JPS618911A - 導体層の形成方法 - Google Patents
導体層の形成方法Info
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- JPS618911A JPS618911A JP13026384A JP13026384A JPS618911A JP S618911 A JPS618911 A JP S618911A JP 13026384 A JP13026384 A JP 13026384A JP 13026384 A JP13026384 A JP 13026384A JP S618911 A JPS618911 A JP S618911A
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- JP
- Japan
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- layer
- conductive paste
- conductive
- forming
- paste
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子回路素子らるいは電気回路基板等における
導体層の形成方法に関し、特に複数の導体層の相互間隔
が狭い場合に顕著な効果が得られる導体層の形成方法に
関する。
導体層の形成方法に関し、特に複数の導体層の相互間隔
が狭い場合に顕著な効果が得られる導体層の形成方法に
関する。
従来の技術
円筒磁器コンデンサの円筒磁器素体の外周面には、内部
電極の引出し電極（導体層）と、外部電極（導体層）と
が例えば５００μｍ程度の狭い間隙を有し・て形成され
て−・る。これらの電極は、導電性ペーストを円筒状磁
器基体の外周面にロール転写によって所定バタンに印刷
し、これをメツシユベルトの土に落し込み、これでトン
ネル炉中を移送しつつ加熱乾燥し、その後再び高温のト
ンネル炉を通して焼き付けることにより形成される。
電極の引出し電極（導体層）と、外部電極（導体層）と
が例えば５００μｍ程度の狭い間隙を有し・て形成され
て−・る。これらの電極は、導電性ペーストを円筒状磁
器基体の外周面にロール転写によって所定バタンに印刷
し、これをメツシユベルトの土に落し込み、これでトン
ネル炉中を移送しつつ加熱乾燥し、その後再び高温のト
ンネル炉を通して焼き付けることにより形成される。
一方、電気回ｗＪ基板の導体ラインは、導電性ペースト
をスクリーン印刷し、トンネル炉で乾燥及び焼付を行う
ことによって形成される。
をスクリーン印刷し、トンネル炉で乾燥及び焼付を行う
ことによって形成される。
発明が解決しようとする問題点
しかし、前者の電極形成方法にお（・では、円筒磁器基
体の外周上に塗布された導電性ペースト塗膜が未乾燥の
ために、移送用のメツシュベルトに落された時に、相互
間隔の極めて小さい内部電極用の塗膜と、外部電極用の
塗膜との一方又は両方が変形し、両者が接続された状態
になる場合かぁ′ ８゜ｃＯＦ ｕ ”ｅ１９．ヵ
、っ＊＊’ｖｍ−ｒｈ、８う、極と外部電極との短絡状
態ある−・は電極間絶縁抵抗の低下が生じる。後者の導
体ラインの形成方法においては、スクリーン上をスキー
ジが移動していくと、スクリーンを構成する網が（・つ
たん押し下げられ、その後、跳上るよプに元の状態に戻
る。
体の外周上に塗布された導電性ペースト塗膜が未乾燥の
ために、移送用のメツシュベルトに落された時に、相互
間隔の極めて小さい内部電極用の塗膜と、外部電極用の
塗膜との一方又は両方が変形し、両者が接続された状態
になる場合かぁ′ ８゜ｃＯＦ ｕ ”ｅ１９．ヵ
、っ＊＊’ｖｍ−ｒｈ、８う、極と外部電極との短絡状
態ある−・は電極間絶縁抵抗の低下が生じる。後者の導
体ラインの形成方法においては、スクリーン上をスキー
ジが移動していくと、スクリーンを構成する網が（・つ
たん押し下げられ、その後、跳上るよプに元の状態に戻
る。
この時、隣接する導電性ペースト塗膜間に、ヒゲ状の導
電性ペースト塗膜が形成されることがあり、このまま乾
燥及び焼付を行うと、隣接導体ライン間の短絡が生じる
おそれがめる。また導電ペーストの雛み出しにより隣接
導体ライン間の絶縁が不良になることがらる。今、磁器
コンデンサの電極及び回路基板の導電ラインにつ（・て
述べたが、他の電子回路素子の電極又は回路基板の電極
においても同様な問題がある。
電性ペースト塗膜が形成されることがあり、このまま乾
燥及び焼付を行うと、隣接導体ライン間の短絡が生じる
おそれがめる。また導電ペーストの雛み出しにより隣接
導体ライン間の絶縁が不良になることがらる。今、磁器
コンデンサの電極及び回路基板の導電ラインにつ（・て
述べたが、他の電子回路素子の電極又は回路基板の電極
においても同様な問題がある。
そこで、本発明の目的は、隣接する導体層の相 プ
互間の短絡又は絶縁抵抗の低下を容易に防止することが
可能な導体層の形成方法を提供することにある。
互間の短絡又は絶縁抵抗の低下を容易に防止することが
可能な導体層の形成方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段。
上記目的を達成するための本発明は、基体上の複数め導
体層形成予定部の相互間に、導電性ペーストを排除する
働きを有する層を形成し、しかる後、前記複数の導体層
形成予定部に導電性ペーストを塗布し、同化させること
を特徴とする導体層の形成方法に係わるものである。
体層形成予定部の相互間に、導電性ペーストを排除する
働きを有する層を形成し、しかる後、前記複数の導体層
形成予定部に導電性ペーストを塗布し、同化させること
を特徴とする導体層の形成方法に係わるものである。
作用
本発明の方法において、導電性ペーストが導体層形成予
定部以外に付着しようとしても、予め形成されている導
電性ペーストを排除する働きを一有する層によって不要
な導電ペーストに基づ（不要な導体層の形成が防止され
る。従って、複数の導体層の相互間の短絡又は絶縁抵抗
の低下を阻止することが出来る。
定部以外に付着しようとしても、予め形成されている導
電性ペーストを排除する働きを一有する層によって不要
な導電ペーストに基づ（不要な導体層の形成が防止され
る。従って、複数の導体層の相互間の短絡又は絶縁抵抗
の低下を阻止することが出来る。
実施例
次に、第１図を参朋して本発明の実施例に係わる円筒型
磁器コンデンサの製造方法について述べる。
磁器コンデンサの製造方法について述べる。
筐ず、第１図（２）に示す、外径１１−４ｎｎ、肉厚０
．３ｍｍ、長さ３．４ ｍｍの円筒状誘電体磁器基体（
１）を用意し、次に、第１図Ｂに示す如く、導電性ペー
ストン排除する働き乞有する樹脂層（２）層形成した。
．３ｍｍ、長さ３．４ ｍｍの円筒状誘電体磁器基体（
１）を用意し、次に、第１図Ｂに示す如く、導電性ペー
ストン排除する働き乞有する樹脂層（２）層形成した。
この樹脂層（２）の形成方法を詳しく説明すると、１０
０重量部の有機バインダーに２．２５０重量部のフッ素
系樹脂（住友３Ｍ社Ｉｔ！ＪＸ−９００）を添加し、雷
潰器で３０分間混線することによって樹脂ペーストヶ作
製し、この樹脂ペーストを磁器基体１１Ｊの外周の電極
形成予定部の相互間に転与ロールペースト塗布機を使用
して幅３００μｍ、浮み２０μｍの鉢巻状に塗布し、１
５０℃、１０分間トンネル炉で乾燥（固化）さゼ、樹脂
層（２） ’Ｙ影形成た。なお、有機バインダーは、１
００重量部のエチルセルロースと３００重量部のジエチ
レングリコールモノブチルエーテルとから成り、高粘ち
ょう性を有するものであり、フッ素系樹脂は低表面張力
で且つ導電ペーストｙ弾（性質を有するものである。ま
た、樹脂層（２）は、約４５０℃で炭化し、約５５０℃
で飛散（焼失］する性質を有し、且つ導電性ペーストを
弾く撥油性を有する。
０重量部の有機バインダーに２．２５０重量部のフッ素
系樹脂（住友３Ｍ社Ｉｔ！ＪＸ−９００）を添加し、雷
潰器で３０分間混線することによって樹脂ペーストヶ作
製し、この樹脂ペーストを磁器基体１１Ｊの外周の電極
形成予定部の相互間に転与ロールペースト塗布機を使用
して幅３００μｍ、浮み２０μｍの鉢巻状に塗布し、１
５０℃、１０分間トンネル炉で乾燥（固化）さゼ、樹脂
層（２） ’Ｙ影形成た。なお、有機バインダーは、１
００重量部のエチルセルロースと３００重量部のジエチ
レングリコールモノブチルエーテルとから成り、高粘ち
ょう性を有するものであり、フッ素系樹脂は低表面張力
で且つ導電ペーストｙ弾（性質を有するものである。ま
た、樹脂層（２）は、約４５０℃で炭化し、約５５０℃
で飛散（焼失］する性質を有し、且つ導電性ペーストを
弾く撥油性を有する。
次に、第１図（Ｏに示す外部電極用導電性ペースｊ
ト層（３）をロール転写ペースト塗布機で電極子
・足部上に形成した。この導電性ペースト層（４）を形
成する時に樹脂層（２）の上に導電性ペーストが例え付
着しようとしても、導電性ペーストが弾かれる。なお、
導電性ペースト層（３）（４）を形成するためのペース
トは、０．１〜３０μｍの範四の粒径（平均粒径１０μ
ｍ）の銀粉床１００重量部と、ガラスフリツ）］１重量
とから成る混合物１００重量部に対して有機ビヒクル（
エチルセルロースと２−ヒドキシジエチル−エーテル１
：３）ｆ：２０重量部添刀口し、雷潰器で混練した銀ペ
ーストであり、また導電、性ペースト層（３１の厚みは
１０μｍである。
ト層（３）をロール転写ペースト塗布機で電極子
・足部上に形成した。この導電性ペースト層（４）を形
成する時に樹脂層（２）の上に導電性ペーストが例え付
着しようとしても、導電性ペーストが弾かれる。なお、
導電性ペースト層（３）（４）を形成するためのペース
トは、０．１〜３０μｍの範四の粒径（平均粒径１０μ
ｍ）の銀粉床１００重量部と、ガラスフリツ）］１重量
とから成る混合物１００重量部に対して有機ビヒクル（
エチルセルロースと２−ヒドキシジエチル−エーテル１
：３）ｆ：２０重量部添刀口し、雷潰器で混練した銀ペ
ーストであり、また導電、性ペースト層（３１の厚みは
１０μｍである。
次に、外部電極用導電性ペースト層（３１を設けたコン
デンサ素子をメツシュベルト上に落シ、トンネル炉を通
過させ、１５０℃、１０分間の乾燥処ゝ″ｆｆｍ、Ｌ″
ゞ・７に一４８ｔｍｍｓｔ＜−ｙ、“１（３” 蓮と
同様に内部電極用導電性ペース）＃（４ＪＹ形成した。
デンサ素子をメツシュベルト上に落シ、トンネル炉を通
過させ、１５０℃、１０分間の乾燥処ゝ″ｆｆｍ、Ｌ″
ゞ・７に一４８ｔｍｍｓｔ＜−ｙ、“１（３” 蓮と
同様に内部電極用導電性ペース）＃（４ＪＹ形成した。
この内部電極用導電ペースト層（４〕の形成時又はメツ
シュベルトに乗せた時に樹脂層（２１に導電性ペースト
が付着しようとしても、弾かれる０次に、トンネル炉で
８００℃、１０分間の熱処理を施し、導電性ペースト層
＋３＋ １４）を焼付けて、第１図０に示す外部電極（
３ａ）及び内部電極（４ａ）層形成した。この焼付は処
理により樹脂層＋２１は焼失し、磁器基体ｆｉ＋の両電
極間領域（１ａ）が露出する。この時、樹脂層＋２１の
上に導電性ペーストが例え多少付着していたとしても、
樹脂層（２）と共に除去され、磁器基体ｉｌｌ上に残存
することはない。
シュベルトに乗せた時に樹脂層（２１に導電性ペースト
が付着しようとしても、弾かれる０次に、トンネル炉で
８００℃、１０分間の熱処理を施し、導電性ペースト層
＋３＋ １４）を焼付けて、第１図０に示す外部電極（
３ａ）及び内部電極（４ａ）層形成した。この焼付は処
理により樹脂層＋２１は焼失し、磁器基体ｆｉ＋の両電
極間領域（１ａ）が露出する。この時、樹脂層＋２１の
上に導電性ペーストが例え多少付着していたとしても、
樹脂層（２）と共に除去され、磁器基体ｉｌｌ上に残存
することはない。
上述の方法で完成した第１図０の磁器コンデンサの電極
間の抵抗値をＪＩＳＣ５］０２で規定されている直偏法
により５０ｖｌ：Ｄ加１分後に測定し、１０４ＭΩ以上
の抵抗値を有するものン良品とし、これ未満を不良品と
し、試料数１０．０００個に対する不良品のバーセント
ン求めた。この結果、不良率は０．０４％であった。な
お、比較のために、樹脂層＋２１７設けない他は、第１
図と全く同様な方法で磁器コンデンサを形成し、不良品
のパーセントを求めたところ、１．２％であった。従っ
て、本実施例によれば、不良率が大幅に低減する。
間の抵抗値をＪＩＳＣ５］０２で規定されている直偏法
により５０ｖｌ：Ｄ加１分後に測定し、１０４ＭΩ以上
の抵抗値を有するものン良品とし、これ未満を不良品と
し、試料数１０．０００個に対する不良品のバーセント
ン求めた。この結果、不良率は０．０４％であった。な
お、比較のために、樹脂層＋２１７設けない他は、第１
図と全く同様な方法で磁器コンデンサを形成し、不良品
のパーセントを求めたところ、１．２％であった。従っ
て、本実施例によれば、不良率が大幅に低減する。
フッ素系樹脂の有機バインダーに対する添加量（重量部
）ン、０．１５０．０．３７５．０．７５０．３．７５
０．５．２５０．７，５００．９．００に変えた池は、
上述の添加量２．２５０重量部の場合と全（同一の方法
でコンデンサ素子成し、不良率を求めたところ、０・４
０．０．１０．０．０７．０．０６．０．１１．０．５
０．１．００であった。これにより、フッ素系樹脂の添
加量を９重量部以下にすることが望ましいことが判る。
）ン、０．１５０．０．３７５．０．７５０．３．７５
０．５．２５０．７，５００．９．００に変えた池は、
上述の添加量２．２５０重量部の場合と全（同一の方法
でコンデンサ素子成し、不良率を求めたところ、０・４
０．０．１０．０．０７．０．０６．０．１１．０．５
０．１．００であった。これにより、フッ素系樹脂の添
加量を９重量部以下にすることが望ましいことが判る。
なお、フッ素系樹脂の添７１０量が９重量部を越えると
、印刷性が悪（なり、目標とする樹脂層の形成が困難に
なる。従って、フッ素系樹脂の好ましい添加量は帆１５
〜９重量部である。
、印刷性が悪（なり、目標とする樹脂層の形成が困難に
なる。従って、フッ素系樹脂の好ましい添加量は帆１５
〜９重量部である。
次に、第２図を参照して本発明の別の実施例に係わる電
気回路基板の製造方法について述べる。
気回路基板の製造方法について述べる。
まず、５０Ｘ５０ＸＯ−６ｍｍの大きさのアルミナ基板
（５）の上に、４００メツシユのスクリーン印刷にて樹
脂ペーストを塗布し、トンネル炉で１５０℃、１０分の
刃口熱（乾燥）処理ケ行５ことによって第２図（２）に
示″ｆ５本の樹脂層＋６Ｊ ”ａ−形成した。なお、樹
脂層１６ノを形成するための樹脂ペーストは、第１図の
実施例の樹脂ペーストにおけるフッ素樹ｌ 脂の代
りにジメチルシリコンオイル（信越化学ＫＦ−９６）を
３．７５０重量部検力口した以外に同一のものである。
（５）の上に、４００メツシユのスクリーン印刷にて樹
脂ペーストを塗布し、トンネル炉で１５０℃、１０分の
刃口熱（乾燥）処理ケ行５ことによって第２図（２）に
示″ｆ５本の樹脂層＋６Ｊ ”ａ−形成した。なお、樹
脂層１６ノを形成するための樹脂ペーストは、第１図の
実施例の樹脂ペーストにおけるフッ素樹ｌ 脂の代
りにジメチルシリコンオイル（信越化学ＫＦ−９６）を
３．７５０重量部検力口した以外に同一のものである。
この樹脂ペーストは約５００ ℃で炭化し、約６００℃
でケイ素ケ除き焼失（飛散ンする。ケイ素は絶縁性が高
（・ので、残存しても差支えな（・が、必要に応じて除
去してもよい。第２図法）の樹脂層１６ノは導体層形成
子足部の相互間に長さ］、６ｍｍ、幅１００μｍ１厚み
２０μｍのパターンに形成した。
でケイ素ケ除き焼失（飛散ンする。ケイ素は絶縁性が高
（・ので、残存しても差支えな（・が、必要に応じて除
去してもよい。第２図法）の樹脂層１６ノは導体層形成
子足部の相互間に長さ］、６ｍｍ、幅１００μｍ１厚み
２０μｍのパターンに形成した。
次に、樹脂層ｆ６７に隣接させて第２図Ｂに示す如（一
対の導電ペースト層（７バ８）を３２５メツシユスクリ
ーン印刷で形成した。この導電性ペースト層ｆ７７（８
）を形成するための導電性ペーストは、第１図（０の導
電、性ペースト層＋３１ （４）における銀粉末の代り
にＡｇとＰｄとの］００：］の混合粉末を使用した以外
は第１図（０と同一のものである。なお、＜シｉず 歯状の一対の導電性ペースト層＋７７ （８７の相互の
間隔は１５０ＩＩｍ″ｕ−６る。
対の導電ペースト層（７バ８）を３２５メツシユスクリ
ーン印刷で形成した。この導電性ペースト層ｆ７７（８
）を形成するための導電性ペーストは、第１図（０の導
電、性ペースト層＋３１ （４）における銀粉末の代り
にＡｇとＰｄとの］００：］の混合粉末を使用した以外
は第１図（０と同一のものである。なお、＜シｉず 歯状の一対の導電性ペースト層＋７７ （８７の相互の
間隔は１５０ＩＩｍ″ｕ−６る。
次に、導電性ペースト（７月８］の焼付けを第１図の実
施例と同様に行った。これにより、樹脂層＋６７は焼散
した。しかる後、導電性ベース） ｆ７７（第１で形成
された一対の導体層に直流５０Ｖを印加し、１分後の絶
縁抵抗を第１図の実施例と同様に側足し、１００ＭΩ未
満を不良とした。そして、試料数１０．０００個に対す
る不良品のパーセントを求めたところ、０．１６％であ
った。なお、比較のために、樹脂層（６〕を設けない他
は、第２図と全く同一の導電層を形成し、不良品のパー
セントを求めたところ、２．４％であった。
施例と同様に行った。これにより、樹脂層＋６７は焼散
した。しかる後、導電性ベース） ｆ７７（第１で形成
された一対の導体層に直流５０Ｖを印加し、１分後の絶
縁抵抗を第１図の実施例と同様に側足し、１００ＭΩ未
満を不良とした。そして、試料数１０．０００個に対す
る不良品のパーセントを求めたところ、０．１６％であ
った。なお、比較のために、樹脂層（６〕を設けない他
は、第２図と全く同一の導電層を形成し、不良品のパー
セントを求めたところ、２．４％であった。
また、ジメチルシリコンオイルの添加量（重量部）を０
．］ ５０．０．３７５．０．７５０．２．２５０゜５
．２５０、？、５００，９．０００ Ｋ変えた他は、第
２図の実施例と同一の方法で導電Ｎ１を形成し、不良率
を求めたところ、Ｊ、００．０．７０％０．５０．０．
２４．０．４５．０．９０．１．５０％であった。ジメ
チルシリコンオイルの雄刃ａｔが９．０００重量部を越
えると、樹脂ペーストの印刷性が悪くなり、絶縁不良が
発生する割合が増加する。従って、ジメチルシリコンオ
イルの好ましい絡加量は０．１５〜９重量部でるる。
．］ ５０．０．３７５．０．７５０．２．２５０゜５
．２５０、？、５００，９．０００ Ｋ変えた他は、第
２図の実施例と同一の方法で導電Ｎ１を形成し、不良率
を求めたところ、Ｊ、００．０．７０％０．５０．０．
２４．０．４５．０．９０．１．５０％であった。ジメ
チルシリコンオイルの雄刃ａｔが９．０００重量部を越
えると、樹脂ペーストの印刷性が悪くなり、絶縁不良が
発生する割合が増加する。従って、ジメチルシリコンオ
イルの好ましい絡加量は０．１５〜９重量部でるる。
変形例
本発明は土述の実施例に限定されるものでな（、変形例
が可能なものである。例えば、導電性ペーストの企画粉
末として紹、Ｎｉｓ Ａｇ ’ Ｐ ｔ 、 、Ａｕ
。
が可能なものである。例えば、導電性ペーストの企画粉
末として紹、Ｎｉｓ Ａｇ ’ Ｐ ｔ 、 、Ａｕ
。
Ａｕ−Ｐｔ 、 Ｚｎ 、 Ｃｕ等を含むもので導体層
を形成してもよい。また、実施例では５００℃以上で焼
付ける高温焼成型導電性ペーストが使用されて（・るが
、金属粉末をエポキシ樹脂又はフェノール樹脂等に分散
させたもので、例えば１５０℃以下の低温で硬化させる
導電塗料で導体層を形成する場合にも適用可能である。
を形成してもよい。また、実施例では５００℃以上で焼
付ける高温焼成型導電性ペーストが使用されて（・るが
、金属粉末をエポキシ樹脂又はフェノール樹脂等に分散
させたもので、例えば１５０℃以下の低温で硬化させる
導電塗料で導体層を形成する場合にも適用可能である。
樹脂ベーストを作るための有機バインダーとして、エチ
ルセルロースＪｌのメチルセルロース、ニトロセルロー
ス等の他のセルロース類、２−ヒドロキシジエチルエー
テル等の他のエーテル類を使用してもよい。また、樹脂
層＋２１ ｆｆ１Ｊは、導電性ベーストを弾く性質（撥
油性）乞有することが望ましいが、この性質に依らずに
、樹脂層［２１＋６７の焼失時に導電性ペーストラ同時
に飛散さぜるようなものでもよい。
ルセルロースＪｌのメチルセルロース、ニトロセルロー
ス等の他のセルロース類、２−ヒドロキシジエチルエー
テル等の他のエーテル類を使用してもよい。また、樹脂
層＋２１ ｆｆ１Ｊは、導電性ベーストを弾く性質（撥
油性）乞有することが望ましいが、この性質に依らずに
、樹脂層［２１＋６７の焼失時に導電性ペーストラ同時
に飛散さぜるようなものでもよい。
発明の効果
上述から明らかな如く、複数の導抹層形成予定部の相互
間に予め、導電性ペース）’＆排除する働ぎを有する層
を設けてお（ことにより、導電性ベーストが相互間に不
要に付着しようとしてもこれを阻止することが出来る。
間に予め、導電性ペース）’＆排除する働ぎを有する層
を設けてお（ことにより、導電性ベーストが相互間に不
要に付着しようとしてもこれを阻止することが出来る。
従って、不良の発生を大幅に低減することが出゛来る。
第１図（Ａｌ■（Ｃ１（Ｄｌは本発明の実施例に係わる
磁器コンデンサの電極形成方法を工程順に示す断面図で
ある。８２図（２）■は本発明の別の実施例に係わる回
路基板の導体層の形成方法を工程順に示す平面図である
。
磁器コンデンサの電極形成方法を工程順に示す断面図で
ある。８２図（２）■は本発明の別の実施例に係わる回
路基板の導体層の形成方法を工程順に示す平面図である
。
Claims (3)
- （１）基体上の複数の導体層形成予定部の相互間に、導
電性ペーストを排除する働きを有する層を形成し、しか
る後、前記複数の導体層形成予定部に導電性ペーストを
塗布し、固化させることを特徴とする導体層の形成方法
。 - （２）前記導電性ペーストを排除する働きを有する層は
、前記導電性ペーストを弾く性質を有する物質層である
特許請求の範囲第１項記載の導体層の形成方法。 - （３）前記導電性ペーストを排除する働きを有する層は
、前記導電性ペーストを固化するための加熱処理で焼失
する物質層である特許請求の範囲第１項記載の導体層の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13026384A JPS618911A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 導体層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13026384A JPS618911A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 導体層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618911A true JPS618911A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=15030089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13026384A Pending JPS618911A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 導体層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618911A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012516039A (ja) * | 2009-01-27 | 2012-07-12 | デイー・シー・シー−デイベロツプメント・サーキツツ・エンド・コンポーネンツ・ゲー・エム・ベー・ハー | 多層プリント回路基板を製造する方法、接着防止材料、多層プリント回路基板、およびそのような方法の使用 |
| US11476223B2 (en) | 2019-09-02 | 2022-10-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP13026384A patent/JPS618911A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012516039A (ja) * | 2009-01-27 | 2012-07-12 | デイー・シー・シー−デイベロツプメント・サーキツツ・エンド・コンポーネンツ・ゲー・エム・ベー・ハー | 多層プリント回路基板を製造する方法、接着防止材料、多層プリント回路基板、およびそのような方法の使用 |
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