JPS5915510B2 - 厚膜のエッチング方法 - Google Patents
厚膜のエッチング方法Info
- Publication number
- JPS5915510B2 JPS5915510B2 JP54114102A JP11410279A JPS5915510B2 JP S5915510 B2 JPS5915510 B2 JP S5915510B2 JP 54114102 A JP54114102 A JP 54114102A JP 11410279 A JP11410279 A JP 11410279A JP S5915510 B2 JPS5915510 B2 JP S5915510B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- etching
- film
- thick
- terpineol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に厚膜形ハイブリッドＩＣにおける５ 厚膜
微細パターンの生成に適用して有効な厚膜のエッチング
方法に関するものである。
微細パターンの生成に適用して有効な厚膜のエッチング
方法に関するものである。
従来の厚膜形ハイブリッドＩＣにおいては、セラミック
基板上に導体、抵抗体、絶縁体等のペーストを塗布して
パターン形成する際はスクリーン１０印刷で行なつてい
るため、パターンの微細化、基板の大型化には自ら限界
があつた。
基板上に導体、抵抗体、絶縁体等のペーストを塗布して
パターン形成する際はスクリーン１０印刷で行なつてい
るため、パターンの微細化、基板の大型化には自ら限界
があつた。
このため、本出願の発明者等により、上記従来方法に比
べてはるかに微細なパターンを形成でき、かつ基板の大
型化も制限されないパターン生成法１５が既に提案され
ている。
べてはるかに微細なパターンを形成でき、かつ基板の大
型化も制限されないパターン生成法１５が既に提案され
ている。
この方法は、基板上にペーストを塗布して厚膜を形成し
、これを乾燥させた状態で該厚膜面に有機溶剤に溶解し
ないフォトレジストを被着し、該レジスト膜を露光・現
像して前記厚膜の不要部分を露出させた後、該露出部’
０ 分の厚膜を有機溶剤のエッチング液でエッチングし
てパターンを形成し、しかる後該パターンを焼成するも
のである。しかるに、従来は厚膜のエッチングに使用す
るエッチング液として、１１１トリクロルエタン’５（
クロロセン）、アセトン、イソプロピルアルコール（Ｉ
ＰＡ）等が一般に使用されている。
、これを乾燥させた状態で該厚膜面に有機溶剤に溶解し
ないフォトレジストを被着し、該レジスト膜を露光・現
像して前記厚膜の不要部分を露出させた後、該露出部’
０ 分の厚膜を有機溶剤のエッチング液でエッチングし
てパターンを形成し、しかる後該パターンを焼成するも
のである。しかるに、従来は厚膜のエッチングに使用す
るエッチング液として、１１１トリクロルエタン’５（
クロロセン）、アセトン、イソプロピルアルコール（Ｉ
ＰＡ）等が一般に使用されている。
しかし、これらの有機溶剤は厚膜への染込み作用および
厚膜膨潤作用が非常に大きく、このためエッチング時間
が長過ぎると厚膜の剥離などの欠陥が生−０じやすい。
すなわち、エッチング時間の許容範囲が小さく、微細パ
ターンのパターニングが容易でないという問題がある。
従つて本発明は、このような従来方法における問題を解
消すること、すなわちエッチング時間の’５ 許容範囲
が広くてパターニングを容易に可能となす厚膜のエツチ
ングカ法を提供することにある。
厚膜膨潤作用が非常に大きく、このためエッチング時間
が長過ぎると厚膜の剥離などの欠陥が生−０じやすい。
すなわち、エッチング時間の許容範囲が小さく、微細パ
ターンのパターニングが容易でないという問題がある。
従つて本発明は、このような従来方法における問題を解
消すること、すなわちエッチング時間の’５ 許容範囲
が広くてパターニングを容易に可能となす厚膜のエツチ
ングカ法を提供することにある。
本発明によるエッチング方法は、上記の目的をウ１−達
成するためにテルピネオール（α，β，γ、および異性
体混合物も含む）を５〜１００％含有するエツチング液
を使用することを要旨とするものである。
成するためにテルピネオール（α，β，γ、および異性
体混合物も含む）を５〜１００％含有するエツチング液
を使用することを要旨とするものである。
テルピネオールは厚膜内への染込みおよび厚膜の膨潤が
少なく、従つてエツチング時間の許容範囲を広く取れ、
パターニングが非常に容易となる。なお、テルピネオー
ル含有エツチング液はエツチング作用が比較的小さいの
で、エツチングはハブまたはヌプレイ吹付けにより比較
的高い圧力の作用下で行なうのが好ましい。以下、本発
明について実施例にもとづき添付図面を参照して詳細に
説明する。
少なく、従つてエツチング時間の許容範囲を広く取れ、
パターニングが非常に容易となる。なお、テルピネオー
ル含有エツチング液はエツチング作用が比較的小さいの
で、エツチングはハブまたはヌプレイ吹付けにより比較
的高い圧力の作用下で行なうのが好ましい。以下、本発
明について実施例にもとづき添付図面を参照して詳細に
説明する。
第１図〜第５図は本発明に係るエツチングカ法を適用し
た厚膜微細パターンの生成力法を工程順に示す断面図で
ある。
た厚膜微細パターンの生成力法を工程順に示す断面図で
ある。
この生成法では先ず第１図に示す如く、セラミツク等か
らなる絶縁基板１の全面上に、Ａｕ，Ａｇ，Ａｕ−Ｐｔ
等の貴金属粉末にガラスフリツトを混合してそれを有機
バインダに分散させた導体ペースト、又は抵抗値の大き
いＡｇ−Ｐｄ粉末等とガラヌフリツトを有轡バインダ中
に混合してなる抵抗体ペースト、又はガラスフリツトを
有機バインダ沖に混合してなる絶縁体ペーヌト等の各種
ペーストを１６〜３０ミクロンの厚さで均一に印刷塗布
して厚膜２を形成し、これを１００℃以下、望ましくは
７５℃〜１００℃で乾燥硬化させる。
らなる絶縁基板１の全面上に、Ａｕ，Ａｇ，Ａｕ−Ｐｔ
等の貴金属粉末にガラスフリツトを混合してそれを有機
バインダに分散させた導体ペースト、又は抵抗値の大き
いＡｇ−Ｐｄ粉末等とガラヌフリツトを有轡バインダ中
に混合してなる抵抗体ペースト、又はガラスフリツトを
有機バインダ沖に混合してなる絶縁体ペーヌト等の各種
ペーストを１６〜３０ミクロンの厚さで均一に印刷塗布
して厚膜２を形成し、これを１００℃以下、望ましくは
７５℃〜１００℃で乾燥硬化させる。
次に第２図に示す如く、第１図の厚膜２上の全面に有機
溶剤に溶解しないレジヌト膜３を形成する。レジスト膜
３を形成するには、第一例として、ポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）系の水溶性フオトレジスト液をスピンナー
等で数ミクロン（１〜４ミクロン）均一に被着させ、こ
れを常温（３０℃程度）〜７０℃で加熱して硬化させる
。第二のレジスト膜形成力法は、フイルムレジストを熱
圧着する力法である。フイルムレジストはアクリル樹脂
系の市販のホトドライフイルムで、光が照射された部分
が重合してクロロセン等の有機溶剤には溶解せず、光が
あたらなかつた部分だけが有機溶剤で溶解剥離するもの
を使用すれば良い。続いて、厚膜２の不要部分を溶去可
能にするため、レジスト膜３を露光および現像して、第
３図に示す如く厚膜２の不要部分のレジスト膜３を除去
しそこを露出させる。現像は、水溶性レジスト液から成
るレジスト膜の場合は水に浸漬させて行ない、またフイ
ルムレジストから成るレジスト膜の場合は有機溶剤を用
いて行なえば良い。そして第３図の状態において厚膜２
の不要部分つまり露出部分のエツチングを行なう。
溶剤に溶解しないレジヌト膜３を形成する。レジスト膜
３を形成するには、第一例として、ポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）系の水溶性フオトレジスト液をスピンナー
等で数ミクロン（１〜４ミクロン）均一に被着させ、こ
れを常温（３０℃程度）〜７０℃で加熱して硬化させる
。第二のレジスト膜形成力法は、フイルムレジストを熱
圧着する力法である。フイルムレジストはアクリル樹脂
系の市販のホトドライフイルムで、光が照射された部分
が重合してクロロセン等の有機溶剤には溶解せず、光が
あたらなかつた部分だけが有機溶剤で溶解剥離するもの
を使用すれば良い。続いて、厚膜２の不要部分を溶去可
能にするため、レジスト膜３を露光および現像して、第
３図に示す如く厚膜２の不要部分のレジスト膜３を除去
しそこを露出させる。現像は、水溶性レジスト液から成
るレジスト膜の場合は水に浸漬させて行ない、またフイ
ルムレジストから成るレジスト膜の場合は有機溶剤を用
いて行なえば良い。そして第３図の状態において厚膜２
の不要部分つまり露出部分のエツチングを行なう。
本発明によるエツチングカ法は、テルピネオール（α，
β，γ、および異性体混合物を含む）を５〜１００％含
有するエツチング液を使用するものである。すなわち、
一般に使用されている有機溶剤であるクロロセン、アセ
トン、イソプロピルアルコールなどにテルピネオールを
５％以上含有させたエツチング液、ないしはテルピネオ
ール１００％液を用いてエツチングを行なう。テルピネ
オールは、クロロセン、アセトン、イソプロピルアルコ
ール等に比べて、厚膜２への染込みおよび厚膜膨潤が少
なく、従つてこれを５〜１００％含有するエツチング液
を使用すれば、エツチング時間の許容範囲を広く取るこ
とができ、それだけパターニングが容易となる。
β，γ、および異性体混合物を含む）を５〜１００％含
有するエツチング液を使用するものである。すなわち、
一般に使用されている有機溶剤であるクロロセン、アセ
トン、イソプロピルアルコールなどにテルピネオールを
５％以上含有させたエツチング液、ないしはテルピネオ
ール１００％液を用いてエツチングを行なう。テルピネ
オールは、クロロセン、アセトン、イソプロピルアルコ
ール等に比べて、厚膜２への染込みおよび厚膜膨潤が少
なく、従つてこれを５〜１００％含有するエツチング液
を使用すれば、エツチング時間の許容範囲を広く取るこ
とができ、それだけパターニングが容易となる。
なお、テルピネオール含有エツチング液は、従来一般に
使用しているクロロセン等に比べてエツチング作用が小
さい。
使用しているクロロセン等に比べてエツチング作用が小
さい。
従つてこの場合のエツチングは比較的高い圧力の作用の
下で行なうのが好ましい。その第一の力法として、エツ
チング液をスポンジ状部材に含浸させ、これで厚膜の露
出部分をハブして溶触除去し、しかる後に洗浄液をスプ
レイ吹付けして残渣を除去する。
下で行なうのが好ましい。その第一の力法として、エツ
チング液をスポンジ状部材に含浸させ、これで厚膜の露
出部分をハブして溶触除去し、しかる後に洗浄液をスプ
レイ吹付けして残渣を除去する。
洗浄液としては、テルピネオールを溶触するが厚膜を溶
触しないもの、例えばエチレングリコール、ないしは界
面活性剤を混入した水溶液等が適当である。第二のエツ
チングカ法は、エツチング液を例えば５〜８ｋｇ／ＣＴ
ｉｌの圧力でもつて厚膜の露出部分にヌプレイ吹付けし
て行なうものである。
触しないもの、例えばエチレングリコール、ないしは界
面活性剤を混入した水溶液等が適当である。第二のエツ
チングカ法は、エツチング液を例えば５〜８ｋｇ／ＣＴ
ｉｌの圧力でもつて厚膜の露出部分にヌプレイ吹付けし
て行なうものである。
この力法によれば、上記第一の力法のように残渣除去工
程が不要で作業が簡単であり、しかもシヤープエツジの
微細パターンの形成が容易である。以上のパターン形成
の後、第４図において、厚膜２のパターン上に被着され
ているレジスト膜３を剥離した上で厚膜パターン２を８
００〜９２０℃で焼成すると、厚膜２において有機バイ
ンダが燃焼気化すると共に金属粉末が所定の電気特性を
持つ金属膜に成長してガラヌフリツトの溶融により基板
１に固着され、第５図の如き厚膜パターンが生成される
。
程が不要で作業が簡単であり、しかもシヤープエツジの
微細パターンの形成が容易である。以上のパターン形成
の後、第４図において、厚膜２のパターン上に被着され
ているレジスト膜３を剥離した上で厚膜パターン２を８
００〜９２０℃で焼成すると、厚膜２において有機バイ
ンダが燃焼気化すると共に金属粉末が所定の電気特性を
持つ金属膜に成長してガラヌフリツトの溶融により基板
１に固着され、第５図の如き厚膜パターンが生成される
。
なお、レジスト膜３が水溶性レジストから成る場合は、
レジヌト膜３が被着した状態のままで厚膜２の焼成が可
能である（レジヌト膜は焼成により焼失する）。以上に
説明したように、本発明によれば、厚膜のエツチングに
際してエツチング時間の許容範囲を広く取ることができ
、従つて厚膜微細パターンの高精度パターニングを容易
に行なうことが可能であり、その実用上の効果は著大で
ある。
レジヌト膜３が被着した状態のままで厚膜２の焼成が可
能である（レジヌト膜は焼成により焼失する）。以上に
説明したように、本発明によれば、厚膜のエツチングに
際してエツチング時間の許容範囲を広く取ることができ
、従つて厚膜微細パターンの高精度パターニングを容易
に行なうことが可能であり、その実用上の効果は著大で
ある。
第１図〜第５図は本発明に係るエツチングカ法を適用し
た厚膜微細パターンの生成力法を各工程順に示す断面図
であり、第１図は厚膜ペーヌトの印刷・乾燥工程、第２
図はフオトレジスト塗布工程、第３図はフオトレジヌト
膜の露光・現像工程、第４図はパターン形成工程、第５
図は焼成工程の状態を各々示す。 符号の説明、１・・・・・・基板、２・・・・・・厚膜
、３・・・・・・レジスト膜。
た厚膜微細パターンの生成力法を各工程順に示す断面図
であり、第１図は厚膜ペーヌトの印刷・乾燥工程、第２
図はフオトレジスト塗布工程、第３図はフオトレジヌト
膜の露光・現像工程、第４図はパターン形成工程、第５
図は焼成工程の状態を各々示す。 符号の説明、１・・・・・・基板、２・・・・・・厚膜
、３・・・・・・レジスト膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にペーストを塗布して厚膜を形成し、これを
乾燥させた状態で該厚膜面に有機溶剤に溶解しないフォ
トレジストを被着した後、該レジスト膜を露光・現像し
て前記厚膜の不要部分を露出させ、該露出部分の厚膜を
有機溶剤のエッチング液を用いてエッチングする場合に
、テルピネオールを５〜１００％含有するエッチング液
を使用することを特徴とする厚膜のエッチング方法。 ２ 前記エッチング液をスポンジ状部材に含ませてパフ
することにより露出部分の厚膜を除去し、しかる後に洗
浄液のスプレィ吹付けにより残渣を除去する特許請求の
範囲第１項記載の厚膜のエツチング方法。 ３ 前記エッチング液を高圧でスプレィ吹付けしてエッ
チングを行なう特許請求の範囲第１項記載の厚膜のエッ
チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54114102A JPS5915510B2 (ja) | 1979-09-07 | 1979-09-07 | 厚膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54114102A JPS5915510B2 (ja) | 1979-09-07 | 1979-09-07 | 厚膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5638476A JPS5638476A (en) | 1981-04-13 |
| JPS5915510B2 true JPS5915510B2 (ja) | 1984-04-10 |
Family
ID=14629163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54114102A Expired JPS5915510B2 (ja) | 1979-09-07 | 1979-09-07 | 厚膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915510B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200830931A (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-16 | Tatung Co Ltd | Method for manufacturing the spacer for field emission device and base material utilized for the spacer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5382189A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-20 | Hamasawa Kogyo:Kk | Solar cell |
| JPS5461887A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-18 | Sharp Corp | Solar battery device |
-
1979
- 1979-09-07 JP JP54114102A patent/JPS5915510B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5382189A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-20 | Hamasawa Kogyo:Kk | Solar cell |
| JPS5461887A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-18 | Sharp Corp | Solar battery device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5638476A (en) | 1981-04-13 |
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