JP2018100401A - 接着剤組成物及びエレクトロニクスにおけるその使用 - Google Patents

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Abstract

【課題】広い温度範囲にわたる安定性、熱伝導性または電気絶縁性の点で、マイクロエレクトロニクスにおける使用のために適切な特性を有する接着剤組成物を提供する。
【解決手段】ポリマー、無機フィラー、及び少なくとも一つの有機溶媒を含む接着剤組成物であって、前記ポリマーが、少なくとも一つのプレセラミックポリマーであり、有利にはシリコンに基づき、前記フィラーが、一つもしくは複数の熱伝導性且つ電気絶縁性タイプの無機フィラーを含む接着剤組成物を提供する。
【選択図】なし

Description

本発明は、熱伝導性且つ電気絶縁性の組成物に関する。
本発明の使用分野は、特にマイクロエレクトロニクスに関し、より詳細には、層転写方法に関する。
実施される方法のために、マイクロエレクトロニクスデバイスの製造には、広範な温度範囲に亘って使用可能な接着剤を要することがある。さらにまた、このタイプの接着剤は、熱伝導性および/または電気絶縁性の点で特定の特性を有することが好ましい。
より詳細には、マイクロエレクトロニクスデバイスの製造は、初期基板(11)上に一つもしくは複数の層(14)を製造し、次いでこれを基板ホルダー(15)によって支持されていてもよい最終基板(12)上に転写することを含み、これは接着剤(13)によって行われる(図1)。
したがって、この構造をより脆弱な基板上に移す前に、製造条件に耐えることのできる基板上に複雑な構造を形成することが可能である。
接着剤の存在が初期基板と最終基板との間の移行を確実にするために必要であることが、明らかになるであろう。
一般に、使用されるポリマー接着剤は、要求される熱的および/または電気的特性を有することから、アクリル、ウレタン、シリコーン、ポリイミド、またはエポキシである。
一例として、文献US 2013/0221479およびUS 2012/0086100には、サファイア型基板を電子デバイスに接合するための、アクリルもしくはポリイミドベースの熱可塑性接着剤の使用が記載されている。
複合接着剤も開発されている。例えば、文献US 2014/0252566には、ポリマー接着剤およびフィラーを含有する混合物、ならびに半導体の製造におけるその使用が記載されている。接着剤は、ポリアミド、ABS(アクリロニトリルブタジエンスチレン)、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、ポリスルホンタイプ、またはエポキシ樹脂であってよい。
別のタイプの複合接着剤が、Xuらによって記載されている(Composites: Part A applied science and manufacturing, 2001, 32(12), pages 1749-1757)。この接着剤は、エポキシもしくはポリ(フッ化ビニリデン)マトリックス中に窒化アルミニウムフィラーを含む。
US 2013/0221479 US 2012/0086100 US 2014/0252566
Composites: Part A applied science and manufacturing, 2001, 32(12), pages 1749-1757
既存の接着剤が満足のいくものであったとしても、その動作温度は最適ではない。さらにまた、それらの中にはペレットの形態をとり、このためマイクロエレクトロニクスにおけるその使用が面倒になるものがある。
実際のところ、マイクロエレクトロニクスデバイスを製造するために使用される温度は、特定の接着剤と、それらの高温での分解または変質のために適合しないことがあり、このためその使用が制限される。従来使用されている接着剤の動作温度は以下の通りである:
・アクリル:−65から125℃
・ウレタン:−40から125℃
・シリコーン:−50から300℃
・ポリイミド:−140から225℃(Kapton(登録商標)については−260から400℃)
・エポキシ:−55から200℃。
マイクロエレクトロニクスデバイスの製造に適合する温度に対する耐性に加え、これらの接着剤は、満足できる熱伝導性も備えているべきである。
出願人は、広い温度範囲にわたる安定性、熱伝導性または電気絶縁性の点で、マイクロエレクトロニクスにおける使用のための適切な特性を有する、接着剤組成物を開発した。
本発明は、マイクロエレクトロニクスデバイス製造におけるその使用を可能にする特性を有する、接着剤組成物に関する。
これは、熱伝導性かつ電気絶縁性の接着剤溶液であり、従来の接着剤がこうした温度で変質または分解するのに対して、低温で架橋可能であり且つ350℃以上の温度で使用できる。さらにまた、これは、有利には少なくとも2W/m.Kの熱伝導度を有する。
より具体的には、本発明は、
・有利にはシリコンベースである少なくとも一つのプレセラミックポリマー、
・一つもしくは複数の熱伝導性且つ電気絶縁性の無機フィラー、
・少なくとも一つの有機溶媒、
を含む接着剤組成物に関する。
プレセラミックポリマーは、有利には350℃よりも高い温度耐性を有し、このため高温でセラミックに変化することが可能である。したがって、有利には、本発明による接着剤組成物は、250℃を超える熱安定性を有する。
シリコーンの温度耐性が350℃よりはるかに低いことから、シリコーン-ポリイミド型樹脂は、本発明による接着剤組成物にも、プレセラミックポリマーにも該当しない。
有利には、接着剤組成物は、動作温度で低い熱膨張係数を有し、これは有利には250℃で20ppm/℃未満、より有利には250℃で10ppm/℃程度である。さらにまた、同じく有利には、250℃での処理後、特に250℃で数十時間後、例えば250℃で168時間後には、熱膨張係数はもはや変化しない。従って、熱安定性は250℃を超えても得られる。逆に、従来技術のシリコーンは、一般的に250℃以上で変質し、30から300ppm/℃の範囲で変化し得る熱膨張係数を有する。
実際には、この接着剤組成物を、基板上に付着させた後に乾燥させ、場合によって熱処理する。この結果、乾燥し、場合によって熱処理された接着剤層に該当する接着剤層が得られる。
本発明によれば、接着剤組成物は、有利にはシリコンベースである少なくとも一つのプレセラミックポリマーを含む。これは、シリコンベースのプレセラミックポリマーの場合には、セラミック前駆体、例えばSiO2を形成するポリマーである。
換言すれば、プレセラミックポリマーは、熱処理に付されると、完全にまたは部分的にセラミックに変化することができる。所望のセラミックによれば、熱処理は空気中で行われてもそうでなくともよい。
有利には、プレセラミックポリマーは、ポリシロキサン、ポリシルセスキオキサン、ポリカルボシロキサン、ポリボロシラン、ポリボロシロキサン、ポリシラザン、ポリシルセスキアザン、ポリボロシラザン、ポリカルボシラン、ポリシリルカルボジイミド、およびポリシルセスキカルボジイミドを含む群から選択される。
好ましくは、プレセラミックポリマーは、ポリシロキサン、有利には、一つもしくは複数の反復シロキサンパターンを含むポリシロキサンであって、ここで、ケイ素原子は、以下の式(I)に従うR1およびR2基に共有結合している。
式(I)において、R1およびR2は、R1およびR2基の少なくとも一方がアルキル基に相当することを条件として、有利には、互いに個別に、水素原子、アルキル基、または芳香族基に相当する。
本発明の特定の実施態様によれば、R1およびR2の両方が、アルキル基、有利には同一のアルキル基に該当してよい。
別の特定の実施態様によれば、プレセラミックポリマーは、式-(SiR1R2-X)-のポリシロキサンであってよく、ここでXは、O、C、B、またはNである(C、B、およびNは一般に置換されている)。
有利には、式(I)に従うシロキサンパターンのアルキル基は、1から4個の炭素原子を含む。これらは、有利には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、およびtert-ブチルを含む群から選択される基であり、メチル基が特に好ましい。したがって、R1およびR2は有利にはメチル基に相当する。
有利には、式(I)に従うシロキサンパターンの芳香族基は、6から9個の炭素原子を含む。これらは、有利には、フェニル、ベンジル、o-トリル、m-トリル、p-トリル、o-キシリル、およびメシチル基であり、フェニル基が特に好ましい。
式(I)に従う反復シロキサンパターンに加えて、プレセラミックポリマーは、別の種類の反復シロキサンパターンを含んでもよい。この場合、式(I)に従う反復シロキサンパターンは、有利には、プレセラミックポリマーの質量の50質量%超を占める。
プレセラミックポリマーはまた、所望のセラミックの基本構造と、異なる官能性を提供する有機周辺環境との両方を含む有機/無機化合物であってもよい。
さらにまた、プレセラミックポリマーは、有利には架橋可能である。
一般に、シリコンベースのプレセラミックポリマーは、場合によって酸素の存在下で熱処理に供されると、シリカSiO2を形成することができる。
したがって、プレセラミックポリマーは式(I)の反復パターンを含んでよく、好ましくはR1=R2=CH3であって、セラミクス化(完全酸化)後に、完全酸化後に残存する固体ポリマーの総質量に対して少なくとも80質量%のシリカSiO2を形成する性能を有して良い。
これは特に、Wackerにより市販のプレセラミックポリマー、Silres(登録商標)MKであってよい。このポリマーは、高いシリカ形成能(完全酸化後に残存する固体ポリマーの総質量に対して約82質量%)を有する。
さらにまた、プレセラミックポリマーは、有利には多くの有機溶媒中、例えば、芳香族溶媒、エステル溶媒、またはケトン溶媒中に可溶性である。
有利には、プレセラミックポリマーは、接着剤組成物の総質量に対して15から50質量%、より有利には25から35質量%を占める。
既に示したように、本発明による接着剤組成物はまた、一つもしくは複数の種類の無機フィラーを含む。
無機フィラー(以下、「フィラー」)は、熱伝導性且つ電気絶縁性である。
これらは、特に、AlN;Al2O3;hBN(六方晶系窒化ホウ素);窒化ケイ素;シリコン、アルミニウム、酸素、及び窒素をベースとするセラミックス、例えば、SiAlON;およびBeOを含む群から選択されるフィラーであってよい。
いかなる理論とも無関係に、本出願人は、無機フィラーの存在のために、組成物の粘度の増大によって、付着させた接着剤層の厚さを増大させることができると考えている。これはさらに、実施されうる接着剤組成物の熱処理の間の、ひび割れが起こる危険性の回避を可能にする。最後に、フィラーの存在により、浸透性ネットワークを得ることができ、ひいては熱伝導性、すなわち、接着剤組成物の熱伝導特性の制御が可能になる。
したがって、電荷量および/または性質に応じて、接着剤組成物の特性を調節することが可能である。これらの特性はまた、様々な形状および/または様々なサイズを有するフィラーの存在によって、且つ/またはフィラーの官能化によって、調節してよい。
フィラーは、特に、球、糸、ロッド、およびそれらの組み合わせの形状を有してよい。
フィラーのサイズは、一般に、数ナノメートルから数十マイクロメートルの範囲である。これは一般に、所望の接着剤層(付着させた接着剤組成物)の厚さに依存する。換言すれば、フィラーのサイズは、有利には、付着させた接着剤組成物層の厚さに比例する。また、接着剤組成物の密度を最適化するためには、フィラーの密な積層が望ましい。この目的のために、様々なサイズのフィラーの混合物、例えば、三つのフィラーサイズの混合物を使用することが有利である。
既に示したように、フィラーは官能化されていてもよい。この特定の実施態様は、接着剤組成物の均質性の改善を可能にする。より詳細には、フィラーの官能化により、接着剤組成物中におけるこれらの湿潤性を改善できる。より良好な湿潤性は、特に、フィラー周辺の気体(例えば、空気)の、存在しうる気泡の除去をもたらす。
フィラーは、特に、APTES(3-アミノプロピルトリエトキシシラン)、グリモ((3-グリシジルオキシプロピル)トリメトキシシラン)、または、フィラーおよびプレセラミックポリマーと適合性であるあらゆるタイプのシランから選択される化合物で官能化されていてよい。
APTESまたはGLYMOによるフィラーの官能化は、シリコンベースのプレセラミックポリマー、例えばポリシロキサンに特に適合する。
フィラーは、有利には、プレセラミックポリマーおよびフィラーの全体積に対して60体積%(体積含有率)から80体積%を占め、より有利には65から80体積%、よりいっそう有利には65から75体積%を占める。
フィラーの量が60体積%よりも少なければ、熱伝導性でないプレセラミックポリマーの量が増大するため、接着剤組成物の熱伝導性が低下する。しかしながら、フィラーの量が80体積%を超える場合には、接着剤組成物の接着特性が低下し、フィラーは接着剤組成物によって一体的に被覆されない。一方で、接着剤組成物に対してフィラーの量が多すぎると、気孔の生成を招き、ひいては接着剤組成物中の気体(例えば空気)の泡の存在により、熱伝導性の低下を招く。
有利には、フィラーは、接着剤組成物の総質量に対して52から75質量%、より有利には58から75質量%を占める。
プレセラミックポリマーと無機フィラーとの間の質量比は、有利には、質量にして1:4から1:11、より有利には1:5から1:11である。
最後に、接着剤組成物は、少なくとも一つの有機溶媒を含む。この溶媒は、有利には、非プロトン性極性溶媒、例えば、ケトン、エステル、エーテル、芳香族溶媒(例えば、芳香族炭化水素)、ハロゲン化溶媒(例えば、クロロホルム)、およびこれらの混合物を含む群から選択される有機溶媒である。溶媒はまた、アルカンであってよく、例えば、特にプレセラミックポリマーがポリシロキサンである場合には、ヘキサンであってよい。
より具体的には、組成物は、有機溶媒として、
・芳香族炭化水素タイプの溶媒、有利にはキシレン、または
・特定のケトン溶媒、有利にはブタン-2-オン(メチルエチルケトンとしても既知)、または
・プロピレングリコールモノメチルエーテル、2-メトキシ-1-メチルエチルアセテート、アルカン、および芳香族化合物の混合物、例えば、商品名Diestone(登録商標)と呼称される溶媒、
を含んでよい。
有機溶媒は、有利には、接着化合物の質量に対して15から35質量%、より有利には15から30質量%を占める。
有利には、接着剤組成物は、カップリング剤をさらに含む。カップリング剤により、プレセラミックポリマーの架橋、基板と接着剤層との間の接合(接着剤組成物の付着により生じる)を容易にでき、懸濁物の粘度を低下させること、並びに無機フィラー分散物の品質を改善することができる。
カップリング剤は、(3-グリシジルオキシプロピル)トリメトキシシラン(商品名Dynasylan(登録商標)GLYMO)、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、および3-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランを含む群から選択することができる。これらの化合物は、プレセラミックポリマーがポリシロキサンである場合に、特に適合する。
カップリング剤は、存在する場合は、プレセラミックポリマーの総質量に対して0.1から2質量%を占めてよい。
付着後に付される、行われうる熱処理の性質に応じて、接着剤組成物は、他の添加剤を含んでよい。
実際、乾燥工程の後にプレセラミックポリマーを架橋させる工程が続く場合、接着剤組成物は、有利には、プレセラミックポリマーを架橋させるための触媒を含む。
触媒により、プレセラミックポリマーの架橋温度を低下させることができる。これは、金属塩、例えば、白金、錫、アルミニウム、もしくはジルコニウム塩;有機スズ化合物;過酸化物化合物;及びアミン化合物から選択してよい。これらの化合物は、ポリシロキサンタイプのプレセラミックポリマーを架橋させるのに特に適している。
架橋触媒は、特に、トリエタノールアミン、テトラブチルアンモニウムアセテート、アルミニウムアセチルアセトネート、ジルコニウムアセチルアセトネート、および白金アセチルアセトネートを含む群から選択してよい。
架橋触媒は、プレセラミックポリマーの質量に対して0から2質量%を占めてよい。
既に示されているように、その使用の間、接着剤組成物は、一般的に基板上に付着されている。
また、本発明は、接着剤組成物を基板上に付着させることによって接着剤層を調製する方法にも関する。
本発明はまた、接着剤組成物の付着、その乾燥、および場合によりその熱処理によって得られる接着剤層に関する。熱処理により、プレセラミックポリマーの架橋および/またはセラミクス化を可能にすることができる。乾燥(有機溶媒の除去)は、熱処理によって行うことができ、さらにプレセラミックポリマーの架橋および/またはセラミクス化も引き起こす。
乾燥により、有利には空気中での熱処理と共に、有機溶媒を除去することができ、プレセラミックポリマーの完全もしくは部分的架橋および/または完全もしくは部分的セラミクス化が可能である。
したがって、接着剤層は、乾燥させた接着剤組成物によって形成することができる。これれは、少なくとも一つの架橋および/またはセラミクス化ポリマーを含んでよい。プレセラミックポリマーの架橋およびそのセラミクス化は、部分的であるか、または好ましくは完全であってよい。
接着剤層は、有利には、
・セラミクス化されたプレセラミックポリマー、および熱伝導性且つ電気絶縁性の無機フィラー、または
・架橋されたプレセラミックポリマー、および熱伝導性且つ電気絶縁性の無機フィラー、・架橋され且つセラミクス化されたプレセラミックポリマー、および熱伝導性且つ電気絶縁性の無機フィラー
を含む。
ポリマーセラミックまたは架橋プレセラミックポリマー対無機フィラーの重量比は、有利には、重量にして1:4から1:11、より有利には1:5から1:11の範囲である。
プレセラミックポリマーの架橋および/またはセラミクス化の間にフィラーが存在していることにより、フィラーがポリマーまたはセラミック内に分布した、均一な接着剤層が提供される。
接着剤組成物が有機溶媒を含み、このため液体であることから、いかなる液体付着技術によって付着させてもよく、こうした付着技術は、接着剤層の所望の厚さによって選択される。
したがって、組成物は、ドクターブレード塗布によって付着させることができる。この技術は、平坦な表面上、例えば、ウェハ型半導体基板上の付着のため、並びに、300μmに及ぶ厚さを有する付着を得るために、特に適当である。この技術はまた、自己支持型接着剤組成物層の形成も可能にしうる。
接着剤組成物は、スプレーコーティングによっても付着させることができる。この技術は、特に、15から20μmの範囲の厚さを有する付着物を形成することができる。
別の実施態様は、印刷によって、特にシルクスクリーニングによって、またはスピンコーティングによって、接着剤組成物を付着させることを含む。
所望の厚さにより、但し、被覆しようとする基板の幾何学的形状にもよって、付着技術を適合させることは、当業者の能力の範囲内であろう。
付着工程の前に、本発明の方法は、上記組成物を調製する工程を含んでもよく、この調製工程は、通常、前記組成物を形成する様々な成分を接触させ、これらを混合して均一な混合物を得ることを含む。
付着工程の後、本発明の方法は、前記組成物を乾燥することを含む熱処理工程を含む。
乾燥は、蒸発による有機溶媒の除去を含み、しかるに、プリセラミックポリマー、熱伝導および電気絶縁特性を有する一つもしくは複数のタイプの無機フィラー、及び、場合により、少なくとも一つの添加剤、例えば、カップリング剤および/または架橋触媒を含む複合材料からなる層のみを残す。
その実施のために、乾燥は、かくして付着させた組成物を自由大気中で乾燥させるか、または適切な温度で且つ適切な期間に亘って熱を適用して、有機溶媒の蒸発を引き起こすことを含んでよい。選択される処理は、使用される有機溶媒の性質及びそれら各々の蒸発温度に依存する。
既に示したように、乾燥工程の後に、本発明の方法は、プレセラミックポリマーを架橋且つ/またはセラミクス化させる熱処理工程を含んでもよい。
架橋は、プレセラミックポリマーの巨大分子鎖間に化学的架橋を造成することによって実現される。これは、接着剤層内のシリコンベースのプレセラミックポリマーの場合には、-Si-X-型(X = Si、O、C、N、またはB)の分子間結合の増加をもたらし、しかるにその硬化によって実現される。さらにまた、架橋により、接着剤層の結合力及び機械的抵抗を高めることができる。これはまた、特にシリコンで作られていてよい基板への、その付着性を改善することができる。したがって、マイクロエレクトロニクス分野で現在実施されている層転写法において、前記接着剤組成物を使用することが可能である。これはまた、系の熱伝導性を改善することを可能にする。
接着剤組成物は、好ましくは、200℃以下の温度で架橋される。既に示されているように、架橋触媒の存在により、この温度を低下させることができる。
一般に、架橋は、熱分布が均一になるように炉内で行うことができる。
また、高温圧縮を行って接着剤層の結合力を改善するために、熱プレスを利用してもよく、かくして熱伝導性を増大させることもできる。熱プレスの使用により、接着剤組成物の表面状態を、その粗さを低減することによって改善することができる。
特定の実施態様によれば、この方法は、例えば、プレセラミックポリマーがシリコンベースである場合は、SiO2からなるプレセラミックポリマーをセラミクス化する工程によって完了することができる。セラミクス化工程は、有利には、架橋工程の後またはこれと同時に実施される。プレセラミックポリマーのこの特異性により、マイクロエレクトロニクスプロセスから生じるすべての熱収支を包含することが可能である。
本発明はまた、上記接着剤組成物から調製された接着剤層;基板とこの接着剤層とから形成される接着支持体;及びマイクロエレクトロニクス、特に層転写法におけるこの接着剤層とこの接着支持体の使用にも関する。
その上に前記接着剤組成物が付着した基板は、例えば、シリコンまたはシリカ製であってよい。
既に示されているように、所望の厚さによって、但し被覆しようとする基板の幾何学的形状にもよって、付着技術を適合させることは、当業者の能力の範囲内である。
本発明による接着剤組成物の成形を容易にするために、溶媒の量を調節することもまた、当業者の能力の範囲内である。
本発明および得られる利点は、本発明の例示として提供される以下の非限定的な図面および実施例から、いっそう明らかになるであろう。
図1は、二つの基板間の層転写の、二つの従来法を示す。 図2は、本発明による接着剤組成物の、シリコンまたはシリカ基板上への付着後に得られる、接着支持体を示す。 図3は、本発明による接着剤組成物の付着後に得られる、接着支持体を示す。 図4は、本発明による接着剤組成物の、シリコンまたはシリカ基板上への付着後に得られる層の、200℃で架橋させた後の写真を示す。 図5は、本発明による接着剤組成物の、シリコンまたはシリカ基板上への付着後に得られる層の、350℃で30分間架橋させた後の写真を示す。 図6は、本発明による接着剤組成物について、フィラーの量による熱伝導性を示す。 図7は、図6の一部の拡大図に相当する。
(試料の調製)
本発明による接着剤組成物の複数の例を調製した。これを達成するために、接着剤組成物の基板上への塗布の前に、以下の成分を混合する:
・15から30体積%の、シリカへの高い転化率を有するポリシロキサン(Wackerの品番Silres(登録商標)MK);
・60から85体積%の、一つもしくは複数の無機フィラー;
・キシレン系溶媒。
体積含有率は、有機溶媒を除く接着剤組成物の全体積に対して表示される。
使用される無機フィラーは、様々な粒度を有し、熱伝導性且つ電気絶縁性のフィラーである。
接着剤組成物を均質化させて、プレセラミックポリマー(17)内に無機フィラー(18)を分布させる(図2および3)。その後、シリコンまたはシリカ基板(11)上に、ドクターブレードで広げることにより付着させる(図2)。これは、単独で、すなわち基板なしで使用してもよい(図3)。
基板のない付着物によれば、熱伝導性を測定するための試料を形成することができる。また、接着剤組成物からなる基板を支持体なしに形成することもできる。
溶剤を蒸発させた後に接着剤層が得られる。これを、例えば、200℃で30分間の熱処理によって架橋させる(図4)。
実施例2の接着剤組成物を、350℃にて30分間の熱処理に処した。
図6および図7は、これらの接着剤組成物の熱伝導性を示す。
(熱試験)
実施例1〜10による接着剤組成物の付着によって得られた層を、空気中の炉内における、350℃で30分間の熱処理の後に試験した(図5)。熱処理の終わりに、層に亀裂は観察されない。
試験はまた、200℃での架橋の後に、450℃でも実施した。この場合も、付着物に亀裂は見られない。
試験はまた、150℃での架橋の後に、350℃でも実施した。この場合も、付着物に亀裂は見られない。
これらの様々な熱処理の終了時に、変質は一切観察されない。
さらにまた、熱処理後のシリコン基板上での接着強度を測定した。これは約7から8MPaの範囲であり、従来のエポキシ接着剤と同等かさらにそれ以上である。
(熱伝導性)
図6および図7は、実施例1から10の接着剤組成物の付着によって得られた層の熱伝導性が、以下のパラメータに従って制御できることを示す:
・接着剤組成物中のフィラーの湿潤性を改善する、フィラーの官能化、
・ネットワークを密にすることができ、且つ浸透を促進する、架橋温度よりも高い温度での接着剤組成物の熱処理、
・フィラー粒度、
・フィラーの量。

Claims (10)

  1. ポリマー、無機フィラー、及び少なくとも一つの有機溶媒を含む接着剤組成物であって、
    ・前記ポリマーが、少なくとも一つのプレセラミックポリマーであり、有利にはシリコンに基づき、
    ・前記フィラーが、一つもしくは複数の熱伝導性且つ電気絶縁性タイプの無機フィラーを含む、
    接着剤組成物。
  2. 前記プレセラミックポリマーが、ポリシロキサン、ポリシルセスキオキサン、ポリカルボシロキサン、ポリボロシラン、ポリボロシロキサン、ポリシラザン、ポリシルセスキアザン、ポリボロシラザン、ポリカルボシラン、ポリシリルカルボジイミド、およびポリシルセスキカルボジイミドを含む群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の接着剤組成物。
  3. 前記プレセラミックポリマーが、接着剤組成物全質量に対して15から50質量%を占めることを特徴とする、請求項1または2に記載の接着剤組成物。
  4. 前記無機フィラーが、AlN;Al2O3;hBN;窒化ケイ素;シリコンに基づくセラミック、アルミニウム、酸素、および窒素;及びBeOを含む群から選択されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
  5. 前記接着剤組成物が、様々なサイズおよび/または様々な形状を有する無機フィラーを含むことを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の接着剤組成物。
  6. 前記無機フィラーが、接着剤組成物全体積に対して60から80体積%を占めることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに一項に記載の接着剤組成物。
  7. ポリマーセラミックもしくは架橋プレセラミックポリマー対無機フィラーの質量比が、質量にして1:4から1:11、さらに有利には1:5から1:11の範囲内にあることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
  8. 請求項1から7のいずれか一項に記載の接着剤組成物から成り、乾燥させた接着剤層。
  9. 少なくとも一つの架橋および/またはセラミクス化されたプレセラミックポリマーを含むことを特徴とする、請求項8に記載の接着剤層。
  10. マイクロエレクトロニクスにおける層転写法での、請求項8または9に記載の接着剤層の使用。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020196828A (ja) * 2019-06-04 2020-12-10 リンテック株式会社 粘着性放熱シート
WO2022209064A1 (ja) * 2021-03-30 2022-10-06 リンテック株式会社 接着ペースト、接着ペーストの使用方法及び半導体装置の製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108794042B (zh) * 2018-07-13 2020-11-10 航天材料及工艺研究所 一种用于多孔陶瓷的粘结剂及其制备方法和使用方法
CN110003847A (zh) * 2019-04-12 2019-07-12 苏州赛力菲陶纤有限公司 一种自愈合高温粘结剂及其制备方法
TWI833063B (zh) * 2021-01-27 2024-02-21 大陸商河南烯力新材料科技有限公司 導熱結構與電子裝置
FR3122035B1 (fr) * 2021-04-16 2023-04-21 Commissariat Energie Atomique Structure composite, destinée à une co-intégration planaire de composants électroniques de fonctions différentes

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55145779A (en) * 1979-04-26 1980-11-13 Dow Corning Silicone adhesive agent composition
JPS5971362A (ja) * 1982-10-15 1984-04-23 Toagosei Chem Ind Co Ltd 硬化用組成物
JPH03119087A (ja) * 1989-09-30 1991-05-21 Tonen Corp セラミックス及び/又は金属接着剤と用途
JPH09130065A (ja) * 1995-09-25 1997-05-16 Dow Corning Corp 電子部品の接着剤としてセラミック前駆体ポリマーを使用する方法
JP2004140380A (ja) * 1996-08-27 2004-05-13 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法
JP2005178363A (ja) * 2003-10-28 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法、および基材の作製方法
JP2009267427A (ja) * 2001-04-13 2009-11-12 Commiss Energ Atom 制御された機械的保持力を有する剥離可能な基板、およびその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2584080B1 (fr) * 1985-06-26 1987-12-31 Rhone Poulenc Rech Procede de traitement thermique d'un polysilazane contenant des groupes sih et des groupes si-n-
US5516596A (en) * 1994-12-19 1996-05-14 Dow Corning Corporation Method of forming a composite, article and composition
JP3809733B2 (ja) * 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの剥離方法
US20050049350A1 (en) * 2003-08-25 2005-03-03 Sandeep Tonapi Thin bond-line silicone adhesive composition and method for preparing the same
US20070219312A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 Jennifer Lynn David Silicone adhesive composition and method for preparing the same
TWI418602B (zh) * 2007-06-25 2013-12-11 Brewer Science Inc 高溫旋塗暫時結合組成物
CN101654778A (zh) * 2008-08-21 2010-02-24 北京盘天新技术有限公司 一种由聚合物先驱体制备绝缘导热陶瓷涂层的方法
JP5562574B2 (ja) * 2009-04-14 2014-07-30 信越化学工業株式会社 熱伝導性接着剤
JP5489261B2 (ja) * 2009-04-14 2014-05-14 信越化学工業株式会社 熱伝導性接着剤
JP5310371B2 (ja) * 2009-08-10 2013-10-09 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US8440544B2 (en) 2010-10-06 2013-05-14 International Business Machines Corporation CMOS structure and method of manufacture
CN102153955B (zh) * 2010-11-23 2013-10-16 广东工业大学 一种使用玻璃纤维网作为支撑结构的导热贴片的制备方法
US20140252566A1 (en) 2013-03-06 2014-09-11 Rf Micro Devices, Inc. Silicon-on-dual plastic (sodp) technology and methods of manufacturing the same
CN104232017B (zh) * 2014-09-24 2016-01-27 中国人民解放军国防科学技术大学 一种可室温固化的陶瓷先驱体粘结剂的制备方法
CN104194717B (zh) * 2014-09-24 2015-12-09 中国人民解放军国防科学技术大学 一种耐高温陶瓷先驱体粘结剂的制备方法
CN105778504B (zh) * 2014-12-25 2019-11-12 广东生益科技股份有限公司 一种陶瓷化硅树脂组合物及使用它的预浸料与层压板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55145779A (en) * 1979-04-26 1980-11-13 Dow Corning Silicone adhesive agent composition
JPS5971362A (ja) * 1982-10-15 1984-04-23 Toagosei Chem Ind Co Ltd 硬化用組成物
JPH03119087A (ja) * 1989-09-30 1991-05-21 Tonen Corp セラミックス及び/又は金属接着剤と用途
JPH09130065A (ja) * 1995-09-25 1997-05-16 Dow Corning Corp 電子部品の接着剤としてセラミック前駆体ポリマーを使用する方法
JP2004140380A (ja) * 1996-08-27 2004-05-13 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法
JP2009267427A (ja) * 2001-04-13 2009-11-12 Commiss Energ Atom 制御された機械的保持力を有する剥離可能な基板、およびその製造方法
JP2005178363A (ja) * 2003-10-28 2005-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法、および基材の作製方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020196828A (ja) * 2019-06-04 2020-12-10 リンテック株式会社 粘着性放熱シート
JP7317577B2 (ja) 2019-06-04 2023-07-31 リンテック株式会社 粘着性放熱シート
WO2022209064A1 (ja) * 2021-03-30 2022-10-06 リンテック株式会社 接着ペースト、接着ペーストの使用方法及び半導体装置の製造方法
JPWO2022209064A1 (ja) * 2021-03-30 2022-10-06

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