JPH0288792A - ウェハのメッキ装置 - Google Patents

ウェハのメッキ装置

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Publication number
JPH0288792A
JPH0288792A JP23810788A JP23810788A JPH0288792A JP H0288792 A JPH0288792 A JP H0288792A JP 23810788 A JP23810788 A JP 23810788A JP 23810788 A JP23810788 A JP 23810788A JP H0288792 A JPH0288792 A JP H0288792A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
plating
cathode
vessel
container
Prior art date
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Pending
Application number
JP23810788A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Shoji
茂 庄司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Yamaha Corp filed Critical Yamaha Corp
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Publication of JPH0288792A publication Critical patent/JPH0288792A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は集積回路等を作製するために用いられるウゴ
ハの表面にメッキするウェハのメッキ装置に関する。
「従来の技術」 第5図は従来のウェハのメッキ装置の構成例を示す断面
図である。この図において、lは集積回路のパターン等
が形成されたウェハ、2はウェハlの表面に金属の電極
等を形成するために用いられるメッキ液、3はメッキ液
2が下方から上方に向って吹きあげられるメッキ容器で
ある。また、4は多孔状の陽極、5は複数の針状の陰極
である。
このような構成において、ウェハ1の表面にメッキする
には、まず、ウェハlを陰極5の先端に載せ、上から押
し付けて電気的に接触させる。次に、陽極5と陰極4と
の間に所定の電圧を印加しながら、メッキ液2をメッキ
容器3の下方から上方に向けて吹きあげる。これにより
、メッキ液2は、メッキ容器3内を下方から陽極4に形
成されている複数の穴を通って上方に向かい、ウェハ1
の下面に達し、第5図の矢印で示すように、メッキ容器
3の上端縁からオーバーフローする。
以上の過程を経ることにより、ウゴハIの表面がメッキ
される。
「発明が解決しようとする課題」 ところで、上述の従来のウェハのメッキ装置においては
、メッキ液2はウェハIの表面を中心部から周辺部に向
って流れてメッキ容器3の上端縁からオーバーフローす
る。この種の装置において、ウェハ1の表面に均一にメ
ッキをするには、メッキ液2の流速をウェハ1の表面の
すべての場所において均一にしなければならない。そし
て、そのためには、このメッキ液2の流速は、メッキ液
2がメッキ容器3の上端縁からオーバーフローするすべ
ての場所において均一である必要があるが、実際は、こ
れらずへての場所において均一にすることは難しく、ヂ
ャンネリングと呼ばれる不均一な流れ、偏流が生じる。
そして、この偏流が生じる傾向はウェハ板■の直径が大
きくなればなるほど強くなる。この偏流を防止するには
、メッキ液2を吹きあげる速度を大きくしたり、ウェハ
lとメッキ容器3の上端縁との隙間を均一に狭くしたり
すればよい。
ところが、メッキ液2を吹きあげる速度を大きくすると
、メッキ液2の圧力によってウェハ1が変形させられた
り、メッキ液2の流れによってウェハ1上に形成された
パターンの一部か破壊されたりするなどの問題かあった
また、ウェハlとメッキ容器3の」二端縁との隙間を狭
くすると、ウェハlの周辺部におけるメッキ液2の流速
だけが大きくなり、ウェハ1の中心部において相対的に
流速が遅くなったり、メッキ液2の滞留が起こったりす
るなどの現象が生じる。
そして、最悪の場合にはウェハlの表面の内、陰極5の
周辺だけが集中的にメッキされ、ウェハlの表面におけ
るメッキの均一性を著しく損ねるという問題があった。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、メッ
キ液の圧力によってウェハか変形さU”られたり、メッ
キ液の流れによってパターンが破壊されたりすることな
く、また、メッキ液の流れに偏流や滞留がおこることも
なく、ウェハの表面に均一にメッキをすることができる
ウェハのメッキ装置を提供することを目的としている。
「課題を解決するための手段」 この発明は、メッキ液をメッキ容器内の下方から」一方
に向って吹きあげ、メッキ容器内の下方に設けられた多
孔状の陽極を通過させ、メッキ容器内の」二方に設けら
れた陰極に電気的に接触したウェハに到達させてウェハ
の表面にメッキする噴流式のウェハのメッキ装置におい
て、一対の板状部材からなる陰極をメッキ容器の上方開
口部の両側部に対向させて設置:11ウエハと同径の孔
が形成され、ウェハと同厚のウェハ保持板を陰極上に設
けることを特徴としている。
「作用」 この発明によれば、メッキ容器内の下方から上方に向っ
て吹きあげられ、メッキ容器内の下方に設けられた多孔
状の陽極を通過し、メッキ容器内の上方に設けられた陰
極に電気的に接触したウェハに到達したメッキ液は、ウ
ェハの表面において、陰極と直角方向へは陰極によって
妨げられて流れないので、陰極と平行方向へのみ流れる
「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の一実施例について説明
する。第1図はこの発明の一実施例によるウェハのメッ
キ装置の構成を示す概略的な正断面図であり、このウェ
ハのメッキ装置は、メッキ容器3と、このメッキ容器3
」二に載置される加圧室6とから構成されている。メッ
キ容器3は、第4図に示すように、上方が開口した箱状
のメッキ室7と、このメッキ室7の下部に連設され、メ
ッキ室7ヘメッキ液2を導く案内管8とから構成されて
おり、メッキ室7と案内管8との境界部に多孔状の陽極
4が設置されている。また、このメッキ室7の上方開口
部には、その左端縁および右端縁に沿って板状の陰極9
.9が取りイ」けられ、この陰極9の上に、ウェハlと
同径の孔が形成された正方形のウェハ保持板lOが取り
付けられている。この場合、陰極9は、第2図に示すよ
うに、側部が鋭角に形成され、また、この鋭角に形成さ
れた側部上面が荒らされて突起11.11・ ・が形成
されている。さらに、陰極9の表面のメツギ容器3内に
面した部分には絶縁膜12が形成されている。
尚、ウェハ1の表面には、金属膜13および所望のパタ
ーン形状にパターンカットされたレジス1−14が形成
されている。
次に、加圧室6は下方が開口した箱状であり、」二面内
側中央に加圧ハネ15が設けられ、上面外側に加圧室6
内と連通したガス注入口16が設けられている。
このような構成において、ウェハlの表面にメッキする
には、まず、第4図に示ずメッキ容器3上のウェハ保持
板10の孔にウェハlを隙間なくはめ込む。次に、ウェ
ハ1の」二から加圧室6を載せ、ガス注入口16から圧
縮空気あるいは窒素等の不活性ガスを注入する。これに
より、ウェハ11加圧室6およびウェハ保持板10によ
って気密室が形成されて加圧室6内の気圧が大気圧より
高くなり、ウェハlがこの気圧と加圧バネI5により陰
極9に押圧される。従って、陰極9上の突起11は、第
2図に示すように、ウェハ1上のレジスト14を突き破
って金属膜I3と電気的に接触する。
次に、陽極4と陰極9との間に所定の電圧を印加しなが
ら、メッキ液2をメッキ容器3の下方から上方に向けて
平行流として吹きあげる。これにより、メッキ液2は、
メッキ容器3内を下方から陽極4に形成されている複数
の穴を通って上方に向かい、ウェハlの下面に達し、第
3図の矢印で示すように、ウェハ1の下面中央から陰極
9.9の間を薄い平行流となって、メッキ容器3の上端
縁に達し、オーバーフローする。
以上の過程を経ることにより、ウェハ1の表面がメッキ
される。
このように、上記実施例によれば、メッキ液2がメッキ
容器3の上端縁の内、陰極9が存在する方向へは陰極9
が蓋となっているために流れない。
従って、陰極9と平行な方向へのみ流れる。これにより
、メッキ液2の流れが均一となる。また、ウェハlはウ
ェハlと同厚のウェハ保持板10に隙間なくはめ込まれ
、かつ、加圧室6および加圧バネ15により陰極9に押
圧されているので、メッキ液2がウェハIの裏面に回り
込むことはない。
「発明の効果」 以」二説明したように、この発明によれば、メッキ族の
圧力によってウェハが変形させられたり、パターンが破
壊されたりすることなく、また、メッキ液の流れに偏流
や滞留が起こることもない。また、メッキ液の流速がウ
ェハの表面のどの場所でも均一であるので、大きなウェ
ハでも表面に均一にメッキをすることができる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるウェハのメッキ方法
を適用したウェハのメッキ装置の構成を示す概略的な正
断面図、第2図は第1図の陰極9とウェハlとの接触部
分を拡大した図、第3図は第1図のウェハのメッキ装置
の構成を示す概略的な右断面図、第4図は第1図の加圧
室6等を取り払ったウェハのメッキ装置の構成を示す斜
視図、第5図は従来のウェハのメッキ装置の構成例を示
す断面図である。 I・・・・・・ウェハ、2 ・・メッキ液、3・・・ ・メッキ容 器、4・・・・・・陽極、6 ・・・加圧室、IO・・
・ウェハ保持板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. メッキ液をメッキ容器内の下方から上方に向って吹きあ
    げ、前記メッキ容器の下部に設けられた多孔状の陽極を
    通過させ、前記メッキ容器の上部に設けられた陰極に電
    気的に接触したウェハに到達させて前記ウェハの表面に
    メッキする噴流式のウェハのメッキ装置において、一対
    の板状部材からなる前記陰極を前記メッキ容器の上方開
    口部の両側部に対向させて設け、前記ウェハと同径の孔
    が形成され、前記ウェハと同厚のウェハ保持板を前記陰
    極上に設けることを特徴とするウェハのメッキ装置。
JP23810788A 1988-09-22 1988-09-22 ウェハのメッキ装置 Pending JPH0288792A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1138807A2 (en) * 2000-03-24 2001-10-04 Applied Materials, Inc. Perforated anode for uniform deposition of a metal layer
CN111441072A (zh) * 2020-03-27 2020-07-24 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法

Cited By (4)

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EP1138807A2 (en) * 2000-03-24 2001-10-04 Applied Materials, Inc. Perforated anode for uniform deposition of a metal layer
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CN111441072B (zh) * 2020-03-27 2021-01-15 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法

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