CN103302753B - 玻璃晶圆切割方法 - Google Patents

Abstract

一种用于对背面贴有黑膜的玻璃晶圆的切割方法，包括：将第一刀具和第二刀具以安全距离为间距固定在同一进给装置上；进给装置将第一刀具和第二刀具定位在起始的切割位置上；第一刀具以预设的进刀方向在玻璃晶圆工件表面切开第一切痕，该第一切痕的深度小于所述玻璃晶圆的厚度；第二刀具以与第一刀具相同的进给方向，跟随第一刀具，在第一刀具进给距离超过所述第一刀具和第二刀具之间的安全距离后，在所述第一切痕的基础上以宽度小于第一切痕的第二切痕切断玻璃晶圆工件和黑膜并停止于所述蓝膜中；以第一刀具和第二刀具继续进给，重复上述切割步骤。该方法减少了传统玻璃晶圆切割方法带来的崩边问题，并避免了黑膜脱落并残留在蓝膜上。

Description

玻璃晶圆切割方法

技术领域

本发明涉及一种玻璃晶圆(Chip Scale Package Glass，简称CSPG)的切割方法。

背景技术

随着无线通讯技术的发展，对集成电路技术提出了很高的要求，尤其是通讯设备日趋小型化使半导体芯片技术得到了迅猛的发展。在高频和射频领域中，如无线通讯，玻璃晶圆(CSPG)工件应运而生，其特别多地应用于手机元器件上。

晶圆加工工艺流程一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装等阶段。近年来光伏发电和半导体行业的迅速发展对晶圆的加工提出了更高的要求：一方面为了降低制造成本，晶圆趋向大直径化。另一方面要求晶圆有极高的平面度精度和极小的表面粗糙度。所有这些要求极大的提高了晶圆的加工难度。

晶圆切割作为晶圆加工工艺流程的关键工序，其加工效率和加工质量直接关系到整个晶圆生产的全局。对于切割工艺技术的原则要求是：①.切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小；②.断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹；③.提高成品率，缩小刀切缝，降低原材料损耗；④.提高切割速度，实现自动化切割。因此，在切割晶圆的过程中，产品的合格率是很重要的指标。

玻璃晶圆(CSPG)更具有硬度高、易碎等特点，其切割难度在所有晶圆产品中是最大的。并且，与其它晶圆不同的是，为满足手机元器件的特殊要求，在玻璃晶圆背面，通常会贴有一层黑膜(COATING FILM)，这层黑膜经过高温贴膜工艺后固化在晶圆背面形成了特殊的加工工件。在进行切割工艺前，与别的晶圆切割工艺相同的是，通常还需要经过贴片工艺把具有该黑膜的玻璃晶圆的背后再贴一层蓝膜，该层蓝膜在切割工艺后需与黑膜剥落。

在现有技术的玻璃晶圆加工工艺中，在切割工位把晶圆切割成单个芯片后，然后通过外观检查、电测，最后把合格的芯片成品进行包装；其中，切割玻璃晶圆(CSPG)传统工艺一般是用双刀一刀切断切割方法。

请参阅图1，图1为现有技术的双刀一刀切断切割方法一实施例的示意图。如图所示，在切割过程中，首先，第一刀具Z1和第二刀具Z2相向进给，即其切割顺序是分别由工件边缘向中间相向切割，每次进给距离为一个工件尺寸的距离，当第一刀具Z1和第二刀具Z2分别进给并切割到位置103与位置104时，位置103与位置104之间的距离102大于或等于第一刀具Z1和第二刀具Z2之间安全距离的2倍。此时，第二刀具Z2以前进距离102的1/2进给到位置105，接下来，第二刀具Z2以与第一刀具Z1相同的方向，即与第一刀具Z1同向进给，每次进给距离仍为一个工件尺寸的距离，切完晶圆上未切割的部分。

请参阅图2，图2为现有技术的使用双刀一刀切断切割方法对工件进行切割处理时第一刀具Z1和第二刀具Z2与待加工工件W(即玻璃晶圆)相对位置的剖面示意图。如图所示，玻璃晶圆W的背面依次贴有黑膜F1和蓝膜F2，第一刀具Z1和第二刀具Z2采用预定的转速C1分别将玻璃晶圆W和黑膜F2一刀切断且停止于蓝膜F1中，该切割深度由图2中标号101所示。

上述双刀一刀切断切割方法主要是针对晶圆厚度薄，对控制表面和背面崩边要求不高的工件。而对控制崩边要求较高的场合，例如，在切割贴有黑膜的玻璃晶圆时，以传统方法切割后很难避免黑膜脱落并残留在蓝膜上的问题，且在剥落过程中的应力影响下，容易出现玻璃晶圆背面崩边问题，这些问题的出现必然增加了包装生产时间，降低了生产效率，严重影响了产品质量，并造成外观检查产品表面成品率低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种玻璃晶圆切割方法，能有效地控制崩边、避免玻璃晶圆背面黑膜脱落并残留在蓝膜上，从而提高了玻璃晶圆切割效率。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种玻璃晶圆切割方法，用于制造玻璃晶圆工件，玻璃晶圆的背面贴有一层经高温贴膜工艺后固化的黑膜，以及经过贴片工艺贴在该黑膜下的蓝膜，该切割方法包括如下步骤：a)、将第一刀具和第二刀具以安全距离为间距固定在同一进给装置上，其中，该安全距离为玻璃晶圆工件尺寸的整倍数并且不低于24mm；b)、进给装置将第一刀具和第二刀具定位在起始切割位置上；c)、第一刀具以预设的进刀方向在玻璃晶圆工件表面切开第一切痕，其中，该第一切痕的深度小于所述玻璃晶圆的厚度；d)、第二刀具以与第一刀具相同的进给方向，跟随第一刀具，在第一刀具进给距离超过第一刀具和第二刀具之间的安全距离后，在第一切痕的基础上以宽度小于所述第一切痕的第二切痕切断所述玻璃晶圆工件和黑膜并停止于所述蓝膜中；e)、以第一刀具和第二刀具继续进给一个工件尺寸的距离，重复步骤c)、d)和e)，直到第二刀具完成对终止切割位置的切割。

优选地，第二刀具的宽度为第一刀具宽度的60％至90％。

优选地，第一刀具宽度为80um，第二刀具的宽度为70um。

优选地，第一刀具的切割深度为玻璃晶圆厚度的1/2到2/3。

优选地，第一刀具的切割预留厚度为180um，第二刀具的切割预留厚度为50um。

优选地，在步骤a)中，所述第一刀具和第二刀具分别固定安装在所述进给装置的第一主轴和第二主轴上，所述第一主轴和第二主轴的转速为20000至30000转/分钟。

优选地，第一刀具和第二刀具由多晶金刚石制成，该多晶金刚石包含的金刚石晶粒的最大粒径小于80um、平均粒径小于40um。

优选地，第一刀具和第二刀具的进刀速度为8～35mm/s。

优选地，第一刀具和第二刀具的进刀速度为10～20mm/s。

从上述技术方案我们可以看到，与传统双刀一刀切断切割方法相比，本发明的玻璃晶圆双刀两刀切断切割方法减少了玻璃晶圆工件上的切痕的正面崩边和背面崩边，正面崩边降低4％～6％，相应的成品率也由原来的92.8％提高到99.2％左右，避免了切割后黑膜仍残留在蓝膜上的问题，提升了产品的成品率，并且提高了刀具的切割能力和使用寿命，刀具切割寿命为原来的2～3倍。此外，还减少了切割面积也缩短了切割玻璃晶圆的时间，切割单片玻璃晶圆时间缩短了2～3分钟/片，每天每台机器约多切0.3片左右，每年每台机器的产能约增加1200K。

附图说明

图1为现有技术的双刀一刀切断切割方法的切割动作示意图；

图2为现有技术的双刀一刀切断切割方法切割工件时刀具和被加工工件的剖面示意图；

图3为本发明的玻璃晶圆双刀两刀切断切割方法实施例的动作示意图；

图4为本发明的玻璃晶圆双刀两刀切断切割方法在切割工件时刀具和被加工工件的剖面示意图；

图5为本发明的玻璃晶圆双刀两刀切断切割方法的刀具纵横方向起始切割位置实施例的示意图；

图6为本发明的玻璃晶圆双刀两刀切断切割方法的刀具起始切割位置向晶圆径向偏移实施例的示意图。

具体实施方式

体现本发明特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的示例上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及图示在本质上当作说明之用，而非用以限制本发明。

请参阅图3，图3为本发明的玻璃晶圆双刀两刀切断切割方法实施例的动作示意图。如图所示，玻璃晶圆W具有上表面和下表面(背面)，玻璃晶圆W的背面还具有一层经过高温贴膜工艺后固化的黑膜F2，以及经过贴片工艺贴在该黑膜下的蓝膜F1。在玻璃晶圆W上设置有多个待加工的玻璃晶圆工件，在切割过程中，相邻的玻璃晶圆工件之间形成有切割道，以方便玻璃晶圆工件相互之间进行分离，玻璃晶圆W上还设有定位孔H1。

请参阅图4，图4为本发明的玻璃晶圆双刀两刀切断切割方法在切割工件时刀具和被加工工件的剖面示意图。如图所示，本发明的玻璃晶圆切割方法使用第一刀具Z1和第二刀具Z2采用双刀两刀切断切割方法，即在同一切割位置处先以第一刀具Z1切开一道切痕、再以第二刀具Z2在该切痕的基础上切断玻璃晶圆W以达到分离玻璃晶圆工件的目的。第一刀具Z1和第二刀具Z2可以分别固定在不同的进给装置上，也可以以一定的进刀间隔固定在同一个的进给装置上；第一刀具Z1和第二刀具Z2的转速可根据需要，设置成相同或不同。

在本发明的实施例中，第一刀具Z1和第二刀具Z2以法兰固定同一进给装置上，并分别安装在该进给装置的第一主轴和第二主轴上，第一主轴和第二主轴转速相同且相隔一定的间距。进给装置可以为现有技术中任何一种进给装置，在此不再赘述。随着进给装置的进给，第一刀具Z1和第二刀具Z2以相同的方向以时间先后对同一切痕位置进行切割，重复上述步骤，在纵横方向逐次切割完整片玻璃晶圆W，从而得到需要的玻璃晶圆工件。

具体地，本发明用于制造玻璃晶圆工件的双刀两刀切断切割方法，主要包括如下步骤：

步骤a)：将第一刀具Z1和第二刀具Z2以安全距离为间距固定在同一进给装置上。由于双刀两刀切断切割方法中的第二刀具Z2要在第一刀具Z1的切痕的基础上切断玻璃晶圆工件W，且与第一刀具Z1同时固定在进给装置上的第二刀具Z2落后于第一刀具Z1一定距离，为使第一刀具Z1和第二刀具Z2进行切割工作时互相不干扰，两者之间应设有一个安全距离，上述第二刀具Z2落后的距离即为图3中标号201所示的安全距离。安全距离201应为所需玻璃晶圆工件尺寸的整倍数，以便于在进给装置每次进给一个工件尺寸的距离的情况下，第二刀具Z2的切割位置即第二切痕能够在一定时间后重合于第一刀具Z1已经过的切割位置即第一切痕，从而达成第二刀具Z2在第一刀具Z1切痕的基础上切断玻璃晶圆工件W及其下表面的黑膜F2并停止于蓝膜F1中。通常情况下，安全距离201需不低于24mm以避免在进行切割动作时第一刀具Z1和第二刀具Z2之间可能的互相干扰。在本发明的实施例中，在定位第一刀具Z1后，进给装置再以安全距离201为间距定位第二刀具Z2，安全距离201为玻璃晶圆工件尺寸的整数倍，即第一刀具Z1和第二刀具Z2相隔切痕数是根据安全距离201整除玻璃晶圆工件尺寸大小所得。

步骤b)：进给装置将第一刀具Z1和第二刀具Z2定位在起始切割位置上。在本发明的一个实施例中，刀具的起始切割位置如图5所示。在第一刀具Z1的纵向起始位置，即切割通道1从切割标记线303开始到切割标记线304结束。本发明的玻璃晶圆切割方法，第一刀具Z1沿通道1的方向在玻璃晶圆工件W上留下第一切痕，随着进给装置的进给动作，在一定的时间后，第二刀具Z2定位于第一刀具Z1的起始位置，且在第一切痕的基础上产生第二切痕，随着进给装置的逐步进给，实现本发明的玻璃晶圆W的纵向切割。同理，在第一刀具Z1的横向起始位置，第一刀具Z1沿通道2的方向在玻璃晶圆工件W上留下第一切痕，即沿切割通道2的方向从切割标记线305开始到切割标记线306结束，随着进给装置的进给动作，在一定的时间后，第二刀具Z2定位于第一刀具Z1的起始位置，且在第一切痕的基础上产生第二切痕，随着进给装置的逐步进给，实现本发明的玻璃晶圆W的横向切割。

为进一步避免切割玻璃晶圆时正面崩边和背面崩边的出现，在如图6所示的本发明一较佳实施例中，第一刀具Z1的纵向和横向的起始切割位置向玻璃晶圆W径向偏移以越过一个玻璃晶圆W的定位孔H1的距离，即起始切割位置定位于玻璃晶圆W定位孔H1的内侧。这样，减少了切割次数，提高了切割效率。

此外，起始切割位置向玻璃晶圆W径向的偏移还能减少第一刀具Z1和第二刀具Z2与玻璃晶圆W边缘相切而造成玻璃晶圆W边缘对第一刀具Z1和第二刀具Z2刀片的伤害，从而有效稳定第一刀具Z1和第二刀具Z2在切割过程中的切割能力。

在本实施例中，将起始切割位置定位于玻璃晶圆W定位孔H1的内侧，且起始切割位置与玻璃晶圆W边界的距离等于终止切割位置与玻璃晶圆W边界的距离，是通过进给装置对第一刀具Z1和第二刀具Z2位置的准确定位实现的。如图6所示，第一刀具Z1和第二刀具Z2的起始切割位置向晶圆径向的偏移相当于减少了玻璃晶圆W切割通道1(纵向)和通道2(横向)的实际切割面积。相比于图5中所示的第一刀具Z1和第二刀具Z2的起始切割位置的实施例，第一刀具Z1起始切割位置向玻璃晶圆W径向偏移之后，切割通道1从切割标记线307开始到切割标记线308结束，越过了玻璃晶圆W上的定位孔H1。对于切割通道2，本发明中起始切割位置向玻璃晶圆W径向偏移之后，切割通道2从切割标记线309开始到切割标记线310结束。

确定起始切割位置的步骤，可以根据所需玻璃晶圆工件尺寸和整片玻璃晶圆W的尺寸来计算得出切割该玻璃晶圆W共需切割多少次，以避免玻璃晶圆W材料的浪费。在此过程中，还可以根据玻璃晶圆W的尺寸对起始切割位置进行微调，需要说明的是，应保证微调后的起始切割位置仍处于玻璃晶圆W定位孔H1的内侧。因此，对第一刀具Z1和第二刀具Z2起始切割位置的改进，一定程度上避免了玻璃晶圆工件上切痕的正面崩边和背面崩边的出现，且提升了玻璃晶圆工件产品的成品率。

步骤c)：第一刀具Z1以预设的进刀方向在玻璃晶圆工件表面切开第一切痕，其中，该第一切痕的深度小于玻璃晶圆W的厚度。

如图4所示，第一切痕应在切开玻璃晶圆W上表面的同时不至于切断整片玻璃晶圆W。第一刀具Z1用切割深度202在玻璃晶圆工件W表面切开一条宽度204的第一切痕，第一切痕不足以切透玻璃晶圆W，即切割深度202小于玻璃晶圆W的厚度。优选情况下，第一切痕深度为玻璃晶圆W厚度的1/2到2/3。在本发明的一个实施例中，第一切痕下部可以为矩形，上部可以为带有倒角的喇叭形，这种切痕的形状便于进行玻璃晶圆工件的后续工艺。为简便起见，附图中未示出第一切痕的形状。

优选地，预设的进刀方向可以沿如图6所示通道1的方向，即先进行纵向切割，在此之后，再沿着通道2进行横向切割。当然，预设的进刀方向也可以先着通道2进行横向切割，在此之后，再沿着通道1进行纵向切割。

步骤d)、第二刀具Z2以与第一刀具Z1相同的进给方向，跟随第一刀具Z1，在第一刀具Z1进给距离超过第一刀具Z1和第二刀具Z2之间的安全距离后，在第一切痕的基础上以宽度小于第一切痕的第二切痕切断玻璃晶圆工件和黑膜F2并停止于蓝膜F1中。

再请参阅图3，第二刀具Z2以与第一刀具Z1相同的进给方向，跟随在第一刀具Z1之后进行切割动作。如步骤a)，第一刀具Z1和第二刀具Z2以安全距离201为间距固定在进给装置上。上述第一、第二切痕的宽度由第一刀具Z1和第二刀具Z2的宽度来决定。根据本发明较佳的实施例，选择合适的第一刀具Z1和第二刀具Z2，以满足第二刀具Z2宽度为第一刀具Z1宽度的60％～90％，使第一切痕宽度大于第二切痕的宽度。在这种情况下，便于第二刀具Z2进给过安全距离201后重合于第一切痕的位置，从而在第一切痕的基础上切断整片玻璃晶圆W，并且，能减少在进行蓝膜与黑膜的剥落工艺工程中减少玻璃晶圆工件的崩边现象。优选地，第一刀具宽度为80um，第二刀具的宽度为70um。

进一步地，第一刀具Z1切割成的第一切痕深度202可以为玻璃晶圆W厚度的1/2到2/3，第二刀具Z2在第一刀具Z1切痕的基础上切断玻璃晶圆W及其下表面的黑膜F2并停止于蓝膜F1中。

在本发明的实施例中，第二刀具Z2用深度203和宽度205的第二切痕在深度202和宽度204的第一切痕的基础上切断玻璃晶圆工件W，第二切痕将切透玻璃晶圆工件W和其下表面的黑膜F2，但不切透蓝膜F1，即第二切痕深度203等于或略大于玻璃晶圆工件W厚度和黑膜F2厚度之和，同时小于玻璃晶圆工件W厚度和黑膜F2厚度、蓝膜F1厚度之和。

在本发明的一个较佳实施例中，第一刀具的切割预留厚度即第一切痕预留厚度为180um，在此基础上第二刀具的切割预留厚度为50um，相当于第二切痕深度为130um，即为第一切痕预留厚度为180um减去切割预留厚度为50um所得。

另外，选择第一刀具Z1和第二刀具Z2合理的切割速度，以及选用刀片所含的金刚石颗粒比例、大小、集中度等因素对解决切割玻璃晶圆时出现的崩边问题也很重要。

根据本发明的较佳实施例，第一刀具Z1和第二刀具Z2均由多晶金刚石制成；优选情况下，该多晶金刚石由金刚石细晶粒制成，其晶粒的最大粒径小于80um、平均粒径小于40um。

步骤e)：以第一刀具Z1和第二刀具Z2继续进给一个玻璃晶圆工件尺寸的距离，重复步骤c)、d)和e)，直到第二刀具Z2完成对终止切割位置的切割。

也就是说，在切割过程中，第一刀具Z1比第二刀具Z2先切，当第一刀具Z1向前进给的距离等于第一刀具Z1与第二刀具Z2之间的安全距离201时，第二刀具Z2开始落在第一刀具Z1首次切过的切痕上，并在此基础上切断玻璃晶圆工件W和黑膜F2；随后，进给装置继续向前进给。进给装置每次进给距离为一个玻璃晶圆工件尺寸的距离，从而第一刀具Z1和第二刀具Z2按进给次序从切割通道1的一边切割至另一边；再转换至另一切割通道2，进行相同的步骤；最终将玻璃晶圆W切割为多个玻璃晶圆工件。

为进一步避免玻璃晶圆工件崩边的出现，并为合理地使用刀具、避免过度使用刀片造成刀具破损，在本发明的实施例中，进给装置上的第一主轴和第二主轴转速相同，设置进给装置的第一主轴和第二主轴转速为20000～30000转/分钟；设置第一刀具Z1和第二刀具Z2的进刀速度为8～35mm/s；较佳情况下，第一刀具和第二刀具的进刀速度为10～20mm/s。

下面通过以实验数据和实验结果来具体说明。请参阅表1，表1为本发明实施例中的六个实验具体实验条件和结果。

根据实验一的具体实验条件和结果得知，在第一刀具Z1宽度为100um的情况下，由于第一刀具Z1宽度过宽，与第二刀具Z2宽度的比例失调，结果使玻璃晶圆W背面崩边、黑膜脱落的现象都比较严重。

根据实验二的具体实验条件和结果得知，在第一刀具Z1宽度为100um、切割速度为20mm/s的情况下，由于第一刀具Z1宽度过宽，结果可以导致第一刀具Z1的寿命缩短。

根据实验三的具体实验条件和结果得知，在第二刀具Z2宽度为50um、切割速度为16～30mm/s的情况下，由于第二刀具Z2宽度过窄，结果可以使第二刀具Z2的寿命缩短。

根据实验四的具体实验条件和结果得知，如果第一刀具Z1宽度为90um，结果显示第一刀具Z1稍宽了一点。

根据实验五的具体实验条件和结果得知，在第一刀具切割预留厚度为210～280um的情况下，结果此次实验中出现了很多小的背面崩边以及黑膜脱落的现象。

根据实验六的具体实验条件和结果得知，此次实验中基本没有正面或背面崩边以及黑膜脱落的现象发生，进而玻璃晶圆工件的成品率大大提高。在实验六中，第一刀具Z1宽度为80um，第二刀具Z2宽度为70um，第一刀具Z1的切割预留厚度为180um，第二刀具Z2的切割预留厚度为50um，第一主轴和第二主轴转速为20000转/分钟，第一刀具Z1和第二刀具Z2的进刀速度为10～20mm/s。

综上所述，本发明的玻璃晶圆切割方法有效避免了切割玻璃晶圆时，由玻璃晶圆的硬、脆等特性所带来的黑膜脱落并残留在蓝膜上的现象，减少了切痕的正面和背面崩边的出现，并提高了刀具的切割能力和使用寿命。

以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种玻璃晶圆切割方法，用于制造玻璃晶圆工件，所述玻璃晶圆的背面贴有一层经高温贴膜工艺后固化的黑膜，以及经过贴片工艺贴在所述黑膜下的蓝膜，所述的切割方法包括如下步骤：

a)、将第一刀具和第二刀具以安全距离为间距固定在同一进给装置上，其中，所述的安全距离为所述玻璃晶圆工件尺寸的整倍数并且不低于24mm；

b)、所述进给装置将所述第一刀具和第二刀具定位在起始切割位置上；

c)、所述第一刀具以预设的进刀方向在玻璃晶圆工件表面切开第一切痕，其中，该第一切痕的深度小于所述玻璃晶圆的厚度；

d)、所述第二刀具以与所述第一刀具相同的进给方向，跟随所述第一刀具，在所述第一刀具进给距离超过所述第一刀具和第二刀具之间的安全距离后，在所述第一切痕的基础上以宽度小于所述第一切痕的第二切痕切断所述玻璃晶圆工件和黑膜并停止于所述蓝膜中；

e)、以所述第一刀具和第二刀具继续进给一个工件尺寸的距离，重复步骤c)、d)和e)，直到所述第二刀具完成对终止切割位置的切割。

2.如权利要求1所述的玻璃晶圆切割方法，其特征在于，在所述步骤b)中，所述第一刀具的起始切割位置定位于所述玻璃晶圆上的定位孔的内侧，且所述起始切割位置与所述玻璃晶圆边界的距离等于所述终止切割位置与所述玻璃晶圆边界的距离。

3.如权利要求1所述的玻璃晶圆切割方法，其特征在于，所述第二刀具的宽度为所述第一刀具宽度的60％至90％。

4.如权利要求3所述的玻璃晶圆切割方法，其特征在于，所述第一刀具宽度为80um，所述第二刀具的宽度为70um。

5.如权利要求1所述的玻璃晶圆切割方法，其特征在于，所述第一刀具的切割深度为玻璃晶圆厚度的1/2到2/3。

6.如权利要求1所述的玻璃晶圆切割方法，其特征在于，所述第一刀具的切割预留厚度为180um，所述第二刀具的切割预留厚度为50um。

7.如权利要求1至6中任一项所述的玻璃晶圆切割方法，其特征在于，在步骤a)中，所述第一刀具和第二刀具分别固定安装在所述进给装置的第一主轴和第二主轴上，所述第一主轴和第二主轴的转速为20000至30000转/分钟。

8.如权利要求1至6中任一项所述的玻璃晶圆切割方法，其特征在于，所述第一刀具和第二刀具由多晶金刚石制成，该多晶金刚石包含的金刚石晶粒的最大粒径小于80um、平均粒径小于40um。

9.如权利要求1至6中任一项所述的玻璃晶圆切割方法，其特征在于，所述第一刀具和第二刀具的进刀速度为8～35mm/s。

10.如权利要求9所述的玻璃晶圆切割方法，其特征在于，所述第一刀具和第二刀具的进刀速度为10～20mm/s。