B TW 563248B TW 091107436 A TW091107436 A TW 091107436A TW 91107436 A TW91107436 A TW 91107436A TW 563248 B TW563248 B TW 563248B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
patent application
layer
scope
item
Prior art date
Application number
TW091107436A
Other languages
English (en)
Inventor
Bernard Aspar
Hubert Moriceau
Olivier Rayssac
Bruno Ghyselen
Original Assignee
Commissariat Energie Atomique
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat Energie Atomique filed Critical Commissariat Energie Atomique
Application granted granted Critical
Publication of TW563248B publication Critical patent/TW563248B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
    • B81C99/008—Manufacture of substrate-free structures separating the processed structure from a mother substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/958—Passivation layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Adornments (AREA)

Description

563248
五、發明說明（1) Ijg之領娀 本發明係關於一種將微電子支承物及一層組合之方法 所產生之結構。其具有製造薄層基板及將層或組件移= 任何種類之支承物上的應用。 ； 技藝之說明 必需將愈來愈多的組件整合於除用於製造其外之支承物 上〇 其實例為將組件整合於塑膠材料或撓性基板上。所謂 \組件」係指經完全或部分「加工」，即經完全或部分形 成之任何彳政電子、光電或感測器裝置（例如任何化學感測 器裝置、機械感測器裝置、熱感測器裝置、生物感測器裝 置、或生化感測器裝置）。 心、w 、 可使用層轉移方法於將此等組件整合於撓性支承物上。 有許多其他層轉移技術可提供將組件或層整合於在演繹 上=同於使用於其之製造之支承物上之適當解決辦法的應 用K例。同樣地，當需要將具有或不具有組件之薄層自其 =起始基板移除，例如藉由分離或除去基板時，層轉移技 術亦非常有用。同樣地，翻轉薄層並將其轉移至另一支承 物提供工程師設計在其他情況中將不可行之結構之有價值 2自由度。此等取樣及翻轉薄膜的技術被使用於製造埋置 結構諸如動態隨機存取記憶體（DRAM)之埋置電容器，例 如，與通常的情況相反，先形成電容器，然後再在於新基 板上製造其餘的電路之前將其轉移至另一矽基板上。另一 例子係關於雙閘電晶體結構之製造。利用習知之技術於一
563248 五、發明說明（2) 基板上製造CMOS電晶體之第一閘，然後再將其翻轉於第二 基板上，而製得第二閘及完成電晶體，因而留下第一閘埋 置於結構中（參見，例如，K· Suzuki，T· Tanaka， Y. Tosaka，Η· Horie及T Sugii，「高速度及低功率n + -p+雙 閘SOI CM0S(High-Speed and Low Power n+-p+
Double-Gate SOI CMOS)」，IEICE Trans. Electron·， 第E78-C 卷，1995 ， 360-367 頁）° 在發光二極體（LED)之領域中會遭遇到將薄層自其之起 始基板分離的需求，其例如，如於W.S Wong等人，電子材
料期刊（Journal of Electronic MATERIALS)，1 409 頁， 第 28 卷，第12 號，1999 及 I· Pollentier 等人，1056 頁， S P I E ’第1 3 6 1卷’新穎光電裳置應用之材料的物理概念 I(Physical Concepts of Materials for Novel
Optoelectronic Device Applicati〇ns 0(1990)之文件 中所提及。在此所追求的其中一個目的係關於發射光之 出的改良控制。另一目的係與在此特殊實例中，用於製^ 蠢晶堆疊之藍寶石基板其後將成為阻礙物，其 電絕緣，…會妨礙電接觸之形成的事實=由因：為
雖然藍寶石的使用在材料的成長期間中有利，但望 其除去。 一』时 在與例如，電信及微波相關之應用的領域中遭遇到相 的情況。I此情況，將最終的組件整合於具高電掘 型上係至少數仟歐姆•公分）之Α ϋ ^ y <叉承物上較佳。然而，j 不一定可以與通常所使用之標畢其此h η 知半基板相同的成本及以相
563248 五、發明說明（3) 的品為取得具高電阻的基 取得標準電阻率之2〇〇及3〇〇毫米的=情況中，可 於大於1仟歐姆•公分之電阻率，2 00毫乎^裎徂然而，關 限，且不存在300毫米的提供。一種解/辦的^供非常有 J於，標準基板(例如具有在14及2=::=;件製 電阻率的p型矽）的起始結/刀之間之 中，再蔣白人，k …、傻在方法的最終步驟 、匕3、、且件的薄層轉移於絕緣 等等的基板上。 哨石央、藍寶石 形成:ί : : Ϊ點來看’ 4匕等轉移操作的主要優點為在其中 因此此等操作在許多其他的情況中有利負之間沒有關聯， =可考慮，例如，使用相當昂貴之起始 =兄。在例*，碳化㈣情況中，其雖然提供 就=的操作溫度、顯著改良的最大操作功率夕二之 T專專而S )，但其與矽相比之下非常昂貴，因而可有 Π昂貴起始基板(在此為碳化矽）之薄層轉移於廉價的最 …基板（在此/為矽）上，及將其餘昂貴的起始基板回收供再 利用，可能係於再循環之後。轉移操作可於組件製 前、之中或之後進行。 此等技術亦可有利於在最終應用中製得最終薄基板重要 的所有領域中。尤其可引述功率施加，無論是否基於與熱 排除相關的理由，或由於在一些情況中，電流必需通過基 板之厚度，而具有第一近似與電流通過之厚度成比例的損 耗。亦可提及被晶片卡應用，其中基於撓性的理由而需要
563248 五、發明說明（4) iiim匕等應用’將電路製造於厚或標準厚度的起 口土板上，其在一方面有具有可承受各種方法步驟 機械強度的優點，及冰足 ^ . ^ _ 及在另一方面有關於在特定種類之製造 仆。八：之符合標準的優點。接著經由分離而達成 孩s黑:士可伴隨轉移至另一支承物。在一些情況中，轉 物並非不可或缺，*其係如薄化後之終厚度 足以衣付自支承結構的話。 可$:各二技術於將層自一支承物轉移至另一支承物。 f m 及支承物的組合體可為暫時性。此係例 移方法使用功能在於確保在轉移過程中或在層 1 3 3别戶斤進仃之各種處理過·中之滞留之操 層的情況。關於此主題，參見T. Hamagushi等人，iedm^ 198^ 688至691頁之文件。在選擇用於组合層與基板之方 :t時會發生困難。黏著尤其必需夠牢，以可達成其之功 二，及尤其係抵抗由待轉移部分之處理所施加的應力。此 外，二；必需可拆卸，以釋放待轉移的層。 。，曰nVA’4所產生之問題為當m曰曰圓與另一晶圓 曰日β為土板 '薄層或夠厚而可自支承之層，且可經 部分或完全加工或完全未加工）組合時，此組合體 必 須於組合體界面拆卸。 已設想各種解決辦法。 第種解决辦法係由利用磨蝕將支承晶圓除去所組成， 在此If况中’晶圓會被消耗（即在方法過程中被破壞）。 此亦係如在兩晶圓之間設置餘刻止停層時的情況：支承晶 91107436.ptd 563248 五、發明說明（5) 圓經由磨蝕及蝕刻之組合而消耗。 其他以提升（lift-off)原理為基礎的方法亦可將薄層自 其之起始支承物分離，而不一定會消耗起始支承物。此等 方法一般係使用埋置中間層之選擇性化學蝕刻，可能並與 機械力的使用結合。此類型之方法被相當廣泛地用於將 III-III元件轉移於不同類型的支承物上（參見C. Camperi 等人-IEEE會報及光子技術（IEEE Transaction and
Photonics technology)-第3 卷，12 (1991) 1123)。如 說明於Ρ· Demeester等人，於半導體科學技術（Semicond. Sci· Technol·) 8 (1993) 1124-1135 中之論文中，可於 製造組件之前或之後進行一般於磊晶成長步驟之後進行的 轉移（即為「後加工」或「前加工」）。
ELTRAN ®方法（日本專利公告第0 7302889號）係使用在機 械上較其餘基板弱之（預存在）埋置層之存在，以得到局部 分離之方法的一例子。在此情況，經由形成多孔性區域， 而使以單晶矽為主之堆疊局部變弱。另一類似方法利用在 SOI (石夕/絕緣體）結構之情況中之埋置氧化物的存在，即 使其係標準結構（即未尋求任何特殊之可拆卸效果而製得 的結構）。如將結構夠強力地黏合至另一基板，及如對結 構施加高應力，則會得到不受控制的破裂，以於氧化物σ 内，而導致在整個基板規模上的切割較佳。 ^^^KPHILIPS Journal 〇f Research) , η 1/2號，1 995」於第53至55頁顯示其之—例子。不， 此破裂效應難以控制且需高機械應力以產生此效應，而有
563248 五、發明說明（6) 使基板破裂或損壞組件之不可忽略的危險。 根據本發明之技術問題及解決辦 然而’先前所引述之使層自其之支承 多特定的缺點。 之技術有許 以薄化為基礎之技術（利用機械、化學等等的 、， 耗及犧牲基板的缺點，而會呈現經濟的不利。此> f ^ 術更通常相當難難，且執行成本昂貴。 号存化技 以形成多孔性層#為埋置易碎層為基礎之技術會遭 與形成應為良好品質（例如關於金屬污染）之多孔性 此多孔性材料上形成一層良好晶體品質相關的一門 題。對於製得薄層實際上不可或缺，且其本身之摔作 的一些方法步驟，包括蟲晶成長，因不均勻材料之存在^ 在技術上變得更為困難。 「k升」技術（例如利用橫向化學韻刻於溶解埋置層）基 本上會遭遇到難以得到超過1毫米之橫向規模之分離的問 題（參見P· Demeester等人，半導體科學技術，8 (1993) ， 1124-1135)。 最後’以使埋置連接層，諸如埋置於s〇 I結構中之氧化 物層機械破裂為基礎的技術，由於破裂效應難以控制，且 如要使其成功的話需要高機械應力，其並非沒有使基板破 裂或損壞組件的危險，因而其在工業上似乎受限（如說明 於「飛利浦研究期刊，第49卷，第1/2號，1 99 5」之文件 中）。 本發明之一目的為一種將支承物與層組合在一起，所產
第9頁 91107436.ptd 563248
五、發明說明（7) 生之結構於組合辦灵 部分或全部的％件^ β ^拆卸之技術。結構一般係於將一 之石曰占基i 或感测器製造於該層上之後，或於該層 之庇日日成長步驟之後拆卸較佳。 本發明之另一日&也 合體，該層係萨由且右；？包括在基板上之層的結合或組 間層而連接至控制之機械強度的界面或中 結構諸如利用蠢u基板具有可與製造組件或其他 構。 Μ成長沈積堆疊之步驟相容的可拆卸結 為此而提出經由蔣一曰圓4 t t 肘 日日固之一面與另一晶圓之一面分子 製造界面，於待黏合之至少-面施行優先 ϊ利兀二制界面之機械強度。利用分子黏著之黏合 姑蔽L利用中間層（氧化物、氮化物）而達成。 曉控制在層與基板之間之黏合能，以製造後續 1將曰轉寿多於另-支承物或基板上的可拆卸結構，如於文 件EP 0703609 A1中所指示。 "稱於文 田ί ί !J,發明人知曉為製造可拆卸式基板，亦可使用採 : 拆卸」表面之現有黏合力之方法，以將薄層與 二J、，將自其拆卸之基板暫時組合。㈣分子黏著的黏： 尤/、有利。利用分子黏合製得之矽/絕緣體（s〇丨）結構係 利用分子黏合製得之組合體之特別重要的種類。此種類具 有數種變形’主要的一種說明於「半導體晶圓黏合科學與 技術（Semiconductor Wafer bonding Science and
Techn〇logy)」 ，（Q·一γ· Tong and U· Gosele， a Wiley Interscience publication, 1999, Johnson Wiley &
91107436.ptd 第10頁 563248 五、發明說明（8)
Sons， Inc·)。一些變形被稱為黏合SOI(BSOI)及黏合及回 蝕SOI (BES0I)。除了涉及分子黏著的黏合之外，此等變 形係以利用拋光技術及/或化學蝕刻技術將起始基板物理 移除為基礎。 如要製得SO I結構，則研究表面製備以提供高黏合能， 典型上係1至2焦耳/平方米，長期而言，通常係藉由於黏 合後進行的退火。習知在利用標準製備之S i 〇2 /S i 〇2黏合 之情況中，結構之黏合能在室溫下係在數十毫焦耳/平方 米左右，及於在400 °C下退火30分鐘後係在500毫焦耳/平 方米（黏合能係利用Maszara所發展之刮板法（blade method)測定（參見Maszara等人，應用物理期刊（j·
Appl i· Phys· )，64 (10)，4943 頁，1 988))。如使結構在 高溫下（1，1 0 0 °C )退火，則黏合能一般係在2焦耳/平方米 左右（C. Mai evi 1 le等人，半導體晶圓黏合、科學技術與 應用（Semiconductor Wafer bonding， Science Technology and Application) IV，PV 97-36，46，電化 學學會學報系列（The Electrochemical Society
Proceedings Series) ， Pennington ，NJ (1998))。有其 他在黏合之前使用的製備技術，例如使待黏合表面暴露至 電聚（例如氧電聚）’其可產生相等的黏合能，而並不一定 需要此種退火（YA· Li及R.W· Bower，日本應用物理期刊 (Jpn· J· Appl· Phys·)，第37 卷，737 頁，1998)。獲致 此大小之能量並不與拆卸相容。 另一方面，本發明人對於構成本發明之主題内容的可拆
91107436.ptd 第11頁 563248 五、發明說明（9) 卸式SOI結構深感興趣。經證實可經由修改表面親水性及 糙度，而得到不同的機械強度。舉例來說，如由0.
Rays sac等人（第2屆國際微電子材料會議之會議記錄 (Proceedings of the 2nd International Conference on Materials for Microelectronics)，IOM通訊（I〇M Communi cat ions)，183頁，1 998)之論文所指出，HF I虫刻
可提高氧化矽層之糙度。此篇論文說明蝕刻至8，〇 〇 〇埃之 深度使RMS糙度自約0· 2奈米（nm)增加至〇· 625奈米。經證 實對相面對表面具有〇· 625奈米及0· 62 5奈米之RMS糙度之 Si 〇2/Si 〇2黏合於在1，1〇〇 °C下退火之後產生500毫焦耳/ 平方米左右之最大黏合能值，即甚低於先前引述的標準情 況。
在此情況，本發明人證實可使用此糙度之增加於製造即 使係於在直至1，1 〇 〇 °c之高溫下退火之後仍可拆卸的黏合 界面。經證實經由在利用適當的退火熱處理黏合之前精確 地結合糙度製備，可拆卸式S0I結構可承受CM〇s電晶體製 程之大部分的方法步驟（尤其包括在高溫（典型上為 C )下之熱處理步驟，及沈積限制層，例如氮化物層之步 驟）’而不會有在組合體界面之不受控制的分離，且接著 可經由故意施加控制機械應力而於黏合界面拆卸。以此方 ^得到貫質上低於一般所得值（在2焦耳/平方米左右）的 受控機械強度。 、亦對其他的應用進行此證實，例如關於在拆卸基板之前 進行磊晶沈積步驟。
563248 五、發明說明（ίο) 八ί=)於將離薄/之部分(晶片、組件或晶片之組合及次組 &專4)刀離之情況中，層之製備包括在拆卸步驟之 基板上將層之至少一部分劃定界限的步驟較佳。 、 控制界面之機械強度需要製備待組合之兩面之至少一 面’以控制其之糙度及/或親水性的步驟。 •為製備表面以控制糙度，在Si〇2表面之情況中，可使 用，例如，利用HF酸蝕刻。當然，可視被蝕刻材料之 性質而進行其他的化學處理。 關於製造可拆卸式S〇I基板，將考慮Si〇2/Si〇2及以/ Sl02黏合之例子。在不同種類之層（s“n4係另一標準實 例，但矽化物亦是）的情況中，很難使用適當的化學處 理（例如與Si之NH4〇H/H2〇2/H2〇(亦稱為SCI)類似地對 Si3N4利用H3P〇4或犯）。 經由處理，例如熱處理，修改界面之機械及/或化學 強度’而經由控制該熱處理之參數，以受控制的方 式，即以可與後續拆卸相容的方式強化界面。該熱處 理包括與後續之組件製造相關的熱處理。經以此方式 處> 理之面接著可利用分子黏著，利用或不利用中間層 (諸如’比方說，氧化物或氮化物之層）而黏合。 於製造界面之步驟之後為將層自基板提升之步驟。在 製造界面之步驟與提升步驟之間可有利地進行另一黏 合步驟，其間將層於第二界面黏合至第二基板。此黏 合步驟最好包括利用分子黏著之黏合或利用黏著劑（例 如利用UV輻射硬化之膠水、樹脂、聚合物膠水）之黏 1 91107436.ptd 第13頁 563248 五、發明說明（11) 合。在此情況，可利用酸蝕刻及/或施加機械及/或 熱及/或光子應力而方便地進行在此第二界面之 步驟。 1 •層係半導體材料之層較佳，以選自Si、Ge、Si(Je、
SiC、GaN及其他相當的氮化物、AsGa、inp等等、哎鐵 電或壓電材料（LiNb03、LiTa〇3)、或磁性材料較佳= 無論是否經「加工」。 _待黏合至基板之薄層可利用各種方式製得。存在於可 拆卸式基板上之薄層可經由將半導體材料之起始基板 薄化而製得。 •薄化係經由整流及/或機械化學或其他形式的拋光及 /或化學蝕刻而達成。 •存在於可拆卸式基板上之薄層可經由將直自 料之起始基板切割而製得。 守篮何 Φ切割係經由切割埋置弱層而達成。 •埋製弱層係經由植入而製得，且分離係 機械及/或化學處理而達成。 …及/或 •植入之物質為氣體（氫、氦等等）。 就產品而言，本發明提出一種包括於基板上之声 合，該層係藉由具有受控機械強度，尤其係由控。面 或親水性而產生之受控機械強度的黏合界面= 讀暴板。 根據較佳的特徵，可能互相結合： 鲁此層更方便地經由分子黏著，或藉由黏著劑，例如經 91107436.ptd 第14頁 五、發明說明（12) 由U V幸s射而硬化 > 針f + ^ 掘嫂盆日不达 者劑’黏合至第二基板。 根據八疋否為黏合粗糙表面、多孔性材料、& $ 麻、氣體或非氣體微空穴，經不= (熱處理、UV暴露、雷射m蓉？：戍不均句處理 他£域違擇性地強化或選擇性地弱化，而選搵 改界面或連接層之機械及/或化學強度。 少 nm材料⑻，、，、…、㈣及其他相 田々氮化物、AsGa、InP等等）或鐵電或壓電材 (L麗3、UTa〇3)或磁性材料，無論是否^「材科 發明之說明 加工」。 經選擇用於詳細說明的較佳例子主要係關於矽，& 可以，例如，直徑200毫米之圓形基板的形態取得/此等又 方法可以#限制性的方式s胃地# # 除石夕外之材料的系、统，而不脫離本發明之情】仏、在於 乂 ίΓίϊ明之方法的一些具體例偏好以全面的規模，即 在土板1體的規杈，將層自其之基板提 例則係提升經定界線的部分。 /、他自I、體 考慮用於製造可拆卸式s〇I基板之Si〇2 ^〇2及si / 黏合的例子。在不同種類之層（Si3N4係另一典型的例子， 但亦可提及矽化物）的情況中’與隨後之說明類似，使用 適當的化學處理（例如對^利用仰4〇11/112〇2/扎〇 (亦稱為 %1)及對Si^利用HaPO4或HF)即足夠。圖i呈現基板（11)及 溥層（14)為單晶矽，及在黏合至基板（1丨）及薄層（14)之前 分別形成兩中間層（12)及（1 3)的選擇。當然，僅有兩中間 563248 五、發明說明（13) 層（1 2 )或（1 3 )的其中一個可能即足夠，或其可皆不存在 (Si/Si黏合）。當存在中間層（12)及（13)，且其皆為Si〇2 時，此方法稱為S i 02 /S i 02黏合。如僅存在其之一者，且 其為Si02，則此方法稱為Si /Si 02黏合。 對於製造類似圖1所示之結構的目的，除了關於利用分 子黏著而黏合的特定態樣之外，可使用數種技術，包括先 前關於不可拆卸式SOI基板之製造所引述者（參見半導體晶 圓黏合、科學與技術，Q. Y. Tong and U. Gosele，
Wiley Interscience publication)。以下將層（14)稱為 活性層，除了將額外層，例如磊晶層，沈積於層（丨4 )上之 些特殊險况之外，其係將加入組件的層。一些變形稱為 黏合SOI (BS0I )及黏合及回蝕s〇I (BES〇I )。除了涉及分子 黏著的黏合之外，此等變形係以將起始基板物理移除（即 拋光技術及/或化學蝕刻技術）為基礎。其他在前文經部 分說明為層轉移技術之變形更係在分子黏著之外，以經由 沿弱化區域「切割」而分離，諸如利用說明於文件 US-A-5374564(或EP-A-533551)及US-A-6020252(或 EP-A-80 7970 )中之方法，沿植入區域分離，或沿經製成為 夕孔性之埋置層經由破裂而分離（Ep 〇 925888 )為基礎。… 4 ft/ J Θ 口&或^ 1 /S 1 〇2黏合）之情況中，可以數種方 ^改^的//、^化）製備氧化物層，且其具有根據應用 ΞΐΚί::於此例子，選擇1微米厚的熱氧化物。 、付〜係經覆蓋1微米厚之氧化物的矽基板。
563248 五、發明說明（14) •下拉t :為肿蝕刻’其之目的係要使氧化物之表面變 氧化物之移除厚度而增加。可對各應用將此粗 石7、日：適化，其尤其係成將於黏合之後進行之組件製 ^或蟲晶成長）方法之規格，而不會在組件製造 牛^ 層，及經採用於最終拆卸之方法的函數。良好的起始折^ 典i上係經由HF蝕刻而移除在數十至數百奈米左右之 的氧化物。此蝕刻使氧化物層（12及/或1 二 I;;::擇切以清潔結合，而得到“二的 弱” 斤產生之效果為在黏合方向中較標準黏合為 控制可拆抑界面之黏合能的另一種選擇係與於黏 之後使用熱退火相關。如於C· MaleviUe等人， 圓黏合、科學技術與應用IV，pv 97_36，46，電化學學: 學報系列，Pennington，NJ ( 1 998 )中所記述，約1〇〇^二 於黏合後之退火溫度的差異會導致黏合能的顯著變化二 其係在高於800 t之溫度範圍内。可將此選擇與將至少一 中間層（12及/或13)粗化結合使用，或其可獨自進行^ 完全沒有粗化步驟）。雖然不可以任何方式將其視 發明之限帝卜但黏合之一非常有利的具體例完 ;本 4所示之整個結構退火，或使其在夠低的溫度下退火，&圖 不超過組件' 磊晶層等等的製造溫度較佳，或短時間。 選擇對於不需高溫於製造組件及其他結構之應用:ς於= 結構不具有機械應力及非常侵略性處理之應用，及於拆' 之後不需轉移至再一支承物之應用（自支承的最終結構）= 91107436.ptd 第17頁 563248 五、發明說明（15) 具吸引力。 已引述在進行於基板（π)上之情况中之氣 沈積。此等操作可於與薄層(14)相同之側=匕物的粗化及 於兩侧上進行。 jW上進行，或甚至 除了使用以分子黏合為主的技術萝 身之外，肖有數種實行及使用其心斥卸式基板的本 視活性層之厚度、是否經加工 / 造全部或部分的組件)而定，可拆而於其上製 使活性層被提升，而製得自立氣的卩思式基板之好處為其可 其之厚度係當製造可拆卸式基曰了 中加入）、或轉移於“ Λ 製造後再在沈積步驟 >入4本在XL轉移於把支承物上之一般較薄的表面層，盈 :後者係最終支承物’或僅係其本身要經拆卸之暫時支承 表:層可以不同的方式轉移至輕基板。 m:多可經由將待轉移之要成為薄層之組件 if,:板’經由進一步黏合而達成。 &二:二5兒，在製造下文稱為第二如1結構之新⑶1結構的 ί月尤吉1明拆卸方法。此種類之方法必然較先前提及之技 然而其有一些優點。此處所選擇之例子係關於 、之埋置氧化物層之第二SOI基板的製造，很難藉 由直j進行此種類之方法而得到此厚度。 第結構係以先前說明之其中一種方式製得，而產生相 备於圖1的可拆卸式基板。此例子之微晶矽層1 4稍後成為 —___ ____----- 第18頁 563248 五、發明說明（16) 活性層。將50 0埃之氧化物層16形成於此可拆卸式基板 上，其之連接層在黏合之前經粗化，且未經在相當高之溫 度（以低於1，1 00 °c較佳，或低於〗，〇〇〇再更佳，或甚至係 900下進行任何的強化熱處理；其係經由熱氧化形成， 而產，圖2所不之結構。此氧化物稍後成為第二別j結構之 埋置氧化物。在此例子中，可拆卸式基板
(盛U + ^ +13 + 1 4 + 1 5)係藉由分子黏著而黏合至稍後成為活性 、曰之最終支承物的矽基板】6 (見圖3 )。使製得之堆疊在高 溫下（1，loo °c)穩定，以使在兩層（15及16)之界面的第二 黏合強力結合較佳。然而，經歷相同處理的第一黏人由於 先前經粗化，目而其在機械上較第二黏合弱。可^機械 及/或化學提升方法。舉例來說，第一步驟係將製得之堆 豐浸泡於HF槽中，其之一目的係要自組合之邊緣開始 化物（12及13)過度蝕刻。如將界面12/13及15/16兩者蝕刻 較佳。此外，可拆卸式基板之界面12/13最好係氧化物/ 氧化物界面。其因此在氧化物與矽之間之界面i5/i6產生 較容易的蝕刻。因此，在此第一提升步驟中，在第二黏合 界面較於可拆卸式基板界面的表面較少被蝕刻。機械分離 (利用如於文件EP 0925888中之加壓水噴射、如於文件FR 2796491中之壓縮空氣喷射、如於文件qo/mqoq中之牽 引、插入刀片等等達成）使最終的結構13 + 14 + i5 + i6完全被 釋放（見圖4)。於例如利用HF蝕刻移除氧化物13之後， 終製得最終的S0I結構（圖5)。可將在可拆却式基板内提供 作為基板的Si晶圓11回收再利用，例如用於製造另一可拆 91107436.ptd
563248 五、發明說明（17) 卸式基板（以於除去層12之後較佳）。 一種方式係將基板之至少部分的外 ! i # 。j用侷限於環的乾式或濕式化學蝕刻技身 如化學拋光、雷射切割等等(其產生圖22之 產：圖23!:ϊ)區域係要被移除，其於固定第二基板之後 注意預先形成於層1 4上之500埃厚之埋置氧化物層！ 5可 於黏合之前形成於基板16上，而非於層14之上。另一種變 形將500埃之厚度分成兩部分，其中一部分，例如25〇埃 厚’在I板1 6上，及另一冑分，在此例子中亦為2 5 〇埃 厚，在層14上。 ' 注意如藉由分子黏著黏合之兩界面皆為氧化物/氧化物 界面，則可進行在高溫下之第二黏合之穩定化，以確保在 第一界面之優先的HF蝕刻。在此方法中，產生在機械上弱 的第一界面可於第一黏合界面優先分離完整的堆疊。 根據本發明之方法的另一具體例係關於雙閘電晶體結 的製造（見圖6至11)。與電晶體之製造相關的第一操作α基 本上係由使用習知之技術在與圖丨所示者類似的可拆卸$ 基板（圖6)(其在所有方面皆與薄埋置氧化物S(H結構之^ 造的先前說明相同）上製造CMOS電晶體之第一閘（圖7)邮^ 成。可將黏合穩定化溫度降至於90 0/ 1, 0 0 0。(：左右之溫戶 範圍内。接著使用習知之沈積技術（例如CVD)將一層厚^ 在1微米左右的氧化物沈積於此基板上（圖8)。使用習知a 機械/化學拋光技術將氧化物弄平（圖9 )。隨後藉由分子
91107436.ptd 563248 五、發明說明（18)
毒者將/、/、另石夕基板1 6黏合（圖1 〇 )，如關於第一閘所形 ，之結構可承受1，0 0 〇至L 〇 〇 〇 〇c之溫度的話，則使其在此 等溫度下穩定化較佳，否則則在9〇〇/1，〇〇〇 〇C左右之溫度 下穩定化。最後，以與先前之例子完全相同的方式（經由 插入刀片、加壓水或壓縮空氣噴射等等）進行分離（圖 11) °在重新開始電晶體製程，尤其係製造第二閘之前， 利用化學蝕刻將殘留的氧化物層i 3移除。由於氧化物係利 用熟悉技藝人士熟知之對矽之選擇性蝕刻的HF酸溶液蝕 刻，因而一旦氧化物經完全蝕刻時，蝕刻自然停止，因此 表面再次為矽。此拆卸技術具有較諸其他技術，例如以例 如經由植入而得之破裂為基礎之技術，其不需完成過度複 雜且就其之產生瑕疵之可能而言過度精細的順序，諸如， 比方說’最終之拋光操作的主要優點。
可對許多其他的應用使用相同的方法。如將關於圖1之 第一 S 01結構使用於製造電晶體、電路、組件等等，則最 終可將其轉移至許多類型的精細支承物。舉例來說，可基 於其之電絕緣性質選擇基板16(高電阻率的石夕、石英、藍" 寶石等等），以提供用於微波及電信電路的理想支承物， 因而限制基板的損耗。對於與平面螢幕相關的應用，選擇 透明基板作為最終支承物，例如熔融矽石。 在此簡要次•明於薄基板上製造電路之拆卸方法的另一目 體例（圖1 2至1 5)。相關的最終厚度典型上係低於數百微a 米’甚至係在數十微米左右。其例子為功率應用或應用至 微晶片卡及其他需要一些撓性之電路（塑膠材料支承物、
91107436.ptd 第 21 頁 563248 五、發明說明（19) 彎曲支承物等等）。此例子係關 型的拆卸方法^在此沒有轉移，、不减轉移至靶基板之類 (典型上係低於數百微米厚，且其目的係要當層1 4夠厚 可自支承’但太薄而盔法 5至在數十微米厚左右）而 於製造電路或組件之後將層:的電路製程時， 方法係例如，與製得圖丨 製造可拆卸式基板之 同。在200毫米直徑石夕晶=；： =先前說明的方法相 725微米。如應用需要8〇微“的U準的基板厚度為 擇具有725-80 = 645微米厚度之最f基板^則例如，選 12)。因此，於組合後乍為支承基板m圓 滿意地抵抗組件製程。於製 丁^ ”可令人 拆卸技術，其差異之處在於可將基板η 省略（圖14)。於拆卸之徭，罝想 土锻id 最故美板（圖〗R、甘、支承層1 4呈現相關的 最、、、基板（圖15)，其特徵在於8G微米厚之包括組件的基 板。 於必需在分離之前力可拆卸式基板上進行的技術操作之 後必需改變可拆卸界面的製備參數，尤其係熱處理及化學 處理，且其係視機械應力之性質而定。舉例來說，如可拆 卸式基板係由必須承受550 t之磊晶成長溫度之具有Si% /Si 〇2黏合界面的鍺表面層所組成（典型上係在成長供使 用於太空中之太陽能電池用的GaInAs)，則為使基板可拆 卸，糙度最好為0 · 4奈米。 另一具體例係關於支承物之撓性重要之微晶片卡用之電 路的製造’在一方面係由於電路之尺寸的增加，及在另一
I \\326\2d-\91-06\91107436.ptd 第22頁 563248 五、發明說明（20) 方面係由於其趨勢係需要愈來愈大 大於，米之微晶石夕支承物由於太厚，二生=受㈡ 如一般轭加於微晶片卡之f曲力時，其太易碎。”又】諸 注意關於自圖1 3之形態開始之微晶片 、止 口（見圖16)，以將利用拉出工且π 衣把，可提供缺 (圖i 7)。 '和用拉出工具(SA)個別移除的部分分離 盖氧化石夕之層12’的起始基板u，，層12，u^覆 im:之第二層13,，層13’依序再經石夕之Ή 5 °電路係製造於石夕層14，内。然後為組合於第二曰Ζ ’選擇黏著劑，以致可得到非常薄之 7 银在黏合步驟之箭制” 又μ避免損 劑可方#二= 性層之組件的危險較佳。黏墓 :::熱固型黏著劑，或甚至係經由暴露υ 而硬化之黏著劑，在此情 +路至υν輻射 透明的最終基板16,(圖19)。 刀選擇對1^輻射為 由石箪$ * ΐ於黏者劑及對Uv輻射透明的基板（實r上r 或：璃製成)並非對化學產物((貫= Ϊ= Ρ界面之黏合能選擇成低於黏著劑ί槿：面， 可r即足種層的強度(此亦容易達成），則純粹的機朽3體 :::“於界面12，/13，提升結構。接著可=，作用 巧使拆却谷易’可有利地將基板的外部環除再 9ll〇7436.ptd 第23頁 563248 五、發明說明（21) 去。除了基板之外部環的有限化學蝕 黏著劑黏合之後在結構中作出圓卜土更可經由於 可方便地使用雷射進行（見圖22及23) ^而除去環。此切割 通常製得支承直至目前為止被稱 基板之第-基板的殘留物(圖2〇)，並：=」基板之 如圖21經轉移至另-支承㈣，，或如於將 自由且自；承之㈣及活性層14，==度足夠時 不像先刖的例子，第二基板〗6，可僅係於 中間基:反。圖2!中之製得結構的本身可為可拆“構。之程 序將接著繼續純粹及簡單地除去中間基板16,，或接著另主 一層轉移於又另一支承物上之步驟，一般係將基板16，除 去。將藉由先前說明之技術製得之可拆卸式基板於經「加 =」之後藉由黏著劑黏合至中間基板。此中間基板可為硬 夤或撓性基板（參見先前的例子）。如其為硬質，則其甚至 可為碎晶圓。 亦可關於黏著劑黏合，尤其係關於進行切割矽晶圓或包 封積體電路之操作或「封裝」或r後端」操作設想熟悉技 藝人士已知之黏著劑薄膜（使用rBluetak」、PTFE黏著劑 薄膜等等）。如薄膜於其之兩側皆具黏性，則可有利地將 形成在切割時強化組合之基板或支承物的中間基板膠黏至 薄膜之後面。 可設想的提升技術包括施加牽引及/或剪切及/或彎曲 力。可有利地將此種力的施加與界面之化學蝕刻，或甚至 係其他方式，諸如超音波結合。如待提升之界面為氧化物 第24頁 91107436.ptd 563248 五、發明說明（22) =則=:面的蝕刻於黏合界面處較容易，因此可促 進已加工層之轉移於中間基板上。在此等 使已加工層受到保護（例如在H F蝕刻之情中 積氮化物）。 r、丄由補兄沈 及f 式可為機械(尤其係於膠黏界面插入刀片） ΐ π具(wo 〇°/26〇°°)及，或如說明於文件 FR 2796491中之喷射、氣流、及/或液 EP _593)。在氣流(或甚至液體，例如如？面=物 的話使用HF)的情況中，可拆卸界面為乳化物 ^ M m 4h ^ 拆卸式基板最好可預先製備（例 如利用化學蝕刻），以可將流體 可促進在多層結構之黏人界而r :至膠黏界面。此 優先提升，及保護力心件：4係的7發/提升之處)之
,.. 卞 <、、、吉構的層。因此，即#你A 之間的黏著弱，亦可提升黏合界面。 (二Γ要可將中間基板(其有時被稱為「把柄 庫於2 全或部分切割(缺口或切口之前身）成為對 移可為集體轉移，其中將戶η移至不同的支承物。轉 連)同時或於相同的技術操斤作有中組轉= 微晶片對微晶片）的轉移，在此t移士或3組件對組件(或 中，在此情況中，最好使用如於被晶片卡之情況 移至加入其他電子或光電裝置:劑於轉移。亦可將單元轉 可再次使用分子黏著技術(見圖，晶圓，在此情況中^ ^ 製造於層（14)中之組件）。可至5，想像加上附加存在 了利用習知之裝置諸如「撿取
91107436.ptd 第25頁 563248 五、發明說明（23) and place)」裝置轉移單元。可同樣地將單 疋轉移於另一支承物上，例如為改良熱性質。 機=彳由把加應力或局部加熱（例如使用雷射），可藉由 逐二單Λ、4 一次全部)將先前經黏合至其之最終 叉承物的薄層自其之把柄分離。 板ΞΞΐίϊΓΐ圍(即在全體基板之範圍)將層自其之基 板挺升之根據本發明之方 割定邱八的灭綠# 體較，其他的具體例 組件；：：：：：之形狀係與自活性層製得之微晶片或 c m ρΓ φ 趣的具體例使用習知之組件切割技術 Λν，切、割等等)於至少部分環繞微晶片、部分ΐ等 刀：或劃疋溝渠。# 一有趣的具體例使用化 (ph〇tolithographlc)#^^ , ^ 工=B曰片的外圍將連接區域移除。舉例來說，於製備供 ,3二γΊ由、分子黏著黏合用之後，僅沿所示的輪廓切割 層、3及4(圖16) ’之後將各部分自基板提升，其最終使各部 :自土板棱升（另-種方式為可將所有層， 分，一次切割）。 巧hi /先前說明之具體例當然並不限於微晶矽的單一 係可涵蓋許多材料，諸如其他半導體材料（(^、SiGe、
SjC、GaN及其他相當的氮化物、AsGa、Inp等等） 料或壓電材料（LiNb〇3、LiTa〇3)或磁性材料，|論i β 係在拆卸之前之組件的製造主體。 “、、’八疋否 已經說明關於對應於必須承受55〇 t之磊晶溫产 供使用於太空中之太陽能電池用之GaInAs情況中^典型情 91107436.ptd 第26頁 563248 五、發明說明（24) 況）之由具有Si〇2-Si〇溆入r ; *〜 拆# I k ^ ^、 2黏曰界面之鍺之表面層所組成之可 為〇 :齐太米。、月況，為使基板可拆卸，rms糙度最好必需 堆2: Ϊ T(A24至29)為需要在可拆卸式基板上進行磊晶 的步驟(圖24)。&尤其係當在薄層中製造 ί 或雷射二極體的情況(例如為改良發射光之 S良F因於轉移於為熱之良好導體之基板，諸如銅 1鑽石上之熱之排除）。在此情況，相關的磊晶堆疊（圖 算裳=τί自GaN之化合物半導體(AIN、GaAIN、GaAIInN 4)為主材料。一種方法使用先前說明之其中-種方法 於形成與圖1 (或先前引述之類似圖）相當之可拆卸式結 構，其中層（14)為6H SiC(Si面係位於圖中之上方），°層 (12)及（13)關於圖1之例子係氧化矽，及基板（11)係多曰晶 SiC(或藍寶石）。將以氮化物為主材料的堆疊蟲晶成長於 此結構上。此磊晶成長例如可使用熟悉技藝人士熟知之種 類的磊晶技術進行，諸如分子束磊晶（MBE)或金屬—有機化 學蒸氣沈積（MOCVD)。在前一情況中，磊晶成長溫度鮮少 超過60 0 °C，而後一情況的典型溫度則可達到丨，1〇〇艺。必 需對此兩技術之各者將與黏合界面之機械強度相關的參數 選擇（縫度、藉由熱處理的強化、親水性等等）最適化。在 後一情況中，例如，選擇先前所說明之以利用HF蝕刻將兩 氧化物層（1 2 )及（1 3 )粗化為主的其中一種方法。接著使此 結構在1，100C下進行MOCVD蠢晶成長，而製得厚度在1微 米左右的堆疊。視需要可使結構在磊晶成長之前退火，典
563248 五、發明說明（25) 型上係在自90 0至1，20 0 °C之範圍内之溫度下，其可大大地 強化環的機械強度。於成長後，此組合係氧化物的沈積主 體，利用CMP將其磨平，視需要經由分子黏著黏合至基板 1 6 (例如於矽基板上），及在】，〗〇 〇 下退火以強化此黏 合。最後，於黏合界面處進行可拆卸式基板之拆卸（圖 27) ° —有利的選擇係於5〇% HF槽中浸泡數小時，以將數 毫求之氧化物層自基板邊緣橫向蝕刻掉的初步步驟。然後 進行利用機械力的分離，例如經由插入刀片，經由在壓力 下施加水喷射或施加壓縮空氣，例如使用先前說明之技 術而產生圖2 8所示之結構。最終的去氧作用將氧化物層 二丨ί ί留物移除。視需要可例如，藉由姓刻，將至少‘ 作為磊晶堆疊之成核層的Sic層14除去（圖29)。可在最 終的^之前或之㈣® ) 了在最 传使；：ί ί T 0月’替代粗化或親水性效應的另-種方式 = 於：黏合界面退火，其在與* 其夠二…組件而言夠高，但 根據本d;拆甘卸的黏合能。 造，及非必需之技；“造牛穎態樣），於界面之製 或部分之組件、# s : e广驟（句勻或不均勻結構、全部 刻及/或施加機彳7 等等的製造）之後，利用化學蝕 面局部的噴射1械力^如藉由在可拆卸式基板之黏合界 或其他流體）提升。 91107436.ptd 第28頁 563248 五、發明說明（26) 11 支承基板 11， 起始基板 12 中間層 12， 氧化石夕之層 13 中間層 13, 氧化矽之第二層 14 活性層 14, 矽之層 15 埋置氧化物層 15’ 黏合劑之薄層 16 矽基板 16, 第二支承物 _Β·Ι 91107436.ptd 第29頁 563248 圖式簡單說明 由以下經由非限制性之說明例所提出，並參照附圖之說 明可明白本發明之目的、特徵及優點，其中： 圖1係於基板上之薄層之組合之剖面的示意圖，在層與 基板之間的界面具有黏合能， 〜 圖2係圖1之組合於沈積或成長表面層後之示意圖， 圖3係先前之結構於分子黏合稱為最終基板之"第二基板 後的圖示， 圖4係於在薄層與第一基板之間之界面高度施加提升作 用期間的圖示， 意=5,係於提升及移除被釋放之界面層後製得之晶圓的示 圖6係圖1類型之可拆卸式組合的圖示， 圖7係其於製造組件，例如第一電一 圖8係其於沈積氧化物後之圖示，曰肢問後之圖不， 圖9係其於弄平（例如利用CMP)後之圖示， 示㈣係其於利用分子黏著(包括熱處理)而黏合後之圖 示㈣係其於拆卸及去氧’以移除被釋放之界面層後的圖 =1:係圖1類型之可拆卸 圖13係其於製造組件後之圖示，圖不’ 圖14 :糸其於經由HF蝕刻及，或施加 基板而拆卸之期間的圖示， 成力，未轉移至靶 圖1 5係其於# 日 、拆卸而付最終基板及可再 _ 盾裱之基板後的圖 第30頁 91107436.ptd 563248 圖式簡單說明 示，
圖1 6係於在組件之間切割溝渠或缺 圖1 7係顯示組件在被提升之過程中 圖示， 口後之圖1 3的變形， ’例如於HF蝕刻後之 圖1 8係類似於圖1之圖示， 圖1 9係於藉由黏著劑黏合透明基板後 的不意圖， 之圖3組合之剖面 學 圖2 0係此組合於提升及拋光後之 圖2 1係此組合於提升及拋光後之 圖2 2係與圖1類似之組合的圖示 裁整而除去的區域， 下部的圖示， 上部的圖示， 其指示經由機械及化
圖2 3係其於黏著上方基板後之圖示， 圖2 4係與圖1類似之組合的圖示， 圖25係其於沈積以GaN為主之磊晶堆疊後之圖示 圖26係其於黏合基板後之圖示， 及 圖27係其於提升時的圖示， 圖2 8係於將被釋放之界面層移除後之其之上部的圖示 圖2 9係其於移除_ 開始在堆疊下方之層之後的圖示

Claims (1)

  1. 563248 年 -------j號！107436 年月曰 修正 六、申請專利範圍 ' 1^ 一種可拆卸式基板之製備方法，包括經由將一層之一 面为子黏著至基板之一面，經由黏合而製造界面之步驟， 此方f在黏合步驟之前包括處理該面之至少一者，以使界 面之機械強度降低至可與後續拆卸相容之受控程度的步 驟。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中，該處理步驟包 括修改至少一該面之糙度及/或親水性之步驟。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法，其中，該修改糙度之 步驟係為提高糙度之步驟。 該提高糙度之 4 ·如申請專利範圍第3項之方法，其中 步驟包括將相關面局部化學蝕刻。 該化學蝕刻係 5 ·如申請專利範圍第4項之方法，其中 為酸餘刻。 該酸蝕刻係利 6 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中 用HF酸進行。 7.如申請專利範圍第1至6項中任一項之方法，其中，在 該製造界面之步驟之後為於黏合界面將層自基板提升之步 驟。 8 ·如申請專利範圍第7項之方法，其中，該提升步驟係 利用化學姓刻及/或施加應力而進行。 9 ·如申請專利範圍第7項之方法，其中，在提升步驟之 前將晶圓切割成至少一單元。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之方法，其中，該提升係逐單 元地進行。
    C: \總拟1 1107436\91107436(替換 > -1 · ρ ι C 第32頁 563248 911074RR 9 一修正 六、申請專利範圍 其中’在製造界面之 且其間將層黏合至第 其中，在製造界面之 且其間將層黏合至第 其中’該黏合步驟 11.如申請專利範圍第7項之方法 步驟與提升步驟之間進行黏合步驟 二基板（16、16，）。 1 2 ·如申請專利範圍第9項之方法 步驟與提升步驟之間進行黏合步驟 二基板（16、16)。 13 ·如申請專利範圍第11項之方法 包括利用分子黏著黏合。 〆 14·如申請專利範圍第η項之方法， 包括利用黏著劑黏合。 / ，其中，該黏合步驟 1 1 2 3 4 ·如申請專利範圍第1 4項之方法， 劑之黏合係使用可藉由UV輻射而硬化其中，該藉由黏著 1 6 ·如申請專利範圍第11項之方法，之黏著劑進行。 基板之步驟係經由化學蝕刻及/ 其中，該提升第二 或光子應力而進行。 &加機械及/或熱及/ 1 7·如申請專利範圍第1至6項中一 該層係為矽。 一項之方法，其中， 其中，該層係為石夕 ，其中，該層係為 ，其中，該層係為 18·如申請專利範圍第7項之方法， 1 9·如申請專利範圍第1 0項之方法 石夕0
    (：:\緦拟\91\911〇7436\91107436(替換).|,plc 第33頁 1 0 ·如申請專利範圍第11項之方法 2 石夕。 3 2 1 · —種可拆卸式基板，包括藉由分子黏著而於各別表 4 面W a在起之兩板，該表面之至少一者經處理成具有 563248 911074^
    六、申請專利範圍 T於兩板之間之界面獲致選擇機械強度之受控的链度及 或親水性。 2 2 ·如申請專利範圍第2丨項之可拆卸式基板 該面經處理。 23·如/請專利範圍第21或22項之可拆卸式基板，其 中，該經處理表面之rms糙度係至少〇·3奈米（nm)。 2 4 ·、如申清專利範圍第2丨或2 2項之可拆卸式基板，其中 板為基板及另一者為一層’且該層亦黏合至第二基板 (1 6、1 6 ’）。 25.如申請專利範圍第23項之可拆卸式基板，其中一板 為基板及另一者為一層，且該層亦黏合至第二基板（16、 16) ° 2 6·如申請專利範圍第23項之可拆卸式組合， 第二基板係藉由分子黏著黏合。 /7.如申請專利範圍第24項之可拆卸式組合， 第二基板係藉由分子黏著黏合。 28·如申請專利範圍第24項之可拆卸式基板， 第一基板係藉由黏著劑黏合。29.如申請專利範圍第28項之可拆卸式基板，一 1 藉二著Λ之直黏合係使用可藉由U V輕射而硬化之黏著劑 /^^專/範圍第21或22項之可拆卸式基板，其 二如：。請專利範圍第23項之可拆卸式基板，其中，該 其中，各 其中，該 其中，該 其中，該 其中，該
    563248
    C: \總檔\91 \9 丨丨07436\91 丨07436(替換)-1 pic 第35頁 563248 6/6
    圖29 、广16 efkf' 替換寅：r:
TW091107436A 2001-04-13 2002-04-12 A demountable substrate of controlled mechanical strength and a method of production TW563248B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0105130A FR2823599B1 (fr) 2001-04-13 2001-04-13 Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW563248B true TW563248B (en) 2003-11-21

Family

ID=8862352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091107436A TW563248B (en) 2001-04-13 2002-04-12 A demountable substrate of controlled mechanical strength and a method of production

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7902038B2 (zh)
EP (1) EP1378004B1 (zh)
JP (2) JP2004533717A (zh)
KR (2) KR100991395B1 (zh)
CN (1) CN100435278C (zh)
FR (1) FR2823599B1 (zh)
MY (1) MY139201A (zh)
TW (1) TW563248B (zh)
WO (1) WO2002084722A2 (zh)

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2748851B1 (fr) 1996-05-15 1998-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur
FR2773261B1 (fr) * 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
FR2823599B1 (fr) * 2001-04-13 2004-12-17 Commissariat Energie Atomique Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation
FR2835095B1 (fr) * 2002-01-22 2005-03-18 Procede de preparation d'ensembles a semi-conducteurs separables, notamment pour former des substrats pour l'electronique, l'optoelectrique et l'optique
FR2846788B1 (fr) 2002-10-30 2005-06-17 Procede de fabrication de substrats demontables
FR2848336B1 (fr) * 2002-12-09 2005-10-28 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee
JP4151421B2 (ja) * 2003-01-23 2008-09-17 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法
FR2856844B1 (fr) * 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
FR2857953B1 (fr) * 2003-07-21 2006-01-13 Commissariat Energie Atomique Structure empilee, et procede pour la fabriquer
FR2858461B1 (fr) 2003-07-30 2005-11-04 Soitec Silicon On Insulator Realisation d'une structure comprenant une couche protegeant contre des traitements chimiques
FR2859312B1 (fr) 2003-09-02 2006-02-17 Soitec Silicon On Insulator Scellement metallique multifonction
FR2861497B1 (fr) * 2003-10-28 2006-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
FR2865574B1 (fr) * 2004-01-26 2006-04-07 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat demontable
EP2249389B1 (en) 2004-02-25 2019-02-20 Sony Semiconductor Solutions Corporation Method of manufacturing a photodetecting device
CN1922732B (zh) * 2004-02-25 2010-06-09 S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 光电检测装置
FR2866982B1 (fr) * 2004-02-27 2008-05-09 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication de composants electroniques
EP1571705A3 (fr) 2004-03-01 2006-01-04 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Réalisation d'une entité en matériau semiconducteur sur substrat
FR2866983B1 (fr) 2004-03-01 2006-05-26 Soitec Silicon On Insulator Realisation d'une entite en materiau semiconducteur sur substrat
FR2871291B1 (fr) * 2004-06-02 2006-12-08 Tracit Technologies Procede de transfert de plaques
EP1605502A1 (en) * 2004-06-08 2005-12-14 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Transfer method for the manufacturing of electronic devices
EP1605503A3 (en) * 2004-06-04 2008-02-27 Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) Transfer method for the manufacturing of electronic devices
FR2880189B1 (fr) * 2004-12-24 2007-03-30 Tracit Technologies Sa Procede de report d'un circuit sur un plan de masse
JP4624812B2 (ja) * 2005-01-20 2011-02-02 信越化学工業株式会社 Ｓｏｉウエーハの製造方法
JP4834309B2 (ja) * 2005-01-25 2011-12-14 株式会社豊田中央研究所 半導体装置の製造方法
JP4594121B2 (ja) * 2005-02-03 2010-12-08 信越化学工業株式会社 Ｓｏｉウエーハの製造方法及びｓｏｉウエーハ
FR2889887B1 (fr) * 2005-08-16 2007-11-09 Commissariat Energie Atomique Procede de report d'une couche mince sur un support
FR2891281B1 (fr) * 2005-09-28 2007-12-28 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un element en couches minces.
FR2893750B1 (fr) * 2005-11-22 2008-03-14 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif electronique flexible du type ecran comportant une pluralite de composants en couches minces.
FR2894067B1 (fr) * 2005-11-28 2008-02-15 Soitec Silicon On Insulator Procede de collage par adhesion moleculaire
US7601271B2 (en) * 2005-11-28 2009-10-13 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Process and equipment for bonding by molecular adhesion
KR100695118B1 (ko) * 2005-12-27 2007-03-14 삼성코닝 주식회사 다중-프리스탠딩 ＧａＮ 웨이퍼의 제조방법
FR2896618B1 (fr) * 2006-01-23 2008-05-23 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat composite
JP4451488B2 (ja) * 2006-03-28 2010-04-14 シャープ株式会社 半導体素子の転写方法及び半導体装置の製造方法
KR100803773B1 (ko) * 2006-10-26 2008-02-15 엘지전자 주식회사 조리기기
FR2910179B1 (fr) 2006-12-19 2009-03-13 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART
FR2911430B1 (fr) * 2007-01-15 2009-04-17 Soitec Silicon On Insulator "procede de fabrication d'un substrat hybride"
JP4290745B2 (ja) * 2007-03-16 2009-07-08 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子の製造方法
FR2913968B1 (fr) * 2007-03-23 2009-06-12 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation de membranes autoportees.
FR2914493B1 (fr) 2007-03-28 2009-08-07 Soitec Silicon On Insulator Substrat demontable.
KR100889625B1 (ko) 2007-07-19 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
JP5460984B2 (ja) * 2007-08-17 2014-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
FR2922359B1 (fr) * 2007-10-12 2009-12-18 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure micro-electronique impliquant un collage moleculaire
FR2925221B1 (fr) 2007-12-17 2010-02-19 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince
FR2926672B1 (fr) 2008-01-21 2010-03-26 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication de couches de materiau epitaxie
US7927975B2 (en) 2009-02-04 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Semiconductor material manufacture
FR2947098A1 (fr) 2009-06-18 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince
JP5643509B2 (ja) * 2009-12-28 2014-12-17 信越化学工業株式会社 応力を低減したｓｏｓ基板の製造方法
JP5748088B2 (ja) * 2010-03-25 2015-07-15 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
US9275888B2 (en) 2010-07-15 2016-03-01 Soitec Temporary substrate, transfer method and production method
FR2962848B1 (fr) 2010-07-15 2014-04-25 Soitec Silicon On Insulator Substrat temporaire, procede de transfert et procede de fabrication
FR2965396B1 (fr) 2010-09-29 2013-02-22 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Substrat démontable, procédés de fabrication et de démontage d'un tel substrat
US8970045B2 (en) 2011-03-31 2015-03-03 Soitec Methods for fabrication of semiconductor structures including interposers with conductive vias, and related structures and devices
WO2015157202A1 (en) 2014-04-09 2015-10-15 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
KR20150023312A (ko) * 2012-05-29 2015-03-05 아사히 가라스 가부시키가이샤 유리 적층체 및 전자 디바이스의 제조 방법
JP5966157B2 (ja) * 2012-06-18 2016-08-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 赤外線検出装置
WO2014020387A1 (en) 2012-07-31 2014-02-06 Soitec Methods of forming semiconductor structures including mems devices and integrated circuits on opposing sides of substrates, and related structures and devices
FR2998089A1 (fr) * 2012-11-09 2014-05-16 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert de couche
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
FR3007891B1 (fr) * 2013-06-28 2016-11-25 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une structure composite
US9741918B2 (en) 2013-10-07 2017-08-22 Hypres, Inc. Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit
US9154138B2 (en) 2013-10-11 2015-10-06 Palo Alto Research Center Incorporated Stressed substrates for transient electronic systems
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
KR102195254B1 (ko) * 2013-12-30 2020-12-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 제조 방법
US10046542B2 (en) 2014-01-27 2018-08-14 Corning Incorporated Articles and methods for controlled bonding of thin sheets with carriers
CN105448643B (zh) * 2014-06-26 2018-09-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆的处理方法
DE102015113041A1 (de) * 2014-12-01 2016-06-02 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung von dünnen Gläsern
EP3246937B1 (en) * 2015-01-16 2023-05-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing semiconductor diamond substrate and semiconductor diamond substrate
US9780044B2 (en) 2015-04-23 2017-10-03 Palo Alto Research Center Incorporated Transient electronic device with ion-exchanged glass treated interposer
KR102573207B1 (ko) 2015-05-19 2023-08-31 코닝 인코포레이티드 시트와 캐리어의 결합을 위한 물품 및 방법
DE102015210384A1 (de) 2015-06-05 2016-12-08 Soitec Verfahren zur mechanischen Trennung für eine Doppelschichtübertragung
CN107810168A (zh) 2015-06-26 2018-03-16 康宁股份有限公司 包含板材和载体的方法和制品
US9577047B2 (en) * 2015-07-10 2017-02-21 Palo Alto Research Center Incorporated Integration of semiconductor epilayers on non-native substrates
US10012250B2 (en) 2016-04-06 2018-07-03 Palo Alto Research Center Incorporated Stress-engineered frangible structures
FR3053046B1 (fr) * 2016-06-24 2018-08-10 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de collage reversible entre deux elements
US10224297B2 (en) 2016-07-26 2019-03-05 Palo Alto Research Center Incorporated Sensor and heater for stimulus-initiated fracture of a substrate
US10026579B2 (en) 2016-07-26 2018-07-17 Palo Alto Research Center Incorporated Self-limiting electrical triggering for initiating fracture of frangible glass
TW201825623A (zh) 2016-08-30 2018-07-16 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI810161B (zh) 2016-08-31 2023-08-01 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
US10903173B2 (en) 2016-10-20 2021-01-26 Palo Alto Research Center Incorporated Pre-conditioned substrate
FR3060601B1 (fr) * 2016-12-20 2018-12-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Composition adhesive et son utilisation dans l'electronique
US10026651B1 (en) 2017-06-21 2018-07-17 Palo Alto Research Center Incorporated Singulation of ion-exchanged substrates
CN108010834A (zh) * 2017-11-22 2018-05-08 电子科技大学 一种柔性单晶薄膜及其制备与转移方法
FR3074960B1 (fr) 2017-12-07 2019-12-06 Soitec Procede de transfert d'une couche utilisant une structure demontable
WO2019118660A1 (en) 2017-12-15 2019-06-20 Corning Incorporated Method for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets
US10626048B2 (en) 2017-12-18 2020-04-21 Palo Alto Research Center Incorporated Dissolvable sealant for masking glass in high temperature ion exchange baths
US10717669B2 (en) 2018-05-16 2020-07-21 Palo Alto Research Center Incorporated Apparatus and method for creating crack initiation sites in a self-fracturing frangible member
FR3082998B1 (fr) * 2018-06-25 2021-01-08 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procedes pour le report de puces d'un substrat source vers un substrat destination
US11107645B2 (en) 2018-11-29 2021-08-31 Palo Alto Research Center Incorporated Functionality change based on stress-engineered components
US10947150B2 (en) 2018-12-03 2021-03-16 Palo Alto Research Center Incorporated Decoy security based on stress-engineered substrates
US10969205B2 (en) 2019-05-03 2021-04-06 Palo Alto Research Center Incorporated Electrically-activated pressure vessels for fracturing frangible structures
FR3108439B1 (fr) 2020-03-23 2022-02-11 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d’une structure empilee
FR3109016B1 (fr) 2020-04-01 2023-12-01 Soitec Silicon On Insulator Structure demontable et procede de transfert d’une couche mettant en œuvre ladite structure demontable
US11904986B2 (en) 2020-12-21 2024-02-20 Xerox Corporation Mechanical triggers and triggering methods for self-destructing frangible structures and sealed vessels

Family Cites Families (173)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3915757A (en) 1972-08-09 1975-10-28 Niels N Engel Ion plating method and product therefrom
US3913520A (en) 1972-08-14 1975-10-21 Precision Thin Film Corp High vacuum deposition apparatus
US3993909A (en) 1973-03-16 1976-11-23 U.S. Philips Corporation Substrate holder for etching thin films
FR2245779B1 (zh) 1973-09-28 1978-02-10 Cit Alcatel
US3901423A (en) 1973-11-26 1975-08-26 Purdue Research Foundation Method for fracturing crystalline materials
US4170662A (en) 1974-11-05 1979-10-09 Eastman Kodak Company Plasma plating
US4121334A (en) 1974-12-17 1978-10-24 P. R. Mallory & Co. Inc. Application of field-assisted bonding to the mass production of silicon type pressure transducers
US3957107A (en) 1975-02-27 1976-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Thermal switch
US4039416A (en) 1975-04-21 1977-08-02 White Gerald W Gasless ion plating
GB1542299A (en) 1976-03-23 1979-03-14 Warner Lambert Co Blade shields
US4028149A (en) 1976-06-30 1977-06-07 Ibm Corporation Process for forming monocrystalline silicon carbide on silicon substrates
US4074139A (en) 1976-12-27 1978-02-14 Rca Corporation Apparatus and method for maskless ion implantation
US4108751A (en) 1977-06-06 1978-08-22 King William J Ion beam implantation-sputtering
US4179324A (en) 1977-11-28 1979-12-18 Spire Corporation Process for fabricating thin film and glass sheet laminate
DE2849184A1 (de) 1978-11-13 1980-05-22 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur herstellung eines scheibenfoermigen silizium-halbleiterbauelementes mit negativer anschraegung
JPS55104057A (en) 1979-02-02 1980-08-09 Hitachi Ltd Ion implantation device
CH640886A5 (de) 1979-08-02 1984-01-31 Balzers Hochvakuum Verfahren zum aufbringen harter verschleissfester ueberzuege auf unterlagen.
US4244348A (en) 1979-09-10 1981-01-13 Atlantic Richfield Company Process for cleaving crystalline materials
FR2506344B2 (fr) 1980-02-01 1986-07-11 Commissariat Energie Atomique Procede de dopage de semi-conducteurs
FR2475068B1 (fr) 1980-02-01 1986-05-16 Commissariat Energie Atomique Procede de dopage de semi-conducteurs
US4342631A (en) 1980-06-16 1982-08-03 Illinois Tool Works Inc. Gasless ion plating process and apparatus
US4471003A (en) 1980-11-25 1984-09-11 Cann Gordon L Magnetoplasmadynamic apparatus and process for the separation and deposition of materials
FR2501727A1 (fr) 1981-03-13 1982-09-17 Vide Traitement Procede de traitements thermochimiques de metaux par bombardement ionique
US4361600A (en) 1981-11-12 1982-11-30 General Electric Company Method of making integrated circuits
US4412868A (en) 1981-12-23 1983-11-01 General Electric Company Method of making integrated circuits utilizing ion implantation and selective epitaxial growth
US4486247A (en) 1982-06-21 1984-12-04 Westinghouse Electric Corp. Wear resistant steel articles with carbon, oxygen and nitrogen implanted in the surface thereof
FR2529383A1 (fr) 1982-06-24 1983-12-30 Commissariat Energie Atomique Porte-cible a balayage mecanique utilisable notamment pour l'implantation d'ioris
FR2537768A1 (fr) 1982-12-08 1984-06-15 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif d'obtention de faisceaux de particules de densite spatialement modulee, application a la gravure et a l'implantation ioniques
FR2537777A1 (fr) 1982-12-10 1984-06-15 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif d'implantation de particules dans un solide
US4500563A (en) 1982-12-15 1985-02-19 Pacific Western Systems, Inc. Independently variably controlled pulsed R.F. plasma chemical vapor processing
DE3246480A1 (de) 1982-12-15 1984-06-20 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur herstellung von halbleiterscheiben mit getternder scheibenrueckseite
US4468309A (en) 1983-04-22 1984-08-28 White Engineering Corporation Method for resisting galling
GB2144343A (en) 1983-08-02 1985-03-06 Standard Telephones Cables Ltd Optical fibre manufacture
US4567505A (en) 1983-10-27 1986-01-28 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Heat sink and method of attaching heat sink to a semiconductor integrated circuit and the like
JPS6088535U (ja) 1983-11-24 1985-06-18 住友電気工業株式会社 半導体ウエハ
FR2558263B1 (fr) 1984-01-12 1986-04-25 Commissariat Energie Atomique Accelerometre directif et son procede de fabrication par microlithographie
GB2155024A (en) 1984-03-03 1985-09-18 Standard Telephones Cables Ltd Surface treatment of plastics materials
FR2563377B1 (fr) 1984-04-19 1987-01-23 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une couche isolante enterree dans un substrat semi-conducteur, par implantation ionique
US4542863A (en) 1984-07-23 1985-09-24 Larson Edwin L Pipe-thread sealing tape reel with tape retarding element
US4566403A (en) 1985-01-30 1986-01-28 Sovonics Solar Systems Apparatus for microwave glow discharge deposition
US4837172A (en) 1986-07-18 1989-06-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for removing impurities existing in semiconductor substrate
US4717683A (en) 1986-09-23 1988-01-05 Motorola Inc. CMOS process
US4764394A (en) 1987-01-20 1988-08-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma source ion implantation
JPS63254762A (ja) 1987-04-13 1988-10-21 Nissan Motor Co Ltd Ｃｍｏｓ半導体装置
US4847792A (en) 1987-05-04 1989-07-11 Texas Instruments Incorporated Process and apparatus for detecting aberrations in production process operations
SE458398B (sv) 1987-05-27 1989-03-20 H Biverot Ljusdetekterande och ljusriktningsbestaemmande anordning
FR2616590B1 (fr) 1987-06-15 1990-03-02 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une couche d'isolant enterree dans un substrat semi-conducteur par implantation ionique et structure semi-conductrice comportant cette couche
US4956698A (en) 1987-07-29 1990-09-11 The United States Of America As Represented By The Department Of Commerce Group III-V compound semiconductor device having p-region formed by Be and Group V ions
US4846928A (en) 1987-08-04 1989-07-11 Texas Instruments, Incorporated Process and apparatus for detecting aberrations in production process operations
US4887005A (en) 1987-09-15 1989-12-12 Rough J Kirkwood H Multiple electrode plasma reactor power distribution system
US5015353A (en) 1987-09-30 1991-05-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for producing substoichiometric silicon nitride of preselected proportions
US5138422A (en) 1987-10-27 1992-08-11 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor device which includes multiple isolated semiconductor segments on one chip
GB8725497D0 (en) 1987-10-30 1987-12-02 Atomic Energy Authority Uk Isolation of silicon
US5200805A (en) 1987-12-28 1993-04-06 Hughes Aircraft Company Silicon carbide:metal carbide alloy semiconductor and method of making the same
US4904610A (en) 1988-01-27 1990-02-27 General Instrument Corporation Wafer level process for fabricating passivated semiconductor devices
DE3803424C2 (de) 1988-02-05 1995-05-18 Gsf Forschungszentrum Umwelt Verfahren zur quantitativen, tiefendifferentiellen Analyse fester Proben
JP2666945B2 (ja) 1988-02-08 1997-10-22 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US4894709A (en) 1988-03-09 1990-01-16 Massachusetts Institute Of Technology Forced-convection, liquid-cooled, microchannel heat sinks
US4853250A (en) 1988-05-11 1989-08-01 Universite De Sherbrooke Process of depositing particulate material on a substrate
NL8802028A (nl) 1988-08-16 1990-03-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting.
JP2670623B2 (ja) 1988-09-19 1997-10-29 アネルバ株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
US4952273A (en) 1988-09-21 1990-08-28 Microscience, Inc. Plasma generation in electron cyclotron resonance
US4996077A (en) 1988-10-07 1991-02-26 Texas Instruments Incorporated Distributed ECR remote plasma processing and apparatus
JPH02302044A (ja) 1989-05-16 1990-12-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US4929566A (en) 1989-07-06 1990-05-29 Harris Corporation Method of making dielectrically isolated integrated circuits using oxygen implantation and expitaxial growth
JPH0355822A (ja) 1989-07-25 1991-03-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体素子形成用基板の製造方法
US4948458A (en) 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
US5036023A (en) 1989-08-16 1991-07-30 At&T Bell Laboratories Rapid thermal processing method of making a semiconductor device
US5013681A (en) 1989-09-29 1991-05-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of producing a thin silicon-on-insulator layer
US5310446A (en) 1990-01-10 1994-05-10 Ricoh Company, Ltd. Method for producing semiconductor film
JPH0650738B2 (ja) 1990-01-11 1994-06-29 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US5034343A (en) 1990-03-08 1991-07-23 Harris Corporation Manufacturing ultra-thin wafer using a handle wafer
CN1018844B (zh) 1990-06-02 1992-10-28 中国科学院兰州化学物理研究所 防锈干膜润滑剂
JPH0719739B2 (ja) 1990-09-10 1995-03-06 信越半導体株式会社 接合ウェーハの製造方法
US5198371A (en) 1990-09-24 1993-03-30 Biota Corp. Method of making silicon material with enhanced surface mobility by hydrogen ion implantation
US5618739A (en) 1990-11-15 1997-04-08 Seiko Instruments Inc. Method of making light valve device using semiconductive composite substrate
JPH04199504A (ja) * 1990-11-28 1992-07-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
GB2251546B (en) 1991-01-11 1994-05-11 Philips Electronic Associated An electrical kettle
DE4106288C2 (de) 1991-02-28 2001-05-31 Bosch Gmbh Robert Sensor zur Messung von Drücken oder Beschleunigungen
JP2812405B2 (ja) 1991-03-15 1998-10-22 信越半導体株式会社 半導体基板の製造方法
US5110748A (en) 1991-03-28 1992-05-05 Honeywell Inc. Method for fabricating high mobility thin film transistors as integrated drivers for active matrix display
US5256581A (en) 1991-08-28 1993-10-26 Motorola, Inc. Silicon film with improved thickness control
FR2681472B1 (fr) 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
JP3416163B2 (ja) 1992-01-31 2003-06-16 キヤノン株式会社 半導体基板及びその作製方法
JPH05235312A (ja) 1992-02-19 1993-09-10 Fujitsu Ltd 半導体基板及びその製造方法
US5234535A (en) 1992-12-10 1993-08-10 International Business Machines Corporation Method of producing a thin silicon-on-insulator layer
US5400458A (en) 1993-03-31 1995-03-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Brush segment for industrial brushes
FR2714524B1 (fr) 1993-12-23 1996-01-26 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure en relief sur un support en materiau semiconducteur
US5611316A (en) 1993-12-28 1997-03-18 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Gas fuel supply mechanism for gas combustion engine
FR2715502B1 (fr) 1994-01-26 1996-04-05 Commissariat Energie Atomique Structure présentant des cavités et procédé de réalisation d'une telle structure.
FR2715501B1 (fr) * 1994-01-26 1996-04-05 Commissariat Energie Atomique Procédé de dépôt de lames semiconductrices sur un support.
FR2715503B1 (fr) 1994-01-26 1996-04-05 Commissariat Energie Atomique Substrat pour composants intégrés comportant une couche mince et son procédé de réalisation.
JP3352340B2 (ja) 1995-10-06 2002-12-03 キヤノン株式会社 半導体基体とその製造方法
JP3293736B2 (ja) 1996-02-28 2002-06-17 キヤノン株式会社 半導体基板の作製方法および貼り合わせ基体
JPH0817777A (ja) * 1994-07-01 1996-01-19 Mitsubishi Materials Shilicon Corp シリコンウェーハの洗浄方法
JPH0851103A (ja) 1994-08-08 1996-02-20 Fuji Electric Co Ltd 薄膜の生成方法
US5524339A (en) 1994-09-19 1996-06-11 Martin Marietta Corporation Method for protecting gallium arsenide mmic air bridge structures
FR2725074B1 (fr) 1994-09-22 1996-12-20 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure comportant une couche mince semi-conductrice sur un substrat
US5567654A (en) 1994-09-28 1996-10-22 International Business Machines Corporation Method and workpiece for connecting a thin layer to a monolithic electronic module's surface and associated module packaging
EP0749500B1 (en) 1994-10-18 1998-05-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a thin silicon-oxide layer
JP3381443B2 (ja) 1995-02-02 2003-02-24 ソニー株式会社 基体から半導体層を分離する方法、半導体素子の製造方法およびｓｏｉ基板の製造方法
FR2736934B1 (fr) 1995-07-21 1997-08-22 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure avec une couche utile maintenue a distance d'un substrat par des butees, et de desolidarisation d'une telle couche
FR2738671B1 (fr) 1995-09-13 1997-10-10 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces a materiau semiconducteur
FR2744285B1 (fr) 1996-01-25 1998-03-06 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince d'un substrat initial sur un substrat final
FR2747506B1 (fr) 1996-04-11 1998-05-15 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention d'un film mince de materiau semiconducteur comprenant notamment des composants electroniques
FR2748850B1 (fr) 1996-05-15 1998-07-24 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un film mince de materiau solide et applications de ce procede
FR2748851B1 (fr) 1996-05-15 1998-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur
US5863832A (en) 1996-06-28 1999-01-26 Intel Corporation Capping layer in interconnect system and method for bonding the capping layer onto the interconnect system
US5897331A (en) 1996-11-08 1999-04-27 Midwest Research Institute High efficiency low cost thin film silicon solar cell design and method for making
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
SG65697A1 (en) 1996-11-15 1999-06-22 Canon Kk Process for producing semiconductor article
US6054363A (en) 1996-11-15 2000-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor article
DE19648501A1 (de) * 1996-11-22 1998-05-28 Max Planck Gesellschaft Verfahren für die lösbare Verbindung und anschließende Trennung reversibel gebondeter und polierter Scheiben sowie eine Waferstruktur und Wafer
KR100232886B1 (ko) 1996-11-23 1999-12-01 김영환 Soi 웨이퍼 제조방법
DE19648759A1 (de) * 1996-11-25 1998-05-28 Max Planck Gesellschaft Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen sowie Mikrostruktur
ATE261612T1 (de) 1996-12-18 2004-03-15 Canon Kk Vefahren zum herstellen eines halbleiterartikels unter verwendung eines substrates mit einer porösen halbleiterschicht
FR2758907B1 (fr) * 1997-01-27 1999-05-07 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention d'un film mince, notamment semiconducteur, comportant une zone protegee des ions, et impliquant une etape d'implantation ionique
JP3114643B2 (ja) 1997-02-20 2000-12-04 日本電気株式会社 半導体基板の構造および製造方法
JPH10275752A (ja) 1997-03-28 1998-10-13 Ube Ind Ltd 張合わせウエハ−及びその製造方法、基板
US6013954A (en) 1997-03-31 2000-01-11 Nec Corporation Semiconductor wafer having distortion-free alignment regions
US6013563A (en) 1997-05-12 2000-01-11 Silicon Genesis Corporation Controlled cleaning process
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US5877070A (en) 1997-05-31 1999-03-02 Max-Planck Society Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate
US6150239A (en) 1997-05-31 2000-11-21 Max Planck Society Method for the transfer of thin layers monocrystalline material onto a desirable substrate
US6010590A (en) * 1997-06-27 2000-01-04 Cherkas; Ronald Surface coating on a substrate for printing a high quality image thereon and method of providing same
US6054369A (en) 1997-06-30 2000-04-25 Intersil Corporation Lifetime control for semiconductor devices
WO1999001893A2 (de) * 1997-06-30 1999-01-14 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren zur herstellung von schichtartigen gebilden auf einem substrat, substrat sowie mittels des verfahrens hergestellte halbleiterbauelemente
US6534380B1 (en) * 1997-07-18 2003-03-18 Denso Corporation Semiconductor substrate and method of manufacturing the same
US6103599A (en) 1997-07-25 2000-08-15 Silicon Genesis Corporation Planarizing technique for multilayered substrates
FR2767416B1 (fr) 1997-08-12 1999-10-01 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un film mince de materiau solide
FR2767604B1 (fr) * 1997-08-19 2000-12-01 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement pour le collage moleculaire et le decollage de deux structures
US5882987A (en) * 1997-08-26 1999-03-16 International Business Machines Corporation Smart-cut process for the production of thin semiconductor material films
US5981400A (en) * 1997-09-18 1999-11-09 Cornell Research Foundation, Inc. Compliant universal substrate for epitaxial growth
US5920764A (en) 1997-09-30 1999-07-06 International Business Machines Corporation Process for restoring rejected wafers in line for reuse as new
JP2998724B2 (ja) 1997-11-10 2000-01-11 日本電気株式会社 張り合わせｓｏｉ基板の製造方法
JP3406207B2 (ja) * 1997-11-12 2003-05-12 シャープ株式会社 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法
FR2771852B1 (fr) * 1997-12-02 1999-12-31 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert selectif d'une microstructure, formee sur un substrat initial, vers un substrat final
FR2773261B1 (fr) 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
JPH11191617A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Mitsubishi Materials Silicon Corp Ｓｏｉ基板の製造方法
JP3501642B2 (ja) 1997-12-26 2004-03-02 キヤノン株式会社 基板処理方法
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
FR2774510B1 (fr) 1998-02-02 2001-10-26 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement de substrats, notamment semi-conducteurs
TW437078B (en) 1998-02-18 2001-05-28 Canon Kk Composite member, its separation method, and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof
US6057212A (en) * 1998-05-04 2000-05-02 International Business Machines Corporation Method for making bonded metal back-plane substrates
US5909627A (en) 1998-05-18 1999-06-01 Philips Electronics North America Corporation Process for production of thin layers of semiconductor material
DE19840421C2 (de) * 1998-06-22 2000-05-31 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Fertigung von dünnen Substratschichten und eine dafür geeignete Substratanordnung
US6054370A (en) * 1998-06-30 2000-04-25 Intel Corporation Method of delaminating a pre-fabricated transistor layer from a substrate for placement on another wafer
JP3921823B2 (ja) * 1998-07-15 2007-05-30 信越半導体株式会社 Ｓｏｉウェーハの製造方法およびｓｏｉウェーハ
JP4228419B2 (ja) * 1998-07-29 2009-02-25 信越半導体株式会社 Ｓｏｉウエーハの製造方法およびｓｏｉウエーハ
US6118181A (en) * 1998-07-29 2000-09-12 Agilent Technologies, Inc. System and method for bonding wafers
FR2781925B1 (fr) 1998-07-30 2001-11-23 Commissariat Energie Atomique Transfert selectif d'elements d'un support vers un autre support
EP0989593A3 (en) * 1998-09-25 2002-01-02 Canon Kabushiki Kaisha Substrate separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
FR2784795B1 (fr) 1998-10-16 2000-12-01 Commissariat Energie Atomique Structure comportant une couche mince de materiau composee de zones conductrices et de zones isolantes et procede de fabrication d'une telle structure
JP2000223683A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Canon Inc 複合部材及びその分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の移設方法、並びにｓｏｉ基板の製造方法
FR2789518B1 (fr) 1999-02-10 2003-06-20 Commissariat Energie Atomique Structure multicouche a contraintes internes controlees et procede de realisation d'une telle structure
WO2000063965A1 (en) 1999-04-21 2000-10-26 Silicon Genesis Corporation Treatment method of cleaved film for the manufacture of substrates
JP2001015721A (ja) 1999-04-30 2001-01-19 Canon Inc 複合部材の分離方法及び薄膜の製造方法
US6664169B1 (en) 1999-06-08 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus
JP3447619B2 (ja) * 1999-06-25 2003-09-16 株式会社東芝 アクティブマトリクス基板の製造方法、中間転写基板
US6362082B1 (en) * 1999-06-28 2002-03-26 Intel Corporation Methodology for control of short channel effects in MOS transistors
FR2796491B1 (fr) * 1999-07-12 2001-08-31 Commissariat Energie Atomique Procede de decollement de deux elements et dispositif pour sa mise en oeuvre
FR2797347B1 (fr) 1999-08-04 2001-11-23 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince comportant une etape de surfragililisation
US6263941B1 (en) * 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
AU6905000A (en) 1999-08-10 2001-03-05 Silicon Genesis Corporation A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
DE19958803C1 (de) 1999-12-07 2001-08-30 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zum Handhaben von Halbleitersubstraten bei der Prozessierung und/oder Bearbeitung
US6586841B1 (en) * 2000-02-23 2003-07-01 Onix Microsystems, Inc. Mechanical landing pad formed on the underside of a MEMS device
JP2002270553A (ja) * 2001-03-13 2002-09-20 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 電子部品の製造法
FR2823596B1 (fr) * 2001-04-13 2004-08-20 Commissariat Energie Atomique Substrat ou structure demontable et procede de realisation
FR2823599B1 (fr) * 2001-04-13 2004-12-17 Commissariat Energie Atomique Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation
US6645831B1 (en) * 2002-05-07 2003-11-11 Intel Corporation Thermally stable crystalline defect-free germanium bonded to silicon and silicon dioxide
JP4199504B2 (ja) 2002-09-24 2008-12-17 イーグル工業株式会社 摺動部品及びその製造方法
US7071077B2 (en) * 2003-03-26 2006-07-04 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Method for preparing a bonding surface of a semiconductor layer of a wafer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030094338A (ko) 2003-12-11
WO2002084722A3 (fr) 2003-11-06
FR2823599B1 (fr) 2004-12-17
MY139201A (en) 2009-08-28
KR20090099019A (ko) 2009-09-18
JP2004533717A (ja) 2004-11-04
WO2002084722A2 (fr) 2002-10-24
US7902038B2 (en) 2011-03-08
CN1541406A (zh) 2004-10-27
KR100991395B1 (ko) 2010-11-02
CN100435278C (zh) 2008-11-19
JP2009267427A (ja) 2009-11-12
FR2823599A1 (fr) 2002-10-18
KR101056356B1 (ko) 2011-08-12
EP1378004B1 (fr) 2019-01-16
US20040222500A1 (en) 2004-11-11
EP1378004A2 (fr) 2004-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW563248B (en) A demountable substrate of controlled mechanical strength and a method of production
TWI323912B (en) A method of forming a weak region in a substrate by co-implantation
TW577102B (en) Method of preparing thin film for removable substrate and the thin film-substrate assembly obtained thereby
TWI310795B (en) A method of fabricating an epitaxially grown layer
TWI259221B (en) Method for manufacturing a free-standing substrate made of monocrystalline semi-conductor material
TW447127B (en) Substrate and production method thereof
TW498444B (en) Composite member and separating method therefor, bonded substrate stack and separating method therefor, transfer method for transfer layer, and SOI substrate
JP5296281B2 (ja) 脆弱化された基板およびそのような基板の製造方法
US8420506B2 (en) Process for cleaving a substrate
JP5065748B2 (ja) 貼り合わせウエーハの製造方法
KR101335713B1 (ko) 접합 기판의 제조방법 및 접합 기판
JP2006528592A (ja) エピタキシャル成長層の形成方法
KR101526245B1 (ko) 임시 접합을 채용하는 반도체 구조를 제조하기 위한 방법
JP2010538459A (ja) 熱処理を用いる剥離プロセスにおける半導体ウエハの再使用
TW200418105A (en) SOI structure with recess resistant buried insulator and manufacture method thereof
TWI255525B (en) Method of bonding and transferring a material to form a semiconductor device
JP2006173354A (ja) Ｓｏｉ基板の製造方法
JP2007036279A (ja) 半導体基板の作製方法
JP3013932B2 (ja) 半導体部材の製造方法および半導体部材
JP2003078117A (ja) 半導体部材及び半導体装置並びにそれらの製造方法
TW200529459A (en) Wafer bonded epitaxial templates for silicon heterostructures
CN117373912A (zh) 一种异质衬底的制备方法及异质衬底、半导体器件
WO2011018780A1 (en) A process for manufacturing a hybrid substrate
TW201011823A (en) Method for smoothing a surface

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent