KR102243674B1 - 세라믹칩 제조방법 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- WVHNUGRFECMVLQ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2-(2,4-dichlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC=C1C1=C(Cl)C=CC=C1Cl WVHNUGRFECMVLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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Abstract
본 발명의 일 측면에 따른 세라믹칩 제조방법은, (A) 세라믹 원판에 복수의 다이싱트렌치를 형성하고, (B) 다이싱트렌치가 형성된 표면을 소정 두께만큼 제거하여, 상기 다이싱트렌치 형성 시 상기 다이싱트렌치의 바깥쪽에 형성된 거친면을 제거하고, (C) 원판이 다수의 세라믹칩으로 개별화되도록, 상기 다이싱트렌치가 형성된 면의 반대면을 소정 두께만큼 제거하는 것을 포함한다.
Description
본 발명은 세라믹칩 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 LED칩에서 방사되는 빛의 파장을 변경하는 색변환부재 등의 세라믹칩을 제조할 때, 대형 세라믹 원판을 작은 크기의 개별 칩으로 분할하는 방법에 관한 것이다.
일본국 공개특허 제 2009-96653 호(2009년 5월 7일 공개, 선행기술문헌)에는 색 변환부재 제조방법이 개시되어 있다. 색 변환부재는 LED칩에서 방사되는 빛의 파장을 변환할 수 있도록 LED칩의 전방에 부착된다. 색 변환부재로서 형광막을 청색 LED에 적용하면 백색 LED를 얻을 수 있다.
선행기술문헌에는 색변환부재를 제조하는 여러 방법 중 하나로서, 유리분말과 형광체분말을 혼합하는 공정, 성형공정, 소성공정, 가압공정, 가공공정 등을 포함하는 공정이 개시된다.(선행기술문헌의 도1 참조)
통상적으로 색변환부재를 얇고 넓은 판의 형태로 제조한 후 후가공공정에서 이를 여러 개의 작은 세라믹칩으로 분할한다. 필요한 크기로 바로 세라믹칩을 만드는 것보다 넓은 세라믹 원판을 만들고 이를 다수로 분할하는 것이 제조에 소요되는 재료, 시간, 공정단계를 절감하는 데 유리하기 때문이다.
원판을 필요한 크기의 세라믹칩으로 절단하는 데 주로 다이싱머신을 활용한다. 다이싱머신에는 회전하는 다이싱블레이드가 설치된다. 다이싱블레이드가 회전하는 상태에서 외곽날이 원판에 파고들도록 이동하면 절단이 이루어진다. 원판으로부터 원하는 모양의 세라믹칩을 형성할 수 있도록, 다이싱블레이드를 직선 또는 곡선경로를 따라 이동시킬 수 있다.
이 때, 다이싱블레이드와 세라믹 원판이 마찰하면서 원판의 일부가 부스러기가 되면서 절단된다. 색변환부재는 일반적으로 여러 작은 입자들을 뭉쳐놓은 것이기 때문이다. 따라서 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 절단된 세라믹칩의 외곽면이 울퉁불퉁하게 형성되는 미세부스러짐 현상이 발생된다.
이는 세라믹칩 형태의 색변환부재(55)가 LED칩(52)과 함께 패키징된 상태에서 문제를 발생시킬 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이 일반적인 LED발광부재(50)는 PCB(51)에 설치되는 LED칩(52), LED칩(52)의 빛을 변환하도록 LED칩(52) 전방에 설치되는 색변환부재(55, 세라믹칩), 색변환부재(55, 세라믹칩)와 LED칩(52)을 PCB(51)에 고정시키기 위한 홀딩부재(53)를 갖는다. 색변환부재(55, 세라믹칩)는 청색 LED를 백색 LED로 활용가능케 하는 형광막이 널리 사용된다.
홀딩부재(53)는 세라믹칩(55)과 LED칩(52)의 측면을 지지하고, 홀딩부재(53)의 일측에 형성된 개구를 통해 세라믹칩(55)이 노출된다. 앞서 도 4 (a)에서 본 바와 같이 세라믹칩(55)의 측면 외곽이 울퉁불퉁하기 때문에 홀딩부재(53)와 세라믹칩(55)의 사이에 미세한 간극(58)이 형성될 수 있다. LED발광부재(50)가 켜지는 경우 LED칩(52)이 발광하고 이 빛이 세라믹칩(55)을 통해 외부로 방사된다. 그런데 홀딩부재(53)와 세라믹칩(55) 사이에 간극(58)이 형성되므로 이 간극(58)을 통해 빛이 산란되고 상당한 량의 광에너지가 집중될 수 있다.
이로 인해 홀딩부재(53)와 세라믹칩(55) 사이의 공간이 과열되고 급격한 온도변화를 겪게 될 수 있다. 홀딩부재(53)로는 보통 높은 안정성을 갖는 TiO2를 활용하지만, 위와 같은 현상이 계속될 경우 홀딩부재(53)의 내측면에 크랙(59)이 발생될 수 있다. 세라믹칩(55) 커팅 시 측면에 발생된 미세 부스러짐 현상때문에 LED발광부재(50) 전체의 내구성과 신뢰성에 문제가 생길 수 있으며, 더 나아가 LED발광부재(50)가 설치되는 광시스템의 성능저하 문제까지 발생될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 색변환부재(세라믹칩, 형광체)의 측면을 매끈하게 커팅할 수 있도록 함으로써, 색변환부재가 설치되는 LED발광부재의 신뢰성과 내구성을 높일 수 있는 세라믹칩 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 세라믹칩 제조방법은, (A) 세라믹 원판에 복수의 다이싱트렌치를 형성하고, (B) 다이싱트렌치가 형성된 표면을 소정 두께만큼 제거하여, 상기 다이싱트렌치 형성 시 상기 다이싱트렌치의 바깥쪽에 형성된 거친면을 제거하고, (C) 원판이 다수의 세라믹칩으로 개별화되도록, 상기 다이싱트렌치가 형성된 면의 반대면을 소정 두께만큼 제거하는 것을 포함한다.
본 발명의 일 측면에 따른 세라믹칩 제조방법은, (A) 상기 세라믹 원판에 복수의 상기 다이싱트렌치를 형성하기 전에, 상기 다이싱트렌치가 형성될 상기 세라믹 원판의 윗면에 거친 그라인딩작업을 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 세라믹칩 제조방법은, (A) 상기 세라믹 원판에 복수의 상기 다이싱트렌치를 형성하기 전에, 상기 세라믹 원판의 바닥면에 거친 그라인딩작업을 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 세라믹칩 제조방법은, (B) 상기 다이싱트렌치가 형성된 표면을 소정 두께만큼 제거하여, 상기 다이싱트렌치 형성 시 상기 다이싱트렌치의 바깥쪽에 형성된 거친면을 제거한 후, 상기 다이싱트렌치가 형성된 표면을 다시 한번 소정 두께만큼 제거하여 매끈하게 다듬는 미세 그라인딩작업을 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 세라믹칩 제조방법은, (C) 상기 원판이 다수의 세라믹칩으로 개별화되도록, 상기 다이싱트렌치가 형성된 면의 반대면을 소정 두께만큼 제거한 후, 상기 개별화된 세라믹칩의 표면을 매끈하게 다듬는 미세 그라인딩작업을 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 세라믹칩 제조방법은, 상기 세라믹칩은 LED용 색변환부재이며, 상기 다이싱트렌치를 형성하기 위해 다이싱블레이드로 상기 원판을 깎아내며, 상기 다이싱트렌치의 바깥쪽에 형성된 거친면을 제거하기 위해 원반형의 그라인더로 원판의 표면을 일정 두께만큼 깎아내며, 상기 다이싱트렌치가 형성된 면의 반대면을 소정 두께만큼 제거하기 위해 원반형의 그라인더로 상기 원판의 상기 반대면을 일정 두께만큼 깎아내는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 세라믹칩 제조방법은, 상기 다이싱트렌치의 바깥쪽에 형성된 거친 면은, 상기 다이싱 트렌치의 바깥쪽에 상기 다이싱 트렌치의 폭이 점차 넓어지도록 경사지게 형성되는 경사부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 세라믹 원판을 다수의 개별 세라믹칩으로 분할할 때 미세 부스러짐 현상으로 발생할 수 있는 거친 면을 없앨 수 있다. 특히 통상적인 그라인더로 깎아내기 어려운 세라믹칩의 측면까지 매끈하게 할 수 있다. 그에 따라 세라믹칩이 설치되는 전체 시스템의 신뢰성과 내구성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹칩 제조방법의 개략도,
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹칩 제조방법에 의해 제조되는 세라믹칩을 보인 정면도,
도 4는 본 발명의 실시예와 종래기술에 의한 제조방법에 의해 제조된 세라믹칩을 비교한 비교도,
도 5는 종래기술에 의한 제조방법에 의해 제조된 세라믹칩이 적용된 LED발광부재를 보인 사시도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹칩 제조방법에 의해 제조되는 세라믹칩을 보인 정면도,
도 4는 본 발명의 실시예와 종래기술에 의한 제조방법에 의해 제조된 세라믹칩을 비교한 비교도,
도 5는 종래기술에 의한 제조방법에 의해 제조된 세라믹칩이 적용된 LED발광부재를 보인 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다. 첨부된 도면은 본 발명의 예시적인 형태를 도시한 것으로, 이는 본 발명을 보다 상세히 설명하기 위해 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 기술적인 범위가 한정되는 것은 아니다.
또한, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응되는 구성요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 하며, 설명의 편의를 위하여 도시된 각 구성 부재의 크기 및 형상은 과장되거나 축소될 수 있다.
한편, 제1 또는 제2등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들이 상기 용어들에 의해 한정되지 않으며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별시키는 목적으로만 사용된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹칩 제조방법의 개략도, 도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹칩 제조방법에 의해 제조되는 세라믹칩을 보인 정면도, 도 4는 본 발명의 실시예와 종래기술에 의한 제조방법에 의해 제조된 세라믹칩을 비교한 비교도, 도 5는 종래기술에 의한 제조방법에 의해 제조된 세라믹칩이 적용된 LED발광부재를 보인 사시도이다. 도면에 도시된 세라믹칩(11) 표면의 거칠기, 원판(1) 등의 기울기 등은 실제보다 스케일면에서 과장될 수 있다. 이는 설명의 편의를 도모하기 위한 것이다.
먼저 개별 세라믹칩(11)으로 분할될 형광체 원판(1)을 준비한다. 본 발명은 여러 종류의 세라믹칩(11)에 적용될 수 있지만, 본 실시예에서는 LED발광부재에 적용되는 색변환형광체로서의 세라믹칩(11)을 예로 들어 설명한다. 청색 LED를 백색 LED로 활용하기 위해 형광막 기반의 세라믹칩(11)이 널리 활용된다. 선행기술문헌에도 개시되어 있는 바와 같이, 형광물질분말과 유리분말에 압축, 소결 등의 공정을 적용해 원반형의 원판(1)을 제조할 수 있다. 원판(1)은 사각형으로 제조될 수도 있다.
이 원판(1)은 실제품에 적용될 크기가 아니므로, 작은 세라믹칩(11)으로 분리해야 한다. 또한, 표면이 거칠기도 하고 곡면으로 이루어질 수도 있으므로 평탄화작업을 해야 한다.
도 1에 도시된 <1>과정은 거친 그라인딩(rough grinding) 과정이다. 도 1 및 도 2의 <0>에 도시된 바와 같이 갓 제조된 원판(1)은, 지지면(G)에 의해 지지되는 바닥면(B)은 평평하지만 윗면(T)은 울퉁불퉁하거나 기울어져 있을 수 있다. 도 2의 <0>에 도시된 바와 같이 가운데는 얇고 바깥쪽은 두꺼워 윗면(T)이 곡면형태를 갖는 경우가 많다. 도 2의 <1>에 도시된 바와 같이, <1>과정에서 그라인더(21)로 윗면(T)을 갈아내면 평평한 윗면(T)을 얻을 수 있다. 그러나 윗면(T)은 아직 미세하게나마 요철을 갖는다. 즉, 표면거칠기(surface roughness)가 원하는 수준에 도달하지 못했다. 그래서 후에 미세 그라인딩(fine grinding) 작업으로 매끈하게 다듬는다.
그라인딩 작업은 표면 그라인더(21)에 의해 이루어질 수 있다. 그라인더(21)는 넓적한 원반형의 디스크가 회전하면서 원판(1) 표면을 깎아낸다. 그라인딩 작업에 의해 원판(1)의 두께가 균일하게 점차 감소하게 된다. 그라인더(21)를 이동가능하게 지지하는 지지대, 원판(1)을 놓는 지지베드, 제어부를 갖춘 기계장비로 그라인딩시스템을 구축할 수 있다.
<2>과정에서는 원판(1)을 뒤집어 바닥면(B)에 거친 그라인딩 작업을 할 수 있다. 바닥면(B)은 통상적으로 기울어지지 않은 경우가 많지만, 다소 미세요철을 가질 수는 있기 때문에 이 과정을 선택적으로 시행할 수 있다.
<3>과정에서 다이싱블레이드(25)로 원판(1)의 윗면(T)을 커팅한다. 그러나, 이는 원판(1)을 완전하게 절단하여 작은 세라믹칩(11)으로 나누는 것이 아니고 일부의 두께까지만 칼집 내듯이 커팅하여 다이싱트렌치(17)를 형성하는 것이다. 원판(1)의 전체에 걸쳐 여러 개의 직선형 다이싱 라인(13)을 일정 간격을 두고 형성하고 나서, 그 직선과 수직한 방향으로 다시 여러 개의 다이싱 라인(13)을 형성한다.다이싱 라인(13) 사이의 간극이 최종적으로 커팅될 세라믹칩(11)의 폭과 대응된다. <2>과정을 실시한 직후에는 원판(1)이 뒤집힌 상태이므로 <3>과정을 실시하기 전에 원상태로 원판(1)을 뒤집어줘야 한다.
이 때, 도 2의 <3>에 도시된 바와 같이 다이싱트렌치(17) 상단의 양 측면 부, 즉 장차 세라믹칩(11)의 측면 상측을 형성할 부위에는 경사부(18)가 형성된다. 원판(1)의 표면은 다이싱블레이드(25)를 가장 앞에서 받아내는 부위이고 원판(1)과 외부의 경계면이므로 더 많은 재료가 다이싱블레이드(25)의 회전에 의해 떨어져 나가게 된다. 즉, 미세 부스러짐 현상이 주로 나타나는 부위가 이 원판(1) 표면이므로 경사면이 형성된다. 이 경사부(18)를 없애야 세라믹칩(11)의 측면 거칠기를 감소시킬 수 있다. 경사부(18)가 형성되므로, 다이싱트렌치(17)의 폭은 윗면(T) 측으로 갈수록 점차 넓어지도록 경사지게 형성된다.
이를 위해 도 1의 <4> 공정에서는 경사부(18)가 형성된 다이싱트렌치(17)의 상면 즉, 원판(1)의 윗면(T)에 다시 한번 거친 그라인딩한다. 거친 그라인딩이 완료되면 도 2의 <4>에 도시된 바와 같이 경사면은 삭제된다. 그러나, 미세요철이 아직까지는 남게 된다. 이 공정에서 너무 거친 그라인더(21)를 사용할 경우 경사면 삭제에는 유리하겠지만 거친 표면을 얻게 될 수 있고, 너무 미세한 그라인더(21)를 사용할 경우 경사면을 삭제하는 데 소요되는 작업 시간이 너무 오래 걸리게 될 수 있다. 최종 제품에서 필요한 거칠기, 작업 소요시간, 장비의 신뢰성 등을 고려하여 그라인더(21)의 거칠기를 선택할 수 있다.
이 미세요철까지 제거하여 최종 스펙에 맞출 수 있을 정도로 거칠기를 감소시키는 작업이 도 1의 <5> 공정에서 진행된다. 윗면(T)을 최대한 매끈하게 다듬기 위해 미세 그라인딩을 실시하는 것이다. 도 2의 <5>에 도시된 바와 같이 이 공정을 실시하고 나면 윗면(T)이 더욱 매끈해진다. 물론 도 2의 <5>에 도시된 표면을 더욱 확대해보면 다시 거친 표면이 드러나겠지만 무한정으로 미세 그라인딩을 할 수는 없다. 최종제품의 필요 스펙에 맞는 거칠기를 얻을 수 있도록 미세 그라인딩하면 족하다. 경우에 따라서는 필요 스펙에 맞출 수 있도록 미세그라인더(21)의 정도를 달리하여 여러 번 미세 그라인딩할 수도 있을 것이다. 한편, <4>공정의 결과물이 원하는 거칠기를 달성할 경우 <5>공정의 미세 그라인딩은 필요 없을 수도 있다. 거친 그라인딩, 미세 그라인딩은 상대적인 개념이다. 재료의 특성, 필요 스펙에 따라 거친 그라인딩과 미세 그라인딩의 거칠기가 정해질 수 있을 것이다. 물론 거친 그라인딩과 미세 그라인딩의 결과물 거칠기는 미세 그라인딩 작업물의 거칠기가 거친 그라인딩의 그것보다 작도록 설정될 것이다. 목적면에서 보자면, 거친 그라인딩은 실질적으로 원판의 두께를 감소시키면서 거칠기를 감소시키고자 하는 목적으로, 미세 그라인딩은 두께를 감소시키기 보다 거칠기를 더욱 감소시킬 목적으로 시행한다고 볼 수 있다.
원판(1)을 매끈하고 다이싱트렌치(17)가 형성되도록 가공하였으나, 아직 여러 세라믹칩(11)으로 분할하지는 않았다. 도 1의 <6> 공정에서는 최종적으로 원판(1)을 세라믹칩(11)으로 분할한다. 이를 위해 먼저 원판(1)을 뒤집는다. 그에 따라 윗면(T)은 아래로 바닥면(B)은 위로 가게 된다. 이렇게 원판(1)을 뒤집은 상태에서 거친 그라인딩 작업을 실시한다. 거친 그라인딩 작업에 의해 바닥면(B)으로부터 원판(1)의 두께가 점차 감소하게 된다. 도 3에 도시된 바와 같이 작업을 계속하면 최종적으로 다이싱트렌치(17)의 가장 깊은 부위(19)까지 그라인더(21)가 도달하게 된다. 결국 그에 따라 도 2의 <6> 및 도 3에 도시된 바와 같이, 원판(1)이 여러 작은 세라믹칩(11)으로 분리된다. <6> 공정을 통해 원판(1)이 세라믹칩(11)들로 분리될 수 있었다. 또한, 분리된 이후에도 그라인더(21)를 더욱 아래쪽으로 이동시키면 세라믹칩(11)들의 두께가 더욱 얇아질 수 있다. 이는 원하는 세라믹칩(11) 두께를 얻을 때까지 지속될 수 있다. 즉, <6>공정을 통해 세라믹칩(11) 분리와 함께 두께 조정까지 완료할 수 있다.
한편, 이상의 공정에 덧붙여, <6> 공정에서 바닥면(B)을 다시 한번 미세 그라인딩할 수도 있다. 그에 따라 도 2의 <7>에 도시된 바와 같이 더욱 매끈한 바닥면(B)을 얻을 수 있다. 커팅공정에서 발생하는 세라믹칩(11) 측면의 요철이 세라믹칩(11) 최종제품의 특성에 악영향을 미치는 경향보다 윗면(T)과 바닥면(B) 표면의 거칠기의 영향은 비교적 작다. 따라서, 바닥면(B)에 대한 최종 미세 그라인딩 작업은 바닥면(B)에 대한 거친 그라인딩 작업 후 필요한 경우에만 선택적으로 적용할 수도 있다. 이 작업은 원판(1)이 세라믹칩(11)들로 분리된 이후에 시행되는 과정이다. 위의 공정들을 통해 도 4 (b)에 도시된 바와 같이, 원판(1)을 모든 면, 특히 측면이 매끈한 다수의 세라믹칩(11)으로 분리할 수 있었다.
통상적으로 다이싱트렌치(17)를 형성하면 다이싱트렌치(17)의 깊은 쪽은 매끈하게 형성되고 바깥쪽 즉, 도 2의 <3>에 확대도시된 부위는 거칠게 형성된다. 아예 다이싱트렌치(17)를 형성하는 방식이 아닌 다이싱블레이드(25)로 단번에 원판(1)을 세라믹칩(11)으로 커팅할 경우 도 4 (a)에 도시된 바와 같이 세라믹칩(11)의 측면이 매우 거칠게 이루어진다. 이들은 다이싱블레이드(25)를 활용하여 커팅할 경우 통상적으로 나타나는 문제점인데 본 발명의 실시예에서는 여러 공정들을 복합함으로써 이러한 문제점을 해소할 수 있었다.
이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
1; 원판 11; 세라믹칩
13; 다이싱라인 17; 다이싱트렌치
21, 22; 그라인더 25; 다이싱블레이드
13; 다이싱라인 17; 다이싱트렌치
21, 22; 그라인더 25; 다이싱블레이드
Claims (7)
- (A) 다이싱블레이드로 세라믹 원판의 일 표면을 깎아냄으로써 상기 원판에 복수의 다이싱트렌치가 열을 지어 형성되도록 하는 단계;
(B) 상기 다이싱트렌치 형성 시 상기 다이싱트렌치의 길이방향을 따라 바깥쪽에 형성되며, 상기 다이싱블레이드가 상기 세라믹 원판에 진입할 때 발생되는 상기 원판을 이루는 입자들의 미세 부스러짐 현상에 따라 상기 다이싱 트렌치의 표면 쪽으로 갈수록 폭이 점차 넓어지도록 경사지게 형성되는 경사부를 포함하는 울퉁불퉁한 부위를 제거하기 위해 상기 다이싱트렌치가 형성된 상기 원판의 표면을 원반형의 그라인더로 소정 두께만큼 균일하게 제거하는 단계;
(C) 상기 원판이 LED용 색변환부재인 다수의 세라믹칩으로 개별화되도록, 상기 원판의 상기 다이싱트렌치가 형성된 면의 반대면을 원반형의 그라인더로 소정 두께만큼 깎아내는 단계;를 포함함으로써 다이싱트렌치 형성에 의해 개별 세라믹칩의 측면에 발생할 수 있는 울퉁불퉁한 면을 예방할 수 있는 세라믹칩 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
(A) 상기 세라믹 원판에 복수의 상기 다이싱트렌치를 형성하기 전에,
상기 다이싱트렌치가 형성될 상기 세라믹 원판의 윗면에 거친 그라인딩작업을 하는 것을 특징으로 하는 세라믹칩 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
(A) 상기 세라믹 원판에 복수의 상기 다이싱트렌치를 형성하기 전에,
상기 세라믹 원판의 바닥면에 거친 그라인딩작업을 하는 것을 특징으로 하는 세라믹칩 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
(B) 상기 다이싱트렌치가 형성된 상기 원판의 표면을 원반형의 그라인더로 소정 두께만큼 균일하게 제거하는 단계 후,
상기 다이싱트렌치가 형성된 표면을 다시 한번 소정 두께만큼 제거하여 매끈하게 다듬는 미세 그라인딩작업을 하는 것을 특징으로 하는 세라믹칩 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
(C) 상기 원판의 상기 다이싱트렌치가 형성된 면의 반대면을 원반형의 그라인더로 소정 두께만큼 깎아내는 단계 후,
상기 개별화된 세라믹칩의 표면을 매끈하게 다듬는 미세 그라인딩작업을 하는 것을 특징으로 하는 세라믹칩 제조방법. - 삭제
- 삭제
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190134809A KR102243674B1 (ko) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 세라믹칩 제조방법 |
TW109121389A TWI849157B (zh) | 2019-10-28 | 2020-06-23 | 陶瓷晶片製造方法 |
CN202010578709.5A CN112736034B (en) | 2019-10-28 | 2020-06-23 | Ceramic chip manufacturing method |
US17/007,310 US11679527B2 (en) | 2019-10-28 | 2020-08-31 | Manufacturing method of ceramic chips |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190134809A KR102243674B1 (ko) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 세라믹칩 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR102243674B1 true KR102243674B1 (ko) | 2021-04-23 |
Family
ID=75586763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190134809A KR102243674B1 (ko) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 세라믹칩 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11679527B2 (ko) |
KR (1) | KR102243674B1 (ko) |
TW (1) | TWI849157B (ko) |
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TWI849157B (zh) | 2024-07-21 |
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