JP2005178363A - 半導体装置の作製方法、および基材の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、素子を設けた基板とは他の耐熱性基板に予めガスバリア性の高い保護膜(素子上に直接成膜しようとすると、素子に何らかのダメージを与える恐れがあるガスバリア性の高い保護膜)を形成しておき、素子を設けた基板にその保護膜を転写して封止する。
【選択図】 図1
Description
前記第1の基板から前記被剥離層を剥離する工程と、第3の基板上に素子を形成する工程と、前記被剥離層と前記素子とを第2の接着材料で接着する工程と、前記第1の接着材料を除去して前記第2の基板を前記被剥離層から剥離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
ここでは、特開2003−174153に記載の金属膜と酸化珪素膜を用いた剥離方法を用いる。特開2003−174153に記載の剥離および転写技術は、基板に金属層を形成し、その上に酸化物層を積層形成する際、該金属層の酸化金属層を金属層と酸化物層との界面に形成し、この酸化金属層を利用して後の工程で剥離を行う剥離方法である。
上記実施の形態1は、単層の保護膜を主として説明を行った例であるが、ここでは応力緩和層を間に挟んで積層した保護積層膜を剥離、および転写を行う例を図2に示す。なお、保護膜を保護積層膜とした部分以外は全て上記実施の形態1と同じであるため、詳細な説明は省略する。また、図2において、図1と同一の部分は同じ符号を用いる。
上記実施の形態1は、保護膜をフィルム基板に転写してそのフィルム基板で封止する例であるが、ここでは保護膜のみを剥離、および転写を行う。なお、保護膜を形成する工程までは全て上記実施の形態1と同じであるため、詳細な説明は省略する。また、図3において、図1と同一の部分は同じ符号を用いる。
また、本発明は部分的に剥離、転写を行うことができる。その一例を図4に示す。図4では端子電極を露出させたまま、その他の領域には保護膜を転写する工程断面図を示している。
Claims (19)
- 第1の基板上に無機絶縁膜からなる保護膜を含む被剥離層を形成する工程と、
前記保護膜を含む被剥離層上に溶媒に溶ける材料膜を形成する工程と、
前記材料膜上に第1の両面テープで第2の基板を貼り付ける工程と、
前記第1の基板下側に第2の両面テープで第3の基板を貼り付ける工程と、
前記第1の基板、前記第2の両面テープ、および前記第3の基板と、前記保護膜を含む被剥離層とを分離する工程と、
前記保護膜を含む被剥離層に接着材で基材を貼り付ける工程と、
前記第2の基板を除去する工程と、
前記第1の両面テープを除去する工程と、
前記材料膜を溶媒で溶かして除去する工程と、を有することを特徴とする基材の作製方法。 - 請求項1において、前記基材はフィルム基材であることを特徴とする基材の作製方法。
- 請求項1または請求項2において、前記無機絶縁膜はSOG膜であることを特徴とする基材の作製方法。
- 第1の基板上に無機絶縁膜からなる保護膜を含む被剥離層を形成する工程と、
前記保護膜を含む被剥離層上に溶媒に溶ける材料膜を形成する工程と、
前記材料膜上に第1の両面テープで第2の基板を貼り付ける工程と、
前記第1の基板下側に第2の両面テープで第3の基板を貼り付ける工程と、
前記第1の基板、前記第2の両面テープ、および前記第3の基板と、前記保護膜を含む被剥離層とを分離する工程と、
前記保護膜を含む被剥離層に接着材で第4の基板を貼り付ける工程と、
前記第2の基板を除去する工程と、
前記第1の両面テープを除去する工程と、
前記材料膜を溶媒で溶かして除去する工程と、
第5の基板に設けられた半導体素子を覆うように前記保護膜を含む被剥離層が設けられた第4の基板を貼り付ける工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上に無機絶縁膜と塗布膜との積層からなる保護積層膜を含む被剥離層を形成する工程と、
前記保護積層膜を含む被剥離層上に溶媒に溶ける材料膜を形成する工程と、
前記材料膜上に第1の両面テープで第2の基板を貼り付ける工程と、
前記第1の基板下側に第2の両面テープで第3の基板を貼り付ける工程と、
前記第1の基板、前記第2の両面テープ、および前記第3の基板と、前記保護積層膜を含む被剥離層とを分離する工程と、
前記保護積層膜を含む被剥離層に接着材で第4の基板を貼り付ける工程と、
前記第2の基板を除去する工程と、
前記第1の両面テープを除去する工程と、
前記材料膜を溶媒で溶かして除去する工程と、
第5の基板に設けられた半導体素子を覆うように前記保護積層膜を含む被剥離層が設けられた第4の基板を貼り付ける工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項4または請求項5において、前記第2の基板および前記第3の基板は、前記第1の基板よりも剛性の高い基板であり、且つ、前記第4の基板はフィルム基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項5または請求項6において、前記無機絶縁膜はPCVD法またはスパッタ法または塗布法により形成される酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項5乃至7のいずれか一において、前記塗布膜は、有機樹脂膜またはSOG膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項5乃至8のいずれか一において、前記保護積層膜は、前記無機絶縁膜と前記塗布膜とを交互に積層した膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 基板上に設けられた半導体素子は、該半導体素子を覆う第1の接着層と、フィルム基板に第2の接着層で固定された平坦な保護膜または平坦な保護積層膜とで封止されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 第1の基板上に保護膜を含む被剥離層を形成する工程と、
第2の基板に前記被剥離層を接着する第1の接着材料を設ける工程と、
前記第1の基板から前記被剥離層を剥離する工程と、
第3の基板上に素子を形成する工程と、
前記被剥離層と前記素子とを第2の接着材料で接着する工程と、
前記第1の接着材料を除去して前記第2の基板を前記被剥離層から剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上に保護膜を含む被剥離層を形成する工程と、
第2の基板に前記被剥離層を接着する第1の接着材料を設ける工程と、
前記第1の基板から前記被剥離層を剥離する工程と、
前記被剥離層と第3の基板を第2の接着材料で接着する工程と、
前記第1の接着材料を除去して前記第2の基板を前記被剥離層から剥離する工程と、
第4の基板上に素子を形成する工程と、
前記被剥離層と前記素子とを第3の接着材料で接着する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上に保護膜を含む被剥離層を形成する工程と、
第2の基板上に素子を形成する工程と、
素子を囲むシール材を形成する工程と、
前記シール材に囲まれた領域に、前記素子を覆う接着材料を形成する工程と、
前記接着材料と被剥離層とを接着する工程と、
被剥離層から第1の基板を剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11乃至13のいずれか一において、第1の基板上に保護膜を含む被剥離層を形成する工程は、
第1の基板上に第1の保護膜を形成する工程と、該第1の保護膜上に応力緩和膜を形成する工程と、
該応力緩和膜上に第2の保護膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11乃至14のいずれか一において、前記素子は、発光素子、または半導体素子を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項11乃至15のいずれか一において、前記保護膜は、少なくとも無機絶縁膜とSOG膜のいずれか一方を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項11乃至16のいずれか一において、前記被剥離層は、応力緩和膜を有し、該応力緩和膜は有機樹脂膜またはSOG膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項11乃至17のいずれか一において、前記第1の接着材料は、溶媒に溶ける材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項11乃至17のいずれか一において、前記第1の接着材料は両面テープであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007175902A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 液滴吐出ヘッド及びその製造方法並びに液滴吐出装置 |
JP2009141145A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Sharp Corp | 半導体素子及びその製造方法並びに表示装置 |
JP2011033912A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP2011222212A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機電子デバイスの製造方法、有機電子デバイスおよびガスバリアフィルム前駆体 |
WO2012000815A1 (de) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Evonik Degussa Gmbh | Modifizierung von siliciumschichten aus silan-haltigen formulierungen |
JP2012069928A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2012089522A (ja) * | 2011-12-27 | 2012-05-10 | Sony Corp | 有機el表示装置の製造方法 |
JP2015129830A (ja) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2015135493A (ja) * | 2009-07-10 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光表示装置 |
US9196854B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-11-24 | Ricoh Company, Ltd. | Organic EL lighting emitting device, method of manufacturing the same, and organic EL light source device |
JP2017199002A (ja) * | 2012-09-03 | 2017-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2018100401A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 接着剤組成物及びエレクトロニクスにおけるその使用 |
US10186674B2 (en) | 2015-10-22 | 2019-01-22 | Nlt Technologies, Ltd. | Thin-film device having barrier film and manufacturing method thereof |
CN109913954A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-06-21 | 电子科技大学 | 具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器 |
CN109981069A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-07-05 | 电子科技大学 | 具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器 |
CN110011632A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-07-12 | 电子科技大学 | 单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器 |
CN110556285A (zh) * | 2018-05-30 | 2019-12-10 | 双叶电子工业株式会社 | 高分子基板的制造方法及电子装置的制造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11251347A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Hitachi Cable Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
-
2004
- 2004-10-28 JP JP2004314145A patent/JP4974452B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11251347A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Hitachi Cable Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007175902A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 液滴吐出ヘッド及びその製造方法並びに液滴吐出装置 |
JP2009141145A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Sharp Corp | 半導体素子及びその製造方法並びに表示装置 |
US9490277B2 (en) | 2009-07-10 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US11374029B2 (en) | 2009-07-10 | 2022-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10916566B2 (en) | 2009-07-10 | 2021-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10522568B2 (en) | 2009-07-10 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10157936B2 (en) | 2009-07-10 | 2018-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2015135493A (ja) * | 2009-07-10 | 2015-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光表示装置 |
US9754974B2 (en) | 2009-07-10 | 2017-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2011033912A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP2011222212A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機電子デバイスの製造方法、有機電子デバイスおよびガスバリアフィルム前駆体 |
JP2013530919A (ja) * | 2010-06-30 | 2013-08-01 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | シラン含有配合物から成るシリコン層の改質 |
KR101846591B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2018-04-06 | 에보니크 데구사 게엠베하 | 실란-함유 조성물로부터 형성된 규소층의 개질 |
WO2012000815A1 (de) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Evonik Degussa Gmbh | Modifizierung von siliciumschichten aus silan-haltigen formulierungen |
US9153432B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-10-06 | Evonik Degussa Gmbh | Modification of silicon layers formed from silane-containing formulations |
JP2012069928A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2012089522A (ja) * | 2011-12-27 | 2012-05-10 | Sony Corp | 有機el表示装置の製造方法 |
JP2017199002A (ja) * | 2012-09-03 | 2017-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US11074025B2 (en) | 2012-09-03 | 2021-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US9196854B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-11-24 | Ricoh Company, Ltd. | Organic EL lighting emitting device, method of manufacturing the same, and organic EL light source device |
JP2015129830A (ja) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US9666428B2 (en) | 2014-01-07 | 2017-05-30 | Japan Display Inc. | Display device |
US10186674B2 (en) | 2015-10-22 | 2019-01-22 | Nlt Technologies, Ltd. | Thin-film device having barrier film and manufacturing method thereof |
JP7050479B2 (ja) | 2016-12-20 | 2022-04-08 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 接着剤組成物及びエレクトロニクスにおけるその使用 |
JP2018100401A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 接着剤組成物及びエレクトロニクスにおけるその使用 |
CN110556285A (zh) * | 2018-05-30 | 2019-12-10 | 双叶电子工业株式会社 | 高分子基板的制造方法及电子装置的制造方法 |
CN110011632A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-07-12 | 电子科技大学 | 单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器 |
CN109981069A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-07-05 | 电子科技大学 | 具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器 |
CN110011632B (zh) * | 2019-03-13 | 2022-05-03 | 电子科技大学 | 单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器 |
CN109913954A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-06-21 | 电子科技大学 | 具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器 |
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