JPH09270397A - 半導体ウェハの製造方法 - Google Patents

半導体ウェハの製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 平面研削されたウェハの研磨時間を短くし
て、半導体ウェハを効率よく製造することができる半導
体ウェハの製造方法を提供する。 【解決手段】 インゴットをスライスしてウェハを得
る。スライスされたウェハの両切断面を平面研削する。
平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッチング
する。アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取
りする。面取りされたウェハを両面研磨して鏡面加工す
る。両面研磨されたウェハを洗浄し、その表面（ひょう
面）に付着したパーティクル等を除去する。洗浄された
ウェハを乾燥し、半導体ウェハを得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面（おもて面）また
は表裏両面を平面研削した後に研磨して得られる半導体
ウェハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、表面を平面研削した後に鏡面研磨
して製造される半導体ウェハは、図４に示すように次の
ような工程で得られる。 （１）シリコン単結晶のインゴットを内周刃でスライス
してウェハ５を得る〔図５（ａ）参照〕。 （２）スライスされたウェハ５の周縁部５１の割れカケ
を防止するために、この周縁部５１を面取りする〔図５
（ｂ）参照〕。 （３）面取りされたウェハの表面（おもて面）５２およ
び裏面５３を平面研削して厚みを揃える〔図５（ｃ）参
照〕。 （４）平面研削されたウェハ５の表面（おもて面）５２
または表裏両面５２、５３を研磨して鏡面加工する〔図
５（ｄ）参照〕。この際、平面研削により発生した加工
歪５４を除去する。〔図５（ｃ）参照〕 （５）鏡面加工した後に薬液で洗浄し、重金属やパーテ
ィクルといった不純物等を取り除く。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の製造方法では、平面研削により発生した加工歪
の深さは２〜１０μｍ程度であるため、平面研削された
ウェハを１０μｍ以上は研磨する必要があり、研磨工程
に時間がかかり過ぎるという問題点がある。本発明は、
上記問題に鑑みなされたもので、平面研削されたウェハ
の研磨時間を短くして、半導体ウェハを効率よく製造す
ることができる半導体ウェハの製造方法を提供すること
を目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、半
導体ウェハの製造方法を、インゴットをスライスしてウ
ェハを得、スライスされたウェハの表面（おもて面）ま
たは表裏両面を平面研削し、平面研削されたウェハをア
ルカリ溶液によりエッチングし、アルカリエッチングさ
れたウェハの周縁部を面取りし、面取りされたウェハの
表面（おもて面）または表裏両面を研磨するようにした
ものである。
【０００５】また、半導体ウェハの製造方法を、インゴ
ットをスライスしてウェハを得、スライスされたウェハ
の周縁部を粗面取りし、粗面取りされたウェハの表面
（おもて面）または表裏両面を平面研削し、平面研削さ
れたウェハをアルカリ溶液によりエッチングし、アルカ
リエッチングされたウェハの周縁部を仕上げ面取りし、
仕上げ面取りされたウェハの表面（おもて面）または表
裏両面を研磨するようにしたものである。
【０００６】さらに、半導体ウェハの製造方法を、イン
ゴットをスライスしてウェハを得、スライスされたウェ
ハの表裏両面を平面研削し、平面研削されたウェハをア
ルカリ溶液によりエッチングし、アルカリエッチングさ
れたウェハの周縁部を面取りし、面取りされたウェハの
表裏両面を同時に研磨するようにしたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の半導体ウェハの製造方法
は、従来、平面研削されたウェハを研磨することによ
り、鏡面加工すると共に平面研削によって生じた加工歪
みの除去をしていたものを、平面研削されたウェハを研
磨する前にアルカリエッチングにより加工歪みの除去を
行い、アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取
りし、その後に研磨するものである。したがって、本発
明の半導体ウェハの製造方法によると、アルカリエッチ
ングにおいて大量のウェハを一度に処理できる上、研磨
工程における加工時間を短縮できることから、半導体ウ
ェハの製造工程が大幅に短縮される。
【０００８】上記のエッチングにおいてアルカリ溶液を
使用する理由としては、混酸などを使用した酸エッチン
グはアルカリエッチングに比し平坦度を崩すことが知ら
れており、平面研削で得られた平坦度を維持してエッチ
ングした後に研磨することを目的としてアルカリエッチ
ングされる。
【０００９】本発明の製造方法においてアルカリエッチ
ングに使用されるエッチング液としては、従来から半導
体ウェハのエッチングに使用されているアルカリ溶液は
全般的に適用できるが、特に平坦度を維持する見地から
水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、アミ
ン等が好適である。
【００１０】また、アルカリエッチングにおいては、平
坦度が崩れにくいものの、結晶軸方向の選択エッチング
によりエッチング表面にエッチピットが生じる。ウェハ
の表面（おもて面）または表裏両面のエッチビットは研
磨することにより除去されるが、周縁部のエッチピット
は研磨では除去されない。このため、研磨する前に面取
りを行い、ウェハ周縁部のエッチピットを除去する必要
がある。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説
明する。 実施例１ 図１は実施例１の半導体ウェハの製造方法を示す工程
図、図２は実施例１の製造方法により製造された半導体
ウェハの側断面図である。
【００１２】実施例１の半導体ウェハの製造方法は、図
１に示すように次の各工程からなる。 （１）インゴットをスライスしてウェハ１を得る〔図２
（ａ）参照〕。 （２）スライスされたウェハ１を、研削用のチャック
（図示せず）により保持して両切断面を平面研削し、厚
みを揃える。この平面研削されたウェハ１の表面（おも
て面）１ａおよび裏面１ｂには加工歪み２が生じる〔図
２（ｂ）参照〕。 （３）平面研削されたウェハ１をアルカリ溶液によりエ
ッチングする。これにより、平面研削で生じた加工歪み
２は除去されるが、アルカリエッチングによるエッチピ
ット３がウェハ１の表面（ひょう面）全体に生じる〔図
２（ｃ）参照〕。 （４）アルカリエッチングされたウェハ１の周縁部１ｃ
を面取りすることにより、周縁部１ｃのエッチピット３
を除去する〔図２（ｄ）参照〕。 （５）面取りされたウェハ１を両面研磨して鏡面加工す
ると共に、ウェハ１の表面（おもて面）１ａおよび裏面
１ｂのエッチピット３を除去する〔図２（ｅ）参照〕。 （６）両面研磨されたウェハ１を洗浄し、その表面（ひ
ょう面）に付着したパーティクル等を除去する。 （７）洗浄されたウェハ１を乾燥し、半導体ウェハを得
る。
【００１３】従来技術の製造方法においては、その研磨
における片面の取代は１０μｍ以上であり、本実施例１
の製造方法における片面の取代は５μｍ程度でよい。し
たがって、その研磨工程に要する時間は従来の２分の１
程度であるのに加え、エッチングにおいては数十枚単位
で処理するので、従来技術の製造方法に比べ大幅な効率
アップをはかれる。
【００１４】尚、本実施例１の両面研磨の方法として
は、片面ずつ研磨して表裏両面を研磨する方法、または
両面研磨機により表裏両面を同時に研磨する方法、どち
らの方法でも任意である。
【００１５】また、表裏両面の研磨に限られるものでは
なく、製品の要求度により表面（おもて面）片面だけの
研磨でもよい。
【００１６】実施例２ 図３は実施例２の半導体ウェハの製造方法を示す工程図
である。上記実施例１では、インゴットをスライスして
得られたウェハを直接平面研削していたが、この場合平
面研削によりウェハの周縁部に僅かなチッピングやカケ
などが生じることがある。これらのチッピングやカケは
エッチングの後の面取りによりその殆どを除去できるた
め、製品としての大きな問題はない。
【００１７】しかしながら、デバイス工程からの要求等
により、さらに高品質の半導体ウェハを製造するために
は、図３に示すように平面研削をする前にウェハの周縁
部を粗面取りし、その後に上記実施例と同様にアルカリ
エッチングを行い、エッチングにより生じたエッチピッ
トを除去するための仕上げ面取りをする。
【００１８】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
研磨工程における加工時間を短縮し、効率よく半導体を
製造することができるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の半導体ウェハの製造方法を示す工程
図である。
【図２】実施例１の製造方法により製造された半導体ウ
ェハの側断面図である。
【図３】実施例２の半導体ウェハの製造方法を示す工程
図である。
【図４】従来技術の半導体ウェハの製造方法を示す工程
図である。
【図５】従来技術の製造方法により製造された半導体ウ
ェハの側断面図である。
【符号の説明】
１……ウェハ １ａ……表面（おもて面） １ｂ……裏面 ２……加工歪み ３……エッチピット

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 次の工程からなることを特徴とする半導
    体ウェハの製造方法。 （１）インゴットをスライスしてウェハを得るインゴッ
    ト切断工程。 （２）スライスされたウェハの表面（おもて面）または
    表裏両面を平面研削する平面研削工程。 （３）平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッ
    チングするアルカリエッチング工程。 （４）アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取
    りする面取り工程。 （５）面取りされたウェハの表面（おもて面）または表
    裏両面を研磨する研磨工程。
  2. 【請求項２】 次の工程からなることを特徴とする半導
    体ウェハの製造方法。 （１）インゴットをスライスしてウェハを得るインゴッ
    ト切断工程。 （２）スライスされたウェハの周縁部を粗面取りする粗
    面取り工程。 （３）粗面取りされたウェハの表面（おもて面）または
    表裏両面を平面研削する平面研削工程。 （４）平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッ
    チングするアルカリエッチング工程。 （５）アルカリエッチングされたウェハの周縁部を仕上
    げ面取りする仕上げ面取り工程。 （６）仕上げ面取りされたウェハの表面（おもて面）ま
    たは表裏両面を研磨する研磨工程。
  3. 【請求項３】 次の工程からなることを特徴とする半導
    体ウェハの製造方法。 （１）インゴットをスライスしてウェハを得るインゴッ
    ト切断工程。 （２）スライスされたウェハの表裏両面を平面研削する
    平面研削工程。 （３）平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッ
    チングするアルカリエッチング工程。 （４）アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取
    りする面取り工程。 （５）面取りされたウェハの表裏両面を同時に研磨する
    両面研磨工程。
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