KR20230014688A - 기판 웨이퍼의 제조방법, 및 기판 웨이퍼 - Google Patents

기판 웨이퍼의 제조방법, 및 기판 웨이퍼 Download PDF

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유키 타나카
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신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 제1 주면 및 제2 주면을 갖는 웨이퍼를 준비하는 것, 제2 주면 상에 평탄화 수지층을 형성하는 것, 평탄화 수지층을 기준면으로 하여 흡착유지한 상태로, 제1 가공으로서 제1 주면을 연삭 또는 연마하는 것, 웨이퍼로부터 평탄화 수지층을 제거하는 것, 제1 가공한 제1 주면을 흡착유지한 상태로, 제2 가공으로서 제2 주면을 연삭 또는 연마하는 것, 제2 가공한 제2 주면을 흡착유지한 상태로, 제3 가공으로서 제1 주면을 추가로 연삭 또는 연마하는 것, 및 제3 가공한 제1 주면을 흡착유지한 상태로, 제4 가공으로서 제2 주면을 추가로 연삭 또는 연마하여, 기판 웨이퍼를 얻는 것을 포함하고, 제1 가공 및/또는 제3 가공에 있어서 웨이퍼가 중앙 오목 형상 또는 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록 가공을 행하는 기판 웨이퍼의 제조방법이다. 이에 따라, 휨을 가지며 또한 나노토포그래피가 양호한 기판 웨이퍼를 제조할 수 있는 기판 웨이퍼의 제조방법을 제공할 수 있다.

Description

기판 웨이퍼의 제조방법, 및 기판 웨이퍼
본 발명은, 기판 웨이퍼의 제조방법, 및 기판 웨이퍼에 관한 것이다.
기판 웨이퍼 상에 에피택셜(이하 에피)층을 성장시키는 경우, 격자부정합 때문에 휨이 발생하는 경우가 있다. 대책으로서, 기판 웨이퍼의 연삭 또는 연마가공에 의해, 에피층에 의한 휨과 역방향의 휨을 가진 기판 웨이퍼를 작성하는 방법 등이 있다(특허문헌 1).
또한, SOI 등의 첩합기판에서는, 열팽창계수의 차이로부터 산화막과 실리콘측의 사이에 응력이 발생하여, 편측만 산화막이 제거되면 휨이 발생하는 문제가 있다.
한편, 최근, 나노토포그래피로 불리는, 휨이나 Warp보다 파장이 짧은 굴곡이 문제가 되고 있다(특허문헌 2).
일본특허공개 2008-140856호 공보 일본특허공개 2017-098446호 공보 일본특허공개 2006-269761호 공보 일본특허공개 2009-148866호 공보
여기서, 도 5를 참조하면서, 종래의 일례의 기판 웨이퍼의 제조방법을 설명한다.
도 5에 나타내는 제조방법에서는, 우선, (C-1)에 나타내는 가공대상의 웨이퍼(10)를 준비한다. 웨이퍼(10)는, 제1 주면(1), 및 제1 주면(1)과 반대측의 제2 주면(2)을 갖는다. 다음으로, (C-2)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 제2 주면(2)을 척테이블(60)에 흡착유지시킨다. 이 흡착에 의해, 웨이퍼(10)는 탄성변형하고, 그에 따라 제2 주면(2)도 탄성변형된 제2 주면(2s)이 된다.
이어서, (C-2)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 제1 주면(1)을, 연삭휠(50)을 이용하여, 연삭 또는 연마한다. 이때, (C-2)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)가, 이 방법으로 얻고자 하는 원하는 Warp의 값에 대응하는 중앙 오목 형상의 두께분포(중앙 오목 TTV)를 갖는 웨이퍼(15)가 되도록, 연삭휠(50)에 대한 제1 주면(1)의 각도를, 척테이블(60)의 축 각도를 조정함으로써 조정한다. 이 가공에 의해, 가공한 제1 주면(1s)을 갖는 웨이퍼(15)가 얻어진다.
다음으로, 척테이블(60)에 의한 흡착을 개방시킨다. 그에 따라, (C-3)에 나타내는, 해방된(혹은, 개방된) 제1 주면(1t) 및 개방된 제2 주면(2t)을 갖는 웨이퍼(15)가 얻어진다.
다음으로, 얻어진 웨이퍼(15)를, (C-4)에 나타내는 바와 같이, 개방된 제2 주면(2t)이 위를 향하도록 반전시키고, 이 웨이퍼(15)의 제1 주면(1t)을 척테이블(60)에 흡착유지시킨다. 이 흡착으로, 웨이퍼(15)는 탄성변형한다. 이때, (C-4)에 있어서 점선으로 나타낸 가공한 제1 주면(1t)도, 탄성변형하여, 척테이블(60)의 표면에 추수(追隨)한 제1 주면(1u)이 된다. 한편, (C-4)에 있어서 점선으로 나타낸 제2 주면(2t)은, 탄성변형하여, 해방된 제1 주면(1t)의 외형에 대응하는 외형을 갖는 제2 주면(2u)이 된다.
다음으로, (C-5)에 나타내는 바와 같이, 이 상태로, (C-5)에 있어서 점선으로 나타내는 웨이퍼(15)의 제2 주면(2u)을, 연삭휠(50)을 이용하여, 연삭 또는 연마한다. 그에 따라, 가공한 제2 주면(2v)을 갖는 웨이퍼(16)가 얻어진다.
마지막으로, 얻어진 웨이퍼(16)를, 척테이블(60)로부터 해방한다. 그에 따라, (C-6)에 나타내는 바와 같은, 중앙 오목 형상의 제1 주면(1v) 및 중앙 볼록 형상의 제2 주면(2x)을 갖는, 휨을 갖는 기판 웨이퍼(16)가 얻어진다.
이러한 방법에 따르면, 원하는 Warp값을 갖는 기판 웨이퍼(16)를 얻을 수 있다. 그러나, 이러한 방법으로 얻어진 기판 웨이퍼(16)는, 나노토포그래피의 값이 크다는 문제가 있었다.
나노토포그래피의 대책으로서, 예를 들어, 특허문헌 2에는, 나노토포그래피의 영향을 억제하여 압력존마다 적절한 연마압력을 부여하기 위해, 웨이퍼 표면의 나노토포그래피맵을 측정하고, 그 측정결과에 기초하여 웨이퍼에 대한 연마헤드의 연마압력을 압력존마다 설정하여 연마가공을 실시하는 웨이퍼의 연마방법이 기재되어 있다. 또한, 기판 웨이퍼의 나노토포그래피 개선을 위해, 웨이퍼의 편면에 수지를 피복하여 연삭하는 방법 등이 있다. 예를 들어, 특허문헌 3에는, 슬라이스 후의 웨이퍼의 편면(이면)에 경화성 재료를 40~300μm 두께로 도포하고, 경화 후 도포면을 유지하고 반대측면(표면)을 연삭함으로써 굴곡을 제거하여 균일두께의 웨이퍼를 제조하는 방법이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 4에는, 특허문헌 3에 기재된 방법에 있어서, 경화성 재료로서 자외광경화 수지를 10~200μm 두께로 도포하는 수지피복방법과 장치가 기재되어 있다.
그러나, 이들 방법으로는, 원하는 Warp값을 갖는, 즉 원하는 휨을 갖는 기판 웨이퍼를 얻을 수는 없었다.
이와 같이, 에피택셜성장용 또는 첩합용의 기판 웨이퍼에는, 휨을 가지며 또한 나노토포그래피가 양호한 것이 요구되는데, 양자를 만족시키는 웨이퍼 및 그의 제조방법은 없었다.
본 발명은, 상기 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 휨을 가지며 또한 나노토포그래피가 양호한 기판 웨이퍼를 제조할 수 있는 기판 웨이퍼의 제조방법, 및 휨을 가지며 또한 나노토포그래피가 양호한 기판 웨이퍼를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서는, 기판 웨이퍼의 제조방법으로서,
제1 주면 및 상기 제1 주면과 반대측의 제2 주면을 갖는 웨이퍼를 준비하는 것,
상기 웨이퍼의 상기 제2 주면 상에, 평탄화 수지층을 형성하는 것,
상기 평탄화 수지층을 기준면으로 하여 흡착유지하고, 그 상태로, 제1 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제1 주면을 연삭 또는 연마하는 것,
상기 웨이퍼로부터 상기 평탄화 수지층을 제거하는 것,
상기 웨이퍼의 상기 제1 가공한 상기 제1 주면을 흡착유지하고, 그 상태로, 제2 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제2 주면을 연삭 또는 연마하는 것,
상기 웨이퍼의 상기 제2 가공한 상기 제2 주면을 흡착유지하고, 그 상태로, 제3 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제1 주면을 추가로 연삭 또는 연마하는 것, 및
상기 웨이퍼의 상기 제3 가공한 상기 제1 주면을 흡착유지하고, 그 상태로, 제4 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제2 주면을 추가로 연삭 또는 연마하여, 기판 웨이퍼를 얻는 것
을 포함하고,
상기 제1 가공 및/또는 상기 제3 가공에 있어서, 상기 웨이퍼가 중앙 오목 형상 또는 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록 가공을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법에 따르면, 평탄화 수지층을 기준으로 하여 흡착유지한 상태로 웨이퍼의 제1 주면에 대한 제1 가공을 행하고, 이어서, 제1 가공한 제1 주면에서 흡착유지한 상태로 웨이퍼의 제2 주면에 대한 제2 가공을 행하고, 이어서, 제2 가공한 제2 주면에서 흡착유지한 상태로 웨이퍼의 제1 주면에 대한 제3 가공을 행하고, 이어서, 제3 가공한 제1 주면에서 흡착유지한 상태로 웨이퍼의 제2 주면에 대한 제4 가공을 행하고, 제1 가공 및/또는 제3 가공에 있어서 웨이퍼가 중앙 오목 형상 또는 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록 가공을 행함으로써, Warp값이 큰, 즉 휨을 가지며, 또한 나노토포그래피가 작은, 즉 나노토포그래피가 양호한 기판 웨이퍼를 제조할 수 있다. 또한, 이 제조방법에 의해 제조할 수 있는 기판 웨이퍼는, 휨을 갖고 있으며 또한 나노토포그래피가 양호하므로, 에피택셜성장용 또는 첩합용의 기판으로서 유용하다.
상기 제1 가공에 의해 얻는 상기 웨이퍼의 두께분포α[μm]가, 상기 제4 가공에 의해 얻는 상기 기판 웨이퍼의 Warp값w[μm]의 50% 이하가 되도록, 상기 제1 가공을 행하는 것이 바람직하다.
이와 같이 제1 가공을 행함으로써, 제1 가공에서의 웨이퍼두께 조정량을 제3 가공에서의 웨이퍼두께 조제량(혹은, 조정량)보다 작게 할 수 있고, 그 결과, 나노토포그래피가 보다 작은 기판 웨이퍼를 제조할 수 있다.
상기 평탄화 수지층의 두께편차가, 상기 기판 웨이퍼의 상기 Warp값w[μm]의 25% 이하가 되도록, 상기 평탄화 수지층을 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하여 평탄화 수지층을 형성함으로써, 상기 제1 가공에 의해 얻어지는 웨이퍼의 두께에 평탄화 수지층의 두께편차가 주는 영향을 작게 할 수 있고, 그 결과 가공 후의 기판 웨이퍼의 Warp값을 목표에 가깝게 하는 것이 가능해진다.
상기 기판 웨이퍼의 상기 Warp값w[μm]가 40μm 이상이 되도록, 상기 제1 가공~상기 제4 가공을 행할 수 있다.
본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법에 따르면, Warp값w[μm]가 40μm 이상인 기판 웨이퍼를 제조할 수 있다.
상기 제1 가공 및/또는 상기 제3 가공에 있어서, 상기 웨이퍼가 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록 가공을 행할 수 있다.
혹은, 상기 제1 가공 및/또는 상기 제3 가공에 있어서, 상기 웨이퍼가 중앙 오목 형상의 두께분포를 갖도록 가공을 행할 수 있다.
제조하고자 하는 기판 웨이퍼의 원하는 형상에 따라, 제1 가공 및/또는 제3 가공에 있어서, 웨이퍼의 두께분포를 중앙 볼록 형상 또는 중앙 오목 형상으로 할 수 있다. 구체적으로는, 웨이퍼의 제2 주면을 표면으로 하는 경우, 제1 가공 및/또는 제3 가공에 있어서 웨이퍼의 두께분포를 중앙 오목 형상으로 함으로써, 중앙 볼록 형상의 휨을 갖는 기판 웨이퍼를 제조할 수 있다. 한편, 웨이퍼의 제2 주면을 표면으로 하는 경우, 제1 가공 및/또는 제3 가공에 있어서 웨이퍼의 두께분포를 중앙 볼록 형상으로 함으로써, 중앙 오목 형상의 휨을 갖는 기판 웨이퍼를 제조할 수 있다.
상기 웨이퍼의 상기 제2 주면 상에, 상기 평탄화 수지층의 전구체인 수지를 도포하고,
상기 수지에 하중을 가하고,
상기 하중을 가한 수지를 경화시켜, 상기 평탄화 수지층을 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이 하여 평탄화 수지층을 형성함으로써, 평탄화 수지층의 두께편차를 억제할 수 있고, 그에 따라, 나노토포그래피가 보다 작은 기판 웨이퍼를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은, 중앙 볼록 또는 중앙 오목 형상의 휨을 가지며 또한 SQMM 2mm×2mm에 있어서의 나노토포그래피가 10nm 미만인 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼를 제공한다.
이러한 기판 웨이퍼는, 휨을 갖고 있으며 또한 나노토포그래피가 양호하므로, 에피택셜성장용 또는 첩합용의 기판으로서 유용하다.
기판 웨이퍼는, 상기 나노토포그래피가 5nm 미만인 것이 바람직하다.
이러한 기판 웨이퍼는, 에피택셜성장용 또는 첩합용의 기판으로서 보다 유용하다.
기판 웨이퍼는, Warp값w[μm]가 40μm 이상인 것이 바람직하다.
이러한 기판 웨이퍼는, 에피택셜성장용 또는 첩합용의 기판으로서 보다 유용하다.
이상과 같이, 본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법이면, Warp값이 큰, 즉 원하는 휨을 갖고, 나노토포그래피가 작은, 즉 나노토포그래피가 양호한 기판 웨이퍼를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 웨이퍼의 제조방법에 의해 제조할 수 있는 기판 웨이퍼는, 원하는 휨을 가지며 또한 나노토포그래피가 양호하므로, 에피택셜성장용 또는 첩합용의 기판으로서 유용하다.
또한, 본 발명의 기판 웨이퍼는, 원하는 휨을 갖고 있으며 또한 나노토포그래피가 양호하므로, 에피택셜성장용 또는 첩합용의 기판으로서 유용하고, 이것을 이용함으로써 최종적으로 휨이 없고, 나노토포그래피가 양호한 에피택셜웨이퍼나, 첩합기판을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법의 일례의 Step 1을 나타내는 개략단면도이다.
도 2는 본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법의 일례의 Step 2 및 Step 3을 나타내는 개략단면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법의 일례의 Step 4 및 Step 5를 나타내는 개략단면도이다.
도 4는 본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법의 다른 일례의 제1 가공을 나타내는 개략단면도이다.
도 5는 종래의 기판 웨이퍼의 제조방법을 나타내는 개략단면도이다.
앞서 설명한 바와 같이, 원하는 휨을 가지며 또한 나노토포그래피가 양호한 기판 웨이퍼를 제조할 수 있는 기판 웨이퍼의 제조방법, 및 원하는 휨을 가지며 또한 나노토포그래피가 양호한 기판 웨이퍼의 개발이 요구되고 있었다.
본 발명자들은, 상기 과제에 대하여 예의검토를 거듭한 결과, 평탄화 수지층을 기준으로 하여 흡착유지한 상태로 웨이퍼의 제1 주면에 대한 제1 가공을 행하고, 이어서, 제1 가공한 제1 주면에서 흡착유지한 상태로 웨이퍼의 제2 주면에 대한 제2 가공을 행하고, 이어서, 제2 가공한 제2 주면에서 흡착유지한 상태로 웨이퍼의 제1 주면에 대한 제3 가공을 행하고, 이어서, 제3 가공한 제1 주면에서 흡착유지한 상태로 웨이퍼의 제2 주면에 대한 제4 가공을 행하고, 웨이퍼가 중앙 오목 형상 또는 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록 제1 가공 및/또는 제3 가공을 행함으로써, Warp값이 큰, 즉 휨이 크고, 나노토포그래피가 작은, 즉 나노토포그래피가 양호한 기판 웨이퍼를 제조할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은, 기판 웨이퍼의 제조방법으로서,
제1 주면 및 상기 제1 주면과 반대측의 제2 주면을 갖는 웨이퍼를 준비하는 것,
상기 웨이퍼의 상기 제2 주면 상에, 평탄화 수지층을 형성하는 것,
상기 평탄화 수지층을 기준면으로 하여 흡착유지하고, 그 상태로, 제1 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제1 주면을 연삭 또는 연마하는 것,
상기 웨이퍼로부터 상기 평탄화 수지층을 제거하는 것,
상기 웨이퍼의 상기 제1 가공한 상기 제1 주면을 흡착유지하고, 그 상태로, 제2 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제2 주면을 연삭 또는 연마하는 것,
상기 웨이퍼의 상기 제2 가공한 상기 제2 주면을 흡착유지하고, 그 상태로, 제3 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제1 주면을 추가로 연삭 또는 연마하는 것, 및
상기 웨이퍼의 상기 제3 가공한 상기 제1 주면을 흡착유지하고, 그 상태로, 제4 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제2 주면을 추가로 연삭 또는 연마하여, 기판 웨이퍼를 얻는 것
을 포함하고,
상기 제1 가공 및/또는 상기 제3 가공에 있어서, 상기 웨이퍼가 중앙 오목 형상 또는 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록 가공을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼의 제조방법이다.
또한, 본 발명은, 중앙 볼록 또는 중앙 오목 형상의 휨을 가지며 또한 SQMM 2mm×2mm에 있어서의 나노토포그래피가 10nm 미만인 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼이다.
이하, 본 발명에 대하여 도면을 참조하면서 상세히 설명하는데, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
[기판 웨이퍼의 제조방법]
앞서 나타낸 본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법 중, 웨이퍼의 준비 및 평탄화 수지층의 형성을 (Step 1)로 하고, 제1 가공 및 평탄화 수지층의 제거를 (Step 2)로 하고, 제2 가공을 (Step 3)으로 하고, 제3 가공을 (Step 4)로 하고, 및 제4 가공을 (Step 5)로 하여, 이하에 설명한다.
(Step 1)
우선, 도 1의 (S1-1)에 나타내는 바와 같이, 가공대상의 웨이퍼(10)를 준비한다. 웨이퍼(10)는, 제1 주면(1), 및 제1 주면(1)과 반대측의 제2 주면(2)을 갖는다. 한편, 도 1에서는, 설명을 위해 제1 주면(1) 및 제2 주면(2)의 표면의 요철을 과장하여 나타내고 있으나, 제1 주면(1) 및 제2 주면(2)의 표면거칠기는 특별히 한정되지 않는다.
준비하는 웨이퍼(10)는, 기판 웨이퍼용의 원재료, 예를 들어 에피택셜성장용 또는 첩합용의 기판 웨이퍼의 원재료로서 사용할 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.
한편, (S1-1)에 나타내는, 평탄한 면을 갖는 하(下)정반(41)을 준비한다. 이 하정반(41) 상에, 예를 들어 자외광에 투명한 광투과성 필름(30)을 깐다. 이어서, 광투과성 필름(30) 상에, 평탄화 수지층의 전구체인, 가소상태, 예를 들어 액상의 수지(21)를 공급하여, 도포한다. 도 1에 나타내는 예에서는, 수지(21)로서 UV경화성 수지를 이용하고 있다. 단, 수지(21)의 재료는 특별히 한정되지 않는다.
다음으로, 웨이퍼(10)의 제1 주면(1)을 상(上)정반(42)에 흡착유지시킨다. 그리고, (S1-2)에 나타내는 바와 같이, 이 상태의 웨이퍼(10)를, 제2 주면(2)이 수지(21)에 접하도록 이 수지(21) 상에 얹는다. 이에 따라, 웨이퍼(10)의 제2 주면(2) 상에, 평탄화 수지층의 전구체인 수지(21)가 도포된다. 이어서, 수지(21)의 면이 평탄해지도록 상정반(42)을 이용하여, 소정 하중으로 압압(押壓)한다(소정 하중(프레스)을 가한다).
이때의 압압을 조정함으로써, 수지(21)의 두께의 편차를 조정할 수 있다. 적절한 압압을 함으로써, 수지를 적절히 넓게 펼칠 수 있어, 적절한 수지두께분포를 얻을 수 있다. 수지두께의 편차는, 본 발명의 제조방법으로 제조하는 기판 웨이퍼의 원하는 Warp값w[μm]의 25% 이하인 것이 바람직하고, 15% 이하인 것이 보다 바람직하다. 수지두께의 편차는, 본 발명의 제조방법으로 제조하는 기판 웨이퍼의 원하는 Warp값w[μm]의 0% 이상으로 하는 것이 이상적이며, 예를 들어 5% 이상으로 할 수 있다.
다음으로, 상정반(42) 및 하정반(41)으로부터, 수지(21) 및 광투과성 필름(30)이 장착된 웨이퍼(10)를 떼어낸다. 떼어낸 웨이퍼(10)에 대하여, (S1-3)에 나타내는 바와 같이 광투과성 필름(30)측으로부터 UV광을 조사하여, 수지(21)를 경화시킨다. 한편, 수지(21)의 경화처리는, 수지(21)의 재료에 따라 변경한다. 광경화처리를 행하지 않는 경우는, 광투과성 필름(30)의 부설을 생략할 수 있다.
이 경화처리에 의해, 도 2의 (S2-1)에 나타내는, 평탄화 수지층(20)이 부착된 웨이퍼(10)가 얻어진다.
(Step 2)
다음으로, 이상과 같이 하여 얻어진 도 2의 (S2-1)에 나타내는 평탄화 수지층(20)부착 웨이퍼(10)를, 평탄화 수지층(20)을 기준면으로 하여, (S2-2)에 나타내는 척테이블(60)에 흡착유지시킨다. 이 척테이블(60)은, 예를 들어 다공질 세라믹제이며, 웨이퍼(10)를 진공흡착하여 유지할 수 있다. 또한, 척테이블(60)은, 연삭 또는 연마수단에 대한 웨이퍼(10)의 축 각도를 조정하는 기능이 구비되어 있다. 단, 본 발명에 있어서, 웨이퍼(10)를 흡착유지하는 수단은, 특별히 한정되지 않는다.
한편, (S2-2)에서는 광투과성 필름(30)이 척테이블(60)에 접하고 있는데, 광투과성 필름(30)은, 웨이퍼(10) 및 평탄화 수지층(20)의 두께에 비해 작은 두께를 갖고 있으며, 흡착유지를 저해하지 않는다.
다음으로, 흡착유지된 상태의 웨이퍼(10)의 제1 주면(1)을, 제1 가공으로서, (S2-2)에 나타내는 바와 같이 연삭 또는 연마한다. (S2-2)에서는, 연삭휠(50)을 이용하여 연삭하는 예를 나타내고 있는데, 연삭 또는 연마하는 수단은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 본 발명에서는, 이 제1 가공 및/또는 후단에서 설명하는 제3 가공에 있어서, 웨이퍼가 중앙 오목 형상 또는 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록 가공을 행한다. (S2-2)에서는, 웨이퍼(10)의 제1 주면(1)을 제1 가공으로서 연삭하여, 제1 가공한 제1 주면(1a)을 갖고, 중앙 오목 형상의 두께분포를 갖는 웨이퍼(11)를 얻는 예를 나타내고 있다.
다음으로, 제1 가공한 웨이퍼(11)를 척테이블(60)로부터 해방한다. 이어서, 웨이퍼(11)로부터, 평탄화 수지층(20) 및 광투과성 필름(30)을 제거한다. 이에 따라, (S2-3)에 나타내는 웨이퍼(11)가 얻어진다. 얻어진 웨이퍼(11)는, 제1 가공한 제1 주면(1a), 및 제1 주면(1a)과 반대측의 제2 주면(2)을 갖는다. 또한, 웨이퍼(11)는, 중앙 오목 형상의 두께분포(중앙 오목 TTV)를 갖고 있다.
(Step 3)
다음으로, Step 2에서 얻어진 웨이퍼(11)를, 도 2의 (S3-1)에 나타내는 바와 같이, 제2 주면(2)이 위를 향하도록 반전시키고, 제1 가공한 제1 주면(1a)을 척테이블(60)에 흡착유지시킨다. 이 흡착으로, 웨이퍼(11)는 탄성변형한다. 이때, (S3-1)에 있어서 점선으로 나타낸 제1 가공한 제1 주면(1a)도, 탄성변형하여, 척테이블(60)의 표면에 추수한 제1 주면(1b)이 된다. 한편, (S3-1)에 있어서 점선으로 나타낸 제2 주면(2)은, 탄성변형하여 하방으로 변위하고, 제2 주면(2a)이 된다.
다음으로, 이와 같이 하여 흡착유지한 상태의 웨이퍼(11)의 제2 주면(2a)을, 제2 가공으로서, 연삭 또는 연마한다. (S3-2)에서는, 연삭수단으로서 연삭휠(50)을 이용하여, 점선으로 나타내는 제2 주면(2a)을 연삭하는 예를 나타내고 있다. 제2 가공에서는, (S3-2)에 나타내는 바와 같이 웨이퍼두께가 평탄해지도록, 연삭 또는 연마를 행한다. 이러한 제2 가공에 의해, (S3-2)에 나타내는 제2 가공한 제2 주면(2b)을 갖는 웨이퍼(12)가 얻어진다.
다음으로, 얻어진 웨이퍼(12)를 척테이블(60)로부터 해방하여, (S3-3)에 나타내는 상태의 웨이퍼(12)가 얻어진다. 흡착으로부터의 해방에 의해, 제1 가공한 제1 주면(1b)은 변형하여, 중앙 오목 형상의 제1 주면(1c)이 된다. 한편, 제2 가공한 제2 주면(2b)도 변형하여, 중앙 볼록 형상의 제2 주면(2c)이 된다. 그 때문에, (S3-3)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(12)는, 제2 주면(2c)을 표면으로 한 경우에 중앙 볼록 형상의 휨을 갖는 웨이퍼이다.
(Step 4)
다음으로, Step 3에서 얻어진 웨이퍼(12)를, 도 3의 (S4-1)에 나타내는 바와 같이, 제1 가공한 제1 주면(1c)이 위를 향하도록 반전시킨다. 이 방향의 웨이퍼(12)의 제2 가공한 제2 주면(2c)을 척테이블(60)에 흡착유지시킨다. 이 흡착으로, 웨이퍼(12)는 탄성변형한다. 이때, (S4-2)에 나타내는 바와 같이, 제2 가공한 제2 주면(2c)도 탄성변형하여 척테이블(60)의 표면에 추수한 제2 주면(2d)이 된다. 도시하지는 않았으나, 제1 가공한 제1 주면(1c)도 탄성변형한다.
이 상태의 웨이퍼(12)의 제1 주면(1c)을, 제3 가공으로서, 연삭 또는 연마한다. (S4-2)에서는, 연삭휠(50)을 이용하여 연삭하는 예를 나타내고 있는데, 연삭 또는 연마하는 수단은 특별히 한정되지 않는다. 앞서 서술한 바와 같이, 본 발명에서는, 제1 가공 및/또는 제3 가공을, 웨이퍼가 중앙 오목 형상 또는 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록 행한다. (S4-2)에서는, 웨이퍼(12)의 제1 주면(1c)을 제3 가공으로서 연삭하여, 제3 가공한 제1 주면(1d)을 갖고, 중앙 오목 형상의 두께분포를 갖는 웨이퍼(13)를 얻는 예를 나타내고 있다.
다음으로, 제3 가공한 웨이퍼(13)를 척테이블(60)로부터 해방한다. 이에 따라, (S4-3)에 나타내는 웨이퍼(13)가 얻어진다. 얻어진 웨이퍼(13)는, 중앙 오목 형상의 제3 가공한 제1 주면(1e), 및 제1 주면(1e)과 반대측의, 중앙 볼록 형상의 제2 가공한 제2 주면(2e)을 갖는다. 또한, 웨이퍼(13)는, 중앙 오목 형상의 두께분포(중앙 오목 TTV)를 갖고 있다.
(Step 5)
다음으로, Step 4에서 얻어진 웨이퍼(13)를, 도 3의 (S5-1)에 나타내는 바와 같이, 제2 주면(2e)이 위를 향하도록 반전시키고, 제3 가공한 제1 주면(1e)을 척테이블(60)에 흡착유지시킨다. 이 흡착으로, 웨이퍼(13)는 탄성변형한다. 이때, (S5-1)에 있어서 점선으로 나타낸 제3 가공한 제1 주면(1e)도, 탄성변형하여, 척테이블(60)의 표면에 추수한 제1 주면(1f)이 된다. 한편, (S5-1)에 있어서 점선으로 나타낸 제2 주면(2e)은, 탄성변형하여 하방으로 변위하고, 제2 주면(2f)이 된다.
다음으로, 이와 같이 하여 흡착유지한 상태의 웨이퍼(13)의 제2 가공한 제2 주면(2f)을, 제4 가공으로서, 연삭 또는 연마한다. (S5-2)에서는, 연삭수단으로서, 연삭휠(50)을 이용하여, 점선으로 나타낸 제2 주면(2f)을 연삭하는 예를 나타내고 있다. 제4 가공에서는, (S5-2)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼두께가 평탄해지도록 연삭 또는 연마를 행한다. 이러한 제4 가공에 의해, (S5-2)에 나타내는 제4 가공한 제2 주면(2g)을 갖는 기판 웨이퍼(14)가 얻어진다.
다음으로, 얻어진 기판 웨이퍼(14)를 척테이블(60)로부터 해방하여, (S5-3)에 나타내는 상태의 웨이퍼(14)가 얻어진다. 흡착으로부터의 해방에 의해, 제3 가공한 제1 주면(1f)은 변형하여, 중앙 오목 형상의 제1 주면(1g)이 된다. 한편, 제4 가공한 제2 주면(2g)도 변형하여, 중앙 볼록 형상의 제2 주면(2h)이 된다. 그 때문에, (S5-3)에 나타내는 바와 같이, 기판 웨이퍼(14)는, 제2 주면(2h)을 표면으로 한 경우에 중앙 볼록 형상의 휨을 갖는 기판 웨이퍼이다.
반복이지만, 본 발명에서는, 웨이퍼가 중앙 오목 형상 또는 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록, 제1 가공 및/또는 제3 가공을 행한다. 두께분포는, 척테이블의 축 각도를 조제(혹은, 조정)함으로써 조정할 수 있다. 예를 들어, 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록 가공을 행하는 경우에는, 예를 들어 도 4에 나타내는 바와 같이, 연삭 또는 연마수단(도 4에서는 연삭휠(50))에 대한 척테이블(60)의 축 각도를 조정한다. 그에 따라, 도 4에 나타내는 바와 같은 중앙 볼록 형상의 제1 주면(1a’)을 갖는, 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖는 웨이퍼(10’)가 얻어진다.
웨이퍼가 중앙 오목 형상의 두께분포를 갖도록, 제1 가공 및/또는 제3 가공을 행함으로써, 도 1~도 3을 참조하면서 설명한 것과 마찬가지로, 제2 주면을 표면으로 한 경우에 중앙 볼록 형상의 휨을 갖는 기판 웨이퍼를 얻을 수 있다. 한편, 웨이퍼가 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록, 제1 가공 및/또는 제3 가공을 행함으로써, 제2 주면을 표면으로 한 경우에 중앙 오목 형상의 휨을 갖는 기판 웨이퍼를 얻을 수 있다.
이상에 예를 들어 설명한 본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법에서는, 제1 가공 및/또는 제3 가공에 있어서, 웨이퍼두께분포(두께편차)의 조제(혹은, 조정)를 행한다. 게다가, 웨이퍼에 평탄화 수지층이 형성된 상태로 행하는 제1 가공과 제3 가공으로 제1 주면을 연삭 또는 연마하고, 또한 제2 주면도 제2 가공 및 제4 가공의 2회의 연삭 또는 연마에 제공한다. 이들의 결과, 본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법은, Warp값이 큰, 즉 원하는 휨을 갖고, 나노토포그래피가 작은, 즉 나노토포그래피가 양호한 기판 웨이퍼를 제조할 수 있다.
제1 가공에 의해 얻는 웨이퍼의 두께분포α[μm]가, 제4 가공에 의해 얻는 기판 웨이퍼의 Warp값w[μm]의 50% 이하가 되도록, 제1 가공을 행하는 것이 바람직하다. 즉, 제1 가공에 의한 웨이퍼두께 조정량이 제3 가공에 의한 웨이퍼두께 조정량보다 적은 것이 바람직하다. 이와 같이 제1 가공 및 제3 가공을 행함으로써, 나노토포그래피가 보다 작은 기판 웨이퍼를 제조할 수 있다. 또한, 예를 들어, 제1 가공에 의해 얻는 웨이퍼의 두께분포α[μm]가, 제4 가공에 의해 얻는 기판 웨이퍼의 Warp값w[μm]의 0% 이상이 되도록, 제1 가공을 행할 수 있다.
본 발명에서는, 제1 가공 또는 제3 가공 중 어느 일방에 있어서 중앙 볼록 또는 중앙 오목이 되는 가공을 행하고, 타방에서는 두께분포의 조정을 행하지 않을 수도 있다. 두께분포의 조정을 행하지 않는 쪽의 가공에서는, 연삭 또는 연마수단의 가공면(예를 들어 연삭휠 또는 연마패드)을 웨이퍼의 제1 주면에 평행하게 꽉 눌러서, 평탄화를 위한 연삭 또는 연마를 행할 수 있다.
기판 웨이퍼의 Warp값w[μm]가 40μm 이상이 되도록, 제1 가공~제4 가공을 행할 수 있다. 또한, 예를 들어, 기판 웨이퍼의 Warp값w[μm]가 200μm 이하가 되도록, 제1 가공~제4 가공을 행할 수 있다.
본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법에 따르면, Warp값w[μm]가 40μm 이상인 기판 웨이퍼를 제조할 수 있다.
제4 가공 후에 얻어진 기판 웨이퍼를, 경면연마에 제공하는 것이 바람직하다. 특히, 에피택셜층 형성이나 첩합을 행하기 위해, 에피택셜층 형성이나 첩합을 행하는 면을 경면연마하는 것이 바람직하다. 기판 웨이퍼의 제1 주면 및 제2 주면의 양면을 경면연마하는 것이 보다 바람직하다. 양면을 경면연마함으로써, 제1 가공~제4 가공에서 만든 휨형상을 보다 확실하게 유지할 수 있다.
[기판 웨이퍼]
본 발명의 기판 웨이퍼는, 중앙 볼록 또는 중앙 오목 형상의 휨을 가지며 또한 SQMM 2mm×2mm에 있어서의 나노토포그래피가 10nm 미만인 것이다.
이러한 기판 웨이퍼는, 휨을 갖고 있으며 또한 나노토포그래피가 양호하므로, 에피택셜성장용 또는 첩합용의 기판으로서 유용하다.
본 발명의 기판 웨이퍼는, 예를 들어, 앞서 설명한 본 발명의 기판 웨이퍼의 제조방법에 의해 제조할 수 있다.
기판 웨이퍼는, 나노토포그래피가 5nm 미만인 것이 바람직하다.
이러한 기판 웨이퍼는, 에피택셜성장용 또는 첩합용의 기판으로서 보다 유용하다.
기판 웨이퍼의 SQMM 2mm×2mm에 있어서의 나노토포그래피는, 작으면 작을수록 바람직하고, 0nm 이상일 수 있다.
기판 웨이퍼는, Warp값w[μm]가 40μm 이상인 것이 바람직하다.
이러한 기판 웨이퍼는, 에피택셜성장용 또는 첩합용의 기판으로서 보다 유용하다.
기판 웨이퍼는, Warp값w[μm]가, 예를 들어, 200μm 이하인 것일 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 이용하여 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1, 2, 3-1, 3-2, 3-3, 4 및 5)
실시예 1, 2, 3-1, 3-2, 3-3, 4 및 5에서는, 이하의 수순으로, 기판 웨이퍼를 제조하였다. 원하는 Warp값w는 40μm로 하였다.
(Step 1)
우선, 이하의 재료를 준비하였다.
·피가공대상의 웨이퍼로서, 제1 주면, 및 제1 주면과 반대측의 제2 주면을 갖는, 직경 300mm의 면방위<100> P형 Si단결정웨이퍼를 준비하였다.
·평탄화 수지층(피복물)의 전구체로서, UV경화성 수지를 준비하였다.
·광투과성 필름으로서 PET필름을 준비하였다.
다음으로, 평탄한 유리정반(하정반)에 PET필름을 깔고, 그 PET필름 상에 UV경화성 수지를 10ml 적하하였다.
웨이퍼의 제1 주면을 세라믹정반(상정반)에 흡착유지하고, 상기 수지에 꽉 눌러서 접착하였다.
압압제어는, 세라믹정반을 유지하는 서보모터로 구동시켜, 소정 하중L을 검출할 때까지 가압하였다.
여기서, 수지두께편차에 따른 영향을 감안하여, 상기 소정 하중L은, 실시예 1, 2, 3-1, 4 및 5에서는 2000N, 실시예 3-2에서는 1900N, 실시예 3-3에서는 1800N으로 하였다.
압압 후, PET필름측으로부터 UV경화성 수지에 자외광을 조사하고, 상기 수지를 경화시켜, 웨이퍼의 제2 주면 상에 평탄화 수지층을 형성하였다. 수지경화용의 광원으로는 파장 365nm의 UV-LED를 이용하였다.
얻어진 평탄화 수지층의 두께를, 이하의 조건으로 측정하였다.
·수지두께 측정용 광학센서에는, Keyence의 SI-T80을 사용하였다.
·센서를 고정하고, 웨이퍼를 직선 상에 주사함으로써, 두께 프로파일을 계측하였다.
·1개의 측정라인에 대하여 0.25mm 피치로 1160점의 측정을 행하였다.
·방사선상으로 균등하게 측정한 4개의 수지두께 프로파일의 최대값-최소값을 수지두께편차로 하였다.
측정결과를 이하의 표 1에 나타낸다.
(Step 2~Step 5)
다음으로, 평탄화 수지층을 형성한 웨이퍼를, 이하의 조건으로, 제1 가공~제4 가공에 제공하였다.
(전반)
·연삭가공에는, 디스코의 DFG8360을 사용하였다.
·연삭휠로서 다이아몬드지립이 결합된 것을 이용하였다.
·척테이블로서, 다공질 세라믹제의 척테이블을 이용하였다. 이 척테이블은, 웨이퍼의 일방의 주면을 진공흡착하여 유지할 수 있는 것이다. 또한, 이 척테이블은, 연삭휠에 대한 축 각도를 조정하는 기능을 구비하고 있었다.
<제1 가공조건(제1 주면 연삭)(Step 2)>
·척테이블의 축 각도를, 웨이퍼두께분포가 중앙 오목 αμm가 되도록 조정하여, 가공을 행하였다.
·평탄화 수지층측을 진공흡착한 상태로, 제1 주면(이면)의 연삭가공을 행하였다.
·연삭 후에 평탄화 수지층을 웨이퍼로부터 박리하였다.
한편, 실시예 1에서는, 제1 가공에 있어서 웨이퍼두께분포의 조정을 행하지 않고(α=0μm), 웨이퍼두께분포가 1μm 이하가 되도록 표면을 평탄화시키는 연삭을 행하였다.
<제2 가공조건(제2 주면 연삭)(Step 3)>
·척테이블의 축 각도를, 웨이퍼두께분포가 1μm 이하가 되도록 조정하여, 가공을 행하였다.
·제1 가공한 제1 주면(이면)을 진공흡착한 상태로, 제2 주면(표면)의 연삭가공을 행하였다.
<제3 가공조건(제1 주면 연삭)(Step 4)>
·척테이블의 축 각도를, 웨이퍼두께분포가 중앙 오목 βμm가 되도록 조정하여, 가공을 행하였다.
·제2 가공한 제2 주면(표면)을 진공흡착한 상태로, 제1 가공한 제1 주면(이면)의 연삭가공을 행하였다.
한편, 실시예 5에서는, 제3 가공에 있어서 웨이퍼두께분포의 조정을 행하지 않고(β=0μm), 웨이퍼두께분포가 1μm 이하가 되도록 표면을 평탄화시키는 연삭을 행하였다.
<제4 가공조건(제2 주면 연삭)(Step 5)>
·척테이블의 축 각도를, 웨이퍼두께분포가 1μm 이하가 되도록 조정하여, 가공을 행하였다.
·제3 가공한 제1 주면(이면)을 진공흡착한 상태로, 제2 가공한 제2 주면(표면)의 연삭가공을 행하였다.
상기 웨이퍼두께분포 조정량α 및 β는, 실시예 1, 2, 3-1, 3-2, 3-3, 4 및 5에 있어서, 이하의 표 1에 나타내는 값으로 하였다.
(마무리)
각 실시예에서 제4 가공 후에 얻어진 기판 웨이퍼의 표리 양면을 경면연마하였다. 이에 따라, 각 실시예의 기판 웨이퍼를 얻었다.
(비교예)
한편, 비교예로는, 평탄화 수지층 형성, 그리고 제1 가공 및 제2 가공을 스킵하고, 제3 가공으로서, 웨이퍼두께분포가 중앙 오목 40μm가 되도록 척테이블의 축 각도를 조정하여 연삭을 행하고, 이어서 제4 가공으로서, 웨이퍼두께분포가 1μm 이하가 되도록 척테이블의 축 각도를 조정하여 연삭을 행한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 수순으로, 기판 웨이퍼를 제조하였다.
[Warp 및 나노토포그래피의 측정]
각 실시예의 기판 웨이퍼 및 비교예의 기판 웨이퍼의 Warp 및 나노토포그래피의 측정을 행하였다. 측정에는, 광학간섭식의 평탄도·나노토포그래피 측정장치(KLA사제: Wafer Sight 2)를 이용하였다.
나노토포그래피의 지표로는, SQMM 2mm×2mm를 사용하였다. 결과를, 이하의 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00001
나노토포그래피에 대해서는, SQMM 2mm×2mm에 있어서의 수치결과를 하기와 같이 평가하였다.
○: 5nm 미만
△: 5nm 이상~10nm 미만
×: 10nm 이상
표 1에 나타낸 결과로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1, 2, 3-1, 3-2, 3-3, 4 및 5에서는, Warp값이 35.7μm 이상인 높은 값을 나타냄과 함께, 나노토포그래피가 10nm 미만으로서 양호한 기판 웨이퍼를 얻을 수 있었다. 이들 결과는, 각 실시예에 있어서, 웨이퍼에 평탄화 수지층이 형성된 상태로 제1 가공을 행하고, 이 제1 가공과 제3 가공에서 제1 주면을 연삭하면서 웨이퍼두께분포의 조정을 행하고, 또한 제2 주면도 제2 가공 및 제4 가공의 2회의 연삭에 제공한 것에 따른 것이다.
한편, 비교예에서는, Warp값은 원하는 40μm 이상을 달성하였으나, 평탄화 수지층을 형성한 상태에서의 연삭을 행하지 않고, 제1 주면 및 제2 주면의 연삭을 1회씩밖에 행하지 않았기 때문에, 나노토포그래피가 불량이 되었다.
그에 반해, 실시예 1, 2, 3-1 및 3-2에서는, Warp가 원하는 40μm 이상이며 또한 나노토포그래피가 5nm 미만이고, 비교예에 대하여 나노토포그래피가 현저하게 개선된 기판 웨이퍼를 제조할 수 있었다.
또한, 실시예 4 및 5도, Warp가 원하는 40μm 이상이며 또한 나노토포그래피가 10nm 미만이고, 비교예에 대하여 나노토포그래피가 개선된 기판 웨이퍼를 제조할 수 있었다.
한편, 제1 가공에서의 웨이퍼두께 조정량α[μm]가 제2 가공에서의 웨이퍼두께 조정량β[μm] 이하였던 실시예 1, 2, 3-1 및 3-2에서 얻어진 기판 웨이퍼는, 제1 가공에서의 웨이퍼두께 조정량α[μm]가 제2 가공에서의 웨이퍼두께 조정량β[μm]보다 컸던 실시예 4 및 5에서 얻어진 기판 웨이퍼보다 나노토포그래피가 더욱 양호하였다. 이들 실시예의 결과의 비교로부터, 제1 가공에서의 웨이퍼두께 조정량α[μm]가 제2 가공에서의 웨이퍼두께 조정량β[μm] 이하인 것이 바람직한 것을 알 수 있다.
나아가, 실시예 3-3에서는, 나노토포그래피가 5nm 미만이고, 비교예에 대하여 나노토포그래피가 현저하게 개선된 기판 웨이퍼를 얻을 수 있었다. 한편, 실시예 3-3에서 얻어진 기판 웨이퍼는, 허용범위 내이지만, Warp값이 다른 실시예보다 작았다.
제1 가공에서의 웨이퍼두께 조정량α[μm]와 제2 가공에서의 웨이퍼두께 조정량β[μm]가 각각 20μm로 동등한 실시예 3-1, 3-2 및 3-3에서 결과를 비교하면, 수지두께편차가 작을수록, 얻어지는 Warp값이 보다 커진 것을 알 수 있다. 이들 결과로부터, 수지두께편차는 작을수록 바람직하고, 바람직하게는 원하는 Warp값의 25% 이하이면 되는 것을 알 수 있다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (10)

  1. 기판 웨이퍼의 제조방법으로서,
    제1 주면 및 상기 제1 주면과 반대측의 제2 주면을 갖는 웨이퍼를 준비하는 것,
    상기 웨이퍼의 상기 제2 주면 상에, 평탄화 수지층을 형성하는 것,
    상기 평탄화 수지층을 기준면으로 하여 흡착유지하고, 그 상태로, 제1 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제1 주면을 연삭 또는 연마하는 것,
    상기 웨이퍼로부터 상기 평탄화 수지층을 제거하는 것,
    상기 웨이퍼의 상기 제1 가공한 상기 제1 주면을 흡착유지하고, 그 상태로, 제2 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제2 주면을 연삭 또는 연마하는 것,
    상기 웨이퍼의 상기 제2 가공한 상기 제2 주면을 흡착유지하고, 그 상태로, 제3 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제1 주면을 추가로 연삭 또는 연마하는 것, 및
    상기 웨이퍼의 상기 제3 가공한 상기 제1 주면을 흡착유지하고, 그 상태로, 제4 가공으로서, 상기 웨이퍼의 상기 제2 주면을 추가로 연삭 또는 연마하여, 기판 웨이퍼를 얻는 것
    을 포함하고,
    상기 제1 가공 및/또는 상기 제3 가공에 있어서, 상기 웨이퍼가 중앙 오목 형상 또는 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록 가공을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가공에 의해 얻는 상기 웨이퍼의 두께분포α[μm]가, 상기 제4 가공에 의해 얻는 상기 기판 웨이퍼의 Warp값w[μm]의 50% 이하가 되도록, 상기 제1 가공을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 평탄화 수지층의 두께편차가, 상기 기판 웨이퍼의 상기 Warp값w[μm]의 25% 이하가 되도록, 상기 평탄화 수지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼의 제조방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 기판 웨이퍼의 상기 Warp값w[μm]가 40μm 이상이 되도록, 상기 제1 가공~상기 제4 가공을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼의 제조방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 가공 및/또는 상기 제3 가공에 있어서, 상기 웨이퍼가 중앙 볼록 형상의 두께분포를 갖도록 가공을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼의 제조방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 가공 및/또는 상기 제3 가공에 있어서, 상기 웨이퍼가 중앙 오목 형상의 두께분포를 갖도록 가공을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼의 제조방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 상기 제2 주면 상에, 상기 평탄화 수지층의 전구체인 수지를 도포하고,
    상기 수지에 하중을 가하고,
    상기 하중을 가한 수지를 경화시켜, 상기 평탄화 수지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼의 제조방법.
  8. 중앙 볼록 또는 중앙 오목 형상의 휨을 가지며 또한 SQMM 2mm×2mm에 있어서의 나노토포그래피가 10nm 미만인 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 나노토포그래피가 5nm 미만인 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    Warp값w[μm]가 40μm 이상인 것을 특징으로 하는 기판 웨이퍼.
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