DE10116791A1

DE10116791A1 - "Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Halbleiterchip s aus einem Halbleiterwafer"

Info

Publication number: DE10116791A1
Application number: DE10116791A
Authority: DE
Inventors: Toshiyuki Tateishi
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2000-04-04
Filing date: 2001-04-04
Publication date: 2001-12-20
Anticipated expiration: 2021-04-05
Also published as: US20020016047A1; DE10116791B4; SG94795A1; JP4687838B2; US6448151B2; JP2001291683A

Abstract

Ein Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Halbleiterchips aus einem Halbleiterwafer, welcher eine große Anzahl von rechtwinkeligen Flächen bzw. Bereichen aufweist, welche durch Straßen bzw. Linien definiert sind, welche auf der vorderen Oberfläche in einer Gitterform angeordnet sind, wobei Halbleiterschaltungen in den entsprechenden rechtwinkeligen Bereichen ausgebildet werden. Dieses Verfahren umfaßt die Schritte eines Ausbildens einer Vielzahl von Rillen bzw. Nuten, welche eine vorbestimmte Tiefe aufweisen, in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers, eines Schleifens der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers, um die Dicke des Halbleiterwafers auf einen vorbestimmten Wert zu reduzieren, und danach eines Schneidens des Halbleiterwafers entlang der Straßen, um die rechtwinkeligen Bereiche voneinander zu trennen, um Halbleiterchips zu erhalten.

Description

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips aus einem Halbleiterwafer und genauer auf ein Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Halbleiterchips aus einem Halbleiterwafer, welcher eine große Anzahl von rechtwinkeligen bzw. rechteckigen Flächen bzw. Bereichen aufweist, welche durch Straßen bzw. Linien definiert sind, welche auf der Oberfläche in einer Gitterform angeordnet sind, wobei Halbleiterschaltungen bzw. -schaltkreise in den entsprechenden, rechtwinkeligen Bereichen ausgebildet sind.

Beschreibung des Standes der Technik

Wie Fachleuten in diesem Gebiet bekannt, werden bei der Herstellung bzw. Produktion von Halbleiterchips Straßen bzw. Linien auf der Oberfläche eines Halbleiterwafers in einer Gitterform angeordnet, um eine große Anzahl von rechtwinkeligen Flächen bzw. Bereichen zu definieren, und Halbleiterschaltungen bzw. -schaltkreise werden in den entsprechenden rechtwinkeligen Bereichen ausgebildet. Dann wird die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers geschliffen, um die Dicke des Halbleiterwafers auf einen vorbestimmten Wert zu reduzieren. Danach wird der Halbleiterwafer entlang der Straßen geschnitten, um die rechtwinkeligen Bereiche voneinander zu trennen, um Halbleiterchips zu erhalten.

Die Produktion von Halbleiterchips im Stand der Technik weist jedoch die folgenden, zu lösenden Probleme auf. D. h., das Schleifen der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers wird allgemein durch ein Anwenden eines rotierenden Schleifrads auf der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers durchgeführt. Das rotierende Schleifrad umfaßt Schleifmittel bzw. -einrichtungen, welche Diamantkörner enthalten, und diese Schleifmittel weisen eine im wesentlichen flache Schleifoberfläche auf, welche gegen die hintere Oberfläche des Halbleiter wafers gepreßt wird. Wenn die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers ge schliffen wird, wird eine Kühlflüssigkeit, wie beispielsweise reines Wasser, über den zu schleifenden Bereich gespritzt. Da die Schleifoberfläche der Schleifmittel im wesentlichen flach ist, kann die Kühlflüssigkeit jedoch nicht ausreichend über den zu schleifenden Bereich gespritzt werden und ein unerwünschtes Brennen bzw. Altern kann an der geschliffenen, hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebildet werden. Weiters können Späne bzw. Schleifabfälle nicht gut aus dem zu schleifenden Bereich ausgetragen bzw. entfernt werden, wodurch eine Reduktion der Schleifeffizienz bzw. -leistung bewirkt wird.

Darüber hinaus wird das Schneiden des Halbleiterwafers entlang der Straßen im allgemeinen durch Anwenden der rotierenden Schneidklinge auf die vordere Oberfläche des Halbleiterwafers durchgeführt. Zu dieser Zeit können feine Späne an der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebildet sein.

Zusammenfassung der Erfindung

Es ist daher das wesentliche Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Schleifen der hinteren Oberfläche eines Halbleiterwafers vollständig effizient zu ermöglichen, indem die Ausbildung einer Verbrennungsstelle an der hinteren Oberfläche verhindert und unterdrückt wird.

Es ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, die Ausbildung von Spänen bzw. Schleifabfällen auf der hinteren Oberfläche des Halbleiterchips zu verhindern und zu unterdrücken, wenn eine rotierende Schneidklinge auf die vor dere Oberfläche des Halbleiterwafers angewandt wird, um den Halbleiterwafer entlang der Straßen zu schneiden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das obengenannte, wesentliche Ziel erreicht werden durch ein Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Halbleiterchips aus einem Halbleiterwafer, welcher eine große Anzahl von rechtwinkeligen Flächen bzw. Bereichen aufweist, welche durch Straßen bzw. Linien definiert sind, welche auf der Oberfläche in einer Gitterform angeordnet sind, wobei eine Halbleiterschaltung in jedem der rechtwinkeligen Bereiche ausgebildet wird, worin
eine Vielzahl von Rillen bzw. Nuten, welche eine vorbestimmte Tiefe aufweisen, in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebildet wird; dann
die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers geschliffen wird, um die Dicke des Halbleiterwafers auf einen vorbestimmten Wert zu reduzieren; und danach
der Halbleiterwafer entlang der Straßen bzw. Linien geschnitten wird, um die rechtwinkeligen Bereiche voneinander zu trennen, um die Halbleiterchips zu erhalten.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Rillen durch ein Schneiden des Halbleiterwafers auf eine vorbestimmte Tiefe von der hinteren Oberfläche mit einer rotierenden Schneidklinge gebildet, Schneidmittel bzw. -einrichtungen, welche eine im wesentlichen flache Schleifoberfläche auf weisen, werden auf die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers angewandt, um die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers zu schleifen, und eine rotierende Schneidklinge wird auf die vordere Oberfläche des Halbleiterwafers angewandt, um den Halbleiterwafer entlang der Straßen zu schneiden. Das andere Ziel wird durch Ausbilden der Rillen entsprechend den Straßen in einer derartigen Weise erzielt, daß die Rillen eine Tiefe aufweisen, welche größer ist als die Schleiftiefe der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers, und die Rillen unverändert existieren bzw. vorliegen, selbst nachdem die hintere Oberfläche des Halb leiterwafers geschliffen ist. Die Breite der Rillen ist vorzugsweise größer als die Schneidbreite an dem Punkt, an welchem der Halbleiterwafer entlang der Straßen geschnitten wird.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht, welche ein typisches Beispiel eines Halbleiterwafers zeigt, an welchem die vorliegende Erfindung angewandt wird;

Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht zur Erläuterung, wie die Rillen in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers von Fig. 1 ausgebildet werden;

Fig. 3 ist eine Bodenansicht des Halbleiterwafers, welcher Rillen in der hinteren Oberfläche ausgebildet aufweist;

Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht zur Erläuterung, wie die hintere Ober fläche des Halbleiterwafers geschliffen wird, welcher Rillen in der hinteren Ober fläche ausgebildet aufweist;

Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht, welche einen Zustand zeigt, daß ein Halbleiterwafer, welcher Rillen in der hinteren Oberfläche aufweist und dessen hintere Oberfläche geschliffen wurde, an einem Rahmen durch ein Montageband montiert bzw. festgelegt ist; und

Fig. 6 ist eine Querschnittsansicht, welche zeigt, wie der Halbleiterwafer, welcher Rillen in der hinteren Oberfläche ausgebildet aufweist und dessen hintere Oberfläche geschliffen wurde, entlang von Straßen bzw. Linien geschnitten wird.

Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im De tail nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigeschlossenen Zeichnungen beschrieben.

Fig. 1 zeigt ein typisches Beispiel eines Halbleiterwafers, an welchem die vorliegende Erfindung angewandt wird. Der illustrierte Halbleiterwafer 2, welcher eine für sich gesehen bekannte Form aufweist, weist insgesamt eine im wesentlichen scheibenförmige Form auf und sein Umfangsrand bzw. seine Um fangskante beinhaltet einen kreisbogenförmigen Hauptabschnitt 4 und einen ge raden Abschnitt 6, welcher relativ kurz ist und "Orientierungsflachstück" genannt wird. Straßen bzw. Linien 8 sind auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 2 in einer Gitterform angeordnet, um eine große Anzahl von rechteckigen bzw. rechtwinkeligen Flächen bzw. Bereichen 10 zu definieren. Eine Halbleiterschaltung (ihre detaillierte Illustration ist weggelassen) ist in jedem der rechtwinkeligen Bereiche 10 ausgebildet.

Als Beschreibung unter Bezugnahme auf Fig. 2 gemeinsam mit Fig. 1 wird in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eine Vielzahl von Rillen bzw. Nuten 12 in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers bzw. der Halbleiterscheibe 2 ausgebildet. Die Ausbildung der Rillen 12 kann vorteilhafterweise durchgeführt werden, wie dies in Fig. 2 gezeigt ist. Vor der Ausbildung der Rillen 12 wird ein Schutzfilm, welcher ein geeigneter bzw. entsprechender Kunstharzfilm sein kann, an der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 2 festgelegt. Der Halbleiterwafer 2, welcher den Schutzfilm 14 an seiner vorderen Oberfläche festgelegt aufweist, wird mit der Oberseite nach unten gedreht (d. h. die hintere Oberfläche ist nach oben gerichtet) und an einer Spannvorrichtung 16 festgelegt. Eine rotierende Schneidklinge 18, welche zu einer Rotation um eine zentrale Achse, welche sich im wesentlichen in einer horizontalen Richtung erstreckt, mit einer hohen Geschwindigkeit veranlaßt wird, wird bis zu einer vorbestimmten Tiefe D1 von der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 eingebracht bzw. angewandt, und die Spannvorrichtung 16 und die rotierende Schneidklinge 18 werden im wesentlichen horizontal in einer vorbestimmten Richtung relativ zueinander bewegt. Vorzugs weise weist die Spannvorrichtung bzw. Vakuumansaugvorrichtung 16 eine Vakuumansaugrille oder ein Loch in der vorderen Oberfläche auf, so daß sie durch Vakuum den Halbleiterwafer 2 an ihre vordere Oberfläche ansaugt. Die rotierende Schneidklinge 18 kann vorzugsweise eine dünne, scheibenförmige Klinge sein, welche ausgebildet ist, indem Diamantkörner in ein elektroabgeschiedenes Metall aufgenommen bzw. inkorporiert sind. Wie in Fig. 3 gezeigt, ist es wünschenswert, daß die Rillen 12, welche in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 ausgebildet sind, in einer Gitterform angeordnet sind, um vollständig und präzise den Linien bzw. Straßen 8 zu entsprechen, welche an der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 2 in einer Gitterform angeordnet sind. Um die Rillen 12 entsprechend den Straßen 8 auszubilden, ist es notwendig, mit hoher Genauigkeit die Positionen der Straßen 8 zu detektieren, welche auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 2 angeordnet sind, welcher auf der Ansaugvorrichtung 16 mit der Oberseite nach unten fixiert ist. Beispielsweise können die Positionen der Straßen 8 mit hoher Genauigkeit durch ein Abbilden des Halbleiterwafers auf der Spannvorrichtung 16 mit einer Infrarotkamera (nicht gezeigt) und ein Analysieren des Bilds detektiert werden.

Der obige Schritt eines Ausbildens der Rillen 12 in der hinteren bzw. rückwärtigen Oberfläche des Halbleiterwafers 2 kann vorzugsweise durch eine Chipvereinzelungssäge durchgeführt werden, welche durch Disco Corporation, welche ihren Sitz in Tokyo, Japan, hat, unter dem Handelsnamen DFD641 oder DFD681 vertrieben wird.

In dem Verfahren der vorliegenden Erfindung wird, nachdem die Rillen 12 in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 ausgebildet wurden, die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers 2 geschliffen, um die Dicke des Halbleiterwafers 2 auf einen vorbestimmten Wert zu reduzieren. Dieses Schleifen kann vorzugsweise durchgeführt werden, wie dies in Fig. 4 gezeigt ist. Der Halbleiterwafer 2, welcher den Schutzfilm 14 an der vorderen Oberfläche festgelegt hat, wird mit der Oberseite nach unten gedreht und an der Ansaug vorrichtung bzw. Spannvorrichtung 20 fixiert. Vorzugsweise hält die Spann vorrichtung 20 den Halbleiterwafer 2 an seiner vorderen Oberfläche durch Vakuum. Während die Spannvorrichtung 20 um die zentrale Achse gedreht wird, welche sich im wesentlichen vertikal erstreckt, werden die Schleifmittel 24 eines Schleifrads 22, welches um eine zentrale Achse, welche sich im wesentlichen vertikal erstreckt, mit einer hohen Geschwindigkeit gedreht wird, gegen die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers 2 gedrückt, welcher an der Spannvorrichtung 20 gehalten ist, und werden schrittweise bzw. zunehmend abgesenkt, um die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers 2 zu schleifen. Das Schleifrad 22 beinhaltet ein ringförmiges Support- bzw. Abstützglied 26 und eine Vielzahl von Schleifmitteln 24, welche sich in einer Bogenform erstrecken, sind an der unteren Oberfläche des Abstützglieds 26 festgelegt. Die Vielzahl der Schleifmittel 24 ist insgesamt als ein Ring ausgebildet. Anstelle der Vielzahl von Schleifmitteln 24, welche an der unteren Oberfläche des Supportglieds 26 festgelegt sind, können ringförmige Schleifmittel, welche sich kontinuierlich in einer Umfangsrichtung erstrecken, an der unteren Oberfläche des Abstützglieds 26 festgelegt sein. Die Querschnittsform von jedem der Schleifmittel 24 ist im wesentlichen rechtwinkelig und weist eine im wesentlichen flache, untere Oberfläche, d. h. Schleiffläche auf. Die Schleifmittel 24 sind vorzugsweise durch Festlegen von Diamantkörnern durch ein geeignetes Bindematerial, wie beispielsweise ein Harzbindemittel, ausgebildet. Die Schleiftiefe (d. h. die Dicke, welche durch das Schleifen entfernt wird) D2 der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 ist etwas geringer als die Tiefe D1 der Rillen 12, welche in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 ausgebildet sind. Daher existieren, selbst nachdem die hintere Oberfläche des Halbleiter wafers 2 geschliffen wurde, die Rillen 12 vorzugsweise in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2. Beispielsweise kann, wenn der Halbleiterwafer 2, welcher eine Dicke von 300 µm aufweist, auf eine Dicke von 100 µm geschliffen werden soll, die Tiefe der Rillen 12 etwa 110 bis 120 µm betragen.

Bisher wurde die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers 2 geschliffen, ohne die Rillen 12 in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 auszubilden. In diesem Fall konnte eine Kühlflüssigkeit, wie beispielsweise reines Wasser, welche zum Zeitpunkt des Schleifens aufgespritzt wird, nicht vollständig in den Schleifbereich aufgrund der im wesentlichen flachen Schleifoberfläche der Schleifmittel 24 gelangen, wodurch ein unerwünschtes Verbrennen mög licherweise an der geschliffenen, hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 ausgebildet wurde. Weiters konnten Späne bzw. Abfälle, welche durch das Schleifen gebildet werden, nicht gut von dem Schleifbereich ausgebracht bzw. entfernt werden, wodurch eine Reduktion der Schleifeffizienz bzw. -leistung bewirkt wurde. Im Gegensatz dazu wird in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung vor dem Schleifen der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 eine Vielzahl von Rillen 12 in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 ausgebildet. Das Vorhandensein der Rillen 12 verhindert oder unterdrückt die Ausbildung des unerwünschten Verbrennens und unterstützt das Ausbringen von Abfällen bzw. Spänen.

Der obengenannte Schritt eines Schleifens der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 kann vorzugsweise durch eine Oberflächenschleifvorrichtung durchgeführt werden, welche durch Disco Corporation unter dem Handelsnamen DFG841 vertrieben wird.

Nach dem Schleifen der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 wird der Halbleiterwafer entlang der Straßen bzw. Linien 8 geschnitten, welche an der vorderen Oberfläche angeordnet sind, um die rechtwinkeligen Bereiche 10 voneinander zu trennen, um die Halbleiterchips bzw. -bausteine zu erzeugen. Vorzugsweise ist vorteilhaft, daß vor dem Schneiden des Halbleiterwafers 2, wie in Fig. 5 gezeigt, der Schutzfilm 14 von der vorderen Oberfläche des Halb leiterwafers 2 abgezogen bzw. abgeschält wird und der Halbleiterwafer 2 an einem Rahmen 30 durch ein Montageband, entsprechend den Anforderungen, montiert wird. Der Rahmen 30, welcher aus einem Kunstharz oder einer Metall platte gebildet sein kann, weist eine relativ große, kreisförmige Öffnung 32 im Zentrum auf. Der Halbleiterwafer 2 wird in der Öffnung 32 des Rahmens 30 positioniert und das Band 28, welches sich über die Öffnung 32 des Rahmens 30 erstreckt, wird an der hinteren Oberfläche des Rahmens 30 und der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 festgelegt, um den Halbleiterwafer 2 an dem Rahmen 30 zu montieren. Das Schneiden des Halbleiterwafers 2 kann vorteil hafterweise durchgeführt werden, wie dies in Fig. 6 gezeigt ist. Der Halbleiterwafer 2, welcher an dem Rahmen 30 durch das Band 28 montiert ist, wird an der Spannvorrichtung 34 gehalten. Die rotierende Schneidklinge 36, welche um die zentrale Achse, welche sich im wesentlichen horizontal erstreckt, mit einer hohen Geschwindigkeit gedreht wird, wird in einer Tiefe angewandt, welche etwas größer ist als die Dicke T von der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 2 zu der Bodenoberfläche der Rille 12, welche in der hinteren Oberfläche ausgebildet ist, und die Spannvorrichtung 34 und die rotierende Schneidklinge 36 werden entlang der Straßen 8 relativ zueinander bewegt. Die Schneidbreite W2 der rotierenden Schneidklinge 36 ist vorzugsweise etwas geringer als die Breite W1 der Rille 12. Beispielsweise ist, wenn die Schneidbreite W2 15 µm ist, die Breite W1 der Rille 12 vorzugsweise etwa 30 µm. Vorzugsweise hält die Spannvorrichtung 34 den Halbleiterwafer 2 an seiner vorderen Oberfläche durch Vakuumansaugung. Die rotierende Schneidklinge 36 kann vorzugsweise eine dünne, scheibenförmige Schneide sein, welche durch Aufnahme von Diamantkörnern in ein elektroab geschiedenes Metall ausgebildet ist. In der illustrierten Ausführungsform wird, selbst wenn der Halbleiterwafer 2 entlang der Straßen 8 geschnitten wird, um die rechtwinkeligen Bereiche 10 voneinander zu trennen, das Band 28 nicht geschnitten und es ist somit jeder rechtwinkelige Bereich, d. h. jeder Halbleiterchip, an dem Band festgelegt und an dem Rahmen 30 montiert gehalten.

Wenn der Halbleiterwafer 2 entlang der Straßen 8, wie oben beschrieben, geschnitten wird, nachdem die Rillen 12 entsprechend den Straßen 8, welche an der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers 2 angeordnet sind, in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 ausgebildet wurden, wie in Fig. 6 gezeigt, wurde sichergestellt, daß die Bildung bzw. Entstehung der Abfälle bzw. Späne, welche an der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers 2 ausgebildet wurden, wirksam verhindert und unterdrückt werden kann. Wenn der Halbleiterwafer 2 entlang der Straßen 8 zu schneiden ist, muß die rotierende Schneidklinge 36 nicht mit der oberen Oberfläche des Bandes 28 in Kontakt oder nahe zu dieser gebracht werden, wodurch das Anhaften eines auf der vorderen Oberfläche des Bandes 28 aufgebrachten Klebstoffes an der rotierenden Schneidklinge 36 gewiß bzw. sicher verhindert werden kann. Wenn der Klebstoff an der rotierenden Schneidklinge 36 anhaftet, kann die rotierende Schneidklinge 36 in einer kurzen Zeitdauer beschädigt bzw. zerstört werden.

Der obige Schritt eines Schneidens des Halbleiterwafers 2 entlang der Straßen 8 kann vorteilhafterweise durch eine Vereinzelungssäge, welche durch Disco Corporation unter dem Handelsnamen DFD641 oder DFD681 vertrieben wird, wie der obengenannte Schritt eines Ausbildens der Rillen durchgeführt werden.

Während bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf die beigeschlossenen Zeichnungen beschrieben wurden, sollte verstanden werden, daß die Erfindung nicht darauf beschränkt ist und ohne Verlassen des Geistes und Rahmens der Erfindung geändert oder modifiziert werden kann.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer großen Anzahl von Halbleiterchips aus einem Halbleiterwafer, welcher eine große Anzahl von rechtwinkeligen Flächen bzw. Bereichen aufweist, welche durch Straßen bzw. Linien definiert sind, welche auf der vorderen Oberfläche in einer Gitterform angeordnet sind, wobei eine Halbleiterschaltung in jedem der rechtwinkeligen Bereiche ausgebildet wird, worin
eine Vielzahl von Rillen bzw. Nuten, welche eine vorbestimmte Tiefe aufweisen, in der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebildet wird; dann
die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers geschliffen wird, um die Dicke des Halbleiterwafers auf einen vorbestimmten Wert zu reduzieren; und danach
der Halbleiterwafer entlang der Straßen bzw. Linien geschnitten wird, um die rechtwinkeligen Bereiche voneinander zu trennen, um Halbleiterchips zu erhalten.

2. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Halbleiterwafer von der hinteren Oberfläche auf eine vorbestimmte Tiefe mit einer rotierenden Schneidklinge ge schnitten wird, um die Rillen auszubilden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin Schleifmittel bzw. -einrichtungen, welche eine im wesentlichen flache Schleifoberfläche aufweisen, auf die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers angewandt werden, um die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers zu schleifen.

4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin die rotierende Schneidklinge von der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers ange wandt wird, um den Halbleiterwafer entlang der Straßen zu schneiden.

5. Verfahren nach Anspruch 4, worin die Rillen entsprechend den Straßen gebildet werden, die Tiefe der Rillen größer ist als die Schleiftiefe der hinteren Oberfläche des Halbleiterwafers und die Rillen unverändert existieren, nachdem die hintere Oberfläche des Halbleiterwafers geschliffen wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, worin die Breite der Rillen größer ist als die Schneidbreite zu dem Zeitpunkt, zu welchem der Halbleiterwafer entlang der Straßen geschnitten wird.