JPS5915394B2 - 厚膜微細パタ−ン生成方法 - Google Patents

厚膜微細パタ−ン生成方法

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JPS5915394B2
JPS5915394B2 JP53106665A JP10666578A JPS5915394B2 JP S5915394 B2 JPS5915394 B2 JP S5915394B2 JP 53106665 A JP53106665 A JP 53106665A JP 10666578 A JP10666578 A JP 10666578A JP S5915394 B2 JPS5915394 B2 JP S5915394B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特に厚膜形・・イブリツドＩＣに適用して有効
な厚膜微細パターンの生成方法に関するものである。
従来の厚膜形ハイブリッドＩＣにおいては、セラミック
基板上に導体、抵抗体、絶縁体等のペーストを塗布して
パターン形成する際はスクリーン印刷で行なつているた
め、パターンの微細化、基５ 板の大型化には自ら限界
があつた。
本発明は上記従来に比べはるかに微細なパターンが形成
できるパターン生成法を提供するものである。
この目的は、基板上に塗布した有機バインダを１０含む
厚膜ペーストを乾燥させ、この状態で該厚膜面に有機溶
剤に溶解しないフォトレジストを被着した後、該レジス
ト膜を露光・現像して前記厚膜の不要部分を露出させ、
該露出部分の厚膜を有機溶剤の吹付けで飛散させてパタ
ーンを形成し、し１５かる後該パターンを焼成してなる
厚膜微細パターンの生成方法により達成できる。
以下本発明の実施例を添付図面により詳細に説明する。
第１図〜第５図は本発明に係る厚膜微細バター２０ンの
生成方法を工程順に示す断面図であり、レジス゜ト液を
使用した場合についての実施例を先に説明する。
本生成法では先づ第１図に示す如く、セラミック等から
なる絶縁基板１の全面上に、Ａｕ、Ａｇ。
２５ＡＵ−Ｐを等の貴金属粉末にガラスフリットを混合
してそれを有機バインダに分散させた導体ペースト、又
は抵抗値の大きいＡｇ−Ｐｄ粉末等とガラスフリットを
有機バインダ中に混合してなる抵抗体ペースト又はガラ
スフリットを有機バインダ中に３０混合してなる絶縁体
ペースト等の各種ペーストを１６〜３０ミクロンの厚さ
で均一に印刷塗布して厚膜２を形成し、これを１００’
Ｃ以下望ましくは７５０Ｃ〜１００℃で乾燥硬化させる
。
次に第２図に示す如く、第１図の厚膜２上の全３５面に
有機溶剤に溶解しないフォトレジスト液である水溶性レ
ジスト液をスピンナー等で数ミクロン（１〜４ミクロン
）均一に被着させ、これを常温（３０℃程度）−７０℃
で加熱して硬化させレジスト膜３を形成する。
続いて、厚膜２の不要部分を溶去可能にするため、レジ
スト膜３を露光し水等に漬けて現像して、第３図に示す
如く厚膜２の不要部分のレジスト膜３を除去しそこを露
出させる。
この状態から１１１トリクロルエタン（クロロセン）等
の有機溶剤を圧縮空気でレジスト膜３の面上より吹付け
て、第４図の如く露出した厚膜２中の有機バインダを溶
解し混合粉末を飛散させて厚膜２のパターンニングを行
なう。
しかる後、第４図の厚膜２を８００′Ｃ〜９２０℃で焼
成すると、レジスト膜３は水溶性レジストであるため焼
失し、厚膜２に卦いては有機バインダが燃焼気化すると
共に金属粉末は所定の電気特性を持つ金属膜に成長して
ガラスフリツトの溶融により基板１に固着され、第５図
の如き厚膜パターンが生成される。
．この実施例によれば光に
よりパターンニングを行なうためスクリーン印刷に比べ
てはるかに微細なパターンが形成できる。又、厚膜２を
乾燥状態でパターンニングするため溶法が容易であり且
つ有機溶剤の吹付けなのでシヤープエツジな微細パター
ンとすることができる。
更に、厚膜２の乾燥温度が１００℃以下であるため有機
溶解がむずかしいガラスフリツト膜は生成せず、且つ７
５℃以上の乾燥ではレジスト液が厚膜中に染込みにくい
。しかも該レジスト液は有機溶剤を含まない水溶性レジ
ストであるため、たとえ厚膜中に染込んだとしても該レ
ジスト液により厚膜が溶解されることはない。
尚、本実施例ではレジスト膜３が付着した状態で焼成し
たが、該レジスト膜３を除去した後焼成しても良い。
次に、本発明の他の実施例としてフイルムレジストを使
用した場合について説明する。
フイルムレジストはアクリル樹脂系の市販のホトドライ
フイルムで、光が照射された部分が重合してクロロセン
等の有機溶剤には溶解せず、光があたらなかつた部分だ
けが有機溶剤で溶解はく離するものを使用すれば良い。
そして、このフイルムレジストを熱圧着し乾燥状態の厚
膜２上に被着して第２図の状態とする。
次に、該フイルムレジストを第３図と同様に露光・現像
する。この際、露光は厚膜２のパターンとなる部分を被
う部分の該フイルムレジストには光が照射され、厚膜２
の溶去する不要部分には光が照射されないように行なう
。又、現像は望ましくは有機溶剤を吹付けて行なえば第
３図の如くフイルムレジストは現像されると共に、露出
した不要部分の厚膜２が該有機溶剤によつて飛散して第
４図の如くパターンニングも同時に達成できる。しかる
後、該厚膜パターン上に被着したフイルムレジストをは
く離し、その後該厚膜パターンを焼成すれば第５図の如
き上記レジスト液の場合の実施例と同様な厚膜微細パタ
ーンが得られる。このフイルムレジストの実施例は上記
レジスト液の場合に比べ工程が更に簡単となり、安価な
厚膜基板を得ることができる。以上説明した通り、本発
明によれば従来のスクリーンを印刷による厚膜パターン
に比べはるかに微細なパターンが形成でき、又この方法
は基板の大型化にも左右されるものではないなどその実
用上の効果は著しい。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第５図は本発明に係る厚膜微細パターンの生成
方法を各工程順に示す断面図であり、第１図は厚膜ペー
ストの印刷・乾燥工程、第２図はフオトレジスト塗布工
程、第３図はフオトレジスト膜の露光・現像工程、第４
図はパターン形成工程、第５図は焼成工程の状態を各々
示す。 符号の説明、１・・・基板、２・・・厚膜、３・・・レ
ジスト膜。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 基板上に塗布した有機バインダを含む厚膜ペースト
    を乾燥させ、この状態で該厚膜面に有機溶剤に溶解しな
    いフォトレジストを被着した後、該レジスト膜を露光・
    現像して前記厚膜の不要部分を露出させ、該露出部分の
    厚膜を有機溶剤の吹付けで飛散させてパターンを形成し
    、しかる後該パターンを焼成してなる厚膜微細パターン
    の生成方法。 ２ 前記フォトレジストをフィルムレジストとし、該フ
    ィルムレジストを熱圧着して被着したことを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の厚膜微細パターンの生成方
    法。 ３ 前記フォトレジストをレジスト液とし、該レジスト
    液を塗布して被着したことを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の厚膜ぶさいパターンの生成方法。
JP53106665A 1978-08-31 1978-08-31 厚膜微細パタ−ン生成方法 Expired JPS5915394B2 (ja)

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