CN111900082A - 一种适用于晶圆切割的切割方法 - Google Patents

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方琼慧
王政雄
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Guangxi Huaxin Zhenbang Semiconductor Co ltd
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Abstract

一种适用于晶圆切割的切割方法，具体如下：(1).对晶圆进行长边切割；(2).对晶圆进行短边第一次切割；(3).对晶圆进行短边第二次切割。通过采用此种方式在生产过程中不会晶圆造成损伤，从而保证了晶圆的切割质量。

Description

一种适用于晶圆切割的切割方法
技术领域
本发明涉及晶圆生产领域，具体涉及一种适用于晶圆切割的切割方法。
背景技术
在晶圆生产过程中，半导体晶圆切割时通常采用先切长边再切短边的传统双刀切割模式， 如图1所示，该模式下，其中一刀(虚线)进行初步切割(并不会直接切断)，另一把刀则完 成切割(实线)。
当晶圆比例超过30：1时，采用上述切割模式进行切割过程中，由于短边切割过程中双 刀中其中进行半切割的刀具产生到的振动会传动至进行满切割的刀具处的晶圆处，从而导致 IC短边背面断裂，从而影响了产品质量。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解，而不应当 被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提出了一种适用于晶圆切割的切割方法，以达到优化晶圆 的切割工艺和保证产品的生产质量的目的。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种适用于晶圆切割的切割方法，具体如下：
(1).对晶圆进行长边切割；
(2).对晶圆进行短边第一次切割；
(3).对晶圆进行短边第二次切割。
作为优选的，步骤(2)中的切割深度为1/3～1/5的晶圆厚度。
作为优选的，步骤(2)中的刀具对切入晶圆底部的切割角膜内35um的深度。
本发明具有如下优点：
本发明提供了一种适用于晶圆切割的切割方法，采用此种方式在生产过程中不会晶圆造 成损伤，从而保证了晶圆的切割质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术 描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为传统工艺中的切割示意图；
图2为经过步骤1后的产品切割示意图；
图3为经过步骤2后的产品切割示意图；
图4为经过步骤3后的产品切割示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描 述。
本发明提供了一种适用于晶圆切割的切割方法，采用此种方式在生产过程中不会晶圆造 成损伤，从而保证了晶圆的切割质量。
一种适用于晶圆切割的切割方法，具体如下：
(1).对晶圆进行长边切割，此时被切割成长条状，如图2；
(2).对晶圆进行短边第一次切割，切割深度为1/3～1/5的晶圆厚度；如图3；
(3).对晶圆进行短边第二次切割，且该次切割直接切入晶圆底部的切割角膜内35um的 深度，从而实现切断；如图4。
上述过程中由于双刀不会同时对同一颗晶粒进行切割，可以有效减少切穿晶粒时造成的 背面崩裂现象。
以上所述的仅是本发明所公开的一种适用于晶圆切割的切割方法的优选实施方式，应当 指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若 干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种适用于晶圆切割的切割方法，其特征在于，具体如下：
(1).对晶圆进行长边切割；
(2).对晶圆进行短边第一次切割；
(3).对晶圆进行短边第二次切割。
2.根据权利要求1所述的一种适用于晶圆切割的切割方法，其特征在于，步骤(2)中的切割深度为1/3～1/5的晶圆厚度。
3.根据权利要求1所述的一种适用于晶圆切割的切割方法，其特征在于，步骤(2)中的刀具对切入晶圆底部的切割角膜内35um的深度。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115139419A (zh) * 2022-05-27 2022-10-04 深圳市青虹激光科技有限公司 晶圆裂片加工方法、晶圆加工设备及存储介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006114687A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Seiko Epson Corp 水晶ウェハの切断方法、及びデュアルダイサの軸制御方法
JP2009302228A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Canon Inc ウエハのダイシング方法及び、該方法を用いて製造された液体吐出ヘッド
CN103302753A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 深圳赛意法微电子有限公司 玻璃晶圆切割方法
CN110098115A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 东莞新科技术研究开发有限公司 晶圆的切割方法
CN110739216A (zh) * 2019-10-28 2020-01-31 东莞记忆存储科技有限公司 一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006114687A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Seiko Epson Corp 水晶ウェハの切断方法、及びデュアルダイサの軸制御方法
JP2009302228A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Canon Inc ウエハのダイシング方法及び、該方法を用いて製造された液体吐出ヘッド
CN103302753A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 深圳赛意法微电子有限公司 玻璃晶圆切割方法
CN110098115A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 东莞新科技术研究开发有限公司 晶圆的切割方法
CN110739216A (zh) * 2019-10-28 2020-01-31 东莞记忆存储科技有限公司 一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115139419A (zh) * 2022-05-27 2022-10-04 深圳市青虹激光科技有限公司 晶圆裂片加工方法、晶圆加工设备及存储介质

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Applicant after: Guangxi Huaxin Zhenbang Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: 221000 room 213, Clean Technology Industrial Park Service Center, Xuzhou Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province

Applicant before: LIANLI (Xuzhou) Semiconductor Co.,Ltd.