JPS63144526A - 電子デバイス用ケイ素窒素含有被膜の形成方法 - Google Patents

電子デバイス用ケイ素窒素含有被膜の形成方法

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JPS63144526A JP62296254A JP29625487A JPS63144526A JP S63144526 A JPS63144526 A JP S63144526A JP 62296254 A JP62296254 A JP 62296254A JP 29625487 A JP29625487 A JP 29625487A JP S63144526 A JPS63144526 A JP S63144526A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子デバイス用のケイ素窒素含有被膜の形成方
法に係る。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕広汎な
環境条件で動作可能であるべき電子デバイスはとりわけ
耐湿性、耐熱性、耐摩耗性でなければならない。電子デ
バイスの信鎖性を高めうる被膜の調製に向けられた著し
く多量の研究、開発報告がある。しかしながら、セラミ
ックパッケージ及び金属パッケージを含め今日入手可能
な慣用塗膜のいずれもが、それだけで、すべての環境か
らのストレスに対して電子デバイスを保護するのに十分
なものはない。
電子デバイスの破損の普通の原因は半導体チップの表面
パッシベーション膜に微細クラックやボイドが発生して
不純物の貫入を許すことにある。
従って、電子デバイスの無機被膜における微細クラック
、ボイド又はピンホールの発生を克服する方法に対して
需要がある。
電子デバイスのパッシベーション膜は電子デバイスに侵
入して電子信号の伝達を妨害する塩素イオン（Ｃ／！−
）やナトリウムイオン（Ｎａ”）のような不純物イオン
に対するバリヤを提供する。パッシベーション膜の適用
は電子デバイスに湿分や揮発性有機化学物質に対する保
護を提供することもできる。
アモルファスシリコン（以下ａ　　Ｓｉと記す）膜はエ
レクトロキクス業界におけるいろいろな用途で盛んに研
究されている対象であるが、電子デバイスの耐環境保護
あるいはハーメチック保護のためにａ−３ｉ膜を用いる
ことは知られていない。
ａ−３ｉｒＩＩｉ！の形成方法はこれまで数多くのもの
が提案されている。例えば、アモルファスシリコン膜の
形成のために、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）、プラズマ
ＣｖＤ、反応性スパッタリング、イオンブレーティング
、光ＣｖＤ、などの堆積方法が利用されている。一般的
に、プラズマＣＶＤがａ−３ｉ膜の堆積用としては工業
化され、広く用いられている。
電子デバイスの本体内及び多層構造の中間層として基板
平坦化の利用が当業者に知られている。
Ｇｕｐｔａ及びＣｈｉｎ（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉ−ｎｇ、第２２章、“Ｃｈａ
ｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　Ｓｐｉｎ−Ｏｎｇｌ
ｏｓｓ　　Ｆｉｌｍｓ　ａｓ　ａ　Ｐｌａｎａｒｉｚｉ
ｎｇ　　Ｄｉｅｌｅｃｔｒ−ｉｃ”、３４９−３６５頁
、Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉ−ｅ
ｔｙ　、１９８６年）はドープ又はノンドープ５ｉＯｚ
ガラス膜からなる慣用の層間絶縁層で金属層を絶縁した
多層配線システムを記載している。しかしながら、ＣＶ
Ｏ誘電体膜は良くても基板の起伏に従ったカバレージを
提供するのみで、次の金属層が連続した均一なステップ
カバレージをするのを助けるものではない。ステップカ
バレージが悪いと導体線に不連続点や薄い点が生じて、
金属効率が低下したりシバイスの信頼性の問題になる。
金属層間の絶縁膜としてスピンオンガラス膜が用いられ
、上側の金属層は後からリソグラフ法でパターニングさ
れる。しかしながら、平坦化層間絶縁膜に相対するもの
として電子デバイスの表面上のトップコート平坦化は知
られていない。
従来技術では、エレクトロニクス業界に見られるような
特殊なコーティング用途の増大する需要を満たすには単
一材料では大抵の場合十分ではない、微視的硬度、耐湿
性、イオンバリヤー性、付着性、展延性、引張強度、熱
膨張係数、等のようないくつかの被膜特性が、異なる被
膜からなる連続する複数層によって提供されなければな
らない。
ケイ素及び窒素含有プレセラミックポリマー、例えばシ
ラザンは多くの特許に開示されている。
例えば、Ｇａｕｌの米国特許第４．４０４．１５３号（
１９８３年９月１３日発行）は塩素含有ジシランと（Ｒ
′ＪＳｔ）ｇＮ）Ｉ（式中、Ｒ′はビニル基、水素、炭
素数１〜３個のアルキル基又はフェニル基である。］を
接触させて反応させて、Ｒ；Ｓｔ　Ｎ’Ｈ−含有シラザ
ンポリマーを製造する方法を開示する。Ｃｙａｕｌは、
同様に、この特許中で、プレセラミックシラザンポリマ
ーをケイ素−炭素窒素含有セラミック材料の製造に利用
することを教示する。
Ｇａｕｌの米国特許第４．３１２，９７０号（１９８２
年１月２６日発行）はオルガノクロロシランとジシラザ
ンの反応で調製したプレセラミックシラザンポリマーの
熱分解でセラミック材料を得ている。
Ｇａｕｌの米国特許第４，３４０．６１９号（１９８２
年７月２０日発行）は塩素含有ジシランとジシラザンの
反応で調製したプレセラミックシラザンポリマーの熱分
解でセラミック材料を得ている。
Ｃａｎｎａｄｙの米国特許第４．５４０．８０３号（１
９８５年９月１０日発行）はトリクロロシランとジシラ
ザンの反応で調製したプレセラミックシラザンポリマー
の熱分解でセラミック材料を得ている。
本発明は電子デバイスの表面上に多層セラミック又はセ
ラミック様薄膜を低温で形成して電子デバイスの保護を
強化することに関する。電子デバイスの保護のために１
又はそれ以上のケイ素−及び窒素含有セラミック又はセ
ラミック様被膜を形成する方法が見い出された。
〔問題点を解決するための手段及び作用効果〕本発明は
電子デバイスの保護用の単層及び多層の被膜を低温形成
することに関する。本発明において「低温」とは４００
℃以下の温度を意味する。
本発明の単層被膜はプレセラミックケイ素及び窒素含有
ポリマーコーティングのセラミック材によって電子デバ
イスに適用したケイ素及び窒素含有セラミック又はセラ
ミック様被膜からなる。本発明の多層被膜は、（１）電
子デバイス上の平坦化及びパッシベーション膜としての
ケイ素及び窒素含有セラミック又はセラミック様被膜と
、（２）電子デバイスに追加の保護を提供するケイ素含
有材料、ケイ素窒素含有材料、又はケイ素炭素含有材料
からなるトップ被膜１．とからなる。
本発明は、ケイ素及び窒素含有プレセラミックポリマー
を溶剤で希釈し、そのプレセラミックポリマー溶液で電
子デバイスをコーティングし、プレセラミックポリマー
溶液を乾燥して溶剤を蒸発することによって電子デバイ
ス上にプレセラミックス被膜を堆積し、そして空気の不
存在において該コーティングせる電子デバイスを加熱し
てセラミック又はセラミック様被膜でコーティングせる
電子デバイスを得ることによって、電子デバイスをセラ
ミック又はセラミック様被膜でコーティングすることか
らなる、電子デバイスにケイ素窒素含有被膜を形成する
方法に係る。本発明のプレセラミックポリマー溶液の乾
燥及び加熱は被膜中に酸素が入るのを防止するように湿
分及び空気の不存在において行なうことが好ましい。本
発明のケイ素−及び窒素−含有材料として特に価値のあ
るものはシラザンポリマー、ジシラザンポリマー及びポ
リシラザンポリマーである。本発明において「セラミッ
ク様」とは残留炭素及び／又は水素が完蚤に消失しては
いないがその他の点ではセラミックの様な性質を有する
熱分解せるケイ素−窒素含有材料を意味する。本発明に
おいて「電子デバイス」は、限定するわけではないが、
電子デバイス、ケイ素（シリコン）基デバイス、ヒ化ガ
リウムデバイス、フォーカルプレーンアレー、光電子デ
バイス、光起電セル及び光デバイスを含むデバイスを意
味する。
本発明は、同様に、（Ａ）ケイ素及び窒素含有プレセラ
ミックポリマーを溶剤で希釈し、そのプレセラミックポ
リマー溶液で電子デバイスをコーティングし、プレセラ
ミックポリマー溶液を乾燥して溶剤を蒸発することによ
って電子デバイスにプレセラミック被膜を堆積し、空気
の不存在において該コーティングせる電子デバイスを加
熱してセラミック又はセラミック様被膜を得ることによ
って、電子デバイスにセラミック又はセラミック様被膜
をコーティングする工程と、（Ｂ）反応室中で、上記セ
ラミック又はセラミック様被覆せる電子デバイスの存在
において、２００〜４００°Ｃの温度にて気相でシラン
、ポリシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ポリハロシ
ラン又はこれらの混合物を分解して、該セラミック又は
セラミック様被覆せる電子デバイスにケイ素含有被膜を
適用し、よってケイ素含有被膜でさらにコーティングし
たケイ素窒素含有セラミック又はセラミック様被覆せる
電子デバイスを得る工程と、からなる、セラミック又は
セラミック様ケイ素窒素含有被膜を有する電子デバイス
にケイ素含有被膜を形成する方法に係る。本発明によっ
て製造した被膜は電子デバイスに対して強力な付着性を
示し、耐摩耗性であり、かつ耐湿性である。
本発明は、さらに、（Ａ）ケイ素及び窒素含有プレセラ
ミックポリマーを溶剤で希釈し、そのプレセラミックポ
リマー溶液で電子デバイスをコーティングし、プレセラ
ミックポリマー溶液を乾燥して溶剤を蒸発することによ
って電子デバイスにプレセラミック被膜を堆積し、空気
の不存在において該コーティングせる電子デバイスを加
熱してセラミック又はセラミック様被膜を得ることによ
って、電子デバイスにセラミック又はセラミック様被膜
をコーティングする工程と、（Ｂ）反応室中で、上記セ
ラミック又はセラミック様被覆せる電子デバイスの存在
において、２００°Ｃ〜４００°Ｃの温度にて気相でシ
ラン、ポリシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ポリハ
ロシラン又はこれらの混合物とアンモニアとを分解して
、該セラミック又はセラミック様被覆せる電子デバイス
にケイ素窒素含有被膜を適用し、よっ゛てケイ素窒素含
有被膜でさらにコーティングしたケイ素窒素含有セラミ
ック又はセラミック様被覆せる電子デバイスを得る工程
と、からなる、セラミック又はセラミック様ケイ素窒素
含有被膜を有する電子デバイスにケイ素窒素含有被膜を
形成する方法に係る。
本発明は、さらに、（Ａ）ケイ素及び窒素含有プレセラ
ミックポリマーを溶剤で希釈し、そのプレセラミックポ
リマー溶液で電子デバイスをコーティングし、プレセラ
ミックポリマー溶液を乾燥して溶剤を蒸発することによ
って電子デバイスにプレセラミック被膜を堆積し、空気
の不存在において該コーティングせる電子デバイスを加
熱してセラミック又はセラミック様被膜を得ることによ
って、電子デバイスにセラミック又はセラミック様被膜
をコーティングする工程と、（Ｂ、）反応室中で、上記
セラミック又はセラミック様被覆廿る電子デバイスの存
在において、２００〜４００℃にて気相で、シラン、ポ
リシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ポリハロシラン
又はこれらの混合物と炭素数１〜６個のアル゛カン、ア
ルキルシラン及びアルキルハロシランからなる群から選
ばれた物質とを分解して、該セラミック又はセラミック
様被覆せる電子デバイスにケイ素炭素含有被膜を適用し
、よってケイ素炭素含有被膜でさらにコーティングした
ケイ素窒素含有セラミック又はセラミック様被覆せる電
子デバイスを得る工程と、からなる、セラミック又はセ
ラミック様ケイ素窒素含有被膜を有する電子デバイスに
ケイ素炭素含有被膜を形成する方法に係る。
また、本発明によれば、セラミック又はセラミック様被
膜を有する電子デバイス用のケイ素又はケイ素−及び窒
素−含有トップコート層を公知のＣｖＤあるいはプラズ
マＣＶＤで形成してもよい。このようなＣｖＤ又はプラ
ズマＣＶＤによるトップコート層はアモルファス、結晶
質、あるいはこれらの混合相であることができる。
さらに、本発明によれば、電子デバイスに耐裂傷性かつ
耐熱性保護被膜の製造方法が提供される。
本発明による被膜は、また、優れた熱伝導性を有し、コ
ーティングされた電子デバイス内で発生した熱によって
生ずる「ホットスポット（熱点）」の除去に有効である
。
本発明で用いるのに好適なプレセラミックシラザンポリ
マーは業界公知である０本発明で用いるのに適したプレ
セラミックシラザンポリマーは昇温によってセラミック
又はセラミック様材料に変換されうるちのでなければな
らない。プレセラミックシラザンポリマー及び／又は他
のケイ素−及び窒素−含有材料の混合物も本発明に使用
できる。
本発明で用いるのに適したプレセラミックシラザンポリ
マー又はポリシラザンの例には、米国特許第４．３１２
．９７０号（１９８２年１月２６日発行）、第４．３４
０．６１９号（１９８２年７月２０日発行）及び第４、
４０４．１５３号（１９８３年９月１３日発行）にＧａ
ｕｌが記載したポリシラザンがある。また、好適なポリ
シラザンには米国特許第４．４８２．６８９号（１９８
３年１１月１３日発行、Ｈｕｌｓｋａ）、第４．３９７
．８２８号（１９８３年８月９日発行、Ｓ　ｅｙｆｅｒ
ｔｈら）、及び第４．４８２，６６９号（１９８４年１
１月１３日発行、Ｓ　ｅｙｆｅｒｔｈら）に記載された
ものがある。本発明で用いるのに適したその他のポリシ
ラザンには米国特許第４．５４０，８０３号（１９８５
年９月１０日発行、Ｃａｎｎａｄｙ）、第４，５３５，
００７号（１９８５年８月１３日発行、Ｃａｎｎａｄｙ
）、第４，５４３，３４４号（１９８５年９月２４日発
行、Ｃａｎｎａｄｙ）及び米国特許出願筒６５２．９３
９号（１９８４年９月２１日出願、Ｂ　ａｎｎｅｙ　ら
）がある。Ｈ２Ｓ１Ｘｔ　（式中Ｘはハロゲン原子であ
る。）とＮｌ１３の反応で調製したジヒドリドシラザン
ボリマーも本発明に用いるのに適している。この（Ｈｚ
ＳｉＮＨ）−ポリマーはその業界では知られているが、
電子デバイスの保護用途には用いられていなかった（例
えば、１９８３年８月９日発行のＳ　ｅｙｆｅｒｔｈの
米国特許第４，３９７．８２８号参照）。さらに別のケ
イ素−及び窒素−含有材料を本発明に好適に用いること
ができるであろう。
本発明では、ケイ素と窒素を含むプレセラミックポリマ
ーをトルエンやｎ−ペプタンなどの溶剤で希釈して固体
含分を低減する（例えば０．１〜５ｗｔ％）０本発明の
範囲内のプレセラミックポリマーには、限定するわけで
はないが、シラザン、ジシラザン、ポリシラザン、及び
その他のケイ素−及び窒素−含有材料がある。
次に、プレセラミックポリマー溶液をＲＣＡ　４０１１
ＣＭＯＳデバイスのような電子デバイスにコーティング
し、空気の不存在において乾燥して溶剤を蒸発する。プ
レセラミックポリマー溶液を適用するのに用いるコーテ
ィング方法には、限定するわけではないが、フローコー
ティング、吹付法、浸漬法、あるいはスピンコード法が
ある。このような手段で付着したプレセラミックポリマ
ー被膜は、コーティングせる電子デバイスをアルゴン下
４００°Ｃで約１時間加熱してセラミック化する。こう
して、薄いセラミック又はセラミック様ＳｉＮ含有平坦
化及びパッシベーション被膜が電子デバイス上に形成さ
れる。
ＳｉＮ含有プレセラミックポリマーを完全に又は部分的
にセラミック化するのに好ましい温度範囲は２００〜４
００°Ｃである、ＳｉＮ含有プレセラミックポリマーを
セラミしり化するさらに好ましい温度範囲は３００〜４
００°Ｃである。しかしながら、ＳｉＮ含有被膜のセラ
ミック化又は部分的セラミック化のための加熱方法は慣
用の加熱方法に限定されない。本発明の平坦化及びパッ
シベーション膜として有用なＳｉＮ含有ポリマー被膜は
例えばレーザービームを照射するなどその他の輻射線手
段によって硬化（キュア）することができる。しかしな
がら、本発明は４００°Ｃ以下の温度のセラミック化に
限定されない。少なくとも１０００°Ｃまでの温度を用
いるセラミック化技術は当業者には自明であり、また基
材がその温度に耐え得れば本発明において有用である。
本発明において「硬化（キュア）イは固体重合体セラミ
ック又はセラミック様コーティング材料が生成する程度
に加熱して出発材料を共反応及びセラミック化又は部分
的セラミック化することを意味する。
本発明によるケイ素含有トップコートは米国特許出願第
８３５，０２９号（１９８６年２月２８日出願、Ｓ　、
Ｖ　ａｒａｐｒａ　ｔｈ）に開示されている金属アシス
トＣＶＤ法あるいは慣用の非金属ナシスｔ−ｃｖｏ法で
比較的低温にて得ることが可能である。当業者に知られ
ているその他の慣用の手法も本発明のトップコートを提
供するために利用できる。例えば、Ｈｇ増感紫外線硬化
法、プラズマＣＶＤ法がある。慣用のＣＶＤ法の高温条
件は、通常、コーティングできる基材材料の種類を限定
する。従って、４００°Ｃ以上の温度で加熱すると損傷
する電子デバイスは慣用のＣＶＤ法でコーティングする
ことができない。
本発明によってコーティングされるべき基材の選択は分
解室の雰囲気中で低い分解温度で熱的及び化学的に安定
である必要に制約されるだけである。
本発明の方法は還元されるケイ素含有ハライドの濃度に
応じて所望に変化する厚みのケイ素含有トップコートを
提供する。本発明のケイ素含有トップコートは優れた熱
安定性及び熱伝導性を示す。
本発明で得られる被膜は欠陥密度が低く、電子デバイス
の保護膜、耐食性耐摩耗性膜、耐温湿性膜、Ｎａ　”や
Ｃｆ−などの不純物イオンの拡散障壁として有用である
。また、本発明のＳｉＮ含有セラミック又はセラミック
様被膜は電子デバイスの本体内及び多層配線間の眉間絶
縁膜として有用であり、これはスピンオンガラス層に代
わるものである。
本発明により製造される被膜のもう１つの特有な側面は
電磁波に対する透過性である。従って、本発明の被膜の
特別の利点として、電磁波がコーティングされたデバイ
スからあるいはデバイス中へ通過するフォーカルプレー
ンアレー、光起電セル、あるいは光電子装置に使用でき
ることがある。
（実施例） 尉上 Ｃａｎｎａｄｙの米国特許第４，５４０，８０３号の例
１に記載された方法で調製したプレセラミックシラザン
ポリマーをトルエンに１．０ｗｔ％になるまで希釈した
。次に、このプレセラミックシラザンポリマー溶液を電
子デバイスにフローコートし、空気の不存在で乾燥して
溶剤を蒸発させた。これによってプレセラミックポリマ
ー製パッシベーション膜が得られ、それをアルゴン下４
００″Ｃで約１時間加熱してセラミック化した。こうし
て電子デバイス上に厚み２μｍ以下（約３０００人）の
薄いケイ素窒素含有セラミック又はセラミック様パッシ
ベーション膜が得られた。
肛 例１の手順を用いて、Ｈａｌｕｓｋａの米国特許第４．
４８２，６８９号の例１３に記載の方法で調製した約５
％のチタンを含有するプレセラミックシラザンポリマー
を電子デバイスにフローコートし、乾燥して溶剤を蒸発
させた。こうしてプレセラミックポリマー被膜が得られ
、これをアルゴン下４００’Ｃまでの温度で約１時間加
熱してセラミック化した。
こうして、電子デバイス上に厚み２μｍ以下（約３００
０人）の薄いケイ素窒素含有セラミック又はセラミック
様パッシベーション膜を得た。
貞主 例１の手順を用いて、Ｇａｕｌの米国特許第４．３９５
．４６０号の例１に記載の方法で調製したプレセラミッ
クシラザンポリマーを電子デバイスにフローコートし、
乾燥して溶剤を蒸発させた。こうしてプレセラミックポ
リマー被膜が得られ、これをアルゴン下４００°Ｃまで
の温度で約１時間加熱してセラミック化した。こうして
、電子デバイス上に厚み２μｍ以下（約３０００人）の
薄いケイ素窒素含有セラミック又はセラミック様パッシ
ベーション膜を得た。
虹 ５ｅｙｆｅｒｔｈの米国特許第４．３９７．８２８号の
例１に記載された方法で調製したジヒドリドシラザンの
１〜２％ジエチルエーテル フローコートした。このコートしたデバイスを窒素中４
００’Ｃで４時間ガス加熱した。ＣＭＯＳデバイスを回
路試験したが、コーティングと熱分解処理によるデバイ
ス機能への悪い影響は見られなかった。
このコーティングせるデバイスは０．　Ｉ　Ｍ　Ｎａ（
Ｊに暴露したが、回路が破壊されるまでに４．５時間以
上かかった。コーティングなしのＣＭＯＳデバイスは０
、　Ｉ　Ｍ　ＮａＣ１溶液に暴露すると１分以下で機能
が損なわれる。
例１〜４の平坦化膜でコートした電子デバイス上に次に
以下のようにしてバリヤコートを旋した。
すなわち、パイレックスガラス反応容器中に、セラミッ
ク化したケイ素窒素含有材料で予めコートした電子デバ
イスと共にヘキサフルオロジシランを５００　Ｔ　ｏｒ
ｒ入れた。ヘキサフルオロジシランはガラス容器に大気
へ暴露されることがないようにして移送した。次に、反
応容器を真空系に接続し、内部を排気し、それから真空
下でガスー酸素トーチで全体を加熱した。反応容器を天
然ガス−酸素トーチで封止し、オーブンで約３６０°Ｃ
の温度に３０分間加熱した．この間に、出発物質のへキ
サフルオロジシランが分解し、予めコートされた電子デ
バイス上にケイ素含有トップコートを形成した。反応容
器を真空系に再び接続した後、反応副生成物であるいろ
いろなハロシランの混合物とすべての未反応出発物質を
排気して除去した。それから、セラミックの被覆した電
子デバイス上にヘキサフルオロジシラン出発物質の分解
したケイ素含有トップコートが堆積した電子デバイスを
取り出した。
劃」− 例５の手順を用いて、セラミック又はセラミック様Ｓｉ
　−Ｎ被覆せる電子デバイスの存在においてジクロロジ
シランを熱分解した。これによって、セラミック又はセ
ラミック様被覆せる電子デバイス上にアモルファスシリ
コン含有トップコートが堆積した。
以下余白

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ケイ素及び窒素含有プレセラミックポリマーを溶剤
    で希釈し、そのプレセラミックポリマー溶液で電子デバ
    イスをコーティングし、プレセラミックポリマー溶液を
    乾燥して溶剤を蒸発することによって電子デバイス上に
    プレセラミックス被膜を堆積し、そして空気の不存在に
    おいて該コーティングせる電子デバイスを加熱してセラ
    ミック又はセラミック様被膜でコーティングせる電子デ
    バイスを得ることによって、電子デバイスをセラミック
    又はセラミック様被膜でコーティングすることからなる
    、電子デバイスにケイ素窒素含有被膜を形成する方法。 ２、（Ａ）ケイ素及び窒素含有プレセラミックポリマー
    を溶剤で希釈し、そのプレセラミックポリマー溶液で電
    子デバイスをコーティングし、プレセラミックポリマー
    溶液を乾燥して溶剤を蒸発することによって電子デバイ
    スにプレセラミック被膜を堆積し、空気の不存在におい
    て該コーティングせる電子デバイスを加熱してセラミッ
    ク又はセラミック様被膜を得ることによって、電子デバ
    イスにセラミック又はセラミック様被膜をコーティング
    する工程と、 （Ｂ）反応室中で、上記セラミック又はセラミック様被
    覆せる電子デバイスの存在において、気相でシラン、ポ
    リシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ポリハロシラン
    又はこれらの混合物を分解して、該セラミック又はセラ
    ミック様被覆せる電子デバイスにケイ素含有被膜を適用
    し、よってケイ素含有被膜でさらにコーティングしたケ
    イ素窒素含有セラミック又はセラミック様被覆せる電子
    デバイスを得る工程と、 からなる、セラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有
    被膜を有する電子デバイスにケイ素含有被膜を形成する
    方法。 ３、（Ａ）ケイ素及び窒素含有プレセラミックポリマー
    を溶剤で希釈し、そのプレセラミックポリマー溶液で電
    子デバイスをコーティングし、プレセラミックポリマー
    溶液を乾燥して溶剤を蒸発することによって電子デバイ
    スにプレセラミック被膜を堆積し、空気の不存在におい
    て該コーティングせる電子デバイスを加熱してセラミッ
    ク又はセラミック様被膜を得ることによって、電子デバ
    イスにセラミック又はセラミック様被膜をコーティング
    する工程と、 （Ｂ）反応室中で、上記セラミック又はセラミック様被
    覆せる電子デバイスの存在において、気相でシラン、ポ
    リシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ポリハロシラン
    又はこれらの混合物とアンモニアとを分解して、該セラ
    ミック又はセラミック様被覆せる電子デバイスにケイ素
    窒素含有被膜を適用し、よってケイ素窒素含有被膜でさ
    らにコーティングしたケイ素窒素含有セラミック又はセ
    ラミック様被覆せる電子デバイスを得る工程と、からな
    る、セラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有被膜を
    有する電子デバイスにケイ素窒素含有被膜を形成する方
    法。 ４、（Ａ）ケイ素及び窒素含有プレセラミックポリマー
    を溶剤で希釈し、そのプレセラミックポリマー溶液で電
    子デバイスをコーティングし、プレセラミックポリマー
    溶液を乾燥して溶剤を蒸発することによって電子デバイ
    スにプレセラミック被膜を堆積し、空気の不存在におい
    て該コーティングせる電子デバイスを加熱してセラミッ
    ク又はセラミック様被膜を得ることによって、電子デバ
    イスにセラミック又はセラミック様被膜をコーティング
    する工程と、 （Ｂ）反応室中で、上記セラミック又はセラミック様被
    覆せる電子デバイスの存在において、気相で、シラン、
    ポリシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ポリハロシラ
    ン又はこれらの混合物と炭素数１〜６個のアルカン、ア
    ルキルシラン及びアルキルハロシランからなる群から選
    ばれた物質とを分解して、該セラミック又はセラミック
    様被覆せる電子デバイスにケイ素炭素含有被膜を適用し
    、よってケイ素炭素含有被膜でさらにコーティングした
    ケイ素窒素含有セラミック又はセラミック様被覆せる電
    子デバイスを得る工程と、 からなる、セラミック又はセラミック様ケイ素窒素含有
    被膜を有する電子デバイスにケイ素炭素含有被膜を形成
    する方法。
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