TW202116693A - 陶瓷晶片製造方法 - Google Patents
陶瓷晶片製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202116693A TW202116693A TW109121389A TW109121389A TW202116693A TW 202116693 A TW202116693 A TW 202116693A TW 109121389 A TW109121389 A TW 109121389A TW 109121389 A TW109121389 A TW 109121389A TW 202116693 A TW202116693 A TW 202116693A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- ceramic
- original plate
- cutting
- manufacturing
- cutting groove
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- WVHNUGRFECMVLQ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2-(2,4-dichlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC=C1C1=C(Cl)C=CC=C1Cl WVHNUGRFECMVLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- HCWZEPKLWVAEOV-UHFFFAOYSA-N 2,2',5,5'-tetrachlorobiphenyl Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C(C=2C(=CC=C(Cl)C=2)Cl)=C1 HCWZEPKLWVAEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B11/00—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
- B28B11/08—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for reshaping the surface, e.g. smoothing, roughening, corrugating, making screw-threads
- B28B11/0845—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for reshaping the surface, e.g. smoothing, roughening, corrugating, making screw-threads for smoothing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B11/00—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
- B28B11/003—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles the shaping of preshaped articles, e.g. by bending
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本發明一方面的陶瓷晶片製造方法，包括：（A）在陶瓷原板形成多個切割溝槽；（B）將形成有切割溝槽的表面去除預定厚度，進而去除在形成所述切割溝槽時形成在所述切割溝槽外側的粗糙面；（C）為使原板個別分成多個陶瓷晶片，將形成有所述切割溝槽的面的反面去除預定厚度。
Description
本發明關於陶瓷晶片製造方法。更詳細地說，關於在製造陶瓷晶片，諸如改變從LED晶片放射的光的波長的顏色變換部件等時將大型陶瓷原板分割成小尺寸的個別晶片的方法。
日本公開專利第2009-96653號（2009年5月7日公開，先前技術文獻）公開了顏色變換部件製造方法。顏色變換部件附著於LED晶片的前方，進而可改變從LED晶片放射的光的波長。若作為顏色變換部件將螢光膜適用於藍色LED，則可得到白色LED。
在先前技術文獻中，作為製造顏色變換部件的各種方法之一，公開了包括混合玻璃粉末和螢光體粉末的製程、成型製程、燒成製程、加壓製程、加工製程等的製程（參照先前技術文獻的圖1）。
通常，在將顏色變換部件製造成又薄又寬的板形狀之後在後續加工製程中分割成多個小的陶瓷晶片。這是因為相比於按照所需尺寸直接製作陶瓷晶片，製作大面積陶瓷原板後分割成多個更加有利於節省製造所需的材料、時間、製程步驟。
在將原板切割成所需尺寸的陶瓷晶片時，主要使用切塊機。在切塊機設置有旋轉的切割片。在切割片旋轉的狀態下移動時，使外廓刀片鑽入原板，從而實現切割。為了可在原板中形成想要的形狀，可使切割片沿著直線或者彎曲路線移動。
此時，切割片和陶瓷原板摩擦的同時原板的一部分被粉碎，同時切割原板。這是因為顏色變換部件通常是將各種小顆粒凝聚而成的。據此，如圖4的（a）所示，出現被切割的陶瓷晶片的外廓面形成凹凸不平的粉碎現象。
據此，在陶瓷晶片類型的顏色變換部件55與LED晶片52一同封裝的狀態下可出現問題。如圖5所示，通常的LED發光部件50具有：設置在PCB 51的LED晶片52；設置在LED晶片52前方以變換LED晶片52的光的顏色變換部件55（陶瓷晶片）；用於將顏色變換部件55（陶瓷晶片）和LED晶片52固定在PCB 51的保持部件53。顏色變換部件55（陶瓷晶片）廣泛使用可將藍色LED用作白色LED的螢光膜。
保持部件53支撐陶瓷晶片55和LED晶片52的側面，並且通過在保持部件53一側形成的開口暴露陶瓷晶片55。在上述的如圖4的（a）所示，由於陶瓷晶片55的側面外廓凹凸不平，因此可在保持部件53和陶瓷晶片55之間形成微小的間隙58。在LED發光部件50開啟的情況下，LED晶片52發光，該光通過陶瓷晶片55放射到外部。然而，由於在保持部件53和陶瓷晶片55之間形成間隙58，因此通過該間隙58散射光可集中相當量的光能。
因此，保持部件53和陶瓷晶片55之間的空間過熱，可經歷急劇的溫度變化。作為保持部件53通常使用具有高穩定性的TiO2
，但是若持續如上所述的現象，則可在保持部件53的內側面出現裂紋59。在切割陶瓷晶片55時，因為在側面產生的微小粉碎現象在LED發光部件50整體可出現耐久性和可靠性問題，進一步地甚至可導致設置有LED發光部件50的光系統性能降低的問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本公開專利第2009-96653號（2009年5月7日公開）。
[發明所要解決的技術問題]
本發明的實施例提供一種陶瓷晶片製造方法，可光滑地切割顏色變換部件（陶瓷晶片、螢光體）的側面，進而可提高設置有顏色變換部件的LED發光部件的可靠性和耐久性。
[用以解決問題之技術手段]
本發明的一方面的陶瓷晶片製造方法包括：（A）在陶瓷原板形成多個切割溝槽；（B）將形成有切割溝槽的表面去除預定厚度，進而去除在形成所述切割溝槽時形成在所述切割溝槽外側的粗糙面；（C）為使原板個別分成多個陶瓷晶片，將形成有所述切割溝槽的面的反面去除預定厚度。
本發明的一方面的陶瓷晶片製造方法，在（A）所述陶瓷原板形成多個所述切割溝槽之前，對待形成所述切割溝槽的所述陶瓷原板的上面進行粗磨工作。
本發明的一方面的陶瓷晶片製造方法，在（A）所述陶瓷原板形成多個所述切割溝槽之前，對所述陶瓷原板的底面進行粗磨工作。
本發明的一方面的陶瓷晶片製造方法，在（B）將形成有所述切割溝槽的表面去除預定厚度，以去除在形成所述切割溝槽時形成在所述切割溝槽外側的粗糙面之後，將形成有所述切割溝槽的表面再一次去除預定厚度進行平滑處理的精磨工作。
本發明的一方面的陶瓷晶片製造方法，在（C）為使所述原板個別分成多個陶瓷晶片，將形成有所述切割溝槽的面的反面去除預定厚度之後，針對個別的所述陶瓷晶片的表面進行平滑處理的精磨工作。
本發明的一方面的陶瓷晶片製造方法，所述陶瓷晶片為LED用顏色變換部件；為了形成所述切割溝槽，用切割片切割所述原板；用圓板形的研磨器將原板的表面切除預定厚度，以去除在所述切割溝槽的外側形成的粗糙面；用圓板形的研磨器將所述原板的所述反面切除預定厚度，以將形成有所述切割溝槽的面的反面去除預定厚度。
本發明的一方面的陶瓷晶片製造方法，在所述切割溝槽外側形成的粗糙面包括傾斜部，所述傾斜部傾斜地形成在所述切割槽的外側，以使所述切割溝槽的寬度逐漸擴大。
[發明功效]
根據本發明，可去除在將陶瓷原板分割成多個個別陶瓷晶片時，由微小粉碎現象可產生的粗糙面。尤其是，能夠平滑處理用常規的研磨器難以切除的陶瓷晶片的側面。據此，可提高設置有陶瓷晶片的整體系統的可靠性和耐久性。
以下，參照圖式說明本發明的實施例。圖式示出了本發明的示例性形態，這只是為了更加詳細說明本發明而提供的，不得由此限定本發明的技術範圍。
另外，不管元件符號，針對相同或者相對應的構件賦予相同的元件符號，並且省略重複說明，為了便於說明，可誇張或者縮小示出的各個部件的大小或者形狀。
另一方面，包括第一或者第二等的序數的用語可用於說明各種構件，但是所述構件不被所述用語限定，所述用語只以從其他構件區分一構件為目的使用。
圖1是本發明的實施例的陶瓷晶片製造方法的示意圖；圖2及圖3是示出利用本發明的實施例的陶瓷晶片製造方法製造的陶瓷晶片的主視圖；圖4將利用本發明的實施例和先前技術的製造方法製造的陶瓷晶片比較的比較圖；圖5是示出適用利用先前技術的製造方法製造的陶瓷晶片的LED發光部件的立體圖。針對在圖式示出的陶瓷晶片11表面的粗糙度、原板1等的傾斜度等，在規模方面可比實際誇張示出。這是為了便於說明。
首先，準備待分割成個別陶瓷晶片11的螢光體原板1。本發明可適用於各種陶瓷晶片11，但是在本實施例中舉例說明作為適用於LED發光部件的顏色變換螢光體的陶瓷晶片11。為了將藍色LED靈活用作白色LED，廣泛使用基於螢光膜的陶瓷晶片11。與先前技術公開的一樣，在螢光材料粉末和玻璃粉末適用壓縮、燒結等的製程可製造圓板形的原板1。原板1也可製造成四邊形。
由於該原板1不是可適用於實際產品的尺寸，因此需分離成小的陶瓷晶片11。另外，由於表面也可以粗糙並且由曲面構成，因此需要進行平面化工作。
在圖1示出的＜1＞過程是粗磨（rough grinding）過程。如圖1及圖2的＜0＞所示，剛製造出的原板1可以是被支撐面G支撐的底面B是平坦的，而上面T是凹凸不平或者傾斜的。如圖2的＜0＞所示，大部分情況是中間薄外側厚，因此上面T形成彎曲形態。如圖2的＜1＞所示，若在＜1＞過程中用研磨器21研磨上面T，則可得到平坦的上面T。然而，上面T還有微小的凹凸。即，表面粗糙度（surface roughness）還未達到想要的水準。所以，在這之後通過精磨（fine grinding）工作進行光滑處理。
研磨工作可通過表面研磨器21進行。研磨器21是寬大的圓板形原板旋轉的同時切除原板1表面。通過研磨工作原板1的厚度逐漸均勻的減少。可利用包括可移動地支撐研磨器21的支撐架、放置原板1的支撐床、具有控制部的機械設備來構成研磨系統。
在＜2＞過程中翻轉原板1可在底面B進行粗磨工作。底面B通常是未傾斜的情況較多，但是多少還是有細微的凹凸，因此可選擇性執行該過程。
在＜3＞過程中，用切割片25切割原板1的上面T。然而，這並不是完全切割原板1來分割成小陶瓷晶片11，而是就像留下刀口一樣只切割一部分厚度來形成切割溝槽17。在整個原板1間隔預定間距形成多個直線性切割線13，之後以與該直線垂直的方向形成多個切割線13。切割線13之間的間隙與最終待切割的陶瓷晶片11的寬度相對應。在實施＜2＞過程之後原板1處於翻轉的狀態，因此在實施＜3＞過程之前應該將原板1翻轉回原狀。
此時，如圖2的＜3＞所示，在切割溝槽17上端的兩側面部（即，待形成之後的陶瓷晶片11的側面上側部位）形成傾斜部18。原板1的表面是在最前方接收切割片25的部位，並且是原板1和外部的介面，因此因為切割片25的旋轉會剝落更多的材料。即，出現微小粉碎現象的主要部位是原板1表面，因此形成傾斜面。只有去除該傾斜部18，才可減少陶瓷晶片11的側面粗糙度。由於形成有傾斜部18，因此使切割溝槽17的寬度向上面T側逐漸變寬地傾斜形成。
為此，在圖1的＜4＞製程中，形成有傾斜部18的切割溝槽17的上面（即，原板1的上面T）再一次進行粗磨。若完成粗磨，則如圖2的＜4＞所示清除傾斜面。然而，微小凹凸仍然存在。在該製程中，若使用過於粗糙的研磨器21，則雖然有利於消除傾斜面，但是可得到粗糙的表面，若使用過度精細的研磨器21，則消除傾斜面所需的工作時間過長。考慮到最終產品所需的粗糙度、工作所需時間、設備的可靠性等，可選擇研磨器21的粗糙度
連微小凹凸都去除以滿足最終規格的程度降低粗糙度的工作在圖1的＜5＞製程中進行。為了針對上面T進行最大限度的光滑處理而實施精磨。如圖2的＜5＞所示，在實施該製程之後上面T變得更加光滑。當然，更加擴大在圖2 的＜5＞示出的表面，粗糙的表面重新顯現出來，但是不能無限地進行精磨。據此，精磨至得到滿足最終產品所需規格的粗糙度足以。根據情況，為了滿足所需規格，改變精細研磨器21的研磨程度，也可進行多次精磨。另一方面，若＜4＞製程的結果達到想要的粗糙度，則也可無需進行＜5＞製程的精磨。粗磨、精磨是相對的概念。根據材料的特性、所需規格，可決定粗磨和精磨的粗糙度。當然，針對粗磨和精磨的結果粗糙度，可設定精磨的產品的粗糙度小於粗磨的粗糙度。在目的方面，粗磨可視為以減小實際原板的厚度的同時降低粗糙度為目的執行，而精磨可視為相比於減小厚度以更加降低粗糙度為目的執行。
將原板1加工成光滑且形成有切割溝槽17，但是還未分割成多個陶瓷晶片11。在圖1的＜6＞製程中，最終將原板1分割成陶瓷晶片11。為此，首先翻轉原板1。據此，上面T朝下，底面B朝向。如此，在翻轉原板1的狀態下實施粗磨工作。通過粗磨工作，從底面B逐漸縮小原板1的厚度。持續如圖3的工作，最終研磨器21到達切割溝槽17的最深的部位19。最終，如圖2的＜6＞及圖3所示，原板1被分離成多個小的陶瓷晶片11。通過＜6＞製程原板1可被分離成陶瓷晶片11。另外，在分離之後，若研磨器21更向下側移動，則陶瓷晶片11的厚度可變得更薄。這可持續到得到想要的陶瓷晶片11厚度為止。即，通過＜6＞製程與分離陶瓷晶片11一同完成厚度調整。
另一方面，除了上述的步驟之外，在＜6＞製程中也可再一次細磨底面B。據此，如圖2的＜7＞所示，可得到更加光滑的底面B。相比於在切割製程中在陶瓷晶片11側面產生的凹凸對陶瓷晶片11最終產品的特性造成的壞影響的傾向，上面T和底面B表面的粗糙度的影響比較小。據此，針對底面B的最終細磨工作也可只在針對底面B的粗磨工作之後需要的情況下選擇性適用。該工作是在原板1分離成陶瓷晶片11之後執行的過程。如4的（b）所示，通過上述製程可將原板1分離成所有面（尤其是，側面）光滑的多個陶瓷晶片11。
通常，若形成切割溝槽17，則切割溝槽17深處光滑形成，而外側（即，在圖2的＜3＞擴大示出的部位）則粗糙形成。若用切割片25將原板1一次性切割成陶瓷晶片11而不是形成切割溝槽17的方式，則如圖4的（a）所示陶瓷晶片11的側面非常粗糙。這是在利用切割片25切割的情況下經常出現的問題，但是在本發明的實施例中綜合多個製程可解決這種問題。
以上，說明本發明的實施例，但是只要是在該領域具有常規知識的人員在不超出申請專利範圍的範圍內記載的本發明的思想的範圍內可通過附加、改變、刪除構件等可多樣地修改及改變本發明，這也屬於本發明的權利範圍內。
1:原板
11:陶瓷晶片
13:切割線
17:切割溝槽
18:傾斜部
19:割溝槽的最深的部位
21、22:研磨器
25:切割片
50:LED發光部件
51:PCB
52:LED晶片
53:保持部件
55:顏色變換部件（陶瓷晶片）
58:間隙
59:裂紋
B:底面
G:支撐面
T:上面
圖1是本發明的實施例的陶瓷晶片製造方法的示意圖。
圖2及圖3是示出利用本發明的實施例的陶瓷晶片製造方法製造的陶瓷晶片的主視圖。
圖4將利用本發明的實施例和先前技術的製造方法製造的陶瓷晶片比較的比較圖。
圖5是示出適用利用先前技術的製造方法製造的陶瓷晶片的LED發光部件的立體圖。
1:原板
11:陶瓷晶片
13:切割線
17:切割溝槽
21、22:研磨器
25:切割片
Claims (7)
- 一種陶瓷晶片製造方法，包括以下步驟： 步驟（A）在陶瓷原板形成多個切割溝槽； 步驟（B）將形成有所述切割溝槽的表面去除預定厚度，進而去除在形成所述切割溝槽時形成在所述切割溝槽外側的粗糙面；以及 步驟（C）為使所述陶瓷原板個別分成多個陶瓷晶片，將形成有所述切割溝槽的面的反面去除預定厚度。
- 如請求項1所述之陶瓷晶片製造方法，其中，在步驟（A）所述陶瓷原板形成多個所述切割溝槽之前，對待形成所述切割溝槽的所述陶瓷原板的上面進行粗磨工作。
- 如請求項1所述之陶瓷晶片製造方法，其中，在步驟（A）所述陶瓷原板形成多個所述切割溝槽之前，對所述陶瓷原板的底面進行粗磨工作。
- 如請求項1所述之陶瓷晶片製造方法，其中，在步驟（B）將形成有所述切割溝槽的表面去除預定厚度，以去除在形成所述切割溝槽時形成在所述切割溝槽外側的粗糙面之後， 將形成有所述切割溝槽的表面再一次去除預定厚度，進行平滑處理的精磨工作。
- 如請求項1所述之陶瓷晶片製造方法，其中，在步驟（C）為使所述陶瓷原板個別分成多個陶瓷晶片，將形成有所述切割溝槽的面的反面去除預定厚度之後， 針對個別的所述陶瓷晶片的表面進行平滑處理的精磨工作。
- 如請求項1所述之陶瓷晶片製造方法，其中， 所述陶瓷晶片為LED用顏色變換部件； 為了形成所述切割溝槽，用切割片切割所述陶瓷原板； 用圓板形的研磨器將所述陶瓷原板的表面切除預定厚度，以去除在所述切割溝槽外側形成的所述粗糙面； 用圓板形的研磨器將所述陶瓷原板的所述反面切除預定厚度，以將形成有所述切割溝槽的面的反面去除預定厚度。
- 如請求項1所述之陶瓷晶片製造方法，其中，在所述切割溝槽外側形成的所述粗糙面包括傾斜部，所述傾斜部傾斜地形成在所述切割槽的外側，以使所述切割溝槽的寬度逐漸擴大。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190134809A KR102243674B1 (ko) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 세라믹칩 제조방법 |
| KR10-2019-0134809 | 2019-10-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202116693A true TW202116693A (zh) | 2021-05-01 |
| TWI849157B TWI849157B (zh) | 2024-07-21 |
Family
ID=75586763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109121389A TWI849157B (zh) | 2019-10-28 | 2020-06-23 | 陶瓷晶片製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11679527B2 (zh) |
| KR (1) | KR102243674B1 (zh) |
| TW (1) | TWI849157B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102625710B1 (ko) * | 2021-09-24 | 2024-01-16 | 주식회사 루츠 | 형광체의 제조방법 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61112345A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4904610A (en) * | 1988-01-27 | 1990-02-27 | General Instrument Corporation | Wafer level process for fabricating passivated semiconductor devices |
| KR0167889B1 (ko) * | 1995-06-09 | 1999-02-01 | 김주용 | 반도체 소자의 비아홀의 형성방법 |
| JPH1140520A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Toshiba Corp | ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法 |
| US6162703A (en) * | 1998-02-23 | 2000-12-19 | Micron Technology, Inc. | Packaging die preparation |
| DE19962763C2 (de) * | 1999-07-01 | 2001-07-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers |
| EP1065059B1 (en) * | 1999-07-02 | 2007-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing liquid discharge head, liquid discharge head, head cartridge, liquid discharging recording apparatus, method for producing silicon plate and silicon plate |
| JP4687838B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2011-05-25 | 株式会社ディスコ | 半導体チップの製造方法 |
| US6528393B2 (en) * | 2000-06-13 | 2003-03-04 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method of making a semiconductor package by dicing a wafer from the backside surface thereof |
| JP2002043251A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP3612317B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2005-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100921850B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2009-10-13 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법 |
| JP4342832B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2009-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2007080535A2 (en) * | 2006-01-16 | 2007-07-19 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Scintillation element, scintillation array and method for producing the same |
| JP2008135446A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Philtech Inc | Ｒｆパウダーの製造方法 |
| JP2009096653A (ja) | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 色変換部材の製造方法 |
| US20100015782A1 (en) * | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Chen-Hua Yu | Wafer Dicing Methods |
| JP5526575B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-06-18 | 凸版印刷株式会社 | 半導体素子用基板の製造方法および半導体装置 |
| DE102009051008B4 (de) * | 2009-10-28 | 2013-05-23 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| CN106030837B (zh) * | 2014-02-27 | 2020-05-05 | 亮锐控股有限公司 | 形成波长转换发光器件的方法 |
| US9679785B2 (en) * | 2015-07-27 | 2017-06-13 | Semtech Corporation | Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die |
-
2019
- 2019-10-28 KR KR1020190134809A patent/KR102243674B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-06-23 TW TW109121389A patent/TWI849157B/zh active
- 2020-08-31 US US17/007,310 patent/US11679527B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210122083A1 (en) | 2021-04-29 |
| TWI849157B (zh) | 2024-07-21 |
| CN112736034A (zh) | 2021-04-30 |
| KR102243674B1 (ko) | 2021-04-23 |
| US11679527B2 (en) | 2023-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3620554B2 (ja) | 半導体ウェーハ製造方法 | |
| TWI699827B (zh) | 處理基板的方法 | |
| TW202116693A (zh) | 陶瓷晶片製造方法 | |
| JP2007284283A (ja) | ＧａＮ単結晶基板の加工方法及びＧａＮ単結晶基板 | |
| JP2014024153A (ja) | 光デバイス用の基板材料の製造方法 | |
| KR20200018271A (ko) | 광디바이스 웨이퍼의 가공 방법 | |
| JP2008303097A (ja) | 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法 | |
| KR20230014688A (ko) | 기판 웨이퍼의 제조방법, 및 기판 웨이퍼 | |
| JP2004311915A (ja) | レーザースクライビング工程を利用した半導体ウェーハの切断方法 | |
| CN112736034B (zh) | 陶瓷芯片制造方法 | |
| CN112542373A (zh) | 一种提高翘曲蓝宝石晶圆研磨良率的方法 | |
| KR102580321B1 (ko) | 형광체 제조방법 | |
| JP2006096588A (ja) | 窒化ガリウム独立基板を製造する方法 | |
| JP7353714B2 (ja) | 研削方法 | |
| US20230097254A1 (en) | Method of manufacturing fluorescent substance | |
| KR20220005139A (ko) | 형광체 및 이를 포함하는 발광모듈 및 형광체 제조방법 | |
| JP2013244563A (ja) | サファイア基板及びその製造方法。 | |
| KR20220142581A (ko) | 형광체 제조방법 | |
| KR101596621B1 (ko) | 웨이퍼 연마 패드 | |
| KR101576247B1 (ko) | 헤드와 웨이퍼 지지체 간의 고정구조를 가지는 폴리싱 장치 | |
| TW202347830A (zh) | 螢光體的製造方法 | |
| KR20200042640A (ko) | 기판 형상 가공 방법 | |
| KR101040814B1 (ko) | 배치타입 폴리셔 | |
| JP2021062460A (ja) | 研削方法 | |
| JP2009161430A (ja) | 窒化ガリウム独立基板を製造する方法 |