JP2000235941A - 半導体ウェハ、半導体ウェハの製造方法および該製造方法の使用 - Google Patents
半導体ウェハ、半導体ウェハの製造方法および該製造方法の使用Info
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ０．１３μｍに等しいまたはそれより小さい
線幅を有する電子素子を製造するために適しておりかつ
エッジ領域におけるローカルな幾何学形状に関する良好
なＳＦＱＲ有している半導体ウェハを提供すること。 【解決手段】 前面および裏面を備えかつ半導体ウェハ
の前面における平面パターンの部分領域に関連した平坦
度が次のように特徴付けられている、すなわち０．１３
μｍに等しいまたはそれより小さいローカルな最大平坦
度ＳＦＱＲmaxおよび半導体ウェハの中心領域における
ＳＦＱＲ個別値とは顕著には異なっていない、半導体ウ
ェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ個別値によって特徴
付けられている半導体ウェハ。
線幅を有する電子素子を製造するために適しておりかつ
エッジ領域におけるローカルな幾何学形状に関する良好
なＳＦＱＲ有している半導体ウェハを提供すること。 【解決手段】 前面および裏面を備えかつ半導体ウェハ
の前面における平面パターンの部分領域に関連した平坦
度が次のように特徴付けられている、すなわち０．１３
μｍに等しいまたはそれより小さいローカルな最大平坦
度ＳＦＱＲmaxおよび半導体ウェハの中心領域における
ＳＦＱＲ個別値とは顕著には異なっていない、半導体ウ
ェハのエッジ領域におけるＳＦＱＲ個別値によって特徴
付けられている半導体ウェハ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッジ領域におい
て改善された平坦性を有する半導体ウェハおよびこの形
式の半導体ウェハを製造するための方法に関する。高度
な平坦性を有する半導体ウェハは、半導体産業に使用す
るのに、殊に０．１３μｍに等しいまたはそれより小さ
い線幅を有する電子素子を製造するために適している。
て改善された平坦性を有する半導体ウェハおよびこの形
式の半導体ウェハを製造するための方法に関する。高度
な平坦性を有する半導体ウェハは、半導体産業に使用す
るのに、殊に０．１３μｍに等しいまたはそれより小さ
い線幅を有する電子素子を製造するために適している。
【０００２】
【従来の技術】殊に０．１３μｍに等しいまたはそれよ
り小さい線幅を有する電子素子を製造するために適して
いるはずである半導体ウェハは、多数の特別な特性を有
していなければならない。特別に重要な特性は半導体ウ
ェハのローカルな平坦性である。今日のステッパ技術で
は、半導体ウェハの１つの面のすべての部分領域におけ
る最適なローカルな平坦性が要求される。過去において
は多方面において普通であった裏面に関連付けられたグ
ローバルな平坦性尺度（ＧＢＩＲ；以前はＴＴＶと称さ
れていた）およびローカルな平坦性尺度（ＳＢＩＲ；以
前はＬＴＶと称されていた）に代わって、ウェア面のす
べての部分領域におけるステッパの集束能力を考慮する
平坦性尺度が登場してきている。このような平坦性尺度
はＳＦＱＲ（site front- surface referenced least s
quares／range＝定められたディメンジョンの素子面に
対して、最小二乗誤差に関して定義されている前面の正
および負の偏差の領域）である。大きさＳＦＱＲmaxは
半導体ウェハにおけるすべての素子面に対する最高のＳ
ＦＱＲ値を指示している。一般に知られているファウス
トルール（Faustregel）は、半導体ウェハのＳＦＱＲ
max値が、このウェハにおいて可能な、その上に製造す
べき半導体素子の半導体ウェハの線幅に等しいかまたは
それより小さくなければならないことをいうものであ
る。この値を上回ると、ステッパの集束問題、ひいては
当該の素子の損失が生じることになる。
り小さい線幅を有する電子素子を製造するために適して
いるはずである半導体ウェハは、多数の特別な特性を有
していなければならない。特別に重要な特性は半導体ウ
ェハのローカルな平坦性である。今日のステッパ技術で
は、半導体ウェハの１つの面のすべての部分領域におけ
る最適なローカルな平坦性が要求される。過去において
は多方面において普通であった裏面に関連付けられたグ
ローバルな平坦性尺度（ＧＢＩＲ；以前はＴＴＶと称さ
れていた）およびローカルな平坦性尺度（ＳＢＩＲ；以
前はＬＴＶと称されていた）に代わって、ウェア面のす
べての部分領域におけるステッパの集束能力を考慮する
平坦性尺度が登場してきている。このような平坦性尺度
はＳＦＱＲ（site front- surface referenced least s
quares／range＝定められたディメンジョンの素子面に
対して、最小二乗誤差に関して定義されている前面の正
および負の偏差の領域）である。大きさＳＦＱＲmaxは
半導体ウェハにおけるすべての素子面に対する最高のＳ
ＦＱＲ値を指示している。一般に知られているファウス
トルール（Faustregel）は、半導体ウェハのＳＦＱＲ
max値が、このウェハにおいて可能な、その上に製造す
べき半導体素子の半導体ウェハの線幅に等しいかまたは
それより小さくなければならないことをいうものであ
る。この値を上回ると、ステッパの集束問題、ひいては
当該の素子の損失が生じることになる。
【０００３】半導体ウェハの最終的な平坦性は普通、ポ
リシングプロセスによって生成される。半導体ウェハの
平坦度を改善するために、半導体ウェハの前面および裏
面の同時のポリシングのための装置および方法が用意さ
れかつ開発された。このいわゆる両面ポリシングは例え
ば、米国特許第３６９１６９４号明細書に記載されてい
る。ヨーロッパ特許第２０８３１５号明細書に記載の、
両面ポリシングの実施例によれば、半導体ウェハは、適
当に設計された切り欠き（穴）を使用している、金属ま
たは合成樹脂から成る回転円板において、２つの回転す
る、研磨布が貼られた定盤の間をポリシングゾルのある
ところで、機械およびプロセスパラメータにより前以て
決められた軌道上で移動されかつこれによりポリシング
される（英語の文献では回転円板は「キャリヤ＝carrie
r」または「テンプレート＝templates」と称されている
ので、以下に「キャリヤ」と表す）。両面ポリシングの
際に適用される圧着力をキャリヤではなくて、ポリシン
グすべき半導体ウェハに有利に作用させるために、従来
技術により両面ポリシングされる半導体ウェハの最終厚
さは使用されるキャリヤの厚さより著しく厚い。E. Men
del および J. R. Hause によって、Spring Meeting of
the Electrochemical Society （Massachusetts in Bo
ton, １９７９年５月１０日）で発表された、IBM Tech
nical ReportTR22.2342 では、例えば２ないし３ｍｉｌ
（５１ないし７６μｍに相応）の突び出し（Ueberstan
d, projecting）が推奨されている。この突出は、所定
の実験実施に対する予備実験において求められた除去速
度に基づいた必要なポリシング持続時間の確定によって
または米国特許第５４２２３１６号明細書において提案
されているような、キャリヤに取り付けられたスペーサ
ホルダによって保証することができる。
リシングプロセスによって生成される。半導体ウェハの
平坦度を改善するために、半導体ウェハの前面および裏
面の同時のポリシングのための装置および方法が用意さ
れかつ開発された。このいわゆる両面ポリシングは例え
ば、米国特許第３６９１６９４号明細書に記載されてい
る。ヨーロッパ特許第２０８３１５号明細書に記載の、
両面ポリシングの実施例によれば、半導体ウェハは、適
当に設計された切り欠き（穴）を使用している、金属ま
たは合成樹脂から成る回転円板において、２つの回転す
る、研磨布が貼られた定盤の間をポリシングゾルのある
ところで、機械およびプロセスパラメータにより前以て
決められた軌道上で移動されかつこれによりポリシング
される（英語の文献では回転円板は「キャリヤ＝carrie
r」または「テンプレート＝templates」と称されている
ので、以下に「キャリヤ」と表す）。両面ポリシングの
際に適用される圧着力をキャリヤではなくて、ポリシン
グすべき半導体ウェハに有利に作用させるために、従来
技術により両面ポリシングされる半導体ウェハの最終厚
さは使用されるキャリヤの厚さより著しく厚い。E. Men
del および J. R. Hause によって、Spring Meeting of
the Electrochemical Society （Massachusetts in Bo
ton, １９７９年５月１０日）で発表された、IBM Tech
nical ReportTR22.2342 では、例えば２ないし３ｍｉｌ
（５１ないし７６μｍに相応）の突び出し（Ueberstan
d, projecting）が推奨されている。この突出は、所定
の実験実施に対する予備実験において求められた除去速
度に基づいた必要なポリシング持続時間の確定によって
または米国特許第５４２２３１６号明細書において提案
されているような、キャリヤに取り付けられたスペーサ
ホルダによって保証することができる。
【０００４】両面ポリシングを、半導体ウェハを製造す
るための一連のプロセスに統合することは公知である。
ヨーロッパ特許出願公開第７５４７８５号公報には、次
の一連の動作、すなわち半導体結晶のスライス、得られ
た半導体ウェハの続くエッジラウンディング、両面ポリ
シングおよび最終ポリシングが記載されている。ヨーロ
ッパ特許出願公開第７５５７５１号公報には、エッジラ
ウンディングと両面ポリシングとの間に、両面研削法を
適用することが提案される。米国特許第５７５６３９９
号明細書に記載されている有利な実施例には、一連のプ
ロセス、すなわちスライス−エッジラウンディング−研
削−アルカリエッチング−両面ポリシングがある。出願
番号１９８３３２５７．２を有するドイツ連邦共和国特
許出願には、一連のプロセス、すなわちスライス−エッ
ジラウンディング−研削−エッチング−両面ポリシング
−最終ポリシングが記載されており、その際改善された
酸のエッチング方法によるエッチングが実施される。こ
れら一連のプロセスに共通しているのは、これら一連の
プロセスにより、両面ポリシングの後、半導体ウェハの
エッジ領域において中心領域におけるよりも高い、ＳＦ
ＱＲと称されるローカルな幾何学値を有している半導体
ウェハが生じることである。ヨーロッパ特許出願公開第
１８７３０７号公報において提案されているような、鉢
形状の受け入れ時幾何学形状（）によるエッジ傾斜を補
償するために手法によれば確かに、条件がよい場合には
裏面に関連付けられた幾何学形状値ＧＢＩＲおよびＳＢ
ＩＲは改善されることもあるが、素子製造に鑑みて重要
なＳＦＱＲ値にとっては不都合である。
るための一連のプロセスに統合することは公知である。
ヨーロッパ特許出願公開第７５４７８５号公報には、次
の一連の動作、すなわち半導体結晶のスライス、得られ
た半導体ウェハの続くエッジラウンディング、両面ポリ
シングおよび最終ポリシングが記載されている。ヨーロ
ッパ特許出願公開第７５５７５１号公報には、エッジラ
ウンディングと両面ポリシングとの間に、両面研削法を
適用することが提案される。米国特許第５７５６３９９
号明細書に記載されている有利な実施例には、一連のプ
ロセス、すなわちスライス−エッジラウンディング−研
削−アルカリエッチング−両面ポリシングがある。出願
番号１９８３３２５７．２を有するドイツ連邦共和国特
許出願には、一連のプロセス、すなわちスライス−エッ
ジラウンディング−研削−エッチング−両面ポリシング
−最終ポリシングが記載されており、その際改善された
酸のエッチング方法によるエッチングが実施される。こ
れら一連のプロセスに共通しているのは、これら一連の
プロセスにより、両面ポリシングの後、半導体ウェハの
エッジ領域において中心領域におけるよりも高い、ＳＦ
ＱＲと称されるローカルな幾何学値を有している半導体
ウェハが生じることである。ヨーロッパ特許出願公開第
１８７３０７号公報において提案されているような、鉢
形状の受け入れ時幾何学形状（）によるエッジ傾斜を補
償するために手法によれば確かに、条件がよい場合には
裏面に関連付けられた幾何学形状値ＧＢＩＲおよびＳＢ
ＩＲは改善されることもあるが、素子製造に鑑みて重要
なＳＦＱＲ値にとっては不都合である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、殊に、０．１３μｍに等しいまたはそれより小さい
線幅を有する電子素子を製造するために適しておりかつ
エッジ領域におけるローカルな幾何学形状に関する、Ｓ
ＦＱＲと表される上述の欠点を有していない半導体ウェ
ハを用意することである。更に、半導体ウェハの別の特
性は、従来技術で製造される半導体ウェハと少なくとも
同じ程度に良好であるべきであり、かつその製造コスト
に関する利点は維持されるようにしたい。
は、殊に、０．１３μｍに等しいまたはそれより小さい
線幅を有する電子素子を製造するために適しておりかつ
エッジ領域におけるローカルな幾何学形状に関する、Ｓ
ＦＱＲと表される上述の欠点を有していない半導体ウェ
ハを用意することである。更に、半導体ウェハの別の特
性は、従来技術で製造される半導体ウェハと少なくとも
同じ程度に良好であるべきであり、かつその製造コスト
に関する利点は維持されるようにしたい。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の対象は、前面お
よび裏面を備えかつ半導体ウェハの前面における平面ラ
スタの部分領域に関連した平坦度が次のように特徴付け
られている、すなわち０．１３μｍに等しいまたはそれ
より小さい最大ローカル平坦度ＳＦＱＲmaxおよび半導
体ウェハのエッジ領域において半導体ウェハの中心領域
におけるＳＦＱＲ個別値とは顕著には異なっていないＳ
ＦＱＲ個別値によって特徴付けられている半導体ウェハ
である。
よび裏面を備えかつ半導体ウェハの前面における平面ラ
スタの部分領域に関連した平坦度が次のように特徴付け
られている、すなわち０．１３μｍに等しいまたはそれ
より小さい最大ローカル平坦度ＳＦＱＲmaxおよび半導
体ウェハのエッジ領域において半導体ウェハの中心領域
におけるＳＦＱＲ個別値とは顕著には異なっていないＳ
ＦＱＲ個別値によって特徴付けられている半導体ウェハ
である。
【０００７】その際有利には、エッジ領域に対するＳＦ
ＱＲ値の算術平均値が中央領域に対するＳＦＱＲ値の算
術平均値から最大で０．０３μｍだけ相異していると
き、エッジ領域おけるＳＦＱＲ個別値と中央領域におけ
るＳＦＱＲ個別値との間に顕著に差はないものと見なさ
れる。
ＱＲ値の算術平均値が中央領域に対するＳＦＱＲ値の算
術平均値から最大で０．０３μｍだけ相異していると
き、エッジ領域おけるＳＦＱＲ個別値と中央領域におけ
るＳＦＱＲ個別値との間に顕著に差はないものと見なさ
れる。
【０００８】本発明の対象は更に、半導体ウェハの前面
および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポ
リシング定盤の間で同時にポリシングすることによって
半導体ウェハを製造するための方法であって、半導体ウ
ェハはキャリヤの穴に置かれかつ所定の幾何学的な軌道
上に保持され、かつキャリヤが所定のキャリヤ厚さを有
しておりかつ半導体ウェハがポリシングの前に受け入れ
時厚さおよびポリシングの後に最終厚さを有している形
式の方法において、半導体ウェハの受け入れ時厚さはキ
ャリヤ厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半
導体ウェハの最終厚さがキャリヤ厚さより２ないし２０
μｍだけ大きいという状態になるまで、半導体ウェハを
ポリシングすることを特徴とする半導体ウェハの製造方
法である。
および裏面をポリシングゾルを供給しながら回転するポ
リシング定盤の間で同時にポリシングすることによって
半導体ウェハを製造するための方法であって、半導体ウ
ェハはキャリヤの穴に置かれかつ所定の幾何学的な軌道
上に保持され、かつキャリヤが所定のキャリヤ厚さを有
しておりかつ半導体ウェハがポリシングの前に受け入れ
時厚さおよびポリシングの後に最終厚さを有している形
式の方法において、半導体ウェハの受け入れ時厚さはキ
ャリヤ厚さより２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半
導体ウェハの最終厚さがキャリヤ厚さより２ないし２０
μｍだけ大きいという状態になるまで、半導体ウェハを
ポリシングすることを特徴とする半導体ウェハの製造方
法である。
【０００９】本発明の重要な特徴は、仕上げポリシング
された半導体ウェハの厚さが使用のキャリヤの厚さより
僅かにだけ高くなるまでの間、半導体ウェハを両面ポリ
シングしなければならず、その際厚さ差は２ないし２０
μｍの狭いウィンドウ内になければならないということ
である。後で挙げる例から明らかになるように、このウ
ィンドウの発見は予見できず、驚異的なことであった。
された半導体ウェハの厚さが使用のキャリヤの厚さより
僅かにだけ高くなるまでの間、半導体ウェハを両面ポリ
シングしなければならず、その際厚さ差は２ないし２０
μｍの狭いウィンドウ内になければならないということ
である。後で挙げる例から明らかになるように、このウ
ィンドウの発見は予見できず、驚異的なことであった。
【００１０】この方法の出発生産物は、結晶、例えばシ
リコンから成る切断されかつ円筒研削加工された単結晶
から切断されかつ前面および／または裏面が１つの表面
研削ステップを用いて加工された半導体ウェハである。
このことが望まれる場合、結晶に、結晶軸を識別するた
めの１つまたは複数のオリエンテーション特徴、例えば
ノッチおよび／またはフラットを加工することができ
る。同様に半導体エッジを一連のプロセスにおける適当
な個所で適当に成形された研削盤を用いてラウンディン
グすることができる。更に、半導体ウェハの表面を研削
ステップの後でエッチングすることができる。
リコンから成る切断されかつ円筒研削加工された単結晶
から切断されかつ前面および／または裏面が１つの表面
研削ステップを用いて加工された半導体ウェハである。
このことが望まれる場合、結晶に、結晶軸を識別するた
めの１つまたは複数のオリエンテーション特徴、例えば
ノッチおよび／またはフラットを加工することができ
る。同様に半導体エッジを一連のプロセスにおける適当
な個所で適当に成形された研削盤を用いてラウンディン
グすることができる。更に、半導体ウェハの表面を研削
ステップの後でエッチングすることができる。
【００１１】この方法の最終生産物は、０．１３μｍに
等しいまたはそれより小さい線幅を有する半導体素子プ
ロセスに対する出発材料として半導体ウェハに対する要
求に十分でありかつ材料除去が低減されるために、従来
技術により製造された半導体ウェハよりもその製造コス
トに関して優れている両面ポリシングされた半導体ウェ
ハである。
等しいまたはそれより小さい線幅を有する半導体素子プ
ロセスに対する出発材料として半導体ウェハに対する要
求に十分でありかつ材料除去が低減されるために、従来
技術により製造された半導体ウェハよりもその製造コス
トに関して優れている両面ポリシングされた半導体ウェ
ハである。
【００１２】本発明の方法は基本的に、使用される化学
機械式な両面ポリシング方法によって加工することがで
きる材料から成っているウェハ形状の基体を製造するた
めに使用することができる。引き続く処理は専ら半導体
産業にあるが、これに限定されないこの形式の材料は、
例えば、シリコン、シリコン／ゲルマニウム、シリコン
酸化物、シリコン窒化物、ガリウムヒ化物および別のい
わゆるＩＩＩ−Ｖ半導体である。例えばチョクラルスキ
ー法またはゾーン引き上げ法により結晶化された、単結
晶の形態におけるシリコンが有利である。結晶方位（１
００）、（１１０）または（１１１）を有するシリコン
が特別有利である。
機械式な両面ポリシング方法によって加工することがで
きる材料から成っているウェハ形状の基体を製造するた
めに使用することができる。引き続く処理は専ら半導体
産業にあるが、これに限定されないこの形式の材料は、
例えば、シリコン、シリコン／ゲルマニウム、シリコン
酸化物、シリコン窒化物、ガリウムヒ化物および別のい
わゆるＩＩＩ−Ｖ半導体である。例えばチョクラルスキ
ー法またはゾーン引き上げ法により結晶化された、単結
晶の形態におけるシリコンが有利である。結晶方位（１
００）、（１１０）または（１１１）を有するシリコン
が特別有利である。
【００１３】この方法は、殊に２００ｍｍ、３００ｍ
ｍ、４００ｍｍおよび４５０ｍｍの直径を有しかつ数百
μｍないし数ｃｍ、有利には４００μｍないし１２００
μｍの厚さを有するシリコンウェハを製造するのに特別
適している。半導体ウェハは、半導体素子の製造のため
の出発材料として直接使用することができるかまたは従
来技術に従った最終ポリシングステップの実施後および
／または裏面鏡面化のような膜の被着またはウェハ前面
の、シリコンまたは適当な別の半導体材料によるエピタ
キシャル薄膜成長の後および／または例えば水素または
アルゴン雰囲気下での熱処理によるコンディショニング
の後、目的場所に送ることができる。均質な材料から成
るウェハを製造することの他に、本発明は勿論、ＳＯＩ
（silicon-on-insulator）のような多層に構成された半
導体基板またはいわゆるボンデド・ウェハを製造するた
めにも使用することができる。
ｍ、４００ｍｍおよび４５０ｍｍの直径を有しかつ数百
μｍないし数ｃｍ、有利には４００μｍないし１２００
μｍの厚さを有するシリコンウェハを製造するのに特別
適している。半導体ウェハは、半導体素子の製造のため
の出発材料として直接使用することができるかまたは従
来技術に従った最終ポリシングステップの実施後および
／または裏面鏡面化のような膜の被着またはウェハ前面
の、シリコンまたは適当な別の半導体材料によるエピタ
キシャル薄膜成長の後および／または例えば水素または
アルゴン雰囲気下での熱処理によるコンディショニング
の後、目的場所に送ることができる。均質な材料から成
るウェハを製造することの他に、本発明は勿論、ＳＯＩ
（silicon-on-insulator）のような多層に構成された半
導体基板またはいわゆるボンデド・ウェハを製造するた
めにも使用することができる。
【００１４】この方法の以下の説明は、シリコウェハの
製造の例に基づいて行われる。
製造の例に基づいて行われる。
【００１５】基本的に、例えば内周刃鋸切り法またはワ
イヤソー法によって鋸引きされた、それぞれ直径および
鋸引きプロセスの種類に応じて１０ないし４０μｍの領
域にある深さまでの損傷を有しているシリコンウェハを
直接、本発明の両面ポリシングステップに委ねることが
できる。しかし、シャープに限定されかつそれ故に機械
的に非常に敏感なウェハエッジを適当に成形された研削
盤を用いてラウンディングすることが有意味でありかつ
それ故に有利である。更に、幾何学形状の改善および破
壊された結晶層の部分的な除去を目的として、シリコン
ウェハにラッピングまたは研削のような機械的な除去ス
テップを行って、本発明のポリシングステップにおける
材料除去を低減することができる。シリコンウェハに対
して表面研削ステップを行うと有利であり、その際片面
が研削されるかまたは両面が順次にまたは両面が同時に
研削される。ウェハ前面および裏面の順次の表面研削は
特別有利である。機械的なプロセスステップにおいて必
然的に発生する、ウェハ表面およびウェハエッジの損傷
を取り除くためにかつ場合により存在する異物、例えば
損傷内に付着した金属の異物を取り除くために、この個
所でエッチングステップを続けることができる。このエ
ッチングステップはアルカリまたは酸性エッチング混合
液中でのシリコンウェハのウェット化学処理としてまた
はプラズマ処理として実施することができる。出願番号
１９８３３２５７．２を有するドイツ連邦共和国特許出
願明細書による濃硝酸水溶液および濃硫酸水溶液から成
る混合液中での酸エッチングステップが有利である。
イヤソー法によって鋸引きされた、それぞれ直径および
鋸引きプロセスの種類に応じて１０ないし４０μｍの領
域にある深さまでの損傷を有しているシリコンウェハを
直接、本発明の両面ポリシングステップに委ねることが
できる。しかし、シャープに限定されかつそれ故に機械
的に非常に敏感なウェハエッジを適当に成形された研削
盤を用いてラウンディングすることが有意味でありかつ
それ故に有利である。更に、幾何学形状の改善および破
壊された結晶層の部分的な除去を目的として、シリコン
ウェハにラッピングまたは研削のような機械的な除去ス
テップを行って、本発明のポリシングステップにおける
材料除去を低減することができる。シリコンウェハに対
して表面研削ステップを行うと有利であり、その際片面
が研削されるかまたは両面が順次にまたは両面が同時に
研削される。ウェハ前面および裏面の順次の表面研削は
特別有利である。機械的なプロセスステップにおいて必
然的に発生する、ウェハ表面およびウェハエッジの損傷
を取り除くためにかつ場合により存在する異物、例えば
損傷内に付着した金属の異物を取り除くために、この個
所でエッチングステップを続けることができる。このエ
ッチングステップはアルカリまたは酸性エッチング混合
液中でのシリコンウェハのウェット化学処理としてまた
はプラズマ処理として実施することができる。出願番号
１９８３３２５７．２を有するドイツ連邦共和国特許出
願明細書による濃硝酸水溶液および濃硫酸水溶液から成
る混合液中での酸エッチングステップが有利である。
【００１６】本発明のポリシング方法に対する特別有利
な出発材料は、シリコン単結晶のスライスにより製造さ
れ、次いでエッジラウンディングが行われ、ウェハの両
面が面当たり１０μｍないし１００μｍのシリコンが除
去される連続的な表面研削およびウェハの面当たり５μ
ｍないし５０μｍのシリコンが除去される酸エッチング
混合液でのウェット化学式エッチングが行われた、２０
０ｍｍに等しいかまたはそれより大きい直径を有するシ
リコンから成る半導体ウェハである。
な出発材料は、シリコン単結晶のスライスにより製造さ
れ、次いでエッジラウンディングが行われ、ウェハの両
面が面当たり１０μｍないし１００μｍのシリコンが除
去される連続的な表面研削およびウェハの面当たり５μ
ｍないし５０μｍのシリコンが除去される酸エッチング
混合液でのウェット化学式エッチングが行われた、２０
０ｍｍに等しいかまたはそれより大きい直径を有するシ
リコンから成る半導体ウェハである。
【００１７】本発明のポリシングステップを実施するた
めに、例えばＩＢＭ Technical Report TR22.2342 に記
載されているような、適当な大きさの市販の両面ポリシ
ング機を使用することができる。ポリシング機は実質的
に、自由に水平方向に回転可能な下定盤および自由に水
平方向に回転可能な上定盤から成っており、これら両方
はそれぞれ研磨布が貼られており、かつこのポリシング
機により、適当な化学的な組成のポリシングゾルを連続
的に供給しながら、半導体ウェハ、この場合はシリコン
ウェハの両面の除去されるポリシングが可能である。
めに、例えばＩＢＭ Technical Report TR22.2342 に記
載されているような、適当な大きさの市販の両面ポリシ
ング機を使用することができる。ポリシング機は実質的
に、自由に水平方向に回転可能な下定盤および自由に水
平方向に回転可能な上定盤から成っており、これら両方
はそれぞれ研磨布が貼られており、かつこのポリシング
機により、適当な化学的な組成のポリシングゾルを連続
的に供給しながら、半導体ウェハ、この場合はシリコン
ウェハの両面の除去されるポリシングが可能である。
【００１８】１つのシリコンウェハだけをポリシングす
ることができる。しかし通例はコストの理由から、多数
のシリコンウェハが同時にポリシングされ、その際その
数はポリシング機の構造上の所与の条件に依存してい
る。その際シリコンウェハは、申し分なく設計された穴
をシリコンウェハの収容のために使用することができる
キャリヤによって、ポリシングの期間に機械およびプロ
セスパラメータによって決められる幾何学形状の軌道に
保持される。キャリヤは例えば、駆動ピン歯車（Triebs
tock-Stiftverzahnung）またはインボリュート歯車がポ
リシング機に回転する内歯歯車および通例は逆回転する
外歯歯車（ピンまたはリングギア）を介して接触しかつ
これにより２つの定盤の間の回転運動に置かれる。
ることができる。しかし通例はコストの理由から、多数
のシリコンウェハが同時にポリシングされ、その際その
数はポリシング機の構造上の所与の条件に依存してい
る。その際シリコンウェハは、申し分なく設計された穴
をシリコンウェハの収容のために使用することができる
キャリヤによって、ポリシングの期間に機械およびプロ
セスパラメータによって決められる幾何学形状の軌道に
保持される。キャリヤは例えば、駆動ピン歯車（Triebs
tock-Stiftverzahnung）またはインボリュート歯車がポ
リシング機に回転する内歯歯車および通例は逆回転する
外歯歯車（ピンまたはリングギア）を介して接触しかつ
これにより２つの定盤の間の回転運動に置かれる。
【００１９】ポリシング過程の間の上定盤と下定盤に関
連したシリコンウェハの軌道に対する作用パラメータ
は、例えば、定盤の寸法、キャリアの構造並びに上定
盤、下定盤およびキャリアの回転数である。シリコンウ
ェハがそれぞれキャリヤの中心にあるならば、シリコン
ウェハはポリシング機の中心の周りを円を描くように移
動する。複数のシリコンウェハがキャリヤに定心されず
に位置決めされているならば、キャリヤが独自の軸線を
中心に回転することによって内サイクロイド軌道が生じ
る。本発明のポリシング過程にとって、内サイクロイド
軌道は有利である。円形の軌道上に同じ間隔をおいて配
置されているそれぞれ少なくとも３つのシリコンウェハ
が載せられている４ないし６個のキャリヤの同時の使用
が特別有利である。
連したシリコンウェハの軌道に対する作用パラメータ
は、例えば、定盤の寸法、キャリアの構造並びに上定
盤、下定盤およびキャリアの回転数である。シリコンウ
ェハがそれぞれキャリヤの中心にあるならば、シリコン
ウェハはポリシング機の中心の周りを円を描くように移
動する。複数のシリコンウェハがキャリヤに定心されず
に位置決めされているならば、キャリヤが独自の軸線を
中心に回転することによって内サイクロイド軌道が生じ
る。本発明のポリシング過程にとって、内サイクロイド
軌道は有利である。円形の軌道上に同じ間隔をおいて配
置されているそれぞれ少なくとも３つのシリコンウェハ
が載せられている４ないし６個のキャリヤの同時の使用
が特別有利である。
【００２０】基本的に、本発明の方法において使用され
るキャリヤは、駆動によって引き起こされる機械的な応
力、とりわけ圧縮および引っ張り負荷に対して十分な機
械的な安定性を有しているいずれかの材料から製作する
ことができる。更に、使用のポリシングゾルおよび研磨
布の材料は化学的および機械的に成る可く攻撃されにく
いものであることが望ましく、キャリヤの十分長い寿命
を保証しかつポリシングされるシリコンウェハの汚染が
回避されるようなものであるべきである。更に、材料
は、非常に扁平な、張力および起伏のないキャリヤを所
望の厚さおよび幾何学形状に製造するために適していな
ければならない。基本的にキャリヤは例えば、金属、合
成樹脂、ファイバ強化プラスチックまたは合成樹脂が被
膜された金属から製作することができる。鋼またはファ
イバ強化プラスチックから成るキャリヤは有利であり、
ステンレス加工されたクロム鋼から成るキャリヤは特別
有利である。
るキャリヤは、駆動によって引き起こされる機械的な応
力、とりわけ圧縮および引っ張り負荷に対して十分な機
械的な安定性を有しているいずれかの材料から製作する
ことができる。更に、使用のポリシングゾルおよび研磨
布の材料は化学的および機械的に成る可く攻撃されにく
いものであることが望ましく、キャリヤの十分長い寿命
を保証しかつポリシングされるシリコンウェハの汚染が
回避されるようなものであるべきである。更に、材料
は、非常に扁平な、張力および起伏のないキャリヤを所
望の厚さおよび幾何学形状に製造するために適していな
ければならない。基本的にキャリヤは例えば、金属、合
成樹脂、ファイバ強化プラスチックまたは合成樹脂が被
膜された金属から製作することができる。鋼またはファ
イバ強化プラスチックから成るキャリヤは有利であり、
ステンレス加工されたクロム鋼から成るキャリヤは特別
有利である。
【００２１】キャリヤは、１つまたは複数のシリコンウ
ェハを収容するための有利には円形の１つまたは複数の
穴を有している。シリコンウェハが回転するキャリヤに
おいて自由に運動できることを保証するために、これら
の穴は、ポリシングすべきシリコンウェハより僅かに大
きい直径でなければならない。０．１ｍｍないし２ｍｍ
だけ大きい直径が有利である。０．３ｍｍないし１．３
ｍｍだけ大きい直径が特別有利である。ポリシングの期
間にキャリヤの穴の内側のエッジによりウェハエッジが
損傷されることがないようにするために、ヨーロッパ特
許第２０８３１５号明細書に提案されているように、キ
ャリヤと同じ厚さの合成樹脂膜を穴の内側に被せること
が有意味、従って有利である。その際適当な合成樹脂は
例えば、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレンまたはポ
リビニルジフルオリドであり、これらはすべて同じよう
に有利である。しかし、ヨーロッパ特許出願公開第７７
６０３０号公報に記載の方法に従って、穴の内側に、両
面ポリシングの期間にシリコンウェハのエッジの同時の
ポリシングを可能にする装置を備えるようにすることも
できる。
ェハを収容するための有利には円形の１つまたは複数の
穴を有している。シリコンウェハが回転するキャリヤに
おいて自由に運動できることを保証するために、これら
の穴は、ポリシングすべきシリコンウェハより僅かに大
きい直径でなければならない。０．１ｍｍないし２ｍｍ
だけ大きい直径が有利である。０．３ｍｍないし１．３
ｍｍだけ大きい直径が特別有利である。ポリシングの期
間にキャリヤの穴の内側のエッジによりウェハエッジが
損傷されることがないようにするために、ヨーロッパ特
許第２０８３１５号明細書に提案されているように、キ
ャリヤと同じ厚さの合成樹脂膜を穴の内側に被せること
が有意味、従って有利である。その際適当な合成樹脂は
例えば、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレンまたはポ
リビニルジフルオリドであり、これらはすべて同じよう
に有利である。しかし、ヨーロッパ特許出願公開第７７
６０３０号公報に記載の方法に従って、穴の内側に、両
面ポリシングの期間にシリコンウェハのエッジの同時の
ポリシングを可能にする装置を備えるようにすることも
できる。
【００２２】本発明のポリシング方法に対するキャリヤ
は４００ないし１２００μｍの有利な厚さを有してい
る。この厚さは、最終的に、シリコンウェハの直径およ
び計画される用途に依存している、ポリシングされるシ
リコンウェハの最終厚さに従って決められる。本発明に
とって特徴的なのは、ポリシングすべきシリコンウェハ
の受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより２０ないし２００
μｍだけ大きく、その際３０ないし７０μｍの領域が特
別有利であり、かつポリシングされるウェハの最終厚さ
は有利にはキャリヤ厚さより２ないし２０μｍだけ大き
く、その際５ないし１５μｍの領域が特別有利である。
しかしウェハのエッジ領域におけるローカルな平坦度Ｓ
ＦＱＲの著しい高まりが観察されなければ、挙げられた
厚さ領域とは多少異なっていても構わない。ポリシング
ステップによるシリコン除去は５ないし１００μｍ、有
利には１０ないし６０μｍであり、かつ特別有利には２
０ないし５０μｍである。
は４００ないし１２００μｍの有利な厚さを有してい
る。この厚さは、最終的に、シリコンウェハの直径およ
び計画される用途に依存している、ポリシングされるシ
リコンウェハの最終厚さに従って決められる。本発明に
とって特徴的なのは、ポリシングすべきシリコンウェハ
の受け入れ時厚さはキャリヤ厚さより２０ないし２００
μｍだけ大きく、その際３０ないし７０μｍの領域が特
別有利であり、かつポリシングされるウェハの最終厚さ
は有利にはキャリヤ厚さより２ないし２０μｍだけ大き
く、その際５ないし１５μｍの領域が特別有利である。
しかしウェハのエッジ領域におけるローカルな平坦度Ｓ
ＦＱＲの著しい高まりが観察されなければ、挙げられた
厚さ領域とは多少異なっていても構わない。ポリシング
ステップによるシリコン除去は５ないし１００μｍ、有
利には１０ないし６０μｍであり、かつ特別有利には２
０ないし５０μｍである。
【００２３】厚さ状態に関して行った説明の枠内で、両
面ポリシングステップは有利には当業者には公知の形式
および方法において実施される。研磨布は非常に種々の
特性のものが市販されている。有利には、４０ないし１
２０（ショアＡ）の硬度のポリウレタン研磨布でポリシ
ングされる。特別有利には、６０ないし９０（ショア
Ａ）の硬度領域にあるポリエチレンファイバが付加され
ているポリウレタン研磨布である。シリコンウェハのポ
リシングの場合、有利には９ないし１２、特別有利には
１０ないし１１のｐＨ値を有するポリシングゾルの連続
的な供給が望ましく、それは、有利には１ないし１０質
量百分率（ｗ％）、特別有利には１ないし５質量百分率
の水中のＳｉＯ2であり、その際ポリシング圧力は有利
には０．０５ないし０．５ｂａｒ、特別有利には０．１
ないし０．３ｂａｒである。シリコン除去速度は有利に
は、０．１ないし１．５μｍ／ｍｉｎにあり、特別有利
には０．４ないし０．９μｍ／ｍｉｎにある。
面ポリシングステップは有利には当業者には公知の形式
および方法において実施される。研磨布は非常に種々の
特性のものが市販されている。有利には、４０ないし１
２０（ショアＡ）の硬度のポリウレタン研磨布でポリシ
ングされる。特別有利には、６０ないし９０（ショア
Ａ）の硬度領域にあるポリエチレンファイバが付加され
ているポリウレタン研磨布である。シリコンウェハのポ
リシングの場合、有利には９ないし１２、特別有利には
１０ないし１１のｐＨ値を有するポリシングゾルの連続
的な供給が望ましく、それは、有利には１ないし１０質
量百分率（ｗ％）、特別有利には１ないし５質量百分率
の水中のＳｉＯ2であり、その際ポリシング圧力は有利
には０．０５ないし０．５ｂａｒ、特別有利には０．１
ないし０．３ｂａｒである。シリコン除去速度は有利に
は、０．１ないし１．５μｍ／ｍｉｎにあり、特別有利
には０．４ないし０．９μｍ／ｍｉｎにある。
【００２４】シリコンウェハはポリシングの終了後場合
により付着していおるポリシングゾルによって洗浄され
かつ乾燥されかつ引き続いて市販の、例えば容量的また
は光学的に動作する幾何学形状測定装置においてそのロ
ーカルな幾何学形状ＳＦＱＲに関して測量することがで
きる。
により付着していおるポリシングゾルによって洗浄され
かつ乾燥されかつ引き続いて市販の、例えば容量的また
は光学的に動作する幾何学形状測定装置においてそのロ
ーカルな幾何学形状ＳＦＱＲに関して測量することがで
きる。
【００２５】別の用向きに依存して、シリコン前面に対
して、公知技術により、例えばＳｉＯ2をベースとした
アルカリポリシングゾルを使用した柔らかい研磨布によ
って、最終ポリシングを行うことが必要であることもあ
る。その際本発明によるポリシングステップにおいて生
成される非常に低くかつ均一に分配されたローカルな幾
何学形状値を得るために、ウェハからのシリコン除去は
比較的低く、例えば０．１ないし０．７μｍにあるよう
にしたい。
して、公知技術により、例えばＳｉＯ2をベースとした
アルカリポリシングゾルを使用した柔らかい研磨布によ
って、最終ポリシングを行うことが必要であることもあ
る。その際本発明によるポリシングステップにおいて生
成される非常に低くかつ均一に分配されたローカルな幾
何学形状値を得るために、ウェハからのシリコン除去は
比較的低く、例えば０．１ないし０．７μｍにあるよう
にしたい。
【００２６】必要の場合には、一連のプロセスの任意の
個所で、例えば熱的な供与体を全滅しまたは表面近傍の
結晶層の障害を癒すために、半導体ウェハの熱処理を挿
入することができる。更に、ウェハ識別のためのレーザ
書き込みおよび／またはエッジポリシングステップを一
連のプロセスの適当な個所に挿入することができる。そ
れは例えば、レーザマーキングの場合には研削の前また
は後であり並びにエッジポリシングの場合には両面ポリ
シングの前または後である。所定の製品に対して必要
な、一連の別のプロセスステップ、例えばポリシリコ
ン、シリコン酸化物またはシリコン窒化物から成る裏面
の薄膜形成またはシリコンウェハの前面にシリコンまた
は別の半導体材料からエピタキシャル層を成長させるこ
とも、当業者には公知の方法により一連のプロセスのに
適当な個所に組み込まれる。更に、半導体ウェハに個々
のプロセスステップの前または後ろで従来技術に従って
バッチまたは個別ウェハ洗浄を行うようにしても有利で
ある。
個所で、例えば熱的な供与体を全滅しまたは表面近傍の
結晶層の障害を癒すために、半導体ウェハの熱処理を挿
入することができる。更に、ウェハ識別のためのレーザ
書き込みおよび／またはエッジポリシングステップを一
連のプロセスの適当な個所に挿入することができる。そ
れは例えば、レーザマーキングの場合には研削の前また
は後であり並びにエッジポリシングの場合には両面ポリ
シングの前または後である。所定の製品に対して必要
な、一連の別のプロセスステップ、例えばポリシリコ
ン、シリコン酸化物またはシリコン窒化物から成る裏面
の薄膜形成またはシリコンウェハの前面にシリコンまた
は別の半導体材料からエピタキシャル層を成長させるこ
とも、当業者には公知の方法により一連のプロセスのに
適当な個所に組み込まれる。更に、半導体ウェハに個々
のプロセスステップの前または後ろで従来技術に従って
バッチまたは個別ウェハ洗浄を行うようにしても有利で
ある。
【００２７】ウェハ特徴付けのために普通用いられる別
の、例えばウェハ表面の表面エラー、粗さおよび金属異
物、およびマジックミラー欠陥のような当業者にはよく
知られているパラメータに関して、本発明により製造さ
れる半導体ウェハは、従来技術に従って製造される半導
体ウェハに対して欠点を有していない。
の、例えばウェハ表面の表面エラー、粗さおよび金属異
物、およびマジックミラー欠陥のような当業者にはよく
知られているパラメータに関して、本発明により製造さ
れる半導体ウェハは、従来技術に従って製造される半導
体ウェハに対して欠点を有していない。
【００２８】本発明により製造された半導体ウェハ、殊
にシリコンウェハは、０．１３μｍに等しいまたはそれ
より小さい線幅を有する半導体素子の製造に対する要求
を満足する。本発明の方法は、上述した特徴を有するシ
リコンウェハを製造するための最適な解決法であること
が認められている。仕上げポリシングされたウェハの、
キャリヤ厚さを越えた残りの高さ（前述した突出）に対
する比較的狭いウィンドウだけで従来技術に従って両面
ポリシングされた半導体ウェハに対して特徴的なエッジ
傾斜が取り除かれることになるというのは驚くべきこと
でありかつ予期できなかったことである。出発製品には
最小の幾何学要求しか課せられない。このために予備プ
ロセスに対する要求が低減される。本発明のステップに
おいて実現される申し分ない幾何学形状は、比較的僅か
な材料除去後に既にかつ破断のおそれが低減されること
と対をなしている高められたプロセス安全性によって非
常に高い歩留まりにおいて生じ、しかもこの場合例えば
プラズマエッチングによるローカルな幾何学形状補正の
ためのコストのかかるステップは必要でない。それ故
に、提案される方法は経済的に競争に打ち勝ちしかも欠
陥ウェハを後加工しかつ再生利用ウェハの加工のために
用いることができる。
にシリコンウェハは、０．１３μｍに等しいまたはそれ
より小さい線幅を有する半導体素子の製造に対する要求
を満足する。本発明の方法は、上述した特徴を有するシ
リコンウェハを製造するための最適な解決法であること
が認められている。仕上げポリシングされたウェハの、
キャリヤ厚さを越えた残りの高さ（前述した突出）に対
する比較的狭いウィンドウだけで従来技術に従って両面
ポリシングされた半導体ウェハに対して特徴的なエッジ
傾斜が取り除かれることになるというのは驚くべきこと
でありかつ予期できなかったことである。出発製品には
最小の幾何学要求しか課せられない。このために予備プ
ロセスに対する要求が低減される。本発明のステップに
おいて実現される申し分ない幾何学形状は、比較的僅か
な材料除去後に既にかつ破断のおそれが低減されること
と対をなしている高められたプロセス安全性によって非
常に高い歩留まりにおいて生じ、しかもこの場合例えば
プラズマエッチングによるローカルな幾何学形状補正の
ためのコストのかかるステップは必要でない。それ故
に、提案される方法は経済的に競争に打ち勝ちしかも欠
陥ウェハを後加工しかつ再生利用ウェハの加工のために
用いることができる。
【００２９】次に説明する例および参照例を用いて本発
明を説明する。
明を説明する。
【００３０】図１には、直径２００ｍｍを有する例Ｂ
１ｆにより製造された両面ポリシングされたシリコンウ
ェハの大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配
置されている部分領域（５２個の面エレメント）に対す
るローカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
１ｆにより製造された両面ポリシングされたシリコンウ
ェハの大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配
置されている部分領域（５２個の面エレメント）に対す
るローカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
【００３１】図２には、直径２００ｍｍを有する参照例
２ｃにより製造された両面ポリシングされたシリコンウ
ェハの大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配
置されている部分領域（５２個の面エレメント）に対す
るローカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
２ｃにより製造された両面ポリシングされたシリコンウ
ェハの大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配
置されている部分領域（５２個の面エレメント）に対す
るローカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
【００３２】図３には、直径３００ｍｍを有する例２に
より製造された両面ポリシングされたシリコンウェハの
大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配置され
ている部分領域（１１２個の面エレメント）に対するロ
ーカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
より製造された両面ポリシングされたシリコンウェハの
大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配置され
ている部分領域（１１２個の面エレメント）に対するロ
ーカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
【００３３】図４には、直径３００ｍｍを有する参照例
３により製造された両面ポリシングされたシリコンウェ
ハの大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配置
されている部分領域（１１２個の面エレメント）に対す
るローカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
３により製造された両面ポリシングされたシリコンウェ
ハの大きさ２５ｍｍ×２５ｍｍの、面を覆うように配置
されている部分領域（１１２個の面エレメント）に対す
るローカルな平坦度ＳＦＱＲの分布が示されている。
【００３４】
【実施例】次に本発明を図示の実施例につき図面を用い
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００３５】以下に挙げる例および参照例はすべて、
（２００±０．１）ｍｍかまたは（３００±０．１）ｍ
ｍの直径、（６±１）・１０17原子／ｃｍ3の酸素含有
量および１０ないし２０Ω・ｃｍの領域にある抵抗を招
来するホウ素ドーピングを有しているシリコンウェハの
製造に関する。このために必要とされる単結晶は、従来
技術により引き上げられ、切断され、円筒研削されかつ
市販のワイヤソーを用いて、最終生産物に合わせられた
厚さを有するウェハにスライスされる。エッジラウンデ
ィングの後、回転式研磨機において、粒子６００メッシ
ュ（mesh）のダイヤモンドを用いた表面研削ステップが
続き、その際ウェハの前面および裏面の側から順次、そ
れぞれ３０μｍのシリコンが除去された。それに流動エ
ッチング法に従った酸のエッチングステップが続き、そ
の際回転するウェハを、９０質量百分率濃硝酸（水溶液
中に７０質量百分率）、１０質量百分率濃硫酸（水溶液
中に５０質量百分率）および０．１の質量百分率のラウ
リル硫酸アンモニウムから成る混合液に浸漬することに
よって、ウェハ面毎に同時にそれぞれ１０μｍのシリコ
ンが除去された。エッチング混合液は（２０±１）℃で
熱処理されかつ窒素ガスが貫流された。このように行わ
れたプロセスステップの後および次の例および参照例で
説明するポリシングステップの後、従来技術に従って洗
浄および乾燥ステップが実施された。
（２００±０．１）ｍｍかまたは（３００±０．１）ｍ
ｍの直径、（６±１）・１０17原子／ｃｍ3の酸素含有
量および１０ないし２０Ω・ｃｍの領域にある抵抗を招
来するホウ素ドーピングを有しているシリコンウェハの
製造に関する。このために必要とされる単結晶は、従来
技術により引き上げられ、切断され、円筒研削されかつ
市販のワイヤソーを用いて、最終生産物に合わせられた
厚さを有するウェハにスライスされる。エッジラウンデ
ィングの後、回転式研磨機において、粒子６００メッシ
ュ（mesh）のダイヤモンドを用いた表面研削ステップが
続き、その際ウェハの前面および裏面の側から順次、そ
れぞれ３０μｍのシリコンが除去された。それに流動エ
ッチング法に従った酸のエッチングステップが続き、そ
の際回転するウェハを、９０質量百分率濃硝酸（水溶液
中に７０質量百分率）、１０質量百分率濃硫酸（水溶液
中に５０質量百分率）および０．１の質量百分率のラウ
リル硫酸アンモニウムから成る混合液に浸漬することに
よって、ウェハ面毎に同時にそれぞれ１０μｍのシリコ
ンが除去された。エッチング混合液は（２０±１）℃で
熱処理されかつ窒素ガスが貫流された。このように行わ
れたプロセスステップの後および次の例および参照例で
説明するポリシングステップの後、従来技術に従って洗
浄および乾燥ステップが実施された。
【００３６】例１（Ｂ １ｄ−Ｂ １ｋ） 参照例１（Ｖ １ａ−Ｖ １ｃおよびＶ １ｌ）：エッ
チングされた表面および７７０μｍおよび７８０μｍの
厚さを有する２００ｍｍシリコンウェハの２つのグルー
プが使用された。更に、ラッピングされた表面および７
２０μｍの厚さを有するステンレス加工されたクロム鋼
から成る５つのキャリヤが使用された。これらは、それ
ぞれ６つの円形の、同じ間隔をおいて円軌道上に配置さ
れている６つの穴を使用することができた。これら穴に
はポリアミドがコーティングされていて、これら穴は２
００．５ｍｍの内径を有していた。これらキャリヤによ
り、市販の両面ポリシャ機で３０個の２００ｍｍのシリ
コンウェハの同時のポリシングが可能であった。
チングされた表面および７７０μｍおよび７８０μｍの
厚さを有する２００ｍｍシリコンウェハの２つのグルー
プが使用された。更に、ラッピングされた表面および７
２０μｍの厚さを有するステンレス加工されたクロム鋼
から成る５つのキャリヤが使用された。これらは、それ
ぞれ６つの円形の、同じ間隔をおいて円軌道上に配置さ
れている６つの穴を使用することができた。これら穴に
はポリアミドがコーティングされていて、これら穴は２
００．５ｍｍの内径を有していた。これらキャリヤによ
り、市販の両面ポリシャ機で３０個の２００ｍｍのシリ
コンウェハの同時のポリシングが可能であった。
【００３７】両面ポリシングステップは、市販の、ポリ
エチレンファイバで強化されているポリウレタンの研磨
布によって、４質量百分率およびｐＨ値１１のＳｉＯ2
の固体含有量を有するポリシングゾルを使用して０．１
５ｂａｒの圧着力下で実施された。ここで、研磨布は硬
度７４（ショアＡ）を有し、それぞれ上定盤および下定
盤に貼られた。ポリシングは、それぞれ４０℃の上定盤
および下定盤の温度において行われかつ０．５５μｍ／
ｍｉｎの切削速度が生じた。全体で、厚さ７７０μｍの
シリコンウェハを用いた７回のポリシングランおよび厚
さ７８０μｍのシリコンウェハを用いた５回のポリシン
グランが種々のポリシング除去を実現しながら実施され
た。シリコンウェハはポリシングの終了後、付着してい
るポリシングゾルによって洗浄され、乾燥されかつ市販
の、容量原理に従って動作する幾何学形状測定装置で測
定される。この測定装置はそのローカルな幾何学形状Ｓ
ＦＱＲ（ラスタ２５ｍｍ×２５ｍｍ）に関して３ｍｍの
エッジスペースを有している。次の表には、ポリシング
除去の他に、仕上げポリシングされたシリコンウェハと
キャリヤとの間の厚さの差（「突出」）およびそれぞれ
のポリシングランの３０個のシリコンウェハのそれぞれ
に対する最高ＳＦＱＲ値（“ＳＦＱＲmax”）の平均値
が示されている。例Ｂ １ｄなしＢ １ｋのポリシング
されたシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値
は中心領域に対するＳＦＱＲ値よりも、図１の例Ｂ １
ｆのシリコンウェハに対して示されているように、際立
って高くはない。これに対して、参照例Ｖ １ａないし
Ｖ １ｃ並びにＶ １ｌのポリシングされたシリコンウ
ェハに対する最高ＳＦＱＲ値はエッジ領域にある。
エチレンファイバで強化されているポリウレタンの研磨
布によって、４質量百分率およびｐＨ値１１のＳｉＯ2
の固体含有量を有するポリシングゾルを使用して０．１
５ｂａｒの圧着力下で実施された。ここで、研磨布は硬
度７４（ショアＡ）を有し、それぞれ上定盤および下定
盤に貼られた。ポリシングは、それぞれ４０℃の上定盤
および下定盤の温度において行われかつ０．５５μｍ／
ｍｉｎの切削速度が生じた。全体で、厚さ７７０μｍの
シリコンウェハを用いた７回のポリシングランおよび厚
さ７８０μｍのシリコンウェハを用いた５回のポリシン
グランが種々のポリシング除去を実現しながら実施され
た。シリコンウェハはポリシングの終了後、付着してい
るポリシングゾルによって洗浄され、乾燥されかつ市販
の、容量原理に従って動作する幾何学形状測定装置で測
定される。この測定装置はそのローカルな幾何学形状Ｓ
ＦＱＲ（ラスタ２５ｍｍ×２５ｍｍ）に関して３ｍｍの
エッジスペースを有している。次の表には、ポリシング
除去の他に、仕上げポリシングされたシリコンウェハと
キャリヤとの間の厚さの差（「突出」）およびそれぞれ
のポリシングランの３０個のシリコンウェハのそれぞれ
に対する最高ＳＦＱＲ値（“ＳＦＱＲmax”）の平均値
が示されている。例Ｂ １ｄなしＢ １ｋのポリシング
されたシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値
は中心領域に対するＳＦＱＲ値よりも、図１の例Ｂ １
ｆのシリコンウェハに対して示されているように、際立
って高くはない。これに対して、参照例Ｖ １ａないし
Ｖ １ｃ並びにＶ １ｌのポリシングされたシリコンウ
ェハに対する最高ＳＦＱＲ値はエッジ領域にある。
【００３８】例１／参照例１からの２００ｍｍシリコン
ウェハに対するデータ：
ウェハに対するデータ：
【００３９】
【表１】
【００４０】参照例２ 例１で説明した２００ｍｍのシリコンウェハがポリシン
グされたが、相異しているのは、厚さ６００μｍの類似
に構成されたキャリヤが使用され、シリコンウェハは４
つのグループに段階付けられている、６８０μｍと８０
０μｍとの間の受け入れ時厚さを有しておりかつポリシ
ングによってそれぞれ４０μｍのシリコンが除去された
ことである。それぞれ３０個のシリコンウェハを有する
４回のポリシングランに対する重要なデータは、次の表
に挙げられている。参照例２ａないし２ｄのシリコンウ
ェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値は、図２で参照例
２ｃのシリコンウェハに対して示されているように、中
央領域に対するそれよりも著しく高い。
グされたが、相異しているのは、厚さ６００μｍの類似
に構成されたキャリヤが使用され、シリコンウェハは４
つのグループに段階付けられている、６８０μｍと８０
０μｍとの間の受け入れ時厚さを有しておりかつポリシ
ングによってそれぞれ４０μｍのシリコンが除去された
ことである。それぞれ３０個のシリコンウェハを有する
４回のポリシングランに対する重要なデータは、次の表
に挙げられている。参照例２ａないし２ｄのシリコンウ
ェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値は、図２で参照例
２ｃのシリコンウェハに対して示されているように、中
央領域に対するそれよりも著しく高い。
【００４１】参照例２の２００ｍｍのシリコンウェハに
対するデータ：
対するデータ：
【００４２】
【表２】
【００４３】例２ 例１において説明したように行われたが、次の相異があ
った：エッチングされた表面および８２０μｍの厚さを
有する３００ｍｍのシリコンウェハが使用された。更
に、ラッピングされた表面および７７０μｍの厚さを有
するステンレス鋼から成る５つのキャリヤが使用され
た。これらはそれぞれ３つの円形の、同じ間隔をおいて
円軌道上に配置されていて、ポリアミドがコーティング
されている、内径３０１ｍｍの穴を有しておりかつ１５
個の３００ｍｍシリコンウェハの同時のポリシングを可
能にするものである。例１において示した方法に類似し
て、シリコンウェハは０．５５μｍ／ｍｉｎの除去速度
において４０μｍシリコンの除去によってポリシングさ
れ、洗浄され、乾燥されかつその幾何学形状に関して市
販の、容量的に動作する測定装置において３ｍｍのエッ
ジスペースおよび２５ｍｍ×２５ｍｍのラスタがプリセ
ットされて特徴化される。残りの高さおよびローカルな
平坦性に対するデータは後で挙げる表に示されている。
例２のシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値
は、図３に示されているように、中央領域に対するそれ
よりも顕著に高くはない。
った：エッチングされた表面および８２０μｍの厚さを
有する３００ｍｍのシリコンウェハが使用された。更
に、ラッピングされた表面および７７０μｍの厚さを有
するステンレス鋼から成る５つのキャリヤが使用され
た。これらはそれぞれ３つの円形の、同じ間隔をおいて
円軌道上に配置されていて、ポリアミドがコーティング
されている、内径３０１ｍｍの穴を有しておりかつ１５
個の３００ｍｍシリコンウェハの同時のポリシングを可
能にするものである。例１において示した方法に類似し
て、シリコンウェハは０．５５μｍ／ｍｉｎの除去速度
において４０μｍシリコンの除去によってポリシングさ
れ、洗浄され、乾燥されかつその幾何学形状に関して市
販の、容量的に動作する測定装置において３ｍｍのエッ
ジスペースおよび２５ｍｍ×２５ｍｍのラスタがプリセ
ットされて特徴化される。残りの高さおよびローカルな
平坦性に対するデータは後で挙げる表に示されている。
例２のシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値
は、図３に示されているように、中央領域に対するそれ
よりも顕著に高くはない。
【００４４】例３ 例２において説明したように行われたが、２つの例外が
あった。すなわち、硬度８２（ショアＡ）の相応に形成
された研磨布が使用されかつ０．８２μｍ／ｍｉｎの除
去速度においてポリシングにより４２μｍのシリコンが
除去された。重要なデータは同様に後の表に含まれてい
る。例３のシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱ
Ｒ値は中央領域に対するそれより大して高くない。
あった。すなわち、硬度８２（ショアＡ）の相応に形成
された研磨布が使用されかつ０．８２μｍ／ｍｉｎの除
去速度においてポリシングにより４２μｍのシリコンが
除去された。重要なデータは同様に後の表に含まれてい
る。例３のシリコンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱ
Ｒ値は中央領域に対するそれより大して高くない。
【００４５】参照例３ ３００ｍｍのシリコンウェハの受け入れ時厚さが８３５
μｍであったったことを除いて、例２において説明した
とおりに行われた。重要なデータは同様に後の表に含ま
れている。参照例３のシリコンウェハのエッジ領域に対
するＳＦＱＲ値は、図４に示されているように、中央領
域に対するそれより顕著に高い。
μｍであったったことを除いて、例２において説明した
とおりに行われた。重要なデータは同様に後の表に含ま
れている。参照例３のシリコンウェハのエッジ領域に対
するＳＦＱＲ値は、図４に示されているように、中央領
域に対するそれより顕著に高い。
【００４６】参照例４ キャリヤ厚さが７００μｍであったったことを除いて、
参照例３において説明したとおりに行われた。重要なデ
ータは同様に後の表に含まれている。参照例４のシリコ
ンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値は、中央領域
に対するそれより顕著に高い。
参照例３において説明したとおりに行われた。重要なデ
ータは同様に後の表に含まれている。参照例４のシリコ
ンウェハのエッジ領域に対するＳＦＱＲ値は、中央領域
に対するそれより顕著に高い。
【００４７】例４ 参照例３のシリコンウェハは例２において説明した手法
において新たにポリシングされ、その際ここでは厚さ７
７０μｍのキャリヤが使用されかつ１８μｍのシリコン
がポリシングによって除去された。重要なデータは同様
に後の表に含まれている。例４のシリコンウェハのエッ
ジ領域に対するＳＦＱＲ値はもはや、中央領域に対する
それより大して高くない。
において新たにポリシングされ、その際ここでは厚さ７
７０μｍのキャリヤが使用されかつ１８μｍのシリコン
がポリシングによって除去された。重要なデータは同様
に後の表に含まれている。例４のシリコンウェハのエッ
ジ領域に対するＳＦＱＲ値はもはや、中央領域に対する
それより大して高くない。
【００４８】例２ないし４および参照例３および４の３
００ｍｍシリコンウェハに対するデータ：
００ｍｍシリコンウェハに対するデータ：
【００４９】
【表３】
【００５０】製造されたウェハのその他の特徴化 上に説明した例および参照例に従って製造された２００
ｍｍおよび３００ｍｍのシリコンウェハの前面、裏面お
よびエッジは、当業者には普通の方法で、表面エラー、
粗さおよび金属異物に関しておよびその全体がマジック
ミラー欠陥、少数キャリヤ寿命および金属異物に関して
特徴化される。個々の実験グループ間に統計学的に重要
な偏差は観察されなかった。
ｍｍおよび３００ｍｍのシリコンウェハの前面、裏面お
よびエッジは、当業者には普通の方法で、表面エラー、
粗さおよび金属異物に関しておよびその全体がマジック
ミラー欠陥、少数キャリヤ寿命および金属異物に関して
特徴化される。個々の実験グループ間に統計学的に重要
な偏差は観察されなかった。
【図１】例Ｂ １ｆの、シリコンウェハの部分領域のロ
ーカルな平坦度の分布を示す略図である、
ーカルな平坦度の分布を示す略図である、
【図２】参照例２ｃの、シリコンウェハの部分領域の別
のローカルな平坦度の分布を示す略図である、
のローカルな平坦度の分布を示す略図である、
【図３】例２の、シリコンウェハの部分領域の更に別の
ローカルな平坦度の分布を示す略図である。
ローカルな平坦度の分布を示す略図である。
【図４】参照例３の、シリコンウェハの部分領域の更に
また別のローカルな平坦度の分布を示す略図である。
また別のローカルな平坦度の分布を示す略図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス アルトマン ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン ルー ドルフ−ディーゼル−シュトラーセ ２ (72)発明者 エルンスト フォイヒティンガー ドイツ連邦共和国 ヴィッティブロイト アカーツィエンヴェーク ６ (72)発明者 ヴィリーバルト ベルンヴィンクラー ドイツ連邦共和国 アンツェンキルヒェン クロイツシュトラーセ 19 (72)発明者 ヴォルフガング ヴィンクラー ドイツ連邦共和国 ティットモニング ベ ルクフェルト 23 (72)発明者 ゲルハルト ハイヤー ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン イン デン グリューベン 139
Claims (15)
- 【請求項１】 前面および裏面を備えかつ半導体ウェハ
の前面における面ラスタの部分領域に関連した平坦度が
次のように特徴付けられている、すなわち０．１３μｍ
に等しいまたはそれより小さいローカルな最大平坦度Ｓ
ＦＱＲmaxおよび半導体ウェハの中心領域におけるＳＦ
ＱＲ個別値とは著しくは異なっていない、半導体ウェハ
のエッジ領域におけるＳＦＱＲ個別値によって特徴付け
られている半導体ウェハ。 - 【請求項２】 半導体ウェハの前面および裏面をポリシ
ングゾルを供給しながら回転するポリシング定盤の間で
同時にポリシングすることによって半導体ウェハを製造
するための方法であって、半導体ウェハはキャリヤの穴
に置かれかつ所定の幾何学的な軌道上に保持され、かつ
キャリヤが所定のキャリヤ厚さを有しておりかつ半導体
ウェハがポリシングの前に受け入れ時厚さおよびポリシ
ングの後に最終厚さを有しているとする形式の方法にお
いて、半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリヤ厚さよ
り２０ないし２００μｍだけ大きくかつ半導体ウェハの
最終厚さがキャリヤ厚さより２ないし２０μｍだけ大き
い状態になるまで、半導体ウェハをポリシングすること
を特徴とする半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項３】 半導体ウェハの受け入れ時厚さはキャリ
ヤ厚さより３０ないし７０μｍだけ大きい請求項２記載
の方法。 - 【請求項４】 半導体ウェハの最終厚さはキャリヤ厚さ
より５ないし１５μｍだけ大きい請求項２または３記載
の方法。 - 【請求項５】 前記定盤には研磨布が貼られておりかつ
半導体ウェハのポリシングの期間に、アルカリポリシン
グゾルを連続的に供給する請求項２から４までのいずれ
か１項記載の方法。 - 【請求項６】 前記ポリシングゾルは、１ないし１０質
量百分率のＳｉＯ2固体含有量および９ないし１２のｐ
Ｈ値を有している請求項２から５までのいずれか１項記
載の方法。 - 【請求項７】 ポリシングによって、半導体ウェハの厚
さを１５ないし６５μｍだけ低減するようにする請求項
２から６までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項８】 前記キャリヤの厚さは４００ないし１２
００μｍである請求項２から７までのいずれか１項記載
の方法。 - 【請求項９】 半導体ウェハを半導体結晶のスライスに
よって製作しかつポリシングの前に、研削ステップを行
い、ここで半導体ウェハの片面または両面を研削しかつ
１０ないし１００μｍの材料除去を実現する請求項２か
ら８までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１０】 半導体ウェハの研削の前または後に、
半導体ウェハのエッジをラウンディングする請求項９記
載の方法。 - 【請求項１１】 半導体ウェハのポリシングの前に、エ
ッチングステップを実施し、これにより、ウェハの両面
のそれぞれから５ないし５０μｍの材料除去を実現する
請求項２から１０までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１２】 半導体ウェハのポリシングの後に、柔
らかい研磨布を使用してウェハ前面から０．２ないし２
μｍの材料除去が実現される、最終ポリシングステップ
を実施する請求項２から１１までのいずれか１項記載の
方法。 - 【請求項１３】 半導体ウェハのポリシングの後または
前記最終ポリシングステップの後に、ウェハ前面に１μ
ｍないし１０μｍの厚さを有する半導体エピタキシャル
層を成膜する請求項２から１２までのいずれか１項記載
の方法。 - 【請求項１４】 前記半導体ウェハと一緒に少なくとも
１つの別の半導体ウェハを同じ方法でポリシングし、こ
こで該別の半導体ウェブは前記キャリヤの別の切り欠き
または別のキャリヤの切り欠きに置かれる請求項２から
１３までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１５】 シリコン、シリコン／ゲルマニウム、
シリコン酸化物、シリコン窒化物、ガリウムヒ化物およ
び別のＩＩＩ−Ｖ半導体を含んでいる族から選択された
材料から成るウェハを製造するための、請求項２から１
４までのいずれか１項記載の方法の使用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19905737A DE19905737C2 (de) | 1999-02-11 | 1999-02-11 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit |
| DE19905737.0 | 1999-02-11 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000235941A true JP2000235941A (ja) | 2000-08-29 |
| JP3400765B2 JP3400765B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=7897197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000035976A Expired - Lifetime JP3400765B2 (ja) | 1999-02-11 | 2000-02-14 | 半導体ウェハの製造方法および該製造方法の使用 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6458688B1 (ja) |
| JP (1) | JP3400765B2 (ja) |
| KR (1) | KR100394970B1 (ja) |
| DE (1) | DE19905737C2 (ja) |
| TW (1) | TW567547B (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004214402A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Fujitsu Ltd | 半導体基板及びその製造方法 |
| KR100504098B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2005-07-27 | 실트로닉 아게 | 실리콘 반도체웨이퍼 및 다수 반도체웨이퍼의 제조방법 |
| JP2006266958A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Tosoh Corp | 平板の厚みムラ測定方法および装置 |
| JP2007036225A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-08 | Siltronic Ag | 半導体ウェーハを加工する方法、キャリア及び半導体ウェーハ |
| CN100339969C (zh) * | 2000-11-16 | 2007-09-26 | 信越半导体株式会社 | 晶片形状评价法、装置及器件制造法，晶片及晶片挑选法 |
| JP2008078660A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Siltronic Ag | 半導体ウェハを研磨する方法及びその方法に従って製作可能な研磨された半導体ウェハ |
| JP2010045279A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Nippon Steel Corp | 半導体基板の両面研磨方法 |
| WO2010128631A1 (ja) | 2009-05-08 | 2010-11-11 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの研磨方法及び研磨パッド整形治具 |
| DE112010004989T5 (de) | 2009-12-24 | 2013-03-07 | Sumco Corporation | Halbleiterwafer und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US8545712B2 (en) | 2007-09-25 | 2013-10-01 | Sumco Techxiv Corporation | Semiconductor wafer manufacturing method |
| US8952496B2 (en) | 2009-12-24 | 2015-02-10 | Sumco Corporation | Semiconductor wafer and method of producing same |
| CN104813439A (zh) * | 2012-10-26 | 2015-07-29 | 道康宁公司 | 平坦的SiC半导体基板 |
| US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
| US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
| US10002760B2 (en) | 2014-07-29 | 2018-06-19 | Dow Silicones Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19938340C1 (de) * | 1999-08-13 | 2001-02-15 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe |
| DE19956250C1 (de) | 1999-11-23 | 2001-05-17 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben |
| DE19958077A1 (de) * | 1999-12-02 | 2001-06-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben |
| DE19960823B4 (de) | 1999-12-16 | 2007-04-12 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe und deren Verwendung |
| DE10004578C1 (de) * | 2000-02-03 | 2001-07-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit polierter Kante |
| DE10012840C2 (de) * | 2000-03-16 | 2001-08-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von polierten Halbleiterscheiben |
| DE10027103A1 (de) * | 2000-04-13 | 2001-10-25 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Überführung einer Rücklaufscheibe in eine Halbleiterscheibe |
| DE10023002B4 (de) * | 2000-05-11 | 2006-10-26 | Siltronic Ag | Satz von Läuferscheiben sowie dessen Verwendung |
| DE10025871A1 (de) | 2000-05-25 | 2001-12-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Epitaxierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US6709981B2 (en) | 2000-08-16 | 2004-03-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method |
| DE10046933C2 (de) * | 2000-09-21 | 2002-08-29 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Politur von Siliciumscheiben |
| DE10046893A1 (de) * | 2000-09-21 | 2002-01-31 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Doppelseiten-Polierverfahren mit Tuchkonditionierung |
| DE10058305A1 (de) * | 2000-11-24 | 2002-06-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben |
| DE10060697B4 (de) * | 2000-12-07 | 2005-10-06 | Siltronic Ag | Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE10132504C1 (de) * | 2001-07-05 | 2002-10-10 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben und seine Verwendung |
| DE10143741A1 (de) * | 2001-09-06 | 2003-03-27 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Beschichtete Siliciumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE10159832A1 (de) * | 2001-12-06 | 2003-06-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung |
| DE10162597C1 (de) * | 2001-12-19 | 2003-03-20 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung beidseitig polierter Halbleiterscheiben |
| DE10250823B4 (de) * | 2002-10-31 | 2005-02-03 | Siltronic Ag | Läuferscheibe und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Bearbeitung von Werkstücken |
| JP3769262B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-19 | 株式会社東芝 | ウェーハ平坦度評価方法、その評価方法を実行するウェーハ平坦度評価装置、その評価方法を用いたウェーハの製造方法、その評価方法を用いたウェーハ品質保証方法、その評価方法を用いた半導体デバイスの製造方法、およびその評価方法によって評価されたウェーハを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| DE10302611B4 (de) * | 2003-01-23 | 2011-07-07 | Siltronic AG, 81737 | Polierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu deren Herstellung und Anordnung bestehend aus einer Halbleiterscheibe und einem Schild |
| US7008308B2 (en) | 2003-05-20 | 2006-03-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | Wafer carrier |
| DE10336271B4 (de) * | 2003-08-07 | 2008-02-07 | Siltronic Ag | Siliciumscheibe und Verfahren zu deren Herstellung |
| KR20050055531A (ko) * | 2003-12-08 | 2005-06-13 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 연마 방법 |
| DE102004004556B4 (de) * | 2004-01-29 | 2008-12-24 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| DE102004005702A1 (de) * | 2004-02-05 | 2005-09-01 | Siltronic Ag | Halbleiterscheibe, Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe |
| JP4113509B2 (ja) † | 2004-03-09 | 2008-07-09 | スピードファム株式会社 | 被研磨物保持用キャリア |
| DE112005001447B4 (de) | 2004-06-23 | 2019-12-05 | Komatsu Denshi Kinzoku K.K. | Doppelseitenpolierträger und Herstellungsverfahren desselben |
| WO2006014317A2 (en) * | 2004-07-02 | 2006-02-09 | Phase Shift Technology, Inc. | Method, system, and software for evaluating characteristics of a surface with reference to its edge |
| DE102004054566B4 (de) * | 2004-11-11 | 2008-04-30 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Einebnen einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit |
| US7402520B2 (en) * | 2004-11-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer |
| DE102005034120B4 (de) * | 2005-07-21 | 2013-02-07 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| JP5029234B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2012-09-19 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US7541290B2 (en) * | 2007-03-08 | 2009-06-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming mask patterns on semiconductor wafers that compensate for nonuniform center-to-edge etch rates during photolithographic processing |
| US20100193900A1 (en) * | 2007-07-13 | 2010-08-05 | National University Corporation Tohoku University | Soi substrate and semiconductor device using an soi substrate |
| JP2009298680A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Sumco Corp | 半導体ウェーハ |
| KR101054887B1 (ko) * | 2009-03-09 | 2011-08-05 | 한양대학교 산학협력단 | 균일도 측정 방법 및 장치 |
| US8340801B2 (en) * | 2009-12-29 | 2012-12-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Systems for generating representations of flatness defects on wafers |
| US8165706B2 (en) * | 2009-12-29 | 2012-04-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods for generating representations of flatness defects on wafers |
| DE102010013520B4 (de) | 2010-03-31 | 2013-02-07 | Siltronic Ag | Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe |
| DE102011005512A1 (de) | 2011-03-14 | 2012-01-19 | Siltronic Ag | Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe |
| US9057790B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-06-16 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Scintillation detection device with pressure sensitive adhesive interfaces |
| EP2761645A4 (en) | 2011-09-30 | 2015-06-10 | Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs | GROUP III-V SUPPLY MATERIAL, INCLUDING, IN PARTICULAR, CRYSTALLOGRAPHIC CHARACTERISTICS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
| TWI529964B (zh) | 2012-12-31 | 2016-04-11 | 聖戈班晶體探測器公司 | 具有薄緩衝層的iii-v族基材及其製備方法 |
| US9017804B2 (en) | 2013-02-05 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Method to reduce dislocations in SiC crystal growth |
| US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
| US10283595B2 (en) * | 2015-04-10 | 2019-05-07 | Panasonic Corporation | Silicon carbide semiconductor substrate used to form semiconductor epitaxial layer thereon |
| JP6819451B2 (ja) | 2017-05-08 | 2021-01-27 | 信越化学工業株式会社 | 大型合成石英ガラス基板並びにその評価方法及び製造方法 |
| JP6870623B2 (ja) * | 2018-01-18 | 2021-05-12 | 信越半導体株式会社 | キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3691694A (en) * | 1970-11-02 | 1972-09-19 | Ibm | Wafer polishing machine |
| US4579760A (en) * | 1985-01-08 | 1986-04-01 | International Business Machines Corporation | Wafer shape and method of making same |
| DE3524978A1 (de) * | 1985-07-12 | 1987-01-22 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum beidseitigen abtragenden bearbeiten von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben |
| US5422316A (en) | 1994-03-18 | 1995-06-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer polisher and method |
| JP3169120B2 (ja) * | 1995-07-21 | 2001-05-21 | 信越半導体株式会社 | 半導体鏡面ウェーハの製造方法 |
| KR100227924B1 (ko) * | 1995-07-28 | 1999-11-01 | 가이데 히사오 | 반도체 웨이퍼 제조방법, 그 방법에 사용되는 연삭방법 및 이에 사용되는 장치 |
| JP3379097B2 (ja) | 1995-11-27 | 2003-02-17 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置及び方法 |
| JP3620554B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2005-02-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハ製造方法 |
| JP3658454B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2005-06-08 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体ウェハの製造方法 |
| JPH1110530A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 両面研磨用キャリア |
| JP3952545B2 (ja) | 1997-07-24 | 2007-08-01 | 株式会社デンソー | 車両用空調装置 |
| US6214704B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-04-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage |
| US6293139B1 (en) * | 1999-11-03 | 2001-09-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of determining performance characteristics of polishing pads |
-
1999
- 1999-02-11 DE DE19905737A patent/DE19905737C2/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-01-27 US US09/491,649 patent/US6458688B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-09 TW TW089102086A patent/TW567547B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-02-10 KR KR10-2000-0006212A patent/KR100394970B1/ko active IP Right Grant
- 2000-02-14 JP JP2000035976A patent/JP3400765B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-08-13 US US10/218,006 patent/US6583050B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100339969C (zh) * | 2000-11-16 | 2007-09-26 | 信越半导体株式会社 | 晶片形状评价法、装置及器件制造法，晶片及晶片挑选法 |
| KR100504098B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2005-07-27 | 실트로닉 아게 | 실리콘 반도체웨이퍼 및 다수 반도체웨이퍼의 제조방법 |
| JP2004214402A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Fujitsu Ltd | 半導体基板及びその製造方法 |
| JP2006266958A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Tosoh Corp | 平板の厚みムラ測定方法および装置 |
| JP4559271B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2010-10-06 | 東ソー株式会社 | 平板の厚みムラ測定方法および装置 |
| JP2007036225A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-08 | Siltronic Ag | 半導体ウェーハを加工する方法、キャリア及び半導体ウェーハ |
| JP2008078660A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Siltronic Ag | 半導体ウェハを研磨する方法及びその方法に従って製作可能な研磨された半導体ウェハ |
| US8545712B2 (en) | 2007-09-25 | 2013-10-01 | Sumco Techxiv Corporation | Semiconductor wafer manufacturing method |
| JP2010045279A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Nippon Steel Corp | 半導体基板の両面研磨方法 |
| WO2010128631A1 (ja) | 2009-05-08 | 2010-11-11 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの研磨方法及び研磨パッド整形治具 |
| US8647174B2 (en) | 2009-05-08 | 2014-02-11 | Sumco Corporation | Semiconductor wafer polishing method and polishing pad shaping jig |
| DE112010004989T5 (de) | 2009-12-24 | 2013-03-07 | Sumco Corporation | Halbleiterwafer und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US8772177B2 (en) | 2009-12-24 | 2014-07-08 | Sumco Corporation | Semiconductor wafer and method of producing the same |
| US8952496B2 (en) | 2009-12-24 | 2015-02-10 | Sumco Corporation | Semiconductor wafer and method of producing same |
| CN104813439A (zh) * | 2012-10-26 | 2015-07-29 | 道康宁公司 | 平坦的SiC半导体基板 |
| CN104813439B (zh) * | 2012-10-26 | 2017-04-12 | 道康宁公司 | 平坦的SiC半导体基板 |
| US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
| US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
| US10002760B2 (en) | 2014-07-29 | 2018-06-19 | Dow Silicones Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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