JPS589791B2 - セラミツク基板の気孔率及び表面荒さを減少させる方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路モジュールのためのセラミック基板の
如きセラミック基板の気孔率及び表面荒さを減少させる
ための方法に係る。

本発明による方法に従って、或る好ましい被膜組成物を
用いることによって、改良されたセラミック基板が得ら
れる。

本発明の目的は、比較的コストが低く、しかも高解像度
の回路を含むことが出来、又ポリイミドを使用する場合
に用いられる如き高温に於ける劣化の問題を生じないセ
ラミック・モジュールを得るための方法を提供すること
である。

従来技術に於て、セラミックは集積回路モジュールのた
めの基板として広く用いられている。

セラミック基板上に被覆された金属の如き被膜を食刻す
ることによって得られる結果は、セラミック表面の荒さ
によって著しく影響されることが知られている。

荒いセラミック表面は粒度、気孔率、結晶化度、及びガ
ラス相等に於て変化を有しているため、極めて良好でな
い食刻結果を生じ得る。

この問題は、微細な線又は高解像度の回路が必要とされ
る場合には、特に大きい。

より平滑な表面を有するセラミックを一般に入手するこ
とも出来るが、それらは概して比較的高価である。

高解像度の回路を含み得る低コストのモジュールを得る
ための１つの解決方法は、ＩＢＭＴｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ、第２０巻、
第８号、１９７８年１月に於ける“Ｕｓｅ ｏｆＰｏｌ
ｙｉｍｉｄｅ ｔｏ Ｏｂｔａｉｎ ａ Ｓｍｏｏｔｈ
Ｓｕｒｆａｃｅ”と題するＯ．Ｒ．Ａｂｏｌａｆｉａ
及びＪ．Ｒａｓｉｌｅによる論文に於て記載されている
如く、セラミック基板上にポリイミドの被膜を用いるこ
とである。

しかしながら、ポリイミドはモジュールが高温に曝され
た場合には劣化するので、その様な目的にポリイミドの
被膜を用いることは完全に満足し得る方法ではない。

場合によっては、モジュールは後の処理工程に於て高温
（例えば、約３００乃至７００℃）に曝されねばならな
い。

例えば、モジュール上にサーメット抵抗体が配置される
場合には、モジュールはサーメット抵抗体を設ける工程
に於て高温に曝されることになる。

上記目的を達成するためには、用いられる被膜組成物が
多くの重要な特性を有していなければならない。

例えば、それらの組成物は、サーメット表面の平滑さを
増すことが出来、しかも後の処理工程に於て用いられる
高温により余り影響されてはならない。

それらの組成物は又、現在市販されている平滑な表面を
有するセラミックのコストを超えない様に、比較的安価
であるべきである。

更に、それらの組成物は、後に設けられる回路に影響を
与えない様に電気的絶縁体として基板上に残されねばな
らず、又平滑な表面を形成せねばならない。

それらの組成物は又、セラミック基板に強固に結合し且
つ後に被覆される金属付着物の如き被膜に適切に付着せ
ねばならない。

又、それらの組成物は、基板の気孔率及び表面荒さを減
少させるために基板に於ける種々の孔及び亀裂に流れ込
む様に適切な流動特性を有している必要がある。

それらの組成物は又、後のセラミック基板の取扱又は処
理に於てそれらの孔及び亀裂内に保持され得ねばならな
い。

従って、上記の所望の特性を必要な程度に有している特
定の組成物を得ることは極めて困難である。

次に、本発明による方法について概略的に説明する。

本発明による方法はセラミック基板の気孔率及び表面荒
さを減少させるための方法に係る。

この方法は、少くとも１つの非重合体のシリコン化合物
を含む液状の被膜組成物をセラミック基板の少くとも一
表面に被覆することを含む。

次に、上記基板が乾燥され、それから基板とともに残さ
れる上記の少くとも１つのシリコン化合物をシリコン酸
化物に変えることにより気孔率及び表面荒さが減少され
たセラミック基板を設けるために上記乾燥に於て用いら
れた温度よりも高い温度に曝される。

本発明による方法を用いて、気孔率及び表面荒さの減少
されたセラミック基板が得られる。

本発明による方法の１好実施例に於ては、約５乃至約５
５重量％の或る種の飽和有機シリコン化合物と約４５乃
至約９５重量％の或る種のエチレン結合を有する不飽和
（ｅｔｈｙｌｅｎｉｃａｌｌｙｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ
）有機シリコン化合物とを含んでいる、好ましい有機シ
リコン化合物を含む被膜組成物が用いられる。

上記重量％は、上記組成物に於ける飽和有機シリコン化
合物と不飽和有機シリコン化合物との合計に基いている
。

次に、本発明による方法について更に詳細に説明する。

本発明による方法に従って処理される基板は好ましくは
セラミック基板である。

セラミックは原材料に熱の作用を加えることによって製
造された製品又は材料である。

好ましいセラミック基板は、シリコン酸化物、珪酸アル
ミニウムの如き珪酸塩、アルミニウム酸化物等から成る
。

本発明による方法が最も効果的に適用され得るセラミッ
ク基板は、少くとも約１０μｍの表面荒さを有している
セラミック基板である。

勿論、より小さい表面荒さを有する基板も本発明による
方法に従って処理され得る。

表面荒さとは、基板表面に於けるピーク部分の高さ又は
谷部分の深さの中心線平均を云う。

本発明による方法は、集積回路モジュールのための基板
の製造、特に高解像度の回路を有する基板の製造に、特
に適している。

少くとも１つのシリコン化合物を含む被膜組成物がセラ
ミック基板の少くとも一表面に被覆される。

用いられるシリコン化合物は非重合体でなければならな
い。

平滑な表面を得るだめの本発明による方法に於て重合体
のシリコン化合物を用いることは適当でなく、それらは
本発明による方法に於て必要とされる加熱工程を施され
たときに基板の表面上に於て著しい程度の炭化を生じが
ちである。

れんがの気孔率を減少させて溶融ガラスに対するそれら
の耐性を増すためにれんがに重合体のシリコン化合物を
含浸させることは、例えば米国特許第３８１６１６３号
明細書等に於て、既に提案されている。

その重合体のシリコン化合物は、れんがに含浸された後
に、シリカに熱分解される。

しかしながら、重合体であるその様な化合物は、極めて
炭化し易いので、表面を平滑にするための本発明による
方法には適していない。

重合体又は樹脂のシリコン化合物を用いる他の方法は例
えば米国特許第４０４１１９０号及び第３６１７３４１
号の明細書等に開示されており、前者の米国特許明細書
はポリシロキサンを照射しそして熱処理を施すシリカ被
膜の形成方法を提案しており、後者の米国特許明細書は
樹脂酸シリコンを含み得る組成物を分解することによっ
て被膜を形成する方法を提案している。

更に、セラミック基板に被覆される被膜組成物は、シリ
コン化合物が基板上の孔及び亀裂又は谷部分の中に適切
に流れ込み得る様に液状で流動し得ることが重要である
。

種々の基板を被覆するために有機シリコン化合物を蒸気
の形で用いることが既に提案されているが、その様な被
覆方法は本発明による方法によって達成される様には基
板上の亀裂又は凹凸を適切に満たさない。

有機シリコン化合物を用いた気相付着方法は例えば米国
特許第３２４３３１４号及び第３２４２００７号の明細
書に開示されている。

上記米国特許第３２４３３１４号の明細書は、シリコン
酸化物に熱分解させて半導体素子上に表面安定化層を形
成するためにビニルトリエトキシシランを用いることを
提案している。

上記米国特許第３２４２００７号の明細書は、用いられ
るシロキザンがビニルトリエトキシシランであり得る、
気相付着によって半導体素子上に保護膜を形成する方法
を提案している。

被膜組成物を液状で被覆する場合の他の利点は気相付着
の場合よりも厚さが正確に匍脚され得ることである。

更に、後にピンを挿入されるために既にセラミック基板
に形成されている開孔を塞がない極めて薄い被膜を用い
ることが出来る。

更に他の従来技術は、後に言及される米国特許第３０８
６８９２号の明細書、そして後に熱分解されるシロキサ
ン又はシリコーンを含む液状の組成物を用いることを提
案している、米国特許第２８５９１３９号、第３５４７
６８０号、第３７２０５４２号、第３９３２６９１号、
及び第３９６２００４号の明細書等に記載されている。

更に、米国特許第３０５５７７６号、第 ３１５８４９５号、第３５２３８１９号、第３６６８０
０４号及び第４０４７９７７号の明細書はシリコーンを
高温で分解させることについて記載している。

本発明による方法に於て用いられる適当なシリコン化合
物の例としては、飽和された有機シリコン化合物、エチ
レン結合を有する不飽和の有機シリコン化合物、トリク
ロルシラン及び四塩化珪素の如きシリコン・ハロゲン化
物、並びにそれらの混合物が挙げられる。

本発明による方法に於ては、シリコン化合物として液状
の有機シリコン化合物を用いることが好ましい。

前述の如く、トリクロルシラン及び四塩化珪素の如きシ
リコン・ハロゲン化物も用いられ得るが、それらの化合
物は比較的大きな百分率の塩素を含むために分解された
とき望ましくない量の塩素ガスを基板中に拡散せしめ得
る点では好ましくない。

その様な塩素の拡散はその基板を用いている集積回路に
腐食及び信頼性の問題を生ぜしめ得る。

本発明による方法に於ては、被膜組成物に少くとも１つ
のエチレン結合を有する不飽和有機シリコン化合物を用
いることがより好ましい。

エチレン結合を有する不飽和有機シリコン化合物は、１
つ又はそれ以上のエチレン結合を有し得る。

本発明による方法に於て用いられる最も好ましい被膜組
成物は、少くとも１つの飽和有機シリコン化合物と少く
とも１つのエチレン結合を有する不飽和有機シリコン化
合物とを含む。

飽和有機シリコン化合物と不飽和有機シリコン化合物と
の混合物が用いられる場合には、その被膜組成物は、約
５乃至約５５重量％のエチレン結合を有する不飽和有機
シリコン化合物と約４５乃至約９５重量％の飽和有機シ
リコン化合物とを含むことが好ましい。

上記の相対的百分率は、被膜組成物中のエチレン結合を
有する不飽和有機シリコン化合物と飽和有機シリコン化
合物との合計に基いている。

本発明による方法に於てエチレン結合を有する不飽和有
機シリコン化合物を用いることが好ましい理由は、始め
の乾燥工程に於でその様な化合物は或る程度のゲル化又
は交叉結合を生じる傾向があり、その結果その被膜組成
物は基板が後の処理のために取扱われ又は転送され得る
様に該基板上の亀裂中に於て充分な程度の非流動性を与
えられるからである。

これは、処理されている基板が実質的に平坦でない場合
には特に重要である。

不飽和有機シリコン化合物が約５重量％よりも少ない場
合は、被膜組成物に充分な非流動性を与えることができ
なくなり、約５５重量％よりも多い場合は不飽和有機シ
リコン化合物の重量化が進みすぎて、後の加熱の際に炭
化を生じ、表面平滑化の効果が得られなくなる。

前述の如く、本発明による方法の最も好ましい態様に於
ては、飽和有機シリコン化合物及び不飽和有機シリコン
化合物の両方が用いられる。

不飽和有機シリコン化合物とともに用いられた飽和有機
シリコン化合物は、不飽和有機シリコン化合物だけが用
いられた場合よりも不飽和有機シリコン化合物が重合化
する傾向を減少させようとする。

同様に、飽和有機シリコン化合物の存在は、不飽和有機
シリコン化合物だけが用いられた場合よりも少い残留物
を分解工程後に有している被膜を形成する。

又、飽和有機シリコン化合物の存在は不飽和有機シリコ
ン化合物のみを用いた場合に或る程度の粉末材料が存在
し得る場合と異なって、光沢のある仕上げを有する最終
製品を形成する。

更に、多くの場合、飽和有機シリコン化合物はエチレン
結合を有する不飽和有機シリコン化合物よりもより毒性
が少くそしてより安価である。

一般的に、本発明による方法に於て用いられるに適した
飽和（即ち、非ベンゾイド不飽和を有していない）有機
シリコン化合物は次式によって表わされ得る。

Ｒ′ｙＳｉＸ４−ｙ（１） 上記式に於て、Ｒ′ｙはアルキル、アリール、アルカリ
ル、シクロアルキル、アルアルキル、アシル、アルコキ
シ、及びアリールオキシの如き、有機置換基又は異なる
有機置換基の混合物である。

これらの基は、置換されていない基、又はアミノヒドロ
キシ、エポキシ、又はハロの基の如き１つ又はそれ以上
の置換基で置換された基であり得る１適当なアルキル基
の例としては約８個迄の炭素原子を有するアルキル基が
挙げられ、それらにはメチル、エチル、プロピル、ヘキ
シル、及びオクチル等がある。

シクロアルキル基の例としては約６個迄の炭素原子を含
むシクロアルキル基が挙げられ、それらにはシクロヘキ
シル、シクロブチル、及びシクロペンチル等がある。

アリール基の例としてはアリール部分が１０個迄の炭素
原子を含んでいるアルカリル及びアルアルキルが挙げら
れ、それらにはフエニル、メチルフエニル、ベンジル及
びフエニルエチル等がある。

アルコキシ基は一般的に約８個迄の炭素原子を含み、そ
れらにはメトキシ、エトキシ、及びプロポキシ等がある
。

アリールオキシ基にはベンゾキシ等がある。

アシル基の例としては約８個の炭素原子を含むアシル基
が挙げられ、それらにはアセチル、グロピオニル、及び
ブチリル等がある。

アミンで置換された炭化水素の基にはアミノプロビル及
びアミノエチル等がある。

ヒドロキシで置換された炭化水素の基にはヒドロキシエ
チル及びヒドロキシプロピル等がある。

エポキシで置換された炭化水素の基には３・４−エポキ
シ・シクロヘキシル、及びグリシドキシプロビル等があ
る。

ハロで置換された基にはペンタクロルフエニル、１−７
”ロム−３−｝Ｌ７ロルプロビル、並びにガンマートリ
フルオルプロビル及びデルタートリフルオルーガンマー
ジフルオルブチルの如きベルフルオルアルキル基等があ
る。

所望であれば、有機の基の混合物も用いられ得る。

ｙは１乃至４の整数である。

Ｘは水素又はクロル基の如きハロゲンである。

適当な飽和有機シリコン化合物の例としては、エチルト
リエトキシシラン、アミルトリエトキシシラン、エチル
トリクロルシラン、アミルトリクロルシラン、フエニル
トリクロルシラン、フエニルトリエトキシシラン、メチ
ルトリクロルシラン、メチルジクロルシラン、ジメチル
ジクロルシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチル
ジエトキシシラン、ベータ−（３・４−エポキシシクロ
ヘキシル）−エチルトリメトキシシラン、ガンマ−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（ベーターヒ
ドロキシエチル）−ガンマ−アミノプロビルトリエトキ
シシラン、Ｎ−ベータ（アミノエチル）−ガンマ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、及びガンマ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

本発明による方法に於て用いられるに適したエチレン結
合を有する不飽和有機シリコン化合物は次式によって表
わされ得る。

Ｒ２４−（ｚ＋ｗ） Ｒ′ｚＳｉＸｗ （２）上記式に
於て、２及びＷは各々０乃至３の整数であり、ｚ＋ｗの
和は３又はそれ以下である。

Ｒ′及びＸは式（１）の場合と同じである。

Ｒ２はエチレン結合を有する不飽和の有機の基であり、
１つ又はそれ以上のエチレン結合を有し得る。

エチレン結合を有する不飽和の基の例としては、ビニル
、アリル、３−ブテニル、アクリル、メタクリル、オレ
イル、及びリノレイル等が挙げられる。

エチレン結合を有する不飽和有機シリコン化合物の例と
しては、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ガンマーメタク
リルオキシプロピルトリメトキシシラン、メチルビニル
ジクロルシラン、及びビニルトリ（２−エトキシ）−シ
ラン等が挙げられる所望ならば、飽和有機シリコン化合
物の混合物及び／若しくはエチレン結合を有する不飽和
有機シリコン化合物の混合物も用いられ得る。

一般的に、シリコン化合物は、被膜組成物を被覆する方
法に応じて所望の粘度を有する様に、希釈剤と組合わせ
て被覆される。

一般的に、被膜組成物は約２５乃至約９０重量％の希釈
剤を含む。

希釈剤は、シリコン化合物のための溶媒として働くがシ
リコン化合物及び／若しくはセラミック基板と殆ど反応
しない、低温で蒸発する材料であるべきである。

適当な有機の希釈剤の例としては、メタノール、エタノ
ール、及びプロパノールの如きアルコール；アセトン、
及びメチルエチルケトンの如きケトン；並びにベンゼン
、トルエン、及びキシレンの如き芳香族の希釈等が挙げ
られる。

被膜組成物は噴霧、回転被覆、又は流動被覆の技術によ
って被覆され得る。

被膜組成物は又、その貯蔵に於ける安定性を増す安定剤
の如き他の成分を含み得る。

或る特定の安定剤はピペリデンである。

安定剤は一般的に約２．５乃至約７重量％の量で用いら
れる。

一般的に、被膜組成物は単一の被覆工程に於て約０．１
ｍｍ迄の湿潤時の厚さで被覆される。

これは後の熱処理に於て材料が炭化されることを防ぐた
めである。

より厚い被膜を形成する必要のある場合には、先に被覆
された被膜組成物に所望の乾燥及び分解工程が施された
後に、複数の被覆工程（２回以上）が施され得る。

被膜組成物が被覆された後、該被膜組成物に第一加熱工
程が施される。

被覆された基板がシリコン化合物の沸点よりも低い温度
、一般的には約５０乃至約２００℃の温度に加熱される
。

通常、この熱処理は、不活性の有機希釈剤がすべて除か
れる迄、通常は約３０分乃至約２時間の間施されるそれ
から、シリコン化合物をシリコン酸化物に変えるために
、被覆された基板が第一加熱工程の場合よりも高い温度
に曝される。

シリコン酸化物の残留物の厳密な性質は確認されていな
いが、恐らく二酸化シリコンの如き単一の物質ではなく
二酸化シリコン及び一酸化シリコンを含むシリコン酸化
物の混合物であると思われる。

一般的に、基板は第二加熱工程に於て約５００乃至約１
７００℃、好ましくは約７００乃至約１３００℃の高温
に曝される。

この熱処理に要する時間は一般に約２乃至約６時間であ
る。

熱処理は、周囲雰囲気又は通常の雰囲気条件の下で、例
えば空気の存在の下で又は不活性雰囲気中に於て、行わ
れ得る。

上記の２つの加熱工程に於ける時間及び温度は互いに反
比例する。

例えば、加熱温度が高くなるに従って、所望の結果を得
るために要する時間は短縮される。

本発明による方法を効果的に実施するためには、少くと
も２つの加熱工程を用いることが重要である。

始めに希釈剤を除きそして次にシリコン化合物を分解さ
せることによって、基板表面が所望のシリコン酸化物以
外の望ましくない残留物により許容し得ない程度迄汚染
される可能性が著しく減少される。

１工程だけの加熱技術を用いた場合には、許容し得ない
レベルの炭化が生じがちである。

又、複数の加熱工程を用いることによって、分解が粉末
状の相でなく光沢のある相で生じ得る。

更に、好実施例に於て、不飽和有機シリコン化合物が用
いられるとき、始めの加熱は不飽和有機シリコン化合物
を或る程度ゲル化させて、有機シリコン化合物がセラミ
ック基板の孔及び亀裂の中に残される様に有機シリコン
化合物に充分な程度の非流動性を与える。

・ 上記方法によって得られたセラミック基板は、シリ
コン化合物を含む被膜組成物を用いることによって得ら
れたガラス状の仕上りを有するとともに、減少された気
孔率及び表面荒さを有している，その被膜組成物はピン
・ホール及び表面の不完全な部分を満たすことによって
表面荒さを減少させた。

前述の米国特許第３０８６８９２号の明細書に記載され
ている如く、或る種の接合型半導体素子の形成（例えば
、半導体ウェハ中に整流特性を有する障壁を形成する場
合）に於て半導体ウェハ又は電極ペレットの表面に付着
しているシリコン酸化物の残留物を形成するために、そ
れらの表面を或る種の有機シリコン化合物の溶液で被覆
することが既に提案されている。

しかしながら、上記特許明細書に於て接合型半導体素子
を形成するために用いられている方法は、本発明による
方法に於て達成される如く基板表面の不完全な部分を改
善即ち減少させ得ない。

上記特許明細書に於ける方法に於ては、有機シリコン化
合物がシリコン酸化物に分解される間に電極ペレットが
ウエハ中に合金化される必要がある。

シリコン酸化物は、その合金化が行われる間にウエハ表
面上にペレットが過度に拡がらない様にするために存在
している。

しかしながら、形成された製品は合金化が必要とされて
いることにより蜂の巣状の表面を有し、本発明による方
法によって達成される如き改良された平滑さを有する表
面を有していない。

本発明による方法は前述の如く特に集積回路モジュール
のためのセラミック基板の形成に於で適用され、特に後
に金属を付着されるセラミック表面を設けるために適用
される。

従って、本発明による方法は、セラミック基板が後に微
細な線の回路の形成に用いられる単一又は複数の金属で
被覆される場合に特に適している。

その様な組合わせの１例に於ては、クロム−銅−クロム
の回路が付着される。

その回路は従来の技術を用いて形成され、高解像度の回
路が容易に得られる。

本発明による方法は、基板上に残された生成物（即ち、
シリコン酸化物）が電気的絶縁特性及び良好な熱伝導性
を有しているので、特に集積回路モジュールのためのセ
ラミック基板の形成に適用され得る。

従って、上記生成物は例えば前述のポリイミドが有して
いない良好な熱放散特性を有している。

次に、本発明による方法を幾つかの実施例について更に
詳細に説明する。

実施例 １ 約１．８ｇのベータ（３・４−エポキシシクロヘキシル
）エチルトリメトキシシラン、０．６７のビニルトリク
ロルシラン、約１．１ｇのアミノプロピルトリメトキシ
シラン、約１．０ｇのピペリデン、及び約２０．５ｇの
トルエンを含む被膜組成物が、浸漬被覆技術により約３
０μｍの湿潤時の厚さが得られる様にセラミック基板に
被覆される。

そのセラミック基板は中心線平均約２８乃至約３４μｍ
の表面荒さを有している。

それから、被覆された基板が炉中に配置されて約１００
℃に於て約９０分間乾燥される。

次に、その被覆されて乾燥されたセラミック基板が周囲
雰囲気に於て炉中に配置されそして約７００乃至約１０
００℃の高温に約４時間の間曝される。

そのセラミック基板は中心線平均１４乃至１８μｍの表
面荒さしか有しておらず、形成された有機シリコン化合
物の分解生成物はガラス状の材料である。

被覆に於て、上記被膜組成物は基板表面全体上に均一に
流動した。

上記被覆動作が上記乾燥及び分解の工程とともに上記基
板に再び施され、第２被覆動作の後に形成されたセラミ
ック基板は中心線平均５乃至μｍの表面荒さしか有して
いない。

実施例 ２ 約１．８ｇのベータ（３．４−エポキシシクロヘキシル
）エチルトリメトキシシラン、約１．０ｇのビニルトリ
エトキシシラン、約０．７ｇのビニルトリアセトキシシ
ラン、約１．０ｇのピペリデン、及び約２０．５ｇのト
ルエンを含む被膜組成物が用いられた以外は、実施例１
と同一の工程が施された。

その得られた結果は実施例１の場合と同様であった。

実施例 ３ 約１．８ｇのベータ（３・４−エポキシシクロヘキシル
）エチルトリメトキシシラン、約１．２ｇのビニトリ（
２−メトキシエトキシ）シラン、約０．５ｇのビニルト
リアセトキシシラン、約１．０ｇのピペリデン、及び約
２０．５ｇのトルエンを含む被膜組成物が用いられた以
外は、実施例１と同一の工程が施された。

その得られた結果は実施例１の場合と同様であった。

実施例 ４ 約１．８ｇのベータ（３・４−エポキシシクロヘキシル
）エチルトリメトキシシラン、約１．７ｇのアミノプロ
ピルトリメトキシシラン、約１．０ｇのヒヘリデン、及
び約２０．５ｇのトルエンを含む被膜組成物が用いられ
た以外は、実施例１と同一の工程が施された。

その得られた結果は、表面荒さが実施例１乃至３に於て
得られた値程減少されなかったこと以外は、実施例１の
場合と同様であった。

この実施例に於ては、不飽和有機シリコン化合物が何ら
用いられておらず、従って実施例１乃至３に於て生じて
いる有機シリコン化合物の交叉結合及びゲル化が生じて
いない。

実施例１乃至３に於ける交叉結合及びゲル化はこの実施
例４の場合と比較してより均一なそしてより厚い被膜を
形成せしめ、従って高温による分解の後により厚いシリ
コン酸化物層及び改良された表面な生ぜしめる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 共に非重合体である飽和有機シリコン化合物とエチ
   レン結合を有する不飽和有機シリコン化合物とを、両シ
   リコン化合物の合計量に対して夫々５〜５５重量％及び
   ４５〜９５重量％の割合で含む、有機溶媒で希釈された
   液状の被膜組成物をセラミック基板の表面に被覆し、上
   記有機溶媒を除去すると共に上記不飽和有機シリコン化
   合物をゲル化するために上記基板を乾燥し、上記シリコ
   ン化合物をシリコン酸化物に変えるために上記乾燥に於
   て用いられた温度よりも高い温度に上記の乾燥された基
   板を曝すことを含む、セラミック基板の気孔率及び表面
   荒さを減少させるだめの方法。