JPS62145822A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62145822A JPS62145822A JP28875685A JP28875685A JPS62145822A JP S62145822 A JPS62145822 A JP S62145822A JP 28875685 A JP28875685 A JP 28875685A JP 28875685 A JP28875685 A JP 28875685A JP S62145822 A JPS62145822 A JP S62145822A
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- Japan
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- silicon nitride
- silica
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- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置に関し、特に信頼性高きバ、シベー
シ日ン膜を備えた半導体装置の製造方法に関する。
シ日ン膜を備えた半導体装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
半導体装置のパッシベーション族には、通常、二酸化シ
リコン（Ｓｉ０４）、窒化シリコン（８ｉｓＮｎ）ｌた
は燐硅酸ガラス（ＰＳＧ）などが用いられ、特に信頼性
を重んする場合にはシリコン窒化膜が多用される。従来
、このシリコン窒化膜は、モノシラン（Ｓｉｆｔ）とア
ンモニア（ＮＨ３）ｊたは窒素（−）の混合ガスを低温
（２００〜３５０’０）、低圧下（１０−’１ ｔｏｒ
ｒ以下）で反応させる低温プラズマ化学気相成長法によ
って堆積される。
リコン（Ｓｉ０４）、窒化シリコン（８ｉｓＮｎ）ｌた
は燐硅酸ガラス（ＰＳＧ）などが用いられ、特に信頼性
を重んする場合にはシリコン窒化膜が多用される。従来
、このシリコン窒化膜は、モノシラン（Ｓｉｆｔ）とア
ンモニア（ＮＨ３）ｊたは窒素（−）の混合ガスを低温
（２００〜３５０’０）、低圧下（１０−’１ ｔｏｒ
ｒ以下）で反応させる低温プラズマ化学気相成長法によ
って堆積される。
（発明が解決しようとする問題点）
一般に、これらの絶縁膜は半導体素子および配線導体の
パッシベーション族として用いられた場合それぞれ一長
一短の性質を示し、例えば、燐硅酸ガラス（ＰＳＧ）膜
とシリコン窒化膜とを比較すると、燐硅殴ガラスは配線
導体等に対する被覆性（カバレージ）および耐湿性に難
点があり、他方プラズマシリコン窒化膜は燐硅酸ガラス
に比べて被覆性および耐湿性の両面で優れてはいるが機
械的応力が大きいまたは高温処理段階でアルミ配線導体
を消失全洞化せしめるなどきわめて重大な欠点をもつ。
パッシベーション族として用いられた場合それぞれ一長
一短の性質を示し、例えば、燐硅酸ガラス（ＰＳＧ）膜
とシリコン窒化膜とを比較すると、燐硅殴ガラスは配線
導体等に対する被覆性（カバレージ）および耐湿性に難
点があり、他方プラズマシリコン窒化膜は燐硅酸ガラス
に比べて被覆性および耐湿性の両面で優れてはいるが機
械的応力が大きいまたは高温処理段階でアルミ配線導体
を消失全洞化せしめるなどきわめて重大な欠点をもつ。
また、二酸化シリコンは燐硅敵ガラスに比べれば被覆性
が良く且つプラズマシリコン窒化膜の如き大きな応力特
性も示さないが、パ。
が良く且つプラズマシリコン窒化膜の如き大きな応力特
性も示さないが、パ。
シベーシ目ン特性についてはこれら２つに劣るという膜
質を備えている。このように従来のパッジベージロン膜
り膜質にそれぞれ長所および短所があり、信頼性高き半
導体装置を歩溜りよく生産するのに困難が伴なう。
質を備えている。このように従来のパッジベージロン膜
り膜質にそれぞれ長所および短所があり、信頼性高き半
導体装置を歩溜りよく生産するのに困難が伴なう。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、半導体素子および
配線導体に対する被覆性（カバレージ）および耐湿性を
充分に備え且つ機械的応力をほとんど生ずるとと彦越パ
ッンベーション膜の形成工程を備えた半導体装置の製造
方法を提供することである。
配線導体に対する被覆性（カバレージ）および耐湿性を
充分に備え且つ機械的応力をほとんど生ずるとと彦越パ
ッンベーション膜の形成工程を備えた半導体装置の製造
方法を提供することである。
（発明の構成）
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板を準備す
る工程と、前記半導体基板上に半導体素子および配線導
体をそれぞれ形成する工程と、前記半導体素子および配
線導体上にシリコンおよび窒素を含むシリカ膜を被覆す
るシリカ膜塗布工程と、前記シリカ膜上にシリコン窒化
膜を堆積するプラズマシリコン窒化膜気相成長工程とを
含む。
る工程と、前記半導体基板上に半導体素子および配線導
体をそれぞれ形成する工程と、前記半導体素子および配
線導体上にシリコンおよび窒素を含むシリカ膜を被覆す
るシリカ膜塗布工程と、前記シリカ膜上にシリコン窒化
膜を堆積するプラズマシリコン窒化膜気相成長工程とを
含む。
（問題点を解決するための手段）
すなわち、本発明によれば、パッジベージロン膜の形成
工程はまず半導体素子および配線導体上にシリカ膜を塗
布する第１の段階とこのシリカ膜上にプラズマシリコン
窒化膜を堆積する第２の段階とに分たれ、パッジベージ
ロン膜をシリカ膜トプラズマシリコン窒化膜の２層構造
に形成せしめるＯ （作用） 第１のシリカ膜塗布段階により半導体素子および配線導
体はきわめて良好なカバレージを以って被覆される。従
って、第２の段階にょ）成長されるプラズマシリコン窒
化膜もｌだきわめて良好なカバレージを以って堆積され
る。すなわち、両者は被覆性および耐湿性を相互に補完
し合い、カバレージおよび耐湿性の２つを兼備した一つ
の平担なパッシベーション膜が形成される。この２層構
造ノパッシベーション膜によれば、上層のプラズマシリ
コン窒化膜がもつ大きな機械的応力は下層のシリカ膜に
より緩和され半導体素子への影響が阻止される。また、
アロイ、組立またはアニールなどの高温熱処理（４００
〜５００℃）で生じるプラズマシリコン窒化膜によるア
ルミ配線導体の消失空洞化問題も一挙に解決される。以
下図面を１照して本発明の詳細な説明する。
工程はまず半導体素子および配線導体上にシリカ膜を塗
布する第１の段階とこのシリカ膜上にプラズマシリコン
窒化膜を堆積する第２の段階とに分たれ、パッジベージ
ロン膜をシリカ膜トプラズマシリコン窒化膜の２層構造
に形成せしめるＯ （作用） 第１のシリカ膜塗布段階により半導体素子および配線導
体はきわめて良好なカバレージを以って被覆される。従
って、第２の段階にょ）成長されるプラズマシリコン窒
化膜もｌだきわめて良好なカバレージを以って堆積され
る。すなわち、両者は被覆性および耐湿性を相互に補完
し合い、カバレージおよび耐湿性の２つを兼備した一つ
の平担なパッシベーション膜が形成される。この２層構
造ノパッシベーション膜によれば、上層のプラズマシリ
コン窒化膜がもつ大きな機械的応力は下層のシリカ膜に
より緩和され半導体素子への影響が阻止される。また、
アロイ、組立またはアニールなどの高温熱処理（４００
〜５００℃）で生じるプラズマシリコン窒化膜によるア
ルミ配線導体の消失空洞化問題も一挙に解決される。以
下図面を１照して本発明の詳細な説明する。
（実施例）
第１図および第２図は本発明の一実施例を示す工程順序
図である。
図である。
まず第１図に示すようにシリコン基板１が準備され、半
導体素子および配線導体がそれぞれ形成される。ここで
、２はフィールド絶縁ｇ、３はアルミ配線導体、４は半
導体素子の一領域を七れぞれ示している。ついでこの半
導体素子および配線導体上にはシリコンおよび窒素を含
むシリカ材が塗布され、約４００℃の熱処理を経てシリ
カ塗布膜５が形成される。この第１工程によって、フィ
一ルド絶縁膜２およびアルミ配線導体３の表面は、それ
ぞれ膜厚Ｌｏｏｏ−へｏｏｏｕのシリカ塗亜膜５ではは
均一に被覆される。すなわち、きわめて良好なカバレー
ジを以ってアルミ配線導体３を被接する。ついでこのシ
リカ塗布膜５の上にはプラズマシリコン窒化膜６が公知
の手段、例えば、低温プラズマ化学気相成長法により第
２図に示す如く堆積される。この第２工程によって、シ
リカ塗布膜５は耐湿性に優れたプラズマシリコン窒化膜
６によって全表面が被覆される。すなわち、シリカ塗布
膜５およびプラズマシリコン窒化膜６は耐湿性および被
覆性それぞれの欠点を相互に補完し合い、カバレージお
よび耐湿性の２つの長所を備えた平担な２層構造の一つ
のパッシベーションＩｎ形成する。
導体素子および配線導体がそれぞれ形成される。ここで
、２はフィールド絶縁ｇ、３はアルミ配線導体、４は半
導体素子の一領域を七れぞれ示している。ついでこの半
導体素子および配線導体上にはシリコンおよび窒素を含
むシリカ材が塗布され、約４００℃の熱処理を経てシリ
カ塗布膜５が形成される。この第１工程によって、フィ
一ルド絶縁膜２およびアルミ配線導体３の表面は、それ
ぞれ膜厚Ｌｏｏｏ−へｏｏｏｕのシリカ塗亜膜５ではは
均一に被覆される。すなわち、きわめて良好なカバレー
ジを以ってアルミ配線導体３を被接する。ついでこのシ
リカ塗布膜５の上にはプラズマシリコン窒化膜６が公知
の手段、例えば、低温プラズマ化学気相成長法により第
２図に示す如く堆積される。この第２工程によって、シ
リカ塗布膜５は耐湿性に優れたプラズマシリコン窒化膜
６によって全表面が被覆される。すなわち、シリカ塗布
膜５およびプラズマシリコン窒化膜６は耐湿性および被
覆性それぞれの欠点を相互に補完し合い、カバレージお
よび耐湿性の２つの長所を備えた平担な２層構造の一つ
のパッシベーションＩｎ形成する。
（発明の効果）
この２層構造のパッジベージロン膜は、平担性および耐
湿性を兼備するのみでなく、拡散工程終了後に行なわれ
る各種の熱処理、例えばアロイ。
湿性を兼備するのみでなく、拡散工程終了後に行なわれ
る各種の熱処理、例えばアロイ。
組立またはアニールなど４００℃を趙える高温熱６一
処理に際しても熱的および機械的にきわめて安定してい
る。すなわち、下層のクリカ塗布膜５は上層のプラズマ
シリコン窒化膜６による半導体素子または配線導体への
熱的および機械的影響の緩和剤として働き、史にはモー
ルド樹脂による機械的応力を緩和してクラ、りの発生を
有効に抑止するなど電気的特性の安定化に大きな効果を
あげることができる。
る。すなわち、下層のクリカ塗布膜５は上層のプラズマ
シリコン窒化膜６による半導体素子または配線導体への
熱的および機械的影響の緩和剤として働き、史にはモー
ルド樹脂による機械的応力を緩和してクラ、りの発生を
有効に抑止するなど電気的特性の安定化に大きな効果を
あげることができる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、きわめて
平担な半導体チップを歩ｌＷりよく効率的に生産し得る
のみならず、半導体装置の信頼性の向上にも層着なる効
果を奏し得る。
平担な半導体チップを歩ｌＷりよく効率的に生産し得る
のみならず、半導体装置の信頼性の向上にも層着なる効
果を奏し得る。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示す工程順序
図でおる。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・フィール
ド絶縁膜、３・・・・・・アルミ配線導体、４・・・・
・・半導体素子の一狽域、５・・・・・・シリカ塗布層
、６・・・・・・グラスマシリコ梢 ｌ 区 第２図
図でおる。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・フィール
ド絶縁膜、３・・・・・・アルミ配線導体、４・・・・
・・半導体素子の一狽域、５・・・・・・シリカ塗布層
、６・・・・・・グラスマシリコ梢 ｌ 区 第２図
Claims (1)
- 半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板上に半導
体素子および配線導体をそれぞれ形成する工程と、前記
半導体素子および配線導体上にシリコンおよび窒素を含
むシリカ膜を被覆するシリカ膜塗布工程と、前記シリカ
膜上にシリコン窒化膜を堆積するプラズマシリコン窒化
膜気相成長工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28875685A JPS62145822A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28875685A JPS62145822A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145822A true JPS62145822A (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=17734296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28875685A Pending JPS62145822A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145822A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144526A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-16 | ダウ コーニング コーポレーション | 電子デバイス用ケイ素窒素含有被膜の形成方法 |
| KR20030043446A (ko) * | 2001-11-28 | 2003-06-02 | 동부전자 주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP28875685A patent/JPS62145822A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144526A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-16 | ダウ コーニング コーポレーション | 電子デバイス用ケイ素窒素含有被膜の形成方法 |
| JPH0612773B2 (ja) * | 1986-12-03 | 1994-02-16 | ダウ コーニング コーポレーション | 電子デバイス用ケイ素窒素含有被膜の形成方法 |
| KR20030043446A (ko) * | 2001-11-28 | 2003-06-02 | 동부전자 주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
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