CN110011632B - 单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器 - Google Patents
单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110011632B CN110011632B CN201910187255.6A CN201910187255A CN110011632B CN 110011632 B CN110011632 B CN 110011632B CN 201910187255 A CN201910187255 A CN 201910187255A CN 110011632 B CN110011632 B CN 110011632B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- single crystal
- layer
- bulk acoustic
- lower electrode
- acoustic resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 167
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 100
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 50
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 44
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 19
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 16
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 8
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 8
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 claims description 4
- ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N oxolead;oxomagnesium;2,4,5-trioxa-1$l^{5},3$l^{5}-diniobabicyclo[1.1.1]pentane 1,3-dioxide Chemical compound [Mg]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.[Pb]=O.O1[Nb]2(=O)O[Nb]1(=O)O2 ZBSCCQXBYNSKPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;potassium Chemical compound [K].OP(O)(O)=O PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 4
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N arsenic(5+) Chemical compound [As+5] HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
Abstract
本发明涉及声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器；本发明的目的在于采用单晶薄膜空腔型体声波谐振器的制备方法，即通过在单晶薄膜层下表面制备覆盖整个单晶薄膜层下表面的具有导电和隔离作用的下电极的设计以解决现有的在键合过程中，键合层产生的气泡导致单晶薄膜层产生裂纹，使得单晶薄层膜翘起或凹陷甚至断裂，影响空腔型体声波谐振器整体性能的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器。
背景技术
随着无线通信技术的快速发展，传统介质滤波器和声表面波滤波器难以满足高频化要求，新一代薄膜体声波谐振器很好地满足了这一要求，薄膜体声波谐振器的基本结构为简单的三层结构，从上到下依次为上电极、压电薄膜和金属隔离层。器件的关键在于单晶薄膜质量的好坏。
当前的单晶薄膜主要采用沉积的方式，难以保证薄膜的晶格取向，加上在金属电极上的沉积，薄膜质量受到电极层的影响，电极与单晶薄膜材料晶格失配、电极表面粗糙度过大都会导致压电单晶薄膜生长多晶，进而影响薄膜质量，降低薄膜体声波谐振器的器件性能。
晶圆键合转移能够获得高质量的单晶薄膜，选用单晶晶圆材料或者带有高质量外延单晶薄膜层的晶圆材料，对其进行高能离子注入，然后结合晶圆键合的工艺，能够在目标衬底上转移制备高质量的单晶薄膜。但是由于单晶薄膜层厚度通常在微米甚至亚微米量级，所以在键合过程中，键合层中形成的气泡等缺陷，会对与键合层相接触的压电薄膜材料产生非均匀分布的应力，导致薄膜产生翘起、凹陷、断裂甚至脱落等现象。
因此，针对上述问题本发明急需提供一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器。
发明内容
本发明的目的在于提供一种单晶薄膜空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器，通过在单晶薄膜层下表面制备覆盖整个单晶薄膜层下表面的具有导电和隔离作用的下电极的设计以解决现有的在键合过程中，键合层产生的气泡导致单晶薄膜层产生裂纹，使得单晶薄层膜翘起或凹陷甚至断裂，影响空腔型体声波谐振器整体性能的技术问题。
本发明提供的一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
从单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入单晶晶圆内部形成损伤层，将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的单晶晶圆；
在损伤的单晶晶圆的下表面依次制备覆盖损伤的单晶晶圆的下表面的下电极，且在下电极的表面设置与单晶薄膜层连通的图形化的通孔、在下电极的表面制备图形化的牺牲层，在图形化的牺牲层表面制备键合层，将衬底贴合于键合层上，进行键合处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，得到具有下电极的单晶薄膜；
在具有下电极的单晶薄膜上表面制备上电极，得到单晶薄膜体声波谐振器；
在单晶薄膜体声波谐振器上表面开设与图形化的牺牲层连通的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到单晶薄膜空腔型体声波谐振器。
优选地，下电极制备过程包括如下步骤：在损伤的单晶晶圆的下表面涂敷光刻胶，形成光刻胶层，采用图形化的掩膜版对光刻胶进行曝光、显影，生长下电极，去除光刻胶，制得下电极，且下电极表面形成与单晶薄膜层连通的通孔；或者在损伤的单晶晶圆的下表面生长下电极，在下电极表面涂覆光刻胶，采用图形化的掩膜版对光刻胶进行曝光，显影，刻蚀无覆盖光刻胶的下电极，在下电极上形成与单晶薄膜层连通的通孔，去除光刻胶。
优选地，图形化的牺牲层的制备步骤：在下电极表面上生长牺牲层；对牺牲层掩模刻蚀，制备得到图形化的牺牲层。
优选地，下电极的厚度为50nm-300nm；优选地，下电极的厚度为200nm-300nm。
优选地，下电极的材质包括铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)中任一。
优选地，下电极制备方法包括磁控溅射、电阻式蒸发或电子束沉积中任一。
优选地，上电极的材质包括铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)中任一；
单晶薄膜层材质包括石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、氮化铝、氧化锌、钛酸钡、磷酸二氢钾、铌镁酸铅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、碳化硅或金刚石中的一种；
牺牲层材质包括非晶硅、聚酰亚胺(PI)、氧化硅(SiO2)、磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)中的至少一种；
键合层材质为苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、硅倍半环氧乙烷(HSQ)、旋转涂布玻璃(SOG)、二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)中的至少一种；
衬底的材质包括硅、绝缘层上硅、玻璃、石英、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓、砷化镓、金刚石中的一种。
优选地，单晶薄膜层的厚度为0.1μm-8μm；优选地，0.3μm-1.0μm或者1.0μm-1.8μm或者1.8μm-2.2μm或者2.2μm-8μm。
牺牲层的厚度为50nm-6μm；优选地，50nm-300nm或者300nm-1000nm；或者1μm-6μm；
键合层的厚度为0.1μm-10μm；优选地，0.1μm-0.3μm或者0.3μm-6μm或者6μm-10μm。
优选地，键合固化温度为150℃-500℃，键合时间为10min-600min；晶圆劈裂处理温度为180℃-500℃；晶圆劈裂处理时间为10min-600min。
优选地，高能量离子包括氢离子(H+)、氦离子(He2+)、硼离子(B3+)或砷离子(As3+)中的至少一种；高能量离子的注入能量选用范围为150keV-1000keV；高能量离子的注入深度0.6μm-2.2μm。
本发明还包括一种空腔型体声波谐振器，基于如上述中任一所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法制得。
进一步地，空腔型体声波谐振器从上到下依次包括上电极层、单晶薄膜层、下电极层、键合层及衬底，键合层的中部设有空腔，下电极至于空腔内。
本发明提供的一种单晶薄膜空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器与现有技术相比具有以下进步：
1、本发明提供的单晶薄膜空腔型体声波谐振器的制备方法，通过在单晶薄膜层的下表面制备覆盖单晶薄膜层下表面的下电极，下电极不仅起到导电作用，而且可以作为隔离层，将键合层与单晶薄膜层分隔，可以防止键合层在键合固化过程中产生的气泡影响单晶薄膜层质量，进而保证制备得到的空腔型体声波谐振器的器件性能。
2、本发明提供的单晶薄膜空腔型体声波谐振器的制备方法，通过图形化的下电极的设计，键合层可采用具有流动性的聚合物作为键合层，也可以采用固态化的SiO2或Si3N4，不受键合层材质的影响，下电极可以阻挡键合层产生的气泡，保证制备得到的单晶薄膜层无翘起、凹陷、断裂甚至脱落等现象出现。
3、本发明提供的单晶薄膜空腔型体声波谐振器的制备方法，下电极上设有与单晶薄膜层连通的通孔，在后续的牺牲层的释放过程中，有助于简化开孔工艺，简化制备步骤。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备方法步骤框图(方法一)；
图2为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备步骤结构示意图(方法一)；
图3为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备步骤结构示意图(方法一)；
图4为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备步骤结构示意图(方法一)；
图5为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备步骤结构示意图(方法一)；
图6为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备步骤结构示意图(方法一)；
图7为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备方法步骤框图(方法二)；
图8为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备步骤结构示意图(方法二)；
图9为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备步骤结构示意图(方法二)；
图10为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备步骤结构示意图(方法二)；
图11为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备步骤结构示意图(方法二)；
图12为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备步骤结构示意图(方法二)；
图13为本发明中所述单晶薄膜体声波谐振器的制备步骤结构示意图(方法二)；
附图标记说明：
1-上电极；2-单晶薄膜层；3-下电极；4-键合层；5-衬底；6-空腔；7-损伤层；8-上压电层；9-牺牲层；10-通孔；
101-上电极；201-单晶薄膜层；301-下电极；401-键合层；501-衬底；601-空腔；701-损伤层；801-上压电层；901-牺牲层。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。
方法一：
如图1、图2、图3、图3、图5和图6所示，本发明提供料一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，包括如下步骤：
S1)从单晶晶圆下表面注入高能量离子A，高能量离子A进入单晶晶圆内部形成损伤层7，将单晶晶圆分隔成上压电层8和单晶薄膜层2，得到损伤的单晶晶圆；
S2)在损伤的单晶晶圆的下表面涂敷光刻胶，形成光刻胶层，采用图形化的掩膜版对光刻胶进行曝光、显影，生长下电极，制备得到下电极,去除光刻胶，使得生长的下电极表面形成与单晶薄膜层连通的图形化的通孔11；在下电极3的下表面制备图形化的牺牲层9，在图形化的牺牲层9的下方制备键合层4，将衬底5贴合于键合层4上，进行键合处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层8，得到具有下电极的单晶薄膜；
S3)在具有下电极的单晶薄膜上表面制备上电极1，得到单晶薄膜体声波谐振器；
S4)在单晶薄膜体声波谐振器上表面开设与图形化的牺牲层9连通的牺牲层释放孔12，释放牺牲层，得到单晶薄膜空腔型体声波谐振器。
图形化的牺牲层9的制备过程：在下电极3表面上生长牺牲层9；对牺牲层9掩模刻蚀，制备得到图形化的牺牲层9。
其中，下电极3的厚度为50nm-300nm；优选地，下电极3的厚度为200nm-300nm。
其中，下电极3的材质包括铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)中任一。
其中，下电极3制备方法包括磁控溅射、电阻式蒸发或电子束沉积中任一。
其中，上电极1的材质包括铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)中任一；
单晶薄膜层2材质包括石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、氮化铝、氧化锌、钛酸钡、磷酸二氢钾、铌镁酸铅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、碳化硅或金刚石中的一种；
牺牲层9材质包括非晶硅、聚酰亚胺(PI)、氧化硅(SiO2)、磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)中的至少一种；
键合层4材质为苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、硅倍半环氧乙烷(HSQ)、旋转涂布玻璃(SOG)、二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)中的至少一种；
衬底5的材质包括硅、绝缘层上硅、玻璃、石英、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓、砷化镓、金刚石中的一种。
其中，单晶薄膜层2的厚度为0.1μm-8μm；优选地，0.3μm-1.0μm或者1.0μm-1.8μm或者1.8μm-2.2μm或者2.2μm-8μm。
牺牲层9的厚度为50nm-6μm；优选地，50nm-300nm或者300nm-1000nm；或者1μm-6μm；
键合层4的厚度为0.1μm-10μm；优选地，0.1μm-0.3μm或者0.3μm-6μm或者6μm-10μm。
其中，键合固化温度为150℃-500℃，键合时间为10min-600min；晶圆劈裂处理温度为180℃-500℃；晶圆劈裂处理时间为10min-600min。
其中，高能量离子包括氢离子(H+)、氦离子(He2+)、硼离子(B3+)或砷离子(As3+)中的至少一种；高能量离子的注入能量选用范围为150keV-1000keV；高能量离子的注入深度0.6μm-2.2μm。
本发明还包括一种空腔型体声波谐振器，基于如所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法制得。
空腔型体声波谐振器从上到下依次包括上电极层1、单晶薄膜层2、下电极层3、键合层4及衬底5，键合层4的中部设有空腔6，下电极3至于空腔6内，下电极层3上设有与空腔6连通的通孔11。
方法二：
如图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13所示，本发明提供料一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，包括如下步骤：
S101)从单晶晶圆下表面注入高能量离子B，高能量离子B进入单晶晶圆内部形成损伤层701，将单晶晶圆分隔成上压电层801和单晶薄膜层201，得到损伤的单晶晶圆；
S102)在损伤的单晶晶圆的下表面生长下电极301，在下电极301表面涂覆光刻胶，采用图形化的掩膜版对光刻胶进行曝光，显影，刻蚀无覆盖光刻胶的下电极，在下电极上形成与单晶薄膜层连通的通孔110，去除光刻胶；在下电极3的下表面制备图形化的牺牲层901，在图形化的牺牲层901的下方制备键合层401，将衬底501贴合于键合层401上，进行键合处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层801，得到具有下电极的单晶薄膜；
S103)在具有下电极的单晶薄膜上表面制备上电极101，得到单晶薄膜体声波谐振器；
S104)在单晶薄膜体声波谐振器上表面开设与图形化的牺牲层连通的牺牲层释放孔120，释放牺牲层901，得到单晶薄膜空腔型体声波谐振器。
其中，图形化的牺牲层901的制备过程：在下电极表面上生长牺牲层；对牺牲层掩模刻蚀，制备得到图形化的牺牲层。
其中，下电极301的厚度为50nm-300nm；优选地，下电极的厚度为200nm-300nm。
其中，下电极301的材质包括铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)中任一。
其中，下电极301制备方法包括磁控溅射、电阻式蒸发或电子束沉积中任一
其中，上电极101的材质包括铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)中任一；
单晶薄膜层201材质包括石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、氮化铝、氧化锌、钛酸钡、磷酸二氢钾、铌镁酸铅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、碳化硅或金刚石中的一种；
牺牲层901材质包括非晶硅、聚酰亚胺(PI)、氧化硅(SiO2)、磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)中的至少一种；
键合层401材质为苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、硅倍半环氧乙烷(HSQ)、旋转涂布玻璃(SOG)、二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)中的至少一种；
衬底501的材质包括硅、绝缘层上硅、玻璃、石英、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓、砷化镓、金刚石中的一种。
其中，单晶薄膜层201的厚度为0.1μm-8μm；优选地，0.3μm-1.0μm或者1.0μm-1.8μm或者1.8μm-2.2μm或者2.2μm-8μm。
牺牲层901的厚度为50nm-6μm；优选地，50nm-300nm或者300nm-1000nm；或者1μm-6μm；
键合层401的厚度为0.1μm-10μm；优选地，0.1μm-0.3μm或者0.3μm-6μm或者6μm-10μm。
其中，键合固化温度为150℃-500℃，键合时间为10min-600min；晶圆劈裂处理温度为180℃-500℃；晶圆劈裂处理时间为10min-600min。。
其中，高能量离子包括氢离子(H+)、氦离子(He2+)、硼离子(B3+)或砷离子(As3+)中的至少一种；高能量离子的注入能量选用范围为150keV-1000keV；高能量离子的注入深度0.6μm-2.2μm。
本发明还包括一种空腔型体声波谐振器，基于如所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法制得。
空腔型体声波谐振器从上到下，依次包括上电极层101、单晶薄膜层201、下电极层301、键合层401和衬底，其中，键合层401中部设有空腔601；单晶薄膜层201上设有与601连通的通孔110。
单晶薄膜空腔型体声波谐振器设计原理：
通过在单晶薄膜层的下表面制备覆盖单晶薄膜层下表面的下电极，下电极不仅起到导电作用，而且可以作为隔离层，将键合层与单晶薄膜层分隔，可以防止键合层在键合固化过程中产生的气泡影响单晶薄膜层质量，进而保证制备得到的空腔型体声波谐振器的器件性能。
实施例一
采用方法一制备铌酸锂单晶薄膜空腔型体声波谐振器，包括如下步骤：
1)选用铌酸锂单晶晶圆，在铌酸锂单晶晶圆的下表面注入高能量的氦离子(He2+)，使得铌酸锂单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将铌酸锂单晶晶圆分隔成铌酸锂上压电层和铌酸锂单晶薄膜层；He2+的注入能量为200kev,注入深度0.6μm；
2)在铌酸锂单晶薄膜层的下表面涂敷光刻胶(瑞红AZ6212)，形成光刻胶层，采用图形化的掩膜版(材质为铬)对光刻胶进行曝光、显影，生长Pt下电极，采用丙酮清洗去除光刻胶，使得生长的Pt下电极表面形成与单晶薄膜层连通的通孔；Pt下电极的生长方式为电子束沉积生长下电极；制备的下电极的厚度为100nm；
3)在下电极表面上生长牺牲层；对牺牲层掩模刻蚀，制备得到图形化的牺牲层；牺牲层选用的材质为PI；牺牲层的厚度为100nm。
4)图形化的牺牲层上制备键合层，键合层选用苯并环丁烯(BCB)，旋涂的厚度为0.3μm；将Si衬底贴合于键合层上，进行键合固化及晶圆劈裂处理，剥离铌酸锂单晶薄膜层上端的铌酸锂上压电层，在铌酸锂单晶薄膜层的上表面制备上电极；旋涂BCB后，在100℃烘干30min；在加热炉中进行固化，固化温度为400℃；固化时间为2h；上电极可采用Pt；晶圆劈裂温度为250℃。
5)在铌酸锂单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，可以根据具体情况，采用氩离子干法刻蚀，在铌酸锂单晶薄膜层上设置多个牺牲层释放孔，从牺牲层释放孔注入氢氧化钾(KOH)，去除牺牲层，得到单晶薄膜空腔型体声波谐振器。
见表1，制备得到的铌酸锂单晶薄膜体的空腔型体声波谐振器无坍塌，电感的品质因数(Q)值大于3000，等效机电耦合系数大于15％。
实施例二
采用方法一制备钽酸锂单晶薄膜空腔型体声波谐振器，包括如下步骤：
1)选用钽酸锂单晶晶圆，在钽酸锂单晶晶圆的下表面注入高能量的氦离子(He2+)，使得钽酸锂单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将钽酸锂单晶晶圆分隔成钽酸锂上压电层和钽酸锂单晶薄膜层；He2+的注入能量为500kev,注入深度0.6μm；
2)在钽酸锂单晶薄膜层的下表面涂敷光刻胶(瑞红AZ6212)，形成光刻胶层，采用图形化的掩膜版(材质为铬)对光刻胶进行曝光、显影，生长Pt下电极，采用丙酮清洗去除光刻胶，使得生长的Pt下电极表面形成与单晶薄膜层连通的通孔；Pt下电极的生长方式为电子束沉积生长下电极；制备的下电极的厚度为100nm；
3)在下电极表面上生长牺牲层；对牺牲层掩模刻蚀，制备得到图形化的牺牲层；牺牲层选用的材质为PI；牺牲层的厚度为100nm；
4)图形化的牺牲层上制备键合层，键合层选用苯并环丁烯(BCB)，旋涂的厚度为0.3μm；将Si衬底贴合于键合层上，进行键合固化及晶圆劈裂处理，剥离钽酸锂单晶薄膜层上端的钽酸锂上压电层，在钽酸锂单晶薄膜层的上表面制备上电极；旋涂BCB后，在100℃烘干30min；在加热炉中进行固化，固化温度为400℃；固化时间为2h；上电极可采用Pt；晶圆劈裂温度为250℃；
5)在钽酸锂单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，可以根据具体情况，采用氩离子干法刻蚀，在钽酸锂单晶薄膜层上设置多个牺牲层释放孔，从牺牲层释放孔注入氢氧化钾(KOH)，去除牺牲层，得到单晶薄膜空腔型体声波谐振器。
制备得到的钽酸锂单晶薄膜体的空腔型体声波谐振器无坍塌，电感的品质因数(Q)值大于3000，等效机电耦合系数大于15％。
见表1，制备得到的钽酸锂单晶薄膜的空腔型体声波谐振器无坍塌，Q值大于3000，等效机电耦合系数大于10％。
实施例三
采用方法二制备铌酸锂单晶薄膜空腔型体声波谐振器，包括如下步骤
1)选用铌酸锂单晶晶圆，在铌酸锂单晶晶圆的下表面注入高能量的氦离子(He2+)，使得铌酸锂单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将铌酸锂单晶晶圆分隔成铌酸锂上压电层和铌酸锂单晶薄膜层；He2+的注入能量为200kev,注入深度0.6μm；
2)在铌酸锂单晶薄膜层的下表面生长下电极，在下电极表面涂覆光刻胶，采用图形化的掩膜版对光刻胶进行曝光，显影，刻蚀无覆盖光刻胶的Pt下电极，在Pt下电极上形成与单晶薄膜层连通的通孔，采用丙酮清洗去除光刻胶；下电极的生长方方式为电子束沉积生长下电极；制备的下电极的厚度为100nm。
3)在下电极表面上生长牺牲层；对牺牲层掩模刻蚀，制备得到图形化的牺牲层；牺牲层材质为PI；牺牲层的厚度为100nm。
4)图形化的牺牲层上制备键合层，键合层选用苯并环丁烯(BCB)；旋涂的厚度为0.3μm；将衬底贴合于键合层上，单晶晶圆劈裂，剥离铌酸锂单晶薄膜层上端的铌酸锂上压电层，在铌酸锂单晶薄膜层的上表面制备Pt上电极；其中在衬底上制备键合层，再将衬底与键合层贴合，单晶晶圆劈裂处理；本实施例中的衬底选用硅(Si)衬底；旋涂BCB后，在100℃烘干30min；在加热炉中进行固化，固化温度为400℃；固化时间为2h；晶圆劈裂温度为250℃。
5)在铌酸锂单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，可以根据具体情况，采用氩离子干法刻蚀，在铌酸锂单晶薄膜层上设置多个牺牲层释放孔，从牺牲层释放孔注入氢氧化钾(KOH)，去除牺牲层，得到单晶薄膜空腔型体声波谐振器。
见表1，制备得到的空腔型体声波谐振器无坍塌，品质因数值(Q值)大于3000，等效机电耦合系数大于15％。
表1单晶薄膜空腔型体声波谐振器物理性能
| Q值 | 等效机电耦合系数 | |
| 现有的声波谐振器 | 200-300 | 小于10％ |
| 实施例一 | ＞3000 | ＞15％ |
| 实施例二 | ＞3000 | ＞10％ |
| 实施例三 | ＞3000 | ＞15％ |
由技术常识可知，本发明可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本发明范围内或在等同于本发明的范围内的改变均被本发明包含。
Claims (10)
1.一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
从单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入单晶晶圆内部形成损伤层，将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的单晶晶圆；
在损伤的单晶晶圆的下表面依次制备覆盖损伤的单晶晶圆的下表面的下电极，且在下电极的表面设置与单晶薄膜层连通的图形化的通孔；在下电极的表面制备图形化的牺牲层，在图形化的牺牲层表面制备键合层，将衬底贴合于键合层上，进行键合处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，得到具有下电极的单晶薄膜；
在具有下电极的单晶薄膜上表面制备上电极，得到单晶薄膜体声波谐振器；
在单晶薄膜体声波谐振器上表面开设与图形化的牺牲层连通的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到单晶薄膜空腔型体声波谐振器。
2.根据权利要求1所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：下电极制备过程包括如下步骤：在损伤的单晶晶圆的下表面涂敷光刻胶，形成光刻胶层，采用图形化的掩膜版对光刻胶进行曝光，然后采用显影液显影，得到图形化的光刻胶掩膜；在具有光刻胶掩膜的单晶薄膜表面生长下电极，去除光刻胶，制得下电极，且下电极表面形成与单晶薄膜层连通的通孔；或者在损伤的单晶晶圆的下表面生长下电极，在下电极表面涂覆光刻胶，采用图形化的掩膜版对光刻胶进行曝光，然后采用显影液显影，得到图形化的光刻胶掩膜；在具有光刻胶掩膜的单晶薄膜表面刻蚀下电极，在下电极上形成与单晶薄膜层连通的通孔，去除光刻胶。
3.根据权利要求2所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：图形化的牺牲层的制备步骤：在下电极表面上生长牺牲层，在牺牲层表面涂覆光刻胶，采用图形化的掩膜版对光刻胶进行曝光，然后采用显影液显影，得到图形化的光刻胶掩模；对表面具有图形化光刻胶掩模的牺牲层进行刻蚀，然后去除光刻胶，获得图形化的牺牲层。
4.根据权利要求1-3中任一所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：下电极的厚度为50nm-400nm。
5.根据权利要求4所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：下电极的材质包括铝（Al）、钼（Mo）、铂（Pt）、金（Au）、钨（W）中任一。
6.根据权利要求5所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：下电极制备方法包括磁控溅射、电阻式蒸发或电子束沉积中任一。
7.根据权利要求6所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：
上电极的材质包括铝（Al）、钼（Mo）、铂（Pt）、金（Au）、钨（W）中任一；
单晶薄膜层材质包括石英、铌酸锂（LN）、钽酸锂（LT）、氮化铝、氧化锌、钛酸钡、磷酸二氢钾、铌镁酸铅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、碳化硅或金刚石中的一种；
牺牲层材质包括非晶硅、聚酰亚胺（PI）、二 氧化硅（SiO2）、磷硅玻璃（PSG）或硼磷硅玻璃（BPSG）中的至少一种；
键合层材质为苯并环丁烯（BCB）、聚酰亚胺（PI）、硅倍半环氧乙烷（HSQ）、旋转涂布玻璃（SOG）、二氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）中的至少一种；
衬底的材质包括硅、绝缘层上硅、玻璃、石英、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓、砷化镓、金刚石中的一种。
8.根据权利要求7所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：
单晶薄膜层的厚度为0.1μm-8μm;牺牲层的厚度为0.050 μm -6μm；键合层的厚度为0.1μm -10μm。
9.根据权利要求8所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：键合固化温度为150℃-500℃，键合时间为10min-600min；晶圆劈裂处理温度为180℃-500℃；晶圆劈裂处理时间为10min-600min。
10.一种空腔型体声波谐振器，其特征在于：基于如权利要求1-9中任一所述的单晶薄膜体声波谐振器的制备方法制得。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910187255.6A CN110011632B (zh) | 2019-03-13 | 2019-03-13 | 单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910187255.6A CN110011632B (zh) | 2019-03-13 | 2019-03-13 | 单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110011632A CN110011632A (zh) | 2019-07-12 |
| CN110011632B true CN110011632B (zh) | 2022-05-03 |
Family
ID=67166933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910187255.6A Active CN110011632B (zh) | 2019-03-13 | 2019-03-13 | 单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110011632B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110365306A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-10-22 | 迈感微电子(上海)有限公司 | 薄膜体声波谐振器、滤波器及薄膜体声波谐振器制备方法 |
| CN114128140A (zh) * | 2019-09-05 | 2022-03-01 | 常州承芯半导体有限公司 | 一种体声波谐振装置的形成方法 |
| WO2021109090A1 (zh) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 谐振器的制备方法和谐振器 |
| CN111584644B (zh) * | 2020-04-23 | 2022-03-29 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于红外焦平面器件的铁电单晶薄膜制备方法 |
| CN111682101B (zh) * | 2020-05-20 | 2022-03-29 | 华南理工大学 | 一种柔性fbar滤波器的制造方法 |
| CN111884616B (zh) * | 2020-07-23 | 2021-04-13 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种衬底基板/压电材料薄膜结构及其制备方法和应用 |
| CN112259676B (zh) * | 2020-10-19 | 2022-11-01 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件 |
| CN112532195B (zh) * | 2020-12-02 | 2021-11-12 | 海宁波恩斯坦生物科技有限公司 | 一种无源空腔型单晶薄膜体声波谐振器结构及制备方法 |
| CN114301406B (zh) * | 2021-12-29 | 2024-04-02 | 苏州达波新材科技有限公司 | 空腔型压电单晶体声波谐振器及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005178363A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法、および基材の作製方法 |
| JP2007073878A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉウエーハおよびｓｏｉウエーハの製造方法 |
| CN101465628A (zh) * | 2009-01-15 | 2009-06-24 | 电子科技大学 | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN107508569A (zh) * | 2017-08-07 | 2017-12-22 | 电子科技大学 | 一种薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN109309483A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-02-05 | 华南理工大学 | 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
-
2019
- 2019-03-13 CN CN201910187255.6A patent/CN110011632B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005178363A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法、および基材の作製方法 |
| JP2007073878A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉウエーハおよびｓｏｉウエーハの製造方法 |
| CN101465628A (zh) * | 2009-01-15 | 2009-06-24 | 电子科技大学 | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN107508569A (zh) * | 2017-08-07 | 2017-12-22 | 电子科技大学 | 一种薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN109309483A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-02-05 | 华南理工大学 | 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110011632A (zh) | 2019-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110011632B (zh) | 单晶薄膜体声波谐振器的制备方法及体声波谐振器 | |
| CN109981069B (zh) | 具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器 | |
| CN109995341B (zh) | 具有下电极保护层的空腔型体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN110212882B (zh) | 空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器 | |
| USRE49365E1 (en) | Structure for radio-frequency applications | |
| CN105680813B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
| CN109981070B (zh) | 一种无需制备牺牲层的空腔型体声波谐振器及其制备方法 | |
| US9197185B2 (en) | Resonator device including electrodes with buried temperature compensating layers | |
| US9479139B2 (en) | Resonator device including electrode with buried temperature compensating layer | |
| US9608192B2 (en) | Temperature compensated acoustic resonator device | |
| CN106899275B (zh) | 声波谐振器及其制造方法 | |
| CN110011631B (zh) | 具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器及其制备方法 | |
| US7109826B2 (en) | Tapered electrode in an acoustic resonator | |
| CN109913954B (zh) | 具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器 | |
| US10587241B2 (en) | Temperature compensated acoustic resonator device having thin seed interlayer | |
| JP2000069594A (ja) | 音響共振器とその製作方法 | |
| CN109995340B (zh) | 一种空腔型体声波谐振器及其制备方法 | |
| KR101856797B1 (ko) | 압전물질 주입에 대한 방법 | |
| US20140292150A1 (en) | Temperature compensated acoustic resonator device having an interlayer | |
| CN101908865A (zh) | 体波谐振器及其加工方法 | |
| AU4884000A (en) | Thin film resonator apparatus and method of making same | |
| US20110132866A1 (en) | Method for Producing a Bulk Wave Acoustic Resonator of FBAR Type | |
| WO2021135022A1 (zh) | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 | |
| DE102014105951A1 (de) | Akustischer Resonator mit einer Planarisierungsschicht und ein Verfahren zum Herstellen desselben | |
| CN111654258B (zh) | 薄膜体声波谐振器制作方法、薄膜体声波谐振器及滤波器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |