JP2012089522A - 有機ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】２枚の貼り合わせ基板を容易に分離できるようにする。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置を構成するための有機ＥＬ素子を形成する工程において、転写層を備えた転写用基板と有機ＥＬ素子の素子形成用基板とを貼り合わせ、レーザー熱転写法によって転写用基板上の転写層素子形成基板上に転写した後、転写用基板と素子形成用基板とを分離するために用いられる有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、転写用基板と素子形成用基板とを貼り合わせる場合に、少なくとも一方の一部が他方の端部からはみ出すように貼り合わせる。
【選択図】 図６

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造装置及び製造方法に関し、特に、レーザー熱転写法を用いて転写層を基板に転写する場合に適用される有機ＥＬ表示装置の製造装置及び製造方法に関する。

近年、薄型表示装置の一つとして、有機電界発光素子である有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は、バックライトが不要な自発光型の表示装置であるため、視野角が広い、消費電力が少ないなどの利点を有している。

一般に、有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ素子は、有機材料からなる有機層を上下から電極（陽極及び陰極）で挟み込んだ構造になっている。そして、陽極に正の電圧、陰極に負の電圧をそれぞれ印加することにより、有機層に対して、陽極から正孔を注入するとともに、陰極から電子を注入することにより、有機層で正孔と電子が再結合して発光する仕組みになっている。

一般に、有機ＥＬ素子の有機層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを含む複数の機能層によって構成されている。各々の機能層を形成する有機材料は、耐水性が低くてウェットプロセスを利用できない。このため、有機層の形成プロセスには真空蒸着法が採用されている。また、カラー化への対応として、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の発光色に対応する３種類の有機材料を用いて、ＲＧＢの発光層を形成している。

上記ＲＧＢの発光層は、有機ＥＬ素子の形成に用いられる基板（以下、「素子形成用基板」と記す）上に所定の色配列で形成される。このため、素子形成用基板に対しては、ＲＧＢの発光層を画素ごとに塗り分けるようにパターニングする必要があり、このパターニング方法の一つとしてレーザー熱転写法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

レーザー熱転写法は、転写層を備えた転写ドナーと被転写基板とを貼り合わせた状態で、転写ドナーの裏面側からレーザー光を照射することにより、光熱変換層でレーザー光を吸収して熱エネルギーに変換し、この熱エネルギーを利用して転写層の一部（レーザー光が照射された部分）を選択的に被転写基板に転写する方法である。

上記レーザー熱転写法によって素子形成用基板に発光層を形成する場合は、レーザー光の照射によって発光層を素子形成用基板に転写した後に、転写ドナーと素子形成用基板を分離する必要がある。

特開２００２−１１０３５０号公報

しかしながら、転写ドナーと素子形成用基板とは、例えば、両者の間を真空に保持した状態で貼り合わせられているため、剥離帯電などの影響もあって分離が困難であった。特に、転写ドナーの基材としてガラス基板を用いた場合は、基板自身の撓みが生じるため、ますます困難なものとなっていた。こうした課題は、基板が大型になるほど、顕著になる。

本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造装置は、転写用基板に形成された転写層を有機ＥＬ素子の素子形成用基板にレーザー熱転写法によって転写した後、前記転写用基板と前記素子形成用基板とを分離する場合に用いられる有機ＥＬ表示装置の製造装置であって、前記転写用基板および前記素子形成用基板を保持した基板保持部と、前記転写用基板または前記素子形成用基板に吸着すべく列状に配置された吸着パッド列を所定の方向に複数並べて設けるとともに、基板保持部に対して複数の吸着パッド列を独立に接離移動可能に支持する複数の駆動手段を有する基板吸着ユニットとを備え、前記転写用基板または前記素子形成用基板に複数の吸着パッド列を吸着させた状態で、複数の駆動手段により複数の吸着パッド列を基板保持部から離間する方向に順に移動させることにより、転写用基板と素子形成用基板とを分離するものである。

この有機ＥＬ表示装置の製造装置においては、一方の基板に複数の吸着パッド列を吸着させた状態で、複数の駆動手段により複数の吸着パッド列を基板保持部から離間する方向に順に移動させる。基板分離の誘因となる動作と、基板分離を伝播する動作の組み合わせによって、２枚の基板が分離される。

また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、転写用基板に形成された転写層を有機ＥＬ素子の素子形成用基板にレーザー熱転写法によって転写した後、前記転写用基板と前記素子形成用基板とを分離するために用いられる有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記転写用基板と前記素子形成用基板とを貼り合わせる場合に、少なくとも一方の一部が他方の端部からはみ出すように貼り合わせるものである。

この有機ＥＬ表示装置の製造方法においては、２枚の基板を貼り合わせる場合に、少なくとも一方の基板の一部が他方の基板の端部からはみ出すように貼り合わせることで、一方の基板にはみ出し部が確保される。このため、２枚の基板を分離する場合は、一方の基板のはみ出し部を利用して、２枚の基板を剥離させることが可能となる。

本発明によれば、有機ＥＬ表示装置の製造工程に含まれる転写工程で、レーザー熱転写法により転写用基板から素子形成用基板に転写層を転写した後に、２枚の基板（素子形成用基板、転写用基板）を容易に分離することができる。

本発明で製造対象とする有機ＥＬ表示装置の構成例を示す断面図である。 有機ＥＬ素子の構成例を示す断面図である。 有機ＥＬ素子の画素の色配列を示す図である。 有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す図である。 転写用基板の構成と作製手順を説明するための図である。 有機ＥＬ表示装置の製造装置の構成例を示す斜視図である。 図６の一部を拡大した図である。 製造装置の動作を説明する図（その１）である。 製造装置の動作を説明する図（その２）である。 製造装置の動作を説明する図（その３）である。 製造装置の動作を説明する図（その４）である。 製造装置の動作を説明する図（その５）である。 基板突き上げ機構を備えた製造装置の構成と動作を説明する図である。 基板の分離を誘因する動作例を示す図（その１）である。 基板の分離を誘因する動作例を示す図（その２）である。 基板貼り合わせ装置の構成例を示す平面図である。 同一サイズの基板同士の貼り合わせ状態を示す図である。 異なるサイズの基板同士の貼り合わせ状態を示す図（その１）である。 異なるサイズの基板同士の貼り合わせ状態を示す図（その２）である。 基板の分離を誘因する動作例を示す図（その３）である。 基板の分離を伝播する動作例を示す図である。

以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。

＜有機ＥＬ表示装置の構成＞
図１は本発明で製造対象とする有機ＥＬ表示装置の構成例を示す断面図である。図示した有機ＥＬ表示装置１は複数の有機ＥＬ素子２を用いて構成されるものである。有機ＥＬ素子２は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の発光色の違いで単位画素ごとに区分されている。ただし、図１では、そのうちの１つだけを示している。

有機ＥＬ素子２は、素子形成用基板３上に形成される。素子形成用基板３上には、図示しないスイッチング素子（例えば、薄膜トランジスタ）とともに、下部電極４、絶縁層５、有機層６及び上部電極７が順に積層されている。さらに、上部電極７は保護層８によって覆われ、この保護層８の上に接着層９を介して対向基板１０が配置されている。

素子形成用基板３と対向基板１０は、例えば、ガラス基板によって構成されるものである。素子形成用基板３と対向基板１０は、それらの間に、下部電極４、絶縁層５、有機層６、上部電極７、保護層８、接着層９を挟み込むかたちで、互いに対向する状態に配置されている。

下部電極４及び上部電極７は、一方がアノード電極となり、他方がカソード電極となる。下部電極４は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合には高反射性材料で構成され、有機ＥＬ表示装置１が透過型である場合は透明材料で構成される。

ここでは、一例として、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型で、下部電極４がアノード電極である場合を想定している。この場合、下部電極４は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ)、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）さらには金（Ａｕ）のように、反射率の高い導電性材料、又はその合金で構成される。

なお、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型で、下部電極４がカソード電極である場合は、下部電極４は、アルミニウム（Ａｌ）,インジウム（Ｉｎ）,マグネシウム（Ｍｇ）−銀(Ａｇ)合金,リチウム(Ｌｉ)−フッ素(Ｆ)化合物、リチウム-酸素（Ｏ）化合物のように、仕事関数が小さく、かつ、光反射率の高い導電性材料で構成される。

また、有機ＥＬ表示装置１が透過型で、下部電極４がアノード電極である場合は、ＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ)やＩＺＯ（Ｉｎｉｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）のように、透過率の高い導電性材料で下部電極４を構成する。また、有機ＥＬ表示装置１が透過型で、下部電極４がカソード電極である場合は、仕事関数が小さく、かつ、光透過率の高い導電性材料で下部電極４を構成する。

絶縁層５は、下部電極４の周辺部を覆う状態で素子形成用基板３の上面に形成されている。絶縁層５には単位画素ごとに窓が形成されており、この窓の開口部分で下部電極４が露出している。絶縁層５は、例えばポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や、酸化シリコンのような無機絶縁材料を用いて形成されるものである。

有機層６は、例えば図２に示すように、素子形成用基板３側から順に、正孔注入層６１、正孔輸送層６２、発光層６３及び電子輸送層６４を積層した４層の積層構造を有するものである。

正孔注入層６１は、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ〔4,4,4 -tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine〕によって形成されるものである。正孔輸送層６２は、例えば、α−ＮＰＤ[4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl]によって形成されるものである。なお、材料はこれに限定されず、例えばベンジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体などの正孔輸送材料を用いることができる。また、正孔注入層６１及び正孔輸送層６２は、それぞれ複数層からなる積層構造であってもよい。

発光層６３は、ＲＧＢの色成分ごとに異なる有機発光材料によって形成されるものである。具体的には、赤色発光層６３ｒは、例えば、ホスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料として２，６≡ビス［（４’≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成される。緑色発光層６３ｇは、例えば、ホスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料としてクマリン６を５重量％混合したものにより構成される。青色発光層６３ｂは、例えば、ゲスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料として４，４’≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成される。各色の発光層６３ｒ，６３ｇ，６３ｂは、例えば図３に示す画素の色配列に応じてマトリクス状に配置される。

電子輸送層６４は、例えば、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）によって形成されるものである。

上部電極７は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合は、透明又は半透明の導電性材料で構成され、有機ＥＬ表示装置１が透過型である場合は、高反射性材料で構成される。

以上の素子形成用基板３、下部電極４、絶縁層５、有機層６、上部電極７により、有機ＥＬ素子２（赤色有機ＥＬ素子２ｒ、緑色有機ＥＬ素子２ｇ、青色有機ＥＬ素子２ｂ）が構成されている。

保護層８は、有機層６への水分の到達を防止するなどの目的で形成されるものである。このため、保護層８は、透水性及び吸水性の低い材料を用いて十分な膜厚で形成される。また、保護層８は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合には、有機層６で発光させた光を透過させる必要があるため、例えば８０％程度の光透過率を有する材料で構成される。

また、上部電極７を金属薄膜で形成し、この金属薄膜を直接、絶縁性の保護層８を形成するものとすると、保護層８の形成材料として、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）、さらにはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等を好適に用いることができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護層８となる。

接着層９は、例えばＵＶ（紫外線）硬化型樹脂によって形成されるものである。接着層９は、対向基板１０を固着させるためのものである。

なお、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機ＥＬ表示装置１にカラーフィルタを組み合わせて設ける場合には、ＲＧＢの各色に対応する有機ＥＬ素子２ｒ，２ｇ，２ｂから発せられる発光のスペクトルのピーク波長近傍の光のみを透過するカラーフィルタを、各色の有機ＥＬ素子２ｒ，２ｇ，２ｂの光取り出し面側に設けることとする。

＜有機ＥＬ表示装置の製造フロー＞
上記有機ＥＬ表示装置は、大きくは、図４に示すように、「転写用基板（転写ドナー）の作製工程：Ｓ１」と、「素子形成用基板の第１成膜工程：Ｓ２」と、「転写工程：Ｓ３」と、「素子形成用基板の第２成膜工程：Ｓ４」と、「封止工程：Ｓ５」とを経て製造されるものである。ここでは、各々の単位画素に共通の有機層となる正孔注入層６１、正孔輸送層６２及び電子輸送層６４をそれぞれ素子形成用基板３にベタに成膜し、単位画素ごとに区分される発光層６３（６３ｒ，６３ｇ，６３ｂ）をレーザー熱転写法で塗る分ける構成の有機ＥＬ表示装置１の製造フローについて説明する。

（転写用基板の作製工程：Ｓ１）
まず、図５に示すように、転写用基板１３の表面に、光吸収性の金属層からなる光吸収層１４を形成する。転写用基板１３は、例えば、透明なガラス基板からなり、可撓性のシートであっても良い。ここでは、後述する「転写工程」で素子形成用基板３に貼り合わせられる面を転写用基板１３の表面とし、その反対側（裏側）の面を転写用基板１３の裏面と定義する。光吸収層１４は、転写用基板１３上に形成された転写層をレーザー転写方式で素子形成用基板３に転写するにあたって、光源から照射されるレーザー光を吸収して熱エネルギーに変換する光熱変換層となる。光吸収層１４は、例えば、スパッタリング法によってクロムを２００ｎｍ（ナノメートル）の膜厚で形成する。光吸収層１４はモリブデンで形成してもよい。

次に、光吸収層１４を形成済みの転写用基板１３を真空蒸着装置に導入し、この真空蒸着装置を用いて転写用基板１３に、転写層となる発光層１５を形成する。発光層１５は、光吸収層１４を覆うようにベタ（広い板状）に成膜する。この発光層１５は、最終的に素子形成用基板３上に形成される発光層６３の元になる薄膜層である。発光層１５の厚さは、例えば３０ｎｍとする。このようにして、転写用基板１３に少なくとも光熱変換層および転写層を形成することで、転写ドナーを作製する。

素子形成用基板３上に赤色発光層６３ｒ、緑色発光層６３ｇ及び青色発光層６３ｂを形成する場合は、少なくとも３枚の転写用基板１３を用いて、各色の発光層６３ｒ，６３ｇ，６３ｂを別々に形成する。

（素子形成用基板の第１成膜工程：Ｓ２）
ガラス基板などからなる素子形成用基板３上に導電性材料の成膜により下部電極４を形成するとともに、単位画素の配列に合わせて下部電極４をパターニングする。下部電極４の厚さは、例えば１００〜２００ｎｍとする。

次に、上記の下部電極４を覆う状態で素子形成用基板３上に例えば酸化シリコンをスパッタリング法により成膜することにより絶縁層５を形成するとともに、この絶縁層５をリスグラフィ法によって開口させることにより、単位画素領域で下部電極４の表面を露出させる。絶縁層５の厚みは、例えば２μｍとする。

次に、上記の絶縁層５とその開口部分で露出する下部電極４を覆う状態で素子形成用基板３上に例えばｍ−ＭＴＤＡＴＡを蒸着することにより正孔注入層６１を形成する。正孔注入層６１の厚さは、例えば２５ｎｍとする。

次に、上記の正孔注入層６１を覆う状態で素子形成用基板３上に例えばα−ＮＰＤを蒸着することにより正孔輸送層６２を形成する。正孔輸送層６２の厚さは、例えば３０ｎｍとする。なお、ここでは図示を省略するが、正孔輸送層６２の上に発光層６３と同じ組成の材料を蒸着することにより発光補助層を形成してもよい。

（転写工程：Ｓ３）
「転写用基板の作製工程：Ｓ１」で得られた転写用基板１３と、「素子形成用基板の第１成膜工程：Ｓ２」で得られた素子形成用基板３とを、有機層同士（発光層１５と正孔輸送層６２）が向かい合うかたちで密着状態に配置することにより、素子形成用基板３と転写用基板１３を貼り合わせる。こうした基板の貼り合わせは、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気で行なうことが好ましい。

また、素子形成用基板３と転写用基板１３を貼り合わせた後、それらの基板間を真空引きすることにより、基板同士を確実に密着させることができる。ただし、素子形成用基板３上においては、絶縁層５が正孔注入層６１や正孔輸送層６２よりも十分に厚く形成されているため、各々の単位画素部分には、絶縁層５の厚さ相当（約２μｍ）の隙間が確保される。

次に、転写用基板１３の裏面側から例えば波長８００ｎｍの赤外レーザー光を照射して光吸収層１４に吸収させ、そこで変換された熱エネルギーを利用して、発光層１５の一部を転写用基板１３から素子形成用基板３に選択的に転写する。このとき、素子形成用基板３に転写される発光層１５の転写パターンは、転写用基板１３の基板面内におけるレーザー光の照射位置に依存したものとなる。これにより、素子形成用基板３上の単位画素部分に発光層６３が形成される。こうして発光層１５を転写した後は、素子形成用基板３と転写用基板１３を分離する。基板の分離方法については後段で詳しく説明する。

通常、１枚の転写用基板には１色分の発光層１５しか形成されていないため、素子形成用基板３上にＲＧＢの発光層６３ｒ，６３ｇ，６３ｂを形成する場合は、それらの３色について上記同様の作業を繰り返すことになる。

（素子形成用基板の第２成膜工程：Ｓ４）
まず、上記の「転写工程：Ｓ３」で得られた素子形成用基板３を用いて、正孔輸送層６２及び発光層６３を覆う状態で素子形成用基板３上に電子輸送層６４を形成する。電子輸送層６４は、例えば、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）を真空蒸着法により表示領域の全域にベタで成膜することにより形成する。ここで記述する表示領域とは、複数の単位画素がマトリクス状に配列される矩形の領域をいう。電子輸送層６４の厚さは、例えば２０ｎｍとする。

次に、上記の電子輸送層６４を覆う状態で素子形成用基板３上に上部電極７を形成する。上部電極７は、例えば、ＬｉＦを真空蒸着法により約０．３ｎｍ（蒸着速度〜０．０１ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で形成し、次いで、Ｍｇ-Ａｇ合金を真空蒸着法により１０ｎｍの膜厚で形成することにより、２層の導電層として形成する。

（封止工程：Ｓ５）
まず、上記の「素子形成用基板の第２成膜工程：Ｓ４」で得られた素子形成用基板３を用いて、上部電極７を覆う状態で素子形成用基板３上に保護層８を形成する。保護層８は、上部電極７の上に絶縁性材料又は導電性材料を成膜することにより形成する。その際、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法によって保護層８を形成するとよい。

保護層８を導電性材料で形成する場合には、ＩＴＯやＩＸＯのような透明導電性材料を用いる。また、例えば、アモルファス窒化シリコンで保護層８を形成する場合は、ＣＶＤ法によって２〜３μｍの膜厚に形成する。ただし、その場合は有機層６の劣化による輝度の低下を防止するため成膜温度を常温に設定し、さらに、保護層８の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。また、保護層８の形成は、上部電極７を大気に暴露することなく、上部電極７の形成と同一の薄膜形成装置内で連続して行なうことが望ましい。これにより、大気による有機層６の劣化を防止することができる。

次に、上記の保護層８を覆う状態で素子形成用基板３上に接着層９を形成する。接着層９は、例えば、保護層８の上にスピンコート法によってＵＶ硬化型樹脂を塗布することにより、絶縁層５の開口による段差を平坦化するかたちで形成する。

次に、素子形成用基板３上に接着層９を介して対向基板１０を固着し、有機ＥＬ表示装置１を完成させる。有機ＥＬ表示装置１が上面発光型で、これにカラーフィルタを組み合わせる場合は、予め対向基板１０にカラーフィルタを形成しておく。

図６は上記転写工程Ｓ３で素子形成用基板３と転写用基板１３を分離する際に用いられる有機ＥＬ表示装置の製造装置（基板分離装置）の構成例を示す斜視図である。図示した有機ＥＬ表示装置の製造装置２１は、一方を転写用基板１３としかつ他方を素子形成用基板３とする２枚の基板を大気圧中で分離する場合に用いられるものである。有機ＥＬ表示装置の製造装置２１は、大きくは、全体的に長方形に形成された本体フレーム２２と、この本体フレーム２２に固定された基板保持部２３と、本体フレーム２２に沿って移動する基板吸着ユニット２４と、基板収納カセット２５とを備えた構成となっている。

本体フレーム２２の外枠部分は平面視長方形に形成されている。基板保持部２３は本体フレーム２２の長手方向の一方側に設けられ、基板収納カセット２５は本体フレーム２２の長手方向の他方側に設けられている。また、本体フレーム２２の長手方向では、所定の距離を隔てて基板保持部２３と基板収納カセット２５が配置されている。

基板保持部２３は、本体フレーム２２の枠内に長方形に区画されている。基板保持部２３の長手方向は本体フレーム２２の短手方向に一致し、基板保持部２３の短手方向は本体フレーム２２の長手方向に一致している。基板保持部２３は、複数の吸着パッド２６を用いて構成されている。

吸着パッド２６はパッド支持部材２７の上面に２つずつ取り付けられている。パッド支持部材２７は平面視長方形の板状に形成されている。吸着パッド２６は、パッド支持部材２７の長手方向の両端部に配置されている。パッド支持部材２７は、当該パッド支持部材２７の長手方向が本体フレーム２２の短手方向に一致する向きで配置されている。また、パッド支持部材２７は、基板保持部２３を区画する長方形の枠内に複数設けられている。具体的には、パッド支持部材２７は、本体フレーム２２の短手方向に４つと、本体フレーム２２の長手方向に３つの、４×３の配列で合計１２個設けられている。

基板吸着ユニット２４は、本体フレーム２２の長手方向において、基板保持部２３と基板収納カセット２５との間を往復移動可能に設けられている。基板吸着ユニット２４は複数（図例では５つ）の吸着ヘッド３０を有している。各々の吸着ヘッド３０は共通の架台３１に取り付けられている。架台３１は平面視長方形に形成されている。また、架台３１は本体フレーム２２の長手方向から見て門型に形成されている。架台３１の下端部には４つの車輪３２が設けられ、各々の車輪３２が回転することで架台３１が本体フレーム２２の長手方向に移動する構成となっている。

吸着ヘッド３０は、支持板３３、昇降用シリンダ３４、一対のガイドブッシュ３５、パッド取り付けベース３６及び複数の吸着パッド３７を用いて構成されている。支持板３３は、架台３１の短手方向に掛け渡すかたちで、架台３１の上部に固定されている。支持板３３は平面視長方形の板状に形成されている。支持板３３には昇降用シリンダ３４と一対のガイドブッシュ３５が取り付けられている。昇降用シリンダ３４は、支持板３３の長手方向の中央部に配置されている。一対のガイドブッシュ３５は、支持板３３の長手方向で昇降用シリンダ３４を挟み込むように昇降用シリンダ３４の両側に配置されている。

パッド取り付けベース３６は、支持板３３と対向する向きで、支持板３３の下方に配置されている。パッド取り付けベース３６は、平面視長方形の板状に形成されるとともに、本体フレーム２２の短手方向（基板吸着ユニット２４の長手方向）に所定の間隔で並べて配置されている。パッド取り付けベース３６は、上述した昇降用シリンダ３４と一対のガイドブッシュ３５によって昇降可能に支持されている。昇降用シリンダ３４は、パッド取り付けベース３６を昇降動作させるアクチュエータ（駆動手段）となり、一対のガイドブッシュ３５は、パッド取り付けベース３６の昇降移動を案内する部材となる。昇降用シリンダ３４は一つの吸着ヘッド３０に一つずつ設けられている。このため、複数の吸着ヘッド３０は互いに独立して駆動可能となっている。

複数の吸着パッド３７は、パッド取り付けベース３６の長手方向に沿って当該パッド取り付けベース３６の下面に列状（一列）に配置され、これら複数の吸着パッド３７によって吸着パッド列が構成されている。この吸着パッド列は、一つのパッド取り付けベース３６につき１つ（１列）ずつ設けられている。このため、吸着パッド列は、パッド取り付けベース３６と同様に、本体フレーム２２の短手方向に複数並べて設けられている。この場合、１つの吸着ヘッド３０（パッド取り付けベース３６）に設けられる複数の吸着パッド３７の配列方向と、基板吸着ユニット２４に設けられる複数の吸着パッド列の並び方向は、互いに約９０度異なる方向となる。すなわち、吸着パッド３７の配列方向は、本体フレーム２２の長手方向に一致し、吸着パッド列の並び方向は、本体フレーム２２の短手方向に一致している。また、吸着パッド列を構成する各々の吸着パッド３７は、分離時の基板の傾斜角に追従できるように、例えば首振り可能なパッド又はベロウ状のパッドを用いて構成されている。

ここで、上記複数の吸着ヘッド３０に設けられた吸着パッド列のうち、本体フレーム２２の短手方向において、一方端に配置された吸着パッド列の吸着力は、他の吸着パッド列の吸着力よりも大きく設定されている。具体的には、例えば図６及び図７に示すように、本体フレーム２２の短手方向の一端から他端に向かって各々の吸着ヘッド３０に識別番号Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５（図７ではＮｏ．４及びＮｏ．５の吸着ヘッド３０の表示を省略）を付し、最も端に配置されたＮｏ．１の吸着ヘッド３０が基板短辺部の近傍を複数の吸着パッド３７で吸着するものとすると、Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０には第１の間隔で８個の吸着パッド３７を配列し、それ以外のＮｏ．２〜Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０には、それぞれ上記第１の間隔よりも広い第２の間隔で６個の吸着パッド３７を配列する。

また、Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０には、第１のパッド径（例えば、φ＝２０ｍｍ）を有する吸着パッド３７を用い、それ以外のＮｏ．２〜Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０には、それぞれ上記第１のパッド径よりも小さい第２のパッド径（例えば、φ＝１６ｍｍ）を有する吸着パッド３７を用いる。これにより、Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０に設けられた吸着パッド列の吸着力は、それ以外のＮｏ．２〜Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０に設けられた吸着パッド列の吸着力よりも大きくなる。

また、上記複数の吸着ヘッド３０のうち、本体フレーム２２の短手方向において、一方端に配置された吸着パッド列を昇降させる昇降用シリンダ３４の駆動力は、他の吸着パッド列を昇降させる昇降用シリンダ３４の駆動力よりも大きく設定されている。具体的には、Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０には第１のシリンダボア径（例えば、φ＝３０ｍｍ）を有する昇降用シリンダ３４を用い、それ以外のＮｏ．２〜Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０には、それぞれ上記第１のシリンダボア径よりも小さい第２のシリンダボア径（例えば、φ＝２５ｍｍ）を有する昇降用シリンダ３４を用いる。これにより、同圧のエアー供給を行った場合、Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０に設けられた昇降用シリンダ３４の駆動力は、それ以外のＮｏ．２〜Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０に設けられた昇降用シリンダ３４の駆動力よりも大きくなる。

上記構成からなる有機ＥＬ表示装置の製造装置２１を用いて２枚の基板を分離する場合は、当該基板の分離を以下の手順にしたがって行なう。まず、図８に示すように、基板吸着ユニット２４を基板収納カセット２５側に待避させた状態で、貼り合わせ済みの２枚の基板（以下、「貼り合わせ基板」とも記す）４１，４２を基板保持部２３にセットする。２枚の基板４１，４２は、例えば、一方（上側）の基板４１が素子形成用基板３であれば、他方（下側）の基板４２は転写用基板１３に相当するものとなり、一方（上側）の基板４１が転写用基板１３であれば、他方（下側）の基板４２が素子形成用基板３に相当するものとなる。各々の基板４１，４２は長方形に形成されている。また、２枚の基板４１，４２は、基板長手方向が本体フレーム２２の短手方向に一致し、基板短手方向が本体フレーム２２の長手方向に一致する向きでセットされる。

基板保持部２３においては、２枚の貼り合わせ基板４１，４２のうち、下側の基板４２を各々の吸着パッド２６に接触させて、各々の吸着パッド２６を真空引きによって吸引することにより、下側の基板４２を複数の吸着パッド２６に吸着させる。これにより、２枚の基板４１，４２が基板保持部２３に水平な姿勢で固定状態に保持される。

次に、基板吸着ユニット２４を基板保持部２３側に移動させることにより、各々の吸着ヘッド３０に列状に設けられたすべての吸着パッド３７を上側の基板４１に対向させる。この場合、基板吸着ユニット２４が備える複数（図例では５つ）の吸着パッド列は、基板長手方向に所定の間隔で並んだ状態となる。また、基板長手方向で一方端に配置された吸着パッド列は、基板４１の一方の短辺部に沿ってライン状に配置され、基板長手方向で他方端に配置された吸着パッド列は、基板４１の他方の短辺部に沿ってライン状に配置される。吸着パッド列の並び方向は、基板長手方向に限らず、基板短手方向であってもよいが、基板分離の容易性からすると、基板長手方向とするのが好ましい。

次に、複数の昇降用シリンダ３４を同時に又は順に駆動することにより、図９に示すように、各々の吸着ヘッド３０に設けられた吸着パッド３７をパッド取り付けベース３６とともに下降させる。これにより、昇降用シリンダ３４の駆動にしたがって各々の吸着パッド列が基板保持部２３に接近する方向で移動する。このため、すべての吸着パッド３７が上側の基板４１の上面に接触した状態となる。この状態で各々の吸着パッド３７を真空引きによって吸引することにより、上側の基板４１を複数の吸着パッド３７に吸着させる。これにより、２枚の貼り合わせ基板４１，４２が基板保持部２３と基板吸着ユニット２４によって同時に吸着保持された状態となる。これまでの動作を本体フレーム２２の長手方向から見ると、図１０（Ａ），（Ｂ）のようになる。

次に、図１０（Ｃ）に示すように、複数の昇降用シリンダ３４のうち、上記Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０に設けられた昇降用シリンダ３４を駆動することにより、当該Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０に設けられた複数の吸着パッド３７をパッド取り付けベース３６とともに上昇させる。これにより、Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０では、昇降用シリンダ３４の駆動にしたがって吸着パッド列が基板保持部２３から離間する方向に移動する。このため、２枚の貼り合わせ基板４１，４２の一方の短辺部分には、上側の基板４１を下側の基板４２から引き剥がそうとする剥離力（引き上げ力）が作用し、この剥離力に屈して上側の基板４１が下側の基板４２から剥離する。

特に、２枚の貼り合わせ基板４１，４２を分離するにあたっては、基板の分離を誘因するきっかけとなる動作が必要となる。この動作には剥離帯電などの影響もあって非常に大きな力が必要になる。これに対して、Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０では、他の吸着ヘッド３０に比較して、吸着パッド３７のパッド径を大きくしたり吸着パッド列の配置間隔を密にしたりすることで、吸着パッド列の吸着力を大きく確保し、かつ昇降用シリンダ３４のボア径を大きくすることで、昇降の駆動力を大きく確保している。このため、Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０の駆動により、基板の分離を誘因するために必要な力を基板４１に作用させて、２枚の基板４１，４２を剥離させることができる。ただし、この段階では２枚の基板４１，４２の一部が剥離するだけで、２枚の基板４１，４２が完全に分離するわけではない。

次に、図１０（Ｄ）に示すように、Ｎｏ．２の吸着ヘッド３０に設けられた昇降用シリンダ３４を駆動することにより、当該Ｎｏ．２の吸着ヘッド３０に設けられた複数の吸着パッド３７をパッド取り付けベース３６とともに上昇させる。これにより、Ｎｏ．２の吸着ヘッド３０では、昇降用シリンダ３４の駆動にしたがって吸着パッド列が基板保持部２３から離間する方向に移動する。

次に、図１１（Ａ）に示すように、Ｎｏ．３の吸着ヘッド３０に設けられた昇降用シリンダ３４を駆動することにより、当該Ｎｏ．３の吸着ヘッド３０に設けられた複数の吸着パッド３７をパッド取り付けベース３６とともに上昇させる。これにより、Ｎｏ．３の吸着ヘッド３０では、昇降用シリンダ３４の駆動にしたがって吸着パッド列が基板保持部２３から離間する方向に移動する。

次に、図１１（Ｂ）に示すように、Ｎｏ．４の吸着ヘッド３０に設けられた昇降用シリンダ３４を駆動することにより、当該Ｎｏ．４の吸着ヘッド３０に設けられた複数の吸着パッド３７をパッド取り付けベース３６とともに上昇させる。これにより、Ｎｏ．４の吸着ヘッド３０では、昇降用シリンダ３４の駆動にしたがって吸着パッド列が基板保持部２３から離間する方向に移動する。

次に、図１１（Ｃ）に示すように、Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０に設けられた昇降用シリンダ３４を駆動することにより、当該Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０に設けられた複数の吸着パッド３７をパッド取り付けベース３６とともに上昇させる。これにより、Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０では、昇降用シリンダ３４の駆動にしたがって吸着パッド列が基板保持部２３から離間する方向に移動する。この段階で２枚の基板４１，４２は完全に分離した状態になる。

その後、図１２に示すように、基板吸着ユニット２４で基板４１を吸着保持したまま、基板吸着ユニット２４を基板収納カセット２５側に移動することにより、基板収納カセット２５の直上に基板４１を配置し、この状態で複数の昇降用シリンダ３４を同時に駆動することにより、各々の吸着ヘッド３０に設けられた吸着パッド３７をパッド取り付けベース３６とともに下降させる。そして、すべての吸着パッド３７による吸引を解除することにより、基板収納カセット２５に基板４１を収納する。これにより、基板吸着ユニット２４から基板収納カセット２５に基板４１が移載される。

このように上記の有機ＥＬ表示装置の製造装置２１を用いて２枚の基板４１，４２を分離する場合は、基板長手方向に並ぶＮｏ．１〜Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０に対応する複数の吸着パッド列をＮｏ．１からＮｏ．５に向かって順に上昇させるように複数の昇降用シリンダ３４を駆動することにより、最初にＮｏ．１の吸着ヘッド３０の吸着パッド列で基板の分離を誘因させる動作を行ない、次いで、Ｎｏ．２〜Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０の吸着パッド列で基板の分離を伝播させる動作を行なうことができる。このため、２枚の基板４１，４２を大きく変形させずに分離することができる。また、２枚の基板４１，４２が強く密着していても、Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０による引き上げ力を利用して、２枚の基板４１，４２の端部を剥離させることができる。

また、上記の有機ＥＬ表示装置の製造装置２１を使用すれば、例えばＧ６〜Ｇ８世代等の大型ガラス基板を取り扱う場合でも、基板の分離が可能となる。特に、Ｇ６〜Ｇ８世代等の大型ガラス基板を分離する場合は、基板の端部をメカチャック等で機械的に把持して持ち上げる場合などに比較して、分離のためのスペースを小さく抑えることができる。また、それに伴って、装置の高さ寸法や容積を小さく抑えることができる。さらに、基板の撓み等の変形量を小さく抑えて、割れ等の発生を防止することができる。

なお、上記実施形態においては、基板吸着ユニット２４の長手方向で最端に配置されたＮｏ．１の吸着ヘッド３０を利用して、基板の分離を誘因する動作を行なうものとしたが、これに限らず、吸着ヘッド３０とは別の機構を用いて基板の分離誘因を促すようにしてもよい。

具体的には、例えば図１３に示すような基板突き上げ機構４３を用いることができる。基板突き上げ機構４３は、突き上げ用シリンダ４４と突き上げ部材４５とを用いて構成されている。突き上げ用シリンダ４４は、例えばエアーシリンダ等を用いて構成されるものである。突き上げ用シリンダ４４は下向きに配置されている。

突き上げ部材４５は、突き上げ用シリンダ４４のピストンロッド先端部に取り付けられている。突き上げ部材４５は、基板保持部２３にセットされる２枚の貼り合わせ基板４１，４２のうち、上側の基板４１のはみ出し部４１Ａを利用して当該基板４１の端部を突き上げるものである。ここで記述する基板の「はみ出し部」とは、貼り合わせ状態の２枚の基板を、基板面に垂直な方向から見たときに、基板の外周部分で２枚の基板が重なり合わない部分（単板の状態で外側にはみ出した部分）をいう。

上記構成からなる基板突き上げ機構４３においては、突き上げ用シリンダ４４を駆動すると、これに伴うピストンロッドの進退動作にしたがって突き上げ部材４５が昇降する。そこで、実際の基板分離動作では、まず、図１３（Ａ）に示すように、基板保持部２３に貼り合わせ基板４１，４２をセットして、下側の基板４２を各々の吸着パッド２６に吸着させ、この状態のもとで、各々の吸着ヘッド３０に設けられた吸着パッド列を上側の基板４１に対向させるとともに、上側の基板４１のはみ出し部４１Ａに基板突き上げ機構４３の突き上げ部材４５の一部を対向させる。

次に、図１３（Ｂ）に示すように、複数の昇降用シリンダ３４を同時に又は順に駆動することにより、各々の吸着ヘッド３０に設けられた吸着パッド列をパッド取り付けベース３６とともに下降させて、すべての吸着パッド３７を上側の基板４１に接触させ、この状態で各々の吸着パッド３７を真空引きによって吸引することにより、上側の基板４１を複数の吸着パッド３７に吸着させる。

次に、図１３（Ｃ）に示すように、突き上げ用シリンダ４４の駆動により突き上げ部材４５を上昇させることにより、基板４１のはみ出し部４１Ａを突き上げ部材４５で突き上げて上方（基板４２から離間する方向）に加圧するとともに、その突き上げ動作に連動して基板突き上げ機構４３に最も近いＮｏ．１の吸着ヘッド３０の昇降用シリンダ３４を駆動することにより、当該Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０に設けられた吸着パッド列をパッド取り付けベース３６とともに上昇させる。これにより、２枚の貼り合わせ基板４１，４２の一方の短辺部分には、上側の基板４１を下側の基板４２から引き剥がそうとする剥離力（突き上げ力）が作用し、この剥離力に屈して上側の基板４１が下側の基板４２から剥離する。こうして基板分離の誘因となる動作が基板突き上げ機構４３によって行なわれる。

また、上述した基板分離の誘因動作とあわせて、基板４１の短辺部分にはＮｏ．１の吸着ヘッド３０による引き上げ力が作用し、この引き上げ力によって基板４１の短辺部分が引き上げられる。この場合、基板分離の誘因動作は基板突き上げ機構４３によって行なわれるため、Ｎｏ．１の吸着ヘッド３０のパッド吸着力やシリンダ駆動力は、他の吸着ヘッド３０のそれと同等又はそれ以下であってもかまわない。

以降は、上記同様にＮｏ．２〜Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０の突き上げ用シリンダ４４を順に駆動し、これにしたがって各々の吸着パッド列を順に上昇させることにより、Ｎｏ．２〜Ｎｏ．５の吸着ヘッド３０で基板の分離を伝播させる引き上げ動作を行なう。これにより、２枚の基板４１，４２が完全に分離した状態になる。

なお、基板分離の誘因動作としては、上述した突き上げ動作に限らず、例えば、図１４（Ａ）に示すように、上側の基板４１のはみ出し部４１Ａを開閉式のクランプ部材５３でクランプした後、図１４（Ｂ）に示すように、クランプ部材５３を垂直に又は円弧状に上昇させて基板４１の端部を持ち上げる動作を利用してもよい。また、これ以外にも、例えば図１５（Ａ）に示すように、基板４１の下方から押し上げシリンダ５４のピストンロッドを上方に進出させることにより、図１５（Ｂ）に示すように、基板４１のはみ出し部４１Ａを押し上げシリンダ５４で押し上げる動作を利用してもよい。

また、基板４１及び／又は基板４２にはみ出し部を確保するにあたっては、図１６に示すような基板貼り合わせ装置を用いて２枚の基板４１，４２を貼り合わせることが望ましい。図示した基板貼り合わせ装置は、基板４１の四隅を保持する４つの突き当て式の位置決めブロック５１，…と、基板４２の四隅を保持する４つの突き上げ式の位置決めブロック５２，…とを備えるものである。ここでは、２枚の基板４１，４２が同じサイズで長方形に形成されているものとする。

上記構成の基板貼り合わせ装置を用いて２枚の基板４１，４２を貼り合わせる場合は、一方の基板４１をこれに対応する４つの位置決めブロック５１に突き当てて保持するとともに、他方の基板４２をこれに対応する４つの位置決めブロック５２に突き当てて保持する。

その際、４つの位置決めブロック５１と４つの位置決めブロック５２は、予め基板４１，４２の長手方向及び短手方向に所定の寸法ずつ位置をずらして配置しておく。これにより、２枚の基板４１，４２は、基板面方向で基板長手方向及び基板短手方向に相対的に位置をずらした状態で配置されるため、この状態で２枚の基板４１，４２を真空引き等により貼り合わせる。これにより、図１７（Ａ），（Ｂ）に示すように、一方の基板４１にはＬ字形のはみ出し部４１Ａが設けられ、他方の基板４２にもＬ字形のはみ出し部４２Ａが設けられる。

なお、４つの位置決めブロック５１と４つの位置決めブロック５２は、予め位置をずらして配置しておく以外にも、例えば、２枚の基板４１，４２をそれぞれに対応する４つの位置決めブロック５１，５２で保持した後、４つの位置決めブロック５１又は４つの位置決めブロック５２を一体に移動させることにより、２枚の基板４１，４２の位置を相対的にずらすようにしてもよい。

また、２枚の基板４１，４２の外周サイズを大小異なるサイズとすれば、それらの基板４１，４２を貼り合わせた場合に、少なくともいずれかの基板の外周部にはみ出し部を確保することができる。例えば、図１８（Ａ），（Ｂ）に示すように、一方の基板４１の外周サイズを他方の基板４２の外周サイズよりも大きいサイズとした場合は、一方の基板４１の外周部に長方形の環状にはみ出し部４１Ａを確保することができる。また、図１９（Ａ），（Ｂ）に示すように、一方の基板４１の外周サイズを他方の基板４２の外周サイズよりも小さいサイズとした場合は、他方の基板４２の外周部に長方形の環状にはみ出し部４２Ａを確保することができる。

このように２枚の基板４１，４２を基板貼り合わせ装置で貼り合わせる場合に、少なくとも一方の基板にはみ出し部を確保することにより、上記の転写工程Ｓ３で有機ＥＬ表示装置の製造装置２１を用いて２枚の基板を分離する場合に、予め基板貼り合わせ時に確保したはみ出し部を利用して、素子形成用基板３と転写用基板１３を分離することが可能となる。

また、２枚の貼り合わせ基板のうち、少なくとも一方の基板に、基板の短辺部と当該短辺部と直角をなす長辺部に沿うＬ字形のはみ出し部を確保することにより、当該Ｌ字形のはみ出し部を利用して、基板分離を誘因する動作と、基板分離を伝播する動作を行なうことが可能となる。基板分離を誘因する動作は、Ｌ字形のはみ出し部の一辺部を加圧することで行ない、基板分離を伝播する動作は、Ｌ字形のはみ出し部の他辺部を加圧することで行なう。そして、基板分離を誘因する動作によって２枚の基板を剥離させた後、基板分離を伝播する動作によって２枚の基板を完全に分離させる。

基板分離を誘因する動作としては、例えば、上記図１４（Ａ），（Ｂ）に示したクランプ部材５３による持ち上げ動作や、上記図１５（Ａ），（Ｂ）に示した押し上げシリンダ５４による押し上げ動作、あるいは図２０（Ａ），（Ｂ）に示すように押し下げシリンダ５５による押し下げ動作により、基板４２のはみ出し部４２Ａを基板４１から剥離するように加圧することでも実施可能である。

また、基板分離を伝播する動作としては、例えば、図２１に示すように、基板４１の長辺部に沿うはみ出し部４１Ａの長手方向に所定の間隔で複数（図例では５つ）の押し出し部材５６ａ〜５６ｅを配置し、これら複数の押し出し部材５６ａ〜５６ｅを基板分離開始側（突き出し機構等によって基板が剥離する側）から順（５６ａ→５６ｂ→５６ｃ→５６ｄ→５６ｅ）に動作させて、各々の押し出し部材５６ａ〜５６ｅにより基板４１のはみ出し部４１Ａを一方向（基板４２から離間する方向）に押し出すように加圧することでも実施可能である。

１…有機ＥＬ表示装置、２…有機ＥＬ素子、３…素子形成用基板、１３…転写用基板、１５…発光層（転写層）、２３…基板保持部、２４…基板吸着ユニット、４１，４２…基板、４１Ａ，４２Ａ…はみ出し部、４３…基板突き上げ機構

Claims (5)

1. 有機ＥＬ表示装置を構成するための有機ＥＬ素子を形成する工程において、転写層を備えた転写用基板と有機ＥＬ素子の素子形成用基板とを貼り合わせ、レーザー熱転写法によって前記転写用基板上の転写層を前記素子形成基板上に転写した後、前記転写用基板と前記素子形成用基板とを分離するために用いられる有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
   前記転写用基板と前記素子形成用基板とを貼り合わせる場合に、少なくとも一方の一部が他方の端部からはみ出すように貼り合わせる有機ＥＬ表示装置の製造方法。
2. 前記転写用基板と前記素子形成用基板とを貼り合わせる場合に、各々を基板面方向で相対的に位置をずらして貼り合わせる請求項１記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
3. 前記転写用基板と前記素子形成用基板とを貼り合わせる場合に、外周サイズの異なる基板同士を貼り合わせる請求項１記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
4. 前記転写用基板と前記素子形成用基板とを分離する場合は、前記一方のはみ出し部を前記他方の基板から離間する方向に加圧することで前記転写用基板と前記素子形成用基板とを剥離させる請求項１記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
5. 前記転写用基板と前記素子形成用基板とを貼り合わせる場合は、少なくとも一方にＬ字形のはみ出し部を確保しておき、
   前記転写用基板と前記素子形成用基板とを分離する場合は、前記Ｌ字形のはみ出し部の一辺部を加圧して転写用基板と前記素子形成用基板とを剥離させた後、前記Ｌ字形のはみ出し部の他辺部を加圧して前記２枚の基板を完全に分離させる請求項４記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。

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