JPS6037150A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6037150A JPS6037150A JP58145375A JP14537583A JPS6037150A JP S6037150 A JPS6037150 A JP S6037150A JP 58145375 A JP58145375 A JP 58145375A JP 14537583 A JP14537583 A JP 14537583A JP S6037150 A JPS6037150 A JP S6037150A
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- H01L2924/05042—Si3N4
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法、特に外部取出し電極
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
スピンオングラス膜は多層配線の層間絶縁膜として最近
広く用いられている。特に回転塗布することによシ滑ら
かな表面形状が簡単に得られることから非常に有用であ
る。スピンオングラス膜の組成はケイ素化合物をアルコ
ールに溶解したものであるから、半導体基板上にスピン
オングラスを塗布した後熱処理を施す必要がある。この
熱処理温度は高い程、スピンオングラス膜はち密化する
ことが知られているが、例えば２層配線構造における層
間絶縁膜として用いる場合、スピンオングラス膜の熱処
理は、半導体基板内に形成したＰＮ接合を劣化させるた
め、できるだけ低温が望ましい。
広く用いられている。特に回転塗布することによシ滑ら
かな表面形状が簡単に得られることから非常に有用であ
る。スピンオングラス膜の組成はケイ素化合物をアルコ
ールに溶解したものであるから、半導体基板上にスピン
オングラスを塗布した後熱処理を施す必要がある。この
熱処理温度は高い程、スピンオングラス膜はち密化する
ことが知られているが、例えば２層配線構造における層
間絶縁膜として用いる場合、スピンオングラス膜の熱処
理は、半導体基板内に形成したＰＮ接合を劣化させるた
め、できるだけ低温が望ましい。
一方、低温熱処理したスピンオングラス膜は下層膜との
接着強度が小さいため、このスピンオングラスを含む基
板上にボンディングすると、スピンオングラス膜の界面
から電気絶縁膜が剥離することが判った。また、スピン
オングラス膜を塗布し低温熱処理した後、通常のホトレ
ジスト工程を用いてボンディング領域のスピンオングラ
ス膜を選択除去した後、第２Ｇ電気絶縁膜を被着した場
合には、第２の電気絶縁膜に亀裂が生じることが判った
。この理由はスピンオングラスが吸湿性をもつためホト
レジスト工程から第２の電気絶縁膜被着工程の間に水分
を吸収するためだと考えられる。
接着強度が小さいため、このスピンオングラスを含む基
板上にボンディングすると、スピンオングラス膜の界面
から電気絶縁膜が剥離することが判った。また、スピン
オングラス膜を塗布し低温熱処理した後、通常のホトレ
ジスト工程を用いてボンディング領域のスピンオングラ
ス膜を選択除去した後、第２Ｇ電気絶縁膜を被着した場
合には、第２の電気絶縁膜に亀裂が生じることが判った
。この理由はスピンオングラスが吸湿性をもつためホト
レジスト工程から第２の電気絶縁膜被着工程の間に水分
を吸収するためだと考えられる。
本発明は、上記欠点を鑑みなさねたものであシ、ＰＮ接
合を劣化させることなくスピンオングラス膜で表面平滑
化を実現し、かつボンディング強度を保証することを目
的とする。
合を劣化させることなくスピンオングラス膜で表面平滑
化を実現し、かつボンディング強度を保証することを目
的とする。
本発明によると、半導体基板の一生面に導電層を形成す
る工程゛と、前記導電層を含む前記半導体基板上に少な
くともスピンオングラスを上層に含む電気絶縁膜全被着
する工程と、前記電気絶縁膜上に第２の電気絶縁膜を被
着する工程と、少なくともボンディング領域の前記第２
の電気絶縁膜とスピンオングラスとを除去する工程と、
前記ボン工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法が得られる。
る工程゛と、前記導電層を含む前記半導体基板上に少な
くともスピンオングラスを上層に含む電気絶縁膜全被着
する工程と、前記電気絶縁膜上に第２の電気絶縁膜を被
着する工程と、少なくともボンディング領域の前記第２
の電気絶縁膜とスピンオングラスとを除去する工程と、
前記ボン工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法が得られる。
本発明の実施例を図面を参照して説明する。尚説明の簡
単のため材料は半導体としてシリコンを用いた場合を考
える。
単のため材料は半導体としてシリコンを用いた場合を考
える。
まず第１図囚に示すように、通常の拡散、イオン注入、
酸化及び選択蝕刻法などを用いて、シリコン基板１０１
の一生面にＰ及びＮ形厚電層を形成する（図示せず）。
酸化及び選択蝕刻法などを用いて、シリコン基板１０１
の一生面にＰ及びＮ形厚電層を形成する（図示せず）。
次に、前記シリコン基板１０１の表面に電気絶縁膜例え
ばシリコン酸化膜１０２を被着し、開孔１０３を設けた
後、第１のアルミニウム配線層１０４を形成する。
ばシリコン酸化膜１０２を被着し、開孔１０３を設けた
後、第１のアルミニウム配線層１０４を形成する。
次に第１図（Ｂ）に示すように、プラズマ気相成長法に
よりシリコン窒化膜１０５を被着した後、スピンオング
ラス１０６を回転塗布し、３００〜４００Ｃの温度で３
０〜６０分熱処理する。続いてプラズマ気相成長法によ
りシリコン窒化膜１０７を被着する。
よりシリコン窒化膜１０５を被着した後、スピンオング
ラス１０６を回転塗布し、３００〜４００Ｃの温度で３
０〜６０分熱処理する。続いてプラズマ気相成長法によ
りシリコン窒化膜１０７を被着する。
この時のシリコン窒化膜１０５，１０７及びスピンオン
グラス１０６の膜厚は、前記アルミニウム配線層１０４
の膜厚によって適当に選択する必要があるが、例えばア
ルミニウム配線層１０４の膜厚を１．０ミクロンとした
場合、シリコン窒化膜１０５及び１０７の膜厚は各々０
．２〜０．５ミクロン、０．５〜１．０ミクロンが実用
上好適であハスビンオングラス１０６の膜厚は５００〜
１５００オングストロームが好適である。
グラス１０６の膜厚は、前記アルミニウム配線層１０４
の膜厚によって適当に選択する必要があるが、例えばア
ルミニウム配線層１０４の膜厚を１．０ミクロンとした
場合、シリコン窒化膜１０５及び１０７の膜厚は各々０
．２〜０．５ミクロン、０．５〜１．０ミクロンが実用
上好適であハスビンオングラス１０６の膜厚は５００〜
１５００オングストロームが好適である。
次に第１図Ｃ）に示すように、ボンディング領域１０８
の前記シリコン窒化膜１０７及びスピンオングラス１０
６を選択的に蝕刻除去する。次に前記アルミニウム配線
層１０４上に導通開孔１０９を設ける。該開孔１０９の
開孔工程と、前記ボンディング領域１０８のシリコン窒
化膜１０７及びスピンオングラス１０６の蝕刻除去工程
は同時に実施することもできる。
の前記シリコン窒化膜１０７及びスピンオングラス１０
６を選択的に蝕刻除去する。次に前記アルミニウム配線
層１０４上に導通開孔１０９を設ける。該開孔１０９の
開孔工程と、前記ボンディング領域１０８のシリコン窒
化膜１０７及びスピンオングラス１０６の蝕刻除去工程
は同時に実施することもできる。
次に第１図０に示すように、第２のアルミニウム配線層
１１０を形成する。
１１０を形成する。
本発明の第２の実施例としてバンプ構造を有する半導体
装置に適用した場合を説明する。
装置に適用した場合を説明する。
まず、第２区内に示すように、第１図Ｃ）で得た前記導
通用開孔１０９を含むシリコン基板１０１上にチタン２
０１及び白金２０２を被着した後、第２の配線領域に金
２０３ｆｔメッキする。次に第２図（ＢＪに示すように
、前記金メツキ層２０３上にバンク金２０４ｔ−形成し
た後、不用部分の前記チタン層２０１及び白金層２０２
を除去し、チタン−白金−金からなる第２の配線層２０
５及びバング２０４が形成される。
通用開孔１０９を含むシリコン基板１０１上にチタン２
０１及び白金２０２を被着した後、第２の配線領域に金
２０３ｆｔメッキする。次に第２図（ＢＪに示すように
、前記金メツキ層２０３上にバンク金２０４ｔ−形成し
た後、不用部分の前記チタン層２０１及び白金層２０２
を除去し、チタン−白金−金からなる第２の配線層２０
５及びバング２０４が形成される。
本発明は、ＰＮ接合を劣化させることなく半導体基板表
面を平滑にしかつボンティング強度を保証することがで
きる効果がある。
面を平滑にしかつボンティング強度を保証することがで
きる効果がある。
第１図四〜（６）及び第２図（５）〜（均は、本発明の
２つの実施例を示す主要工程順に於ける断面図である。 １０１・・・・・・シリコン、１０２・・−・−・シリ
コン酸化膜層、１０４，１１０・・・・・・アルミニウ
ム層、１０５゜１０７・・・・・・シリコン窒化膜層、
１０６・・・・・・スピンオングラス層、２０１・・・
・・・チタン層、２０２・・・・・・白金層、２０３，
２０４・・・・・・金層（Ａ） （Ｂ） （Ｃ） ｔＤ） Ｖ １ 回 （Δ） （Ｅ） ｖ−２１￥Ｉ
２つの実施例を示す主要工程順に於ける断面図である。 １０１・・・・・・シリコン、１０２・・−・−・シリ
コン酸化膜層、１０４，１１０・・・・・・アルミニウ
ム層、１０５゜１０７・・・・・・シリコン窒化膜層、
１０６・・・・・・スピンオングラス層、２０１・・・
・・・チタン層、２０２・・・・・・白金層、２０３，
２０４・・・・・・金層（Ａ） （Ｂ） （Ｃ） ｔＤ） Ｖ １ 回 （Δ） （Ｅ） ｖ−２１￥Ｉ
Claims (2)
- （１）半導体基板の一生面に導電層を形成する工程と、
前記導電層を含む前記半導体基板上に少なくともスピン
オングラスを上層に含む電気絶縁膜を被着する工程と、
前記絶縁膜上に第２の電気絶縁膜を被着する工程と、少
なくともボンディング領域の前記第２の電気絶縁膜とス
ピンオングラスとを除去する工程と、前記ボッディング
領域にボンディング用金属膜を形成する工程とを含むこ
と′を特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）導電層は半導体層或は半導体及び金属配線層から
なる特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145375A JPS6037150A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145375A JPS6037150A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037150A true JPS6037150A (ja) | 1985-02-26 |
Family
ID=15383771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58145375A Pending JPS6037150A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037150A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4801560A (en) * | 1987-10-02 | 1989-01-31 | Motorola Inc. | Semiconductor processing utilizing carbon containing thick film spin-on glass |
| US4966870A (en) * | 1988-04-14 | 1990-10-30 | International Business Machines Corporation | Method for making borderless contacts |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP58145375A patent/JPS6037150A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4801560A (en) * | 1987-10-02 | 1989-01-31 | Motorola Inc. | Semiconductor processing utilizing carbon containing thick film spin-on glass |
| US4966870A (en) * | 1988-04-14 | 1990-10-30 | International Business Machines Corporation | Method for making borderless contacts |
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